【2N4123[]]]]]][]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]]2N4123CBETO-9】,IC型号2N4123,2N4123 PDF资料,2N4123经销商,ic,电子元器件-51电子网

2N4123

[]]]]]]

[]]]]]

]]]]]]

2N4123

C

BE

TO-92

NPN通用放大器

该器件是专为使用一般通用放大器

和交换机要求集电极电流为100 mA。

绝对最大额定值*

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

T

J

, T

英镑

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

TA = 25° C除非另有说明

参数

价值

30

40

5.0

200

-55到+150

单位

V

mA

°C

工作和存储结温范围

*

这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。

注意事项：

1)

这些评级是基于150度C的最高结温

2)

这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。

热特性

符号

P

D

R

θJC

R

θJA

TA = 25° C除非另有说明

特征

器件总功耗

减免上述25℃

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

最大

2N4123

625

5.0

83.3

200

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

2001年仙童半导体公司

2N4123 ，版本A

2N4123

NPN通用放大器

（续）

电气特性

符号

参数

TA = 25° C除非另有说明

测试条件

民

最大

单位

开关特性

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

集电极 - 发射极击穿电压*

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

I

C

= 1.0毫安，我

B

= 0

I

C

= 10

A,

I

E

= 0

I

E

= 10

A,

I

C

= 0

V

CB

= 20 V，I

E

= 0

V

EB

= 3.0 V，I

C

= 0

30

40

5.0

50

V

nA

基本特征*

h

FE

V

CE

（SAT）

V

BE

（SAT）

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

V

CE

= 1.0 V，I

C

= 2.0毫安

V

CE

= 1.0 V，I

C

= 50毫安

I

C

= 50 mA时，我

B

= 5.0毫安

I

C

= 50 mA时，我

B

= 5.0毫安

50

25

150

0.3

0.95

V

小信号特性

C

ob

C

ib

h

fe

输出电容

输入电容

小信号电流增益

V

CB

= 5.0 V ， F = 100千赫

V

EB

= 0.5 V ， F = 0.1 MHz的

I

C

= 2.0毫安， V

CE

= 10 V,

F = 1.0千赫

I

C

= 10 mA时， V

CE

= 20 V,

F = 100 MHz的

I

C

= 10 mA时， V

CE

= 20 V

F = 100 MHz的

V

CE

= 5.0 V，I

C

= 100

A,

R

S

= 1.0 k,

B

W

= 10 Hz至15.7千赫

50

2.5

250

6.0

4.0

8.0

200

pF

f

T

NF

电流增益 - 带宽积

噪声系数

兆赫

dB

*

脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

s,

占空比

≤

2.0%

2N4123

NPN通用放大器

（续）

典型特征

500

400

125 °C

V

CE

= 5V

V

CESAT

- 集电极 - 发射极电压（ V）

h

FE

- 典型ICAL脉冲CURRE NT GAIN

典型的脉冲电流增益

VS集电极电流

集电极 - 发射极饱和

电压Vs集电极电流

0.15

β

= 10

125 °C

300

25 °C

0.1

25 °C

200

100

0

0.1

- 40 °C

0.05

- 40 °C

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

0.1

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

V

-

BE（上）

基极发射极电压（ V）

V

BESAT

- 基极发射极电压（V）的

基射极饱和

电压Vs集电极电流

1

β

= 10

基射极电压ON VS

集电极电流

1

V

CE

= 5V

0.8

- 40 °C

25 °C

0.8

- 40 °C

25 °C

0.6

125 °C

0.6

125 °C

0.4

0.1

I

C

1

10

- 集电极电流（毫安）

100

0.2

0.1

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

集电极截止电流

VS环境温度

I

CBO

- 集电极电流（ NA）

500

电容（pF）

10

电容VS

反向偏置电压

F = 1.0 MHz的

100

10

1

0.1

V

CB

= 30V

5

4

3

2

敖包

IBO

25

50

75

100

125

T

A

- 环境温度（

°

C)

150

1

0.1

1

10

反向偏置电压（V）的

100

2N4123

NPN通用放大器

（续）

典型特征

（续）

噪声系数与频率

12

NF - 噪声系数（dB ）

10

8

6

4

2

0

0.1

I C = 100

A,

R 5 = 500

噪声系数VS源电阻

12

NF - 噪声系数（dB ）

I C = 1.0毫安

R 5 = 200Ω

I C = 50

A

R 5 = 1.0千欧

I C = 0.5毫安

R 5 = 200Ω

V

CE

= 5.0V

10

I C = 5.0毫安

8

6

4

2

0

0.1

I C = 50

A

I C = 100

A

1

10

的F - 频率（KHz ）

100

1

10

R

S

- 源极电阻值（kΩ ）

100

电流增益和相位角

与频率

50

45

40

35

30

25

20

15

10

5

0

h

fe

P

D

- 功耗（ W）

功耗与

环境温度

0

20

40

60

80

100

120

140

160

180

1000

1

- 电流增益（分贝）

SOT-223

0.75

θ

- 学位

TO-92

θ

0.5

SOT-23

0.25

h

V

CE

= 40V

I

C

= 10毫安

1

10

100

的F - 频率（MHz）

fe

0

25

50

75

100

温度（

o

C)

