2N4150S
硅NPN晶体管
数据表
描述
Semicoa半导体提供：
筛选和处理符合MIL -PRF- 19500
附录E
JAN级（ 2N4150SJ ）
JANTX级别（ 2N4150SJX ）
JANTXV级（ 2N4150SJV ）
QCI适用的级别
每MIL -STD- 750方法100 ％模目视检查
2072的JANTXV
辐射测试（总剂量）要求
应用
通用
低功耗，高电压
NPN硅晶体管
特点
密封TO- 39金属罐
在芯片配置也可
芯片几何尺寸3101
参考文献：
MIL-PRF-19500/394
好处
请联系Semicoa的特殊配置
www.SEMICOA.com或（ 714 ） 979-1900
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流，连续
功耗，T
A
= 25°C
线性降额25°C以上
功耗，T
C
= 25°C
线性降额高于100℃
热阻
工作结温
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
P
T
资质等级： JAN ， JANTX ，并
JANTXV
辐射测试可用
T
C
= 25 ° C除非另有说明
等级
70
100
10
10
1
5.7
5
50
.175
.020
-65到+200
单位
伏
伏
伏
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
R
θJA
R
θJC
T
J
T
英镑
Copyright 2002年
牧师F
Semicoa半导体公司
麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541
第1页2
www.SEMICOA.com
2N4150S
硅NPN晶体管
数据表
电气特性
在T规定的特性
A
= 25°C
开关特性
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射基截止电流
基本特征
参数
符号
h
FE1
h
FE2
h
FE3
h
FE4
V
BEsat1
V
BEsat2
V
CEsat1
V
CEsat2
测试条件
I
C
= 1 A，V
CE
= 5伏
I
C
= 5 A，V
CE
= 5伏
I
C
= 10 A，V
CE
= 5伏
I
C
= 5 A，V
CE
= 5伏
T
A
= -55°C
I
C
= 5 A，I
B
= 500毫安
I
C
= 10 A，I
B
= 1 A
I
C
= 5 A，I
B
= 500毫安
I
C
= 10 A，I
B
= 1 A
符号
V
（ BR ） CEO
I
CBO1
I
CBO2
I
首席执行官
I
CEX1
I
CEX2
I
EBO1
I
EBO2
测试条件
I
C
= 100毫安
V
CB
= 100伏
V
CB
= 80伏，
V
CE
= 60伏
V
CE
= 60Volts ，V
EB
= .5Volts
V
CE
= 60Volts ，V
EB
= .5Volts ，
T
A
= 150°C
V
EB
= 7伏
V
EB
= 5伏
民
70
10
100
10
10
100
10
100
典型值
最大
单位
伏
A
nA
A
A
A
nA
脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
≤
2.0%
直流电流增益
民
50
40
10
20
典型值
最大
200
120
单位
基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
动态特性
参数
震级 - 共发射极，短
电路正向电流传输比
小信号短路正向
电流传输比
开路输出电容
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
1.5
2.5
0.6
2.5
伏
伏
符号
|h
FE
|
h
FE
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
测试条件
V
CE
= 10伏，我
C
= 200毫安，
F = 10MHz的
V
CE
= 5伏，我
C
= 50毫安，
F = 1千赫
V
CB
= 10伏，我
E
= 0 mA时，
100千赫< F < 1兆赫
民
1.5
40
典型值
最大
7.5
160
350
单位
pF
I
C
= 5 A，I
B
= 500毫安，
I
C
= 5 A，I
B1
= -I
B2
= 500毫安
50
500
1.5
500
ns
s
ns
Copyright 2002年
牧师F
Semicoa半导体公司
麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541
第2页2
www.SEMICOA.com
