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2N4123
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]]]]]]
]]]]]]
]]]]]]
2N4123
C
BE
TO-92
NPN通用放大器
该器件是专为使用一般通用放大器
和交换机要求集电极电流为100 mA。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
30
40
5.0
200
-55到+150
单位
V
V
V
mA
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大
2N4123
625
5.0
83.3
200
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
2001年仙童半导体公司
2N4123 ，版本A
2N4123
NPN通用放大器
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
集电极 - 发射极击穿电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
C
= 10
A,
I
E
= 0
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
V
CB
= 20 V，I
E
= 0
V
EB
= 3.0 V，I
C
= 0
30
40
5.0
50
50
V
V
V
nA
nA
基本特征*
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
V
CE
= 1.0 V，I
C
= 2.0毫安
V
CE
= 1.0 V，I
C
= 50毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5.0毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5.0毫安
50
25
150
0.3
0.95
V
V
小信号特性
C
ob
C
ib
h
fe
输出电容
输入电容
小信号电流增益
V
CB
= 5.0 V ， F = 100千赫
V
EB
= 0.5 V ， F = 0.1 MHz的
I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 10 V,
F = 1.0千赫
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 20 V,
F = 100 MHz的
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 20 V
F = 100 MHz的
V
CE
= 5.0 V，I
C
= 100
A,
R
S
= 1.0 k,
B
W
= 10 Hz至15.7千赫
50
2.5
250
6.0
4.0
8.0
200
pF
pF
f
T
NF
电流增益 - 带宽积
噪声系数
兆赫
dB
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
2N4123
NPN通用放大器
（续）
典型特征
500
400
125 °C
V
CE
= 5V
V
CESAT
- 集电极 - 发射极电压（ V）
h
FE
- 典型ICAL脉冲CURRE NT GAIN
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
0.15
β
= 10
125 °C
300
25 °C
0.1
25 °C
200
100
0
0.1
- 40 °C
0.05
- 40 °C
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
100
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
100
V
-
BE（上）
基极发射极电压（ V）
V
BESAT
- 基极发射极电压（V）的
基射极饱和
电压Vs集电极电流
1
β
= 10
基射极电压ON VS
集电极电流
1
V
CE
= 5V
0.8
- 40 °C
25 °C
0.8
- 40 °C
25 °C
0.6
125 °C
0.6
125 °C
0.4
0.4
0.1
I
C
1
10
- 集电极电流（毫安）
100
0.2
0.1
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
100
集电极截止电流
VS环境温度
I
CBO
- 集电极电流（ NA）
500
电容（pF）
10
电容VS
反向偏置电压
F = 1.0 MHz的
100
10
1
0.1
V
CB
= 30V
5
4
3
2
敖包
IBO
25
50
75
100
125
T
A
- 环境温度（
°
C)
150
1
0.1
1
10
反向偏置电压（V）的
100
2N4123
NPN通用放大器
（续）
典型特征
（续）
噪声系数与频率
12
NF - 噪声系数（dB ）
10
8
6
4
2
0
0.1
I C = 100
A,
R 5 = 500
噪声系数VS源电阻
12
NF - 噪声系数（dB ）
I C = 1.0毫安
I C = 1.0毫安
R 5 = 200Ω
I C = 50
A
R 5 = 1.0千欧
I C = 0.5毫安
R 5 = 200Ω
V
CE
= 5.0V
10
I C = 5.0毫安
8
6
4
2
0
0.1
I C = 50
A
I C = 100
A
1
10
的F - 频率（KHz ）
100
1
10
R
S
- 源极电阻值（kΩ ）
100
电流增益和相位角
与频率
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
h
fe
P
D
- 功耗（ W）
功耗与
环境温度
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
1000
1
- 电流增益（分贝）
SOT-223
0.75
θ
- 学位
TO-92
θ
0.5
SOT-23
0.25
h
V
CE
= 40V
I
C
= 10毫安
1
10
100
的F - 频率（MHz）
fe
0
0
25
50
75
100
温度（
o
C)
125
150
导通时间与集电极电流
500
I
B1
= I
B2
=
40V
时间（纳秒）
100
15V
t
r @
V
CC
= 3.0V
2.0V
10
t
d @
V
CB
= 0V
5
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
100
I
c
10
上升时间与集电极电流
500
V
CC
= 40V
t
r
- 上升时间（ NS ）
I
B1
= I
B2
=
I
c
10
100
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
10
5
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
100
2N4123
NPN通用放大器
（续）
典型特征
（续）
贮藏时间与集电极电流
500
t
S
- 存储时间（纳秒）
T
J
= 25°C
秋季时间与集电极电流
500
I
B1
= I
B2
=
t
f
- 下降时间（ NS ）
T
J
= 125°C
I
c
10
I
B1
= I
B2
=
I
c
10
V
CC
= 40V
100
T
J
= 125°C
100
T
J
= 25°C
10
5
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
100
10
5
1
10
I
C
- 集电极电流（毫安）
100
电流增益
V
CE
= 10 V
F = 1.0千赫
T
A
= 25
o
C
h
oe
- 输出导纳（
姆欧）
500
100
输出导纳
V
CE
= 10 V
F = 1.0千赫
T
A
= 25
o
C
h
fe
- 电流增益
100
10
10
0.1
1
I
C
- 集电极电流（毫安）
10
1
0.1
1
I
C
- 集电极电流（毫安）
10
h
re
- 电压反馈比率（ X10
100
h
ie
- 输入阻抗（K
)
_4
)
输入阻抗
V
CE
= 10 V
F = 1.0千赫
T
A
= 25
o
C
电压反馈比例
10
7
5
4
3
2
V
CE
= 10 V
F = 1.0千赫
T
A
= 25
o
C
10
1
0.1
0.1
1
I
C
- 集电极电流（毫安）
10
1
0.1
1
I
C
- 集电极电流（毫安）
10
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28C64B-20ID
2SA1471Q
2SC1115
20CTQ150SPBF
2SC4887LS
24LC00T-I/ST
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2N2712
25-02-6072
27432
2-1437727-5
26-60-2040
2010050000
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