125

150

导通时间与集电极电流

500

I

B1

= I

B2

=

40V

时间（纳秒）

100

15V

t

r @

V

CC

= 3.0V

2.0V

10

t

d @

V

CB

= 0V

5

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

I

c

10

上升时间与集电极电流

500

V

CC

= 40V

t

r

- 上升时间（ NS ）

I

B1

= I

B2

=

I

c

10

100

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

10

5

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

2N4123

NPN通用放大器

（续）

典型特征

（续）

贮藏时间与集电极电流

500

t

S

- 存储时间（纳秒）

T

J

= 25°C

秋季时间与集电极电流

500

I

B1

= I

B2

=

t

f

- 下降时间（ NS ）

T

J

= 125°C

I

c

10

I

B1

= I

B2

=

I

c

10

V

CC

= 40V

100

T

J

= 125°C

100

T

J

= 25°C

10

5

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

10

5

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

电流增益

V

CE

= 10 V

F = 1.0千赫

T

A

= 25

o

C

h

oe

- 输出导纳（

姆欧）

500

100

输出导纳

V

CE

= 10 V

F = 1.0千赫

T

A

= 25

o

C

h

fe

- 电流增益

100

10

0.1

1

I

C

- 集电极电流（毫安）

10

1

0.1

1

I

C

- 集电极电流（毫安）

10

h

re

- 电压反馈比率（ X10

100

h

ie

- 输入阻抗（K

)

_4

)

输入阻抗

V

CE

= 10 V

F = 1.0千赫

T

A

= 25

o

C

电压反馈比例

10

7

5

4

3

2

V

CE

= 10 V

F = 1.0千赫

T

A

= 25

o

C

10

1

0.1

1

I

C

- 集电极电流（毫安）

10

1

0.1

1

I

C

- 集电极电流（毫安）

10

2N4123

[]]]]]]

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2N4123

C

BE

TO-92

NPN通用放大器

该器件是专为使用一般通用放大器

和交换机要求集电极电流为100 mA。

绝对最大额定值*

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

T

J

, T

英镑

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

TA = 25° C除非另有说明

参数

价值

30

40

5.0

200

-55到+150

单位

V

mA

°C

工作和存储结温范围

*

这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。

注意事项：

1)

这些评级是基于150度C的最高结温

2)

这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。

热特性

符号

P

D

R

θJC

R

θJA

TA = 25° C除非另有说明

特征

器件总功耗

减免上述25℃

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

最大

2N4123

625

5.0

83.3

200

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

2001年仙童半导体公司

2N4123 ，版本A

2N4123

NPN通用放大器

（续）

电气特性

符号

参数

TA = 25° C除非另有说明

测试条件

民

最大

单位

开关特性

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

集电极 - 发射极击穿电压*

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

I

C

= 1.0毫安，我

B

= 0

I

C

= 10

A,

I

E

= 0

I

E

= 10

A,

I

C

= 0

V

CB

= 20 V，I

E

= 0

V

EB

= 3.0 V，I

C

= 0

30

40

5.0

50

V

nA

基本特征*

h

FE

V

CE

（SAT）

V

BE

（SAT）

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

V

CE

= 1.0 V，I

C

= 2.0毫安

V

CE

= 1.0 V，I

C

= 50毫安

I

C

= 50 mA时，我

B

= 5.0毫安

I

C

= 50 mA时，我

B

= 5.0毫安

50

25

150

0.3

0.95

V

小信号特性

C

ob

C

ib

h

fe

输出电容

输入电容

小信号电流增益

V

CB

= 5.0 V ， F = 100千赫

V

EB

= 0.5 V ， F = 0.1 MHz的

I

C

= 2.0毫安， V

CE

= 10 V,

F = 1.0千赫

I

C

= 10 mA时， V

CE

= 20 V,

F = 100 MHz的

I

C

= 10 mA时， V

CE

= 20 V

F = 100 MHz的

V

CE

= 5.0 V，I

C

= 100

A,

R

S

= 1.0 k,

B

W

= 10 Hz至15.7千赫

50

2.5

250

6.0

4.0

8.0

200

pF

f

T

NF

电流增益 - 带宽积

噪声系数

兆赫

dB

*

脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

s,

占空比

≤

2.0%

2N4123

NPN通用放大器

（续）

典型特征

500

400

125 °C

V

CE

= 5V

V

CESAT

- 集电极 - 发射极电压（ V）

h

FE

- 典型ICAL脉冲CURRE NT GAIN

典型的脉冲电流增益

VS集电极电流

集电极 - 发射极饱和

电压Vs集电极电流

0.15

β

= 10

125 °C

300

25 °C

0.1

25 °C

200

100

0

0.1

- 40 °C

0.05

- 40 °C

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

0.1

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

V

-

BE（上）

基极发射极电压（ V）

V

BESAT

- 基极发射极电压（V）的

基射极饱和

电压Vs集电极电流

1

β

= 10

基射极电压ON VS

集电极电流

1

V

CE

= 5V

0.8

- 40 °C

25 °C

0.8

- 40 °C

25 °C

0.6

125 °C

0.6

125 °C

0.4

0.1

I

C

1

10

- 集电极电流（毫安）

100

0.2

0.1

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

集电极截止电流

VS环境温度

I

CBO

- 集电极电流（ NA）

500

电容（pF）

10

电容VS

反向偏置电压

F = 1.0 MHz的

100

10

1

0.1

V

CB

= 30V

5

4

3

2

敖包

IBO

25

50

75

100

125

T

A

- 环境温度（

°

C)

150

1

0.1

1

10

反向偏置电压（V）的

100

2N4123

NPN通用放大器

（续）

典型特征

（续）

噪声系数与频率

12

NF - 噪声系数（dB ）

10

8

6

4

2

0

0.1

I C = 100

A,

R 5 = 500

噪声系数VS源电阻

12

NF - 噪声系数（dB ）

I C = 1.0毫安

R 5 = 200Ω

I C = 50

A

R 5 = 1.0千欧

I C = 0.5毫安

R 5 = 200Ω

V

CE

= 5.0V

10

I C = 5.0毫安

8

6

4

2

0

0.1

I C = 50

A

I C = 100

A

1

10

的F - 频率（KHz ）

100

1

10

R

S

- 源极电阻值（kΩ ）

100

电流增益和相位角

与频率

50

45

40

35

30

25

20

15

10

5

0

h

fe

P

D

- 功耗（ W）

功耗与

环境温度

0

20

40

60

80

100

120

140

160

180

1000

1

- 电流增益（分贝）

SOT-223

0.75

θ

- 学位

TO-92

θ

0.5

SOT-23

0.25

h

V

CE

= 40V

I

C

= 10毫安

1

10

100

的F - 频率（MHz）

fe

0

25

50

75

100

温度（

o

C)

