2N4124 / MMBT4124
2N4124
MMBT4124
C
E
C
B
TO-92
E
SOT-23
马克： ZC
B
NPN通用放大器
本设备被设计为通用放大器和开关。
的有用动态范围扩展为100 mA作为开关，并
100MHz的作为放大器。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
25
30
5.0
200
-55到+150
单位
V
V
V
mA
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
2N4124
625
5.0
83.3
200
最大
*MMBT4124
350
2.8
357
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
2001年仙童半导体公司
2N4124 / MMBT4124 ，版本A
2N4124 / MMBT4124
NPN通用放大器
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
C
= 10
A,
I
E
= 0
I
C
= 10
A,
I
C
= 0
V
CB
= 20 V，I
E
= 0
V
EB
= 3.0 V，I
C
= 0
25
30
5.0
50
50
V
V
V
nA
nA
基本特征*
h
FE
V
CE（
SAT
)
V
BE （
SAT
)
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 50 mA时， V
CE
= 1.0 V
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5.0毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5.0毫安
120
60
360
0.3
0.95
V
V
小信号特性
f
T
C
敖包
C
IBO
C
cb
h
fe
NF
电流增益 - 带宽积
输出电容
输入电容
集电极 - 基极Capcitance
小信号电流增益
噪声系数
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 20 V,
F = 100 MHz的
V
CB
= 5.0 V，I
E
= 0,
F = 100千赫
V
BE
= 0.5 V，I
C
= 0,
F = 1.0千赫
V
CB
= 5.0 V，I
E
= 0,
F = 100千赫
V
CE
= 10 V，I
C
= 2.0毫安，
F = 1.0千赫
I
C
= 100
A,
V
CE
= 5.0 V,
R
S
= 1.0kΩ ， F = 10 Hz至15.7千赫
300
4.0
8.0
4.0
120
480
5.0
dB
兆赫
pF
pF
pF
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
QQ：2880707522 复制