125

150

导通时间与集电极电流

500

I

B1

= I

B2

=

40V

时间（纳秒）

100

15V

t

r @

V

CC

= 3.0V

2.0V

10

t

d @

V

CB

= 0V

5

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

I

c

10

上升时间与集电极电流

500

V

CC

= 40V

t

r

- 上升时间（ NS ）

I

B1

= I

B2

=

I

c

10

100

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

10

5

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

2N4123

NPN通用放大器

（续）

典型特征

（续）

贮藏时间与集电极电流

500

t

S

- 存储时间（纳秒）

T

J

= 25°C

秋季时间与集电极电流

500

I

B1

= I

B2

=

t

f

- 下降时间（ NS ）

T

J

= 125°C

I

c

10

I

B1

= I

B2

=

I

c

10

V

CC

= 40V

100

T

J

= 125°C

100

T

J

= 25°C

10

5

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

10

5

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

电流增益

V

CE

= 10 V

F = 1.0千赫

T

A

= 25

o

C

h

oe

- 输出导纳（

姆欧）

500

100

输出导纳

V

CE

= 10 V

F = 1.0千赫

T

A

= 25

o

C

h

fe

- 电流增益

100

10

0.1

1

I

C

- 集电极电流（毫安）

10

1

0.1

1

I

C

- 集电极电流（毫安）

10

h

re

- 电压反馈比率（ X10

100

h

ie

- 输入阻抗（K

)

_4

)

输入阻抗

V

CE

= 10 V

F = 1.0千赫

T

A

= 25

o

C

电压反馈比例

10

7

5

4

3

2

V

CE

= 10 V

F = 1.0千赫

T

A

= 25

o

C

10

1

0.1

1

I

C

- 集电极电流（毫安）

10

1

0.1

1

I

C

- 集电极电流（毫安）

10

小信号晶体管

TO- 92 CASE

型号

描述

领导

CODE

VCBO

(V)

民

18

25

50

40

50

40

30

60

30

60

40

30

40

30

25

30

45

60

VCEO VEBO

(V)

* VCES

民

18

25

50

25

30

20

30

60

30

40

30

25

30

25

15

45

40

(V)

最大

5.0

6.0

4.0

6.0

5.0

6.0

5.0

4.0

6.0

7.0

6.0

ICBO @ VCB

（ nA的）

* ICES

* ICEV

最大

500

100

500

100

50

50*

100

50

10

100*

(V)

的hFE

*的hFE

(1kHZ)

最大

250

180*

300*

470*

500

300

180

500

800

540

225

540

300

150

300

150

600

400

660

165

330

660

200

300

150

300

150

300

400

150

360

150

360

160

600

150

@ @ VCE IC

(V)

（MA ）

VCE （ SAT ） @ IC玉米棒

(V)

（MA ）

fT

NF

花花公子

2N2712

2N2714

2N2923

2N2924

2N2925

2N2926

2N3391A

2N3392

2N3393

2N3395

2N3396

2N3397

2N3398

2N3415

2N3416

2N3417

2N3702

2N3703

2N3704

2N3705

2N3706

2N3707

2N3708

2N3709

2N3710

2N3711

2N3859A

2N3860

2N3903

2N3904

2N3905

2N3906

2N4058

2N4123

2N4124

2N4125

2N4126

2N4264

2N4287

2N4289

2N4400

NPN幅度/ SWITCH

NPN低噪声

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

NPN低噪声

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

PN幅度/ SWITCH

PNP低噪声

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN SAT SWITCH

NPN低噪声

PNP低噪声

NPN幅度/ SWITCH

欧洲央行

EBC

欧洲央行

EBC

欧洲央行

EBC

18

25

18

25

50

20

60

30

20

12

30

45

35

民

75

90

150

235

35

250

150

90

150

90

55

180

75

180

60

30

100

50

30

100

45

90

180

100

150

50

100

50

100

50

120

50

120

40

150

50

--

0.30

--

4.50

5.0

2.0

5.0

4.50

1.0

5.0

1.0

5.0

0.35

1.0

--

50

--

2.0

0.05

50

1.0

2.0

10

0.10

2.0

10

1.0

150

--

1.20

--

0.30

0.25

0.60

0.80

1.0

0.125

0.30

0.40

0.70

0.30

0.40

0.35

0.80

0.75

--

50

--

50

100

10

50

10

50

100

1.0

500

（ pF）的（兆赫）（ dB）的

* CRB * TYP

MAX MIN MAX MAX

12

2.8

--

10

--

12

--

4.0

4.5

--

4.0

4.5

4.0

6.0

8.0

6.5

--

160*

120*

--

100

--

90

250

300

200

250

--

250

300

200

250

350

40

200

--

2.8

5.0

--

5.0

--

6.0

5.0

4.0

5.0

6.0

5.0

4.0

--

5.0

4.0

--

225

250

260

300

--

35

--

255

72

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

器件可形成领先优势，

有关详细信息，请参阅第216页通219 。

此外，在Ammopack或磁带&卷可用，

有关详细信息，请参阅第230页通235 。

小信号晶体管

TO- 92 CASE

型号

描述

领导

CODE

VCBO

(V)

民

18

25

50

40

50

40

30

60

30

60

40

30

40

30

25

30

45

60

VCEO VEBO

(V)

* VCES

民

18

25

50

25

30

20

30

60

30

40

30

25

30

25

15

45

40

(V)

最大

5.0

6.0

4.0

6.0

5.0

6.0

5.0

4.0

6.0

7.0

6.0

ICBO @ VCB

（ nA的）

* ICES

* ICEV

最大

500

100

500

100

50

50*

100

50

10

100*

(V)

的hFE

*的hFE

(1kHZ)

最大

250

180*

300*

470*

500

300

180

500

800

540

225

540

300

150

300

150

600

400

660

165

330

660

200

300

150

300

150

300

400

150

360

150

360

160

600

150

@ @ VCE IC

(V)

（MA ）

VCE （ SAT ） @ IC玉米棒

(V)

（MA ）

fT

NF

花花公子

2N2712

2N2714

2N2923

2N2924

2N2925

2N2926

2N3391A

2N3392

2N3393

2N3395

2N3396

2N3397

2N3398

2N3415

2N3416

2N3417

2N3702

2N3703

2N3704

2N3705

2N3706

2N3707

2N3708

2N3709

2N3710

2N3711

2N3859A

2N3860

2N3903

2N3904

2N3905

2N3906

2N4058

2N4123

2N4124

2N4125

2N4126

2N4264

2N4287

2N4289

2N4400

NPN幅度/ SWITCH

NPN低噪声

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

NPN低噪声

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

PN幅度/ SWITCH

PNP低噪声

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN SAT SWITCH

NPN低噪声

PNP低噪声

NPN幅度/ SWITCH

欧洲央行

EBC

欧洲央行

EBC

欧洲央行

EBC

18

25

18

25

50

20

60

30

20

12

30

45

35

民

75

90

150

235

35

250

150

90

150

90

55

180

75

180

60

30

100

50

30

100

45

90

180

100

150

50

100

50

100

50

120

50

120

40

150

50

--

0.30

--

4.50

5.0

2.0

5.0

4.50

1.0

5.0

1.0

5.0

0.35

1.0

--

50

--

2.0

0.05

50

1.0

2.0

10

0.10

2.0

10

1.0

150

--

1.20

--

0.30

0.25

0.60

0.80

1.0

0.125

0.30

0.40

0.70

0.30

0.40

0.35

0.80

0.75

--

50

--

50

100

10

50

10

50

100

1.0

500

（ pF）的（兆赫）（ dB）的

* CRB * TYP

MAX MIN MAX MAX

12

2.8

--

10

--

12

--

4.0

4.5

--

4.0

4.5

4.0

6.0

8.0

6.5

--

160*

120*

--

100

--

90

250

300

200

250

--

250

300

200

250

350

40

200

--

2.8

5.0

--

5.0

--

6.0

5.0

4.0

5.0

6.0

5.0

4.0

--

5.0

4.0

--

225

250

260

300

--

35

--

255

72

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

器件可形成领先优势，

有关详细信息，请参阅第216页通219 。

此外，在Ammopack或磁带&卷可用，

有关详细信息，请参阅第230页通235 。

MCC

特点

?????????? ?????? omponents

21201 Itasca的街查茨沃斯

???? ?????? ？！ ?? " ＃ ???

$ ％？？？ ???? ？！ ?? " ＃ ???

2N4123

2N4124

NPN硅通用

目的晶体管

625mW

l

通孔TO- 92封装

l

能电力Dissipatio的625mWatts的

引脚配置

底部视图

C

B

E

TO-92

机械数据

l

案例： TO- 92 ，模压塑料

A

E

l

标记：

2N4123 --------- 2N4123

2N4124 --------- 2N4124

B

最大额定值@ 25

o

C除非另有说明

charateristic

符号值单位

集电极 - 发射极电压2N4123

30

V

首席执行官

V

2N4124

25

集电极 - 基极电压2N4123

40

V

CBO

V

2N4124

30

发射极 - 基极电压

2N4123

V

EBO

5

V

2N4124

集电极电流（DC）的

I

C

200

mA

mW

625

P

d

功率耗散@ T

A

=25

o

C

5.0毫瓦/

o

C

W

1.5

P

d

功率耗散@ T

C

=25

o

C

12毫瓦/

o

C

热阻，结到

200

o

C / W

环境空气

热阻，结到

83.3

o

C / W

例

工作&储存温度

T

j

, T

英镑

-55~150

o

C

D

G

尺寸

C

暗淡

A

B

C

D

E

G

英寸

民

.175

.500

.016

.135

.095

最大

.185

---

.020

.145

.105

MM

民

4.45

4.46

12.7

0.41

3.43

2.42

最大

4.70

---

0.63

3.68

2.67

记

www.mccsemi.com

2N4123

2N4124

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）

特征

符号

MCC

民

最大

单位

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ）

（ IC = 1.0 MADC ，我

E

= 0)

集电极 - 基极击穿电压

（ IC = 10

m

的adc ，IE = 0）

发射极 - 基极击穿电压

（IE = 10

m

ADC ， IC = 0 ）

收藏家Cuto FF电流

（ VCB = 20伏直流电， IE =

0)

发射Cuto FF电流

（ VEB =

3.0

VDC ， IC =

0)

V（ BR ） CEO

2N4123

2N4124

V（ BR ） CBO

2N4123

2N4124

V（ BR ） EBO

ICBO

—

IEBO

—

50

NADC

40

30

5.0

—

VDC

NADC

30

25

—

VDC

基本特征（ 1 ）

直流电流增益

（ IC = 2.0

MADC ， VCE = 1.0 V直流）

（ IC =

50

MADC ， VCE =

1.0伏）

集电极 - 发射极饱和电压

（ IC =

50mAdc ， IB = 5.0 MADC ）

的hFE

2N4123

2N4124

2N4123

2N4124

VCE （ SAT ）

—

VBE （ SAT ）

—

0.95

0.3

VDC

50

120

25

60

—

VDC

小信号特性

!2N4123

2N4124

?? & ???? & ?? ????

'%

' !

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%'

' !

, **,- *

'

2N4123

.

/'/ !

2N4124

-)01

/ !

2N4123

2N4124

'

'/ !

2N4123

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" + ?? ） - ？？？？？

%'

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2N4124

.

'/'/ !

*+3+4*+5

$+611*'7

基射极饱和电压

（ IC =

50mAdc ， IB = 5.0 MADC ）

%

$

%

'%

$'

('

#'

& ）？

%

#(

2'

%'

" ）？

www.mccsemi.com

2N4123

2N4124

图1.电容

图2.开关时间

MCC

200

100

70

50

30

20

tf

tr

td

ts

10

7.0

电容（pF）

5.0

CIBO

时间（纳秒）

3.0

2.0

科博

10.0

7.0

VCC = 3 V

IC / IB = 10

VEB （关闭） = 0.5 V

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20 30 50 70 100

IC ，集电极电流（毫安）

200

1.0

0.1

0.2 0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0 5.0 7.0 10

反向偏置电压（伏）

20 30 40

5.0

图3.频率变化

图4.源电阻

12

10

NF ，噪声系数（dB ）

8

6

4

2

0

0.1

源电阻= 500

IC = 100 A

源电阻= 200

IC = 1毫安

W

NF ，噪声系数（dB ）

14

F = 1千赫

12

10

8

6

4

2

0

0.1

IC = 1毫安

IC = 0.5毫安

源电阻= 200

IC = 0.5毫安

IC = 50 A

IC = 100 A

m

源电阻= 1千欧

IC = 50 A

m

W

20

40

100

0.2

0.4

1

2

4

10

男，频率（KHz ）

0.2

0.4

1.0 2.0

4.0

10

20

RS ，源电阻值（kΩ ）

40

100

图5.电流增益

图6. Qutput准入

300

锄头，输出导纳（姆欧）

100

50

20

10

5

hFE参数，电流增益

200

100

70

50

m

2

1

0.1

0.2

0.5

1.0

2.0

IC ，集电极电流（毫安）

5.0

10

0.1

0.2

0.5

1.0

2.0

IC ，集电极电流（毫安）

5.0

10

30

www.mccsemi.com

2N4123

2N4124

图7.输入阻抗

MCC

图8.电压反馈比例

重，电压反馈比例（ X 10

–4

)

20

10

缺氧缺血性脑病，输入阻抗（K

)

5.0

2.0

1.0

0.5

10

7.0

5.0

3.0

2.0

1.0

0.7

0.5

0.1

0.2

1.0

2.0

0.5

IC ，集电极电流（毫安）

5.0

10

0.2

0.1

0.2

0.5

1.0

2.0

IC ，集电极电流（毫安）

5.0

10

图9.直流电流增益

2.0

^ h FE ， DC电流增益（标准化）

TJ = + 125°C

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

– 55°C

+25°C

VCE = 1V

0.1

0.2

0.3

0.5

0.7

1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

IC ，集电极电流（毫安）

20

30

50

70

100

200

图10.集电极饱和区

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

1.0

TJ = 25°C

0.8

IC = 1毫安

0.6

10毫安

30毫安

百毫安

0.4

0.2

0

0.01

0.02

0.03

0.05

0.07

0.1

0.2

0.3

0.5

IB ，基极电流（毫安）

0.7

1.0

2.0

3.0

5.0

7.0

10

www.mccsemi.com

2N4123

2N4124

MCC

图12.温度系数

图11. "ON"电压

TJ = 25°C

1.0

V，电压（V ）

0.8

VBE @ VCE = 1V

0.6

0.4

VCE （SAT） @ IC / IB = 10

0.2

0

1.0

2.0

50

5.0

10

20

IC ，集电极电流（毫安）

100

200

VBE （星期六） @ IC / IB = 10

θ

V，温度系数（MV /

°

C)

1.2

1.0

0.5

0

– 0.5

– 1.0

– 1.5

– 2.0

- 55 ° C至+ 25°C

+ 25 ° C至+ 125°C

q

VC的VCE （SAT）

- 55 ° C至+ 25°C

q

VB的VBE （SAT）

0

20

40

60

80 100 120 140 160

IC ，集电极电流（毫安）

180 200

www.mccsemi.com

2N4123

分立功率&信号

技术

[]]]]]]

[]]]]]

]]]]]]

2N4123

C

BE

TO-92

NPN通用放大器

该器件是专为使用一般通用放大器

和交换机要求集电极电流为100 mA。来源

从工艺23.见2N3904的特性。

绝对最大额定值*

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

T

J

, T

英镑

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

TA = 25° C除非另有说明

参数

价值

30

40

5.0

200

-55到+150

单位

V

mA

°C

工作和存储结温范围

*

这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。

注意事项：

1)

这些评级是基于150度C的最高结温

2)

这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。

热特性

符号

P

D

R

θJC

R

θJA

TA = 25° C除非另有说明

特征

器件总功耗

减免上述25℃

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

最大

2N4123

625

5.0

83.3

200

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

1997仙童半导体公司

2N4123

NPN通用放大器

（续）

电气特性

符号

参数

TA = 25° C除非另有说明

测试条件

民

最大

单位

开关特性

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

集电极 - 发射极击穿电压*

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

I

C

= 1.0毫安，我

B

= 0

I

C

= 10

A,

I

E

= 0

I

E

= 10

A,

I

C

= 0

V

CB

= 20 V，I

E

= 0

V

EB

= 3.0 V，I

C

= 0

30

40

5.0

50

V

nA

基本特征*

h

FE

V

CE

（SAT）

V

BE

（SAT）

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

V

CE

= 1.0 V，I

C

= 2.0毫安

V

CE

= 1.0 V，I

C

= 50毫安

I

C

= 50 mA时，我

B

= 5.0毫安

I

C

= 50 mA时，我

B

= 5.0毫安

50

25

150

0.3

0.95

V

小信号特性

C

ob

C

ib

h

fe

输出电容

输入电容

小信号电流增益

V

CB

= 5.0 V ， F = 100千赫

V

EB

= 0.5 V ， F = 0.1 MHz的

I

C

= 2.0毫安， V

CE

= 10 V,

F = 1.0千赫

I

C

= 10 mA时， V

CE

= 20 V,

F = 100 MHz的

I

C

= 10 mA时， V

CE

= 20 V

F = 100 MHz的

V

CE

= 5.0 V，I

C

= 100

A,

R

S

= 1.0 k,

B

W

= 10 Hz至15.7千赫

50

2.5

250

6.0

4.0

8.0

200

pF

f

T

NF

电流增益 - 带宽积

噪声系数

兆赫

dB

*

脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

s,

占空比

≤

2.0%

摩托罗拉

半导体技术资料

订购此文件

通过2N4123 / D

通用晶体管

NPN硅

集热器

3

2

BASE

1

辐射源

2N4123

2N4124

1

2

3

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

器件总功耗@ TA = 25℃

减免上述25℃

器件总功耗@ TC = 25°C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

符号

VCEO

VCBO

VEBO

IC

PD

TJ ， TSTG

2N4123 2N4124

30

40

5.0

200

625

5.0

1.5

12

- 55 + 150

25

30

单位

VDC

MADC

mW

毫瓦/°C的

瓦

毫瓦/°C的

°C

CASE 29-04 ，风格1

TO-92 （TO- 226AA ）

热特性

特征

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

符号

R

q

JA

R

q

JC

最大

200

83.3

单位

° C / W

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）

特征

符号

民

最大

单位

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ）

（ IC = 1.0 MADC ， IE = 0 ）

集电极 - 基极击穿电压

（ IC = 10

m

的adc ，IE = 0）

发射极 - 基极击穿电压

（IE = 10

m

ADC ， IC = 0 ）

收藏家Cuto FF电流

（ VCB = 20伏直流电， IE = 0 ）

发射Cuto FF电流

（ VEB = 3.0伏， IC = 0 ）

1.脉冲测试：脉冲宽度= 300

m

S，占空比= 2.0 ％。

V（ BR ） CEO

2N4123

2N4124

V（ BR ） CBO

2N4123

2N4124

V（ BR ） EBO

ICBO

IEBO

40

30

5.0

—

50

VDC

NADC

30

25

—

VDC

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

摩托罗拉公司1996年

1

2N4123 2N4124

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）（续）

特征

符号

民

最大

单位

基本特征

DC电流增益（1）

（ IC = 2.0 MADC ， VCE = 1.0 V直流）

的hFE

2N4123

2N4124

2N4123

2N4124

VCE （ SAT ）

VBE （ SAT ）

50

120

25

60

—

150

360

—

0.3

0.95

VDC

—

（ IC = 50 MADC ， VCE = 1.0 V直流）

集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）

（ IC = 50 MADC ， IB = 5.0 MADC ）

基地 - 发射极饱和电压（ 1 ）

（ IC = 50 MADC ， IB = 5.0 MADC ）

小信号特性

电流 - 增益 - 带宽积

（ IC = 10 MADC ， VCE = 20伏， F = 100兆赫）

输入电容

（ VEB = 0.5伏， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）

集电极 - 基极电容

（ IE = 0 ， VCB = 5.0 V ， F = 1.0兆赫）

小信号电流增益

（ IC = 2.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， RS = 10千欧， F = 1.0千赫）

电流增益 - 频率高

（ IC = 10 MADC ， VCE = 20伏， F = 100兆赫）

2N4123

2N4124

| HFE |

2N4123

2N4124

2N4123

2N4124

NF

2N4123

2N4124

—

6.0

5.0

2.5

3.0

50

120

—

200

480

dB

fT

2N4123

2N4124

CIBO

建行

的hFE

50

120

200

480

—

250

300

—

8.0

4.0

pF

—

兆赫

（ IC = 2.0 MADC ， VCE = 10 V ， F = 1.0千赫）

噪声系数

（ IC = 100

μAdc ，

VCE = 5.0伏， RS = 1.0千欧，

F = 1.0千赫）

1.脉冲测试：脉冲宽度= 300

m

S，占空比= 2.0 ％。

10

7.0

电容（pF）

5.0

CIBO

时间（纳秒）

200

100

70

50

30

20

tf

tr

td

ts

3.0

2.0

科博

10.0

7.0

VCC = 3 V

IC / IB = 10

VEB （关闭） = 0.5 V

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20 30 50 70 100

IC ，集电极电流（毫安）

200

1.0

0.1

0.2 0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0 5.0 7.0 10

反向偏置电压（伏）

20 30 40

5.0

图1.电容

图2.开关时间

2

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

2N4123 2N4124

音频小信号特性

噪声系数

（ VCE = 5 VDC ， TA = 25 ° C）

带宽= 1.0赫兹

12

10

NF ，噪声系数（dB ）

8

6

4

2

0

0.1

源电阻= 200

W

IC = 1毫安

源电阻= 200

W

IC = 0.5毫安

源电阻= 1千欧

IC = 50

m

A

NF ，噪声系数（dB ）

14

F = 1千赫

12

10

8

6

4

2

0

0.1

IC = 1毫安

IC = 0.5毫安

IC = 50

m

A

IC = 100

m

A

源电阻= 500

W

IC = 100

m

A

0.2

0.4

1

2

4

10

男，频率（KHz ）

20

40

100

0.2

0.4

1.0 2.0

4.0

10

20

RS ，源电阻值（kΩ ）

40

100

图3.频率变化

图4.源电阻

h参数值

（ VCE = 10 V ， F = 1 kHz时， TA = 25 ° C）

300

锄头，输出导纳（

m

姆欧）

5.0

10

100

50

20

10

5

hFE参数，电流增益

200

100

70

50

2

1

30

0.1

0.2

0.5

1.0

2.0

IC ，集电极电流（毫安）

0.1

0.2

0.5

1.0

2.0

IC ，集电极电流（毫安）

5.0

10

图5.电流增益

20

10

缺氧缺血性脑病，输入阻抗（K

)

5.0

2.0

1.0

0.5

10

重，电压反馈比例（ X 10

–4

)

7.0

5.0

3.0

2.0

图6.输出准入

1.0

0.7

0.5

0.1

0.2

1.0

2.0

0.5

IC ，集电极电流（毫安）

5.0

10

0.2

0.1

0.2

0.5

1.0

2.0

IC ，集电极电流（毫安）

5.0

10

图7.输入阻抗

图8.电压反馈比例

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

3

2N4123 2N4124

静态特性

2.0

^ h FE ， DC电流增益（标准化）

TJ = + 125°C

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

– 55°C

+25°C

VCE = 1V

0.1

0.2

0.3

0.5

0.7

1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

IC ，集电极电流（毫安）

20

30

50

70

100

200

图9.直流电流增益

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

1.0

TJ = 25°C

0.8

IC = 1毫安

0.6

10毫安

30毫安

百毫安

0.4

0.2

0

0.01

0.02

0.03

0.05

0.07

0.1

0.2

0.3

0.5

IB ，基极电流（毫安）

0.7

1.0

2.0

3.0

5.0

7.0

10

图10.集电极饱和区

TJ = 25°C

1.0

V，电压（V ）

0.8

VBE @ VCE = 1V

0.6

0.4

VCE （SAT） @ IC / IB = 10

0.2

0

1.0

2.0

50

5.0

10

20

IC ，集电极电流（毫安）

100

200

VBE （星期六） @ IC / IB = 10

θ

V，温度系数（MV /

°

C)

1.2

1.0

0.5

0

– 0.5

– 1.0

– 1.5

– 2.0

- 55 ° C至+ 25°C

+ 25 ° C至+ 125°C

q

VC的VCE （SAT）

- 55 ° C至+ 25°C

q

VB的VBE （SAT）

0

20

40

60

80 100 120 140 160

IC ，集电极电流（毫安）

180 200

图11. “开”电压

图12.温度系数

4

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

2N4123 2N4124

包装尺寸

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3.轮廓的包装BEYOND尺寸R

不加控制。

4.尺寸f适用P和L之间

尺寸D和J适用I和K之间

最低限度。 LEAD DIMENSION不受控制

在P型和超越维数k最低限度。

英寸

民

最大

0.175

0.205

0.170

0.210

0.125

0.165

0.016

0.022

0.016

0.019

0.045

0.055

0.095

0.105

0.015

0.020

0.500

–––

0.250

–––

0.080

0.105

–––

0.100

0.115

–––

0.135

–––

MILLIMETERS

民

最大

4.45

5.20

4.32

5.33

3.18

4.19

0.41

0.55

0.41

0.48

1.15

1.39

2.42

2.66

0.39

0.50

12.70

–––

6.35

–––

2.04

2.66

–––

2.54

2.93

–––

3.43

–––

A

R

P

座位

飞机

B

F

L

K

D

X X

G

H

V

1

J

C

N

第X-X

暗淡

A

B

C

D

F

G

H

J

K

L

N

P

R

V

CASE 029-04

(TO–226AA)

ISSUE AD

风格1 ：

PIN 1.辐射源

2.基

3.收集

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

5

MCC

微型商业组件

TM

?????????? ?????? omponents

20736玛丽拉

街道查茨沃斯

???? ?????? ？！ ?? " ＃ ???

$ ％？？？ ???? ？！ ?? " ＃ ???

2N4123

2N4124

NPN硅通用

目的晶体管

625mW

TO-92

A

E

特点

无铅涂层/符合RoHS （ "P"后缀候

符合RoHS 。参见订购信息）

通孔TO- 92封装

能功率耗散625mWatts的

环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级

水分动态敏感度等级1

机械数据

案例： TO- 92 ，模压塑料

标记：部件号

B

最大额定值@ 25

o

C除非另有说明

charateristic

符号值单位

集电极 - 发射极电压2N4123

30

V

首席执行官

V

2N4124

25

40

集电极 - 基极电压2N4123

V

CBO

V

2N4124

30

2N4123

发射极 - 基极电压

V

EBO

5

V

2N4124

集电极电流（DC）的

I

C

200

mA

mW

625

P

d

功率耗散@ T

A

=25

o

C

5.0毫瓦/

o

C

W

1.5

P

d

功率耗散@ T

C

=25

o

C

12毫瓦/

o

C

热阻，结到

200

o

C / W

环境空气

热阻，结到

83.3

o

C / W

例

工作&储存温度

T

j

, T

英镑

-55~150

o

C

D

E

B

G

尺寸

英寸

民

.170

.550

.010

.130

.096

C

MM

最大

.190

.590

.020

.160

.104

民

4.33

4.30

13.97

0.36

3.30

2.44

最大

4.83

14.97

0.56

3.96

2.64

记

C

暗淡

A

B

C

D

E

G

www.mccsemi.com

修改：

A

1 6

2011/01/01

2N4123

2N4124

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）

特征

MCC

微型商业组件

符号

TM

民

最大

单位

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ）

（ IC = 1.0 MADC ，我

E

= 0)

V（ BR ） CEO

2N4123

2N4124

VDC

30

25

—

集电极 - 基极击穿电压

（ IC = 10

m

的adc ，IE = 0）

V（ BR ） CBO

2N4123

2N4124

VDC

40

30

—

发射极 - 基极击穿电压

（IE = 10

m

ADC ， IC = 0 ）

V（ BR ） EBO

5.0

—

VDC

收藏家Cuto FF电流

（ VCB = 20伏直流电， IE =

0)

发射Cuto FF电流

（ VEB =

3.0

VDC ， IC =

0)

ICBO

NADC

—

IEBO

—

50

NADC

50

基本特征（ 1 ）

直流电流增益

（ IC = 2.0

MADC ， VCE = 1.0 V直流）

（ IC =

50

MADC ， VCE =

1.0伏）

集电极 - 发射极饱和电压

（ IC =

50mAdc ， IB = 5.0 MADC ）

的hFE

2N4123

2N4124

2N4123

2N4124

50

120

25

60

—

VDC

VCE （ SAT ）

—

VBE （ SAT ）

—

0.3

VDC

!2N4123

2N4124

?? & ???? & ?? ????

'%

' !

?? ** ??????? + ？ & ?? ????

%'

' !

小信号特性

基射极饱和电压

（ IC =

50mAdc ， IB = 5.0 MADC ）

0.95

('

#'

%

$

& ）？

*+3+4*+5

$+611*'7

修订版：A

www.mccsemi.com

2 6

2011/01/01

2N4123

2N4124

图1.电容

MCC

微型商业组件

图2.开关时间

TM

10

7.0

电容（pF）

5.0

200

100

70

50

30

20

ts

td

3.0

2.0

CIBO

时间（纳秒）

tf

tr

科博

10.0

7.0

VCC = 3 V

IC / IB = 10

VEB （关闭） = 0.5 V

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20 30 50 70 100

IC ，集电极电流（毫安）

200

1.0

0.1

0.2 0.3

0.5 0.7

1.0

2.0 3.0 5.0 7.0 10

反向偏置电压（伏）

20 30 40

5.0

图3.频率变化

图4.源电阻

12

10

NF ，噪声系数（dB ）

8

6

4

2

0

0.1

源电阻= 200

IC = 1毫安

W

14

F = 1千赫

12

NF ，噪声系数（dB ）

IC = 1毫安

源电阻= 200

IC = 0.5毫安

W

10

8

6

4

2

0

0.1

IC = 0.5毫安

IC = 50

m

A

源电阻= 1千欧

IC = 50 A

m

IC = 100

m

A

源电阻= 500

IC = 100 A

m

W

20

40

100

0.2

0.4

1

2

4

10

男，频率（KHz ）

0.2

0.4

1.0 2.0

4.0

10

20

RS ，源电阻值（kΩ ）

40

100

图5.电流增益

图6. Qutput准入

300

锄头，输出导纳（姆欧）

100

50

20

10

5

hFE参数，电流增益

200

100

70

50

m

2

1

30

0.1

0.2

0.5

1.0

2.0

IC ，集电极电流（毫安）

5.0

10

0.1

0.2

www.mccsemi.com

3 6

1.0

2.0

0.5

IC ，集电极电流（毫安）

5.0

10

修订版：A

2011/01/01

2N4123

2N4124

图7.输入阻抗

MCC

微型商业组件

图8.电压反馈比例

TM

重，电压反馈比例（ X 10

–4

)

20

10

缺氧缺血性脑病，输入阻抗（K

)

5.0

2.0

1.0

0.5

10

7.0

5.0

3.0

2.0

1.0

0.7

0.5

0.1

0.2

1.0

2.0

0.5

IC ，集电极电流（毫安）

5.0

10

0.2

0.1

0.2

0.5

1.0

2.0

IC ，集电极电流（毫安）

5.0

10

图9.直流电流增益

2.0

h

FE

，直流电流增益（标准化）

TJ = + 125°C

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

VCE = 1V

+25°C

– 55°C

0.1

0.2

0.3

0.5

0.7

1.0

5.0 7.0

10

2.0

3.0

IC ，集电极电流（毫安）

20

30

50

70

100

200

图10.集电极饱和区

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

1.0

TJ = 25°C

0.8

IC = 1毫安

0.6

10毫安

30毫安

百毫安

0.4

0.2

0

0.01

0.02

0.03

0.05

0.07

0.1

0.2

0.3

0.5

IB ，基极电流（毫安）

0.7

1.0

2.0

3.0

5.0

7.0

10

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修订版：A

4 6

2011/01/01

2N4123

2N4124

MCC

微型商业组件

图12.温度系数

TM

图11. "ON"电压

TJ = 25°C

1.0

V，电压（V ）

0.8

VBE （星期六） @ IC / IB = 10

θ

V，温度系数（MV /

°

C)

1.2

1.0

0.5

0

– 0.5

– 1.0

– 1.5

– 2.0

+ 25 ° C至+ 125°C

q

VC的VCE （SAT）

- 55 ° C至+ 25°C

VBE @ VCE = 1V

0.6

0.4

- 55 ° C至+ 25°C

+ 25 ° C至+ 125°C

VCE （SAT） @ IC / IB = 10

0.2

0

1.0

2.0

50

5.0

10

20

IC ，集电极电流（毫安）

100

200

q

VB的VBE （SAT）

0

20

40

60

80 100 120 140 160

IC ，集电极电流（毫安）

180 200

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修改：

A

5 6

2011/01/01