01/99
B-9
2N4117 ， 2N4117A ， 2N4118 ， 2N4118A ， 2N4119 ， 2N4119A
N沟道硅结型场效应晶体管
音频放大器
日元超高输入阻抗
放大器器
在T绝对最大额定值
A
= 25C
反向栅源&反向栅极漏极电压
连续正向栅电流
连续器件功耗
功率降额（ 175° C）
– 40 V
50毫安
300毫瓦
2毫瓦/°C的
在25 ℃的自由空气温度：
静态电气特性
门源击穿电压
门反向电流
2N4117, 2N4118, 2N4119
2N4117A ， 2N4118A ， 2N4119A
门源截止电压
饱和漏电流（脉冲）
2N4117, 2N4118, 2N4119
2N4117A ， 2N4118A ， 2N4119A
动态电气特性
常见的来源前进
跨
共源输出电导
共源输入电容
共源反向
传输电容
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
I
GSS
2N4117
2N4117A
民
– 40
– 10
–1
– 0.6
0.03
0.015
– 1.8
0.09
0.09
最大
2N4118
2N4118A
民
– 40
– 10
–1
–1
0.08
0.08
–3
0.24
0.24
最大
2N4119
2N4119A
民
– 40
– 10
–1
–2
0.2
0.2
–6
0.6
0.6
最大
单位
V
pA
pA
V
mA
mA
过程NJ01
测试条件
I
G
= - 1μA ，V
DS
= V
V
GS
= – 20V, V
DS
= V
V
GS
= – 20V, V
DS
= V
V
DS
= 10V ，我
D
= 1 NA
V
DS
= 10V, V
GS
= V
V
DS
= 10V, V
GS
= V
70
210
3
3
1.5
80
250
5
3
1.5
100
330
10
3
1.5
S
S
pF
pF
V
DS
= 10V, V
GS
= V
V
DS
= 10V, V
GS
= V
V
DS
= 10V, V
GS
= V
V
DS
= 10V, V
GS
= V
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
TO72套餐
尺寸以英寸（毫米）
引脚配置
1来源， 2漏， 3门， 4保护套
www.interfet.com
1000 N.希洛路，花环，TX 75042
(972) 487-1287
传真
(972) 276-3375
01/99
B-17
2N4867 ， 2N4867A ， 2N4868 ， 2N4868A ， 2N4869 ， 2N4869A
N沟道硅结型场效应晶体管
音频放大器
在T绝对最大额定值
A
= 25C
反向栅源&反向栅极漏极电压
栅电流
连续器件功耗
功率降额
存储温度范围
– 40 V
50毫安
300mW
1.7毫瓦/
- 65 ° C至+ 200℃
在25 ℃的自由空气温度：
静态电气特性
门源击穿电压
门反向电流
门源截止电压
饱和漏电流（脉冲）
动态电气特性
常见的来源前进
跨
共源输出电导
共源输入电容
共源反向
传输电容
相当于短路
输入噪声电压
噪声系数
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
e
N
V
（ BR ） GSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
2N4867
2N4867A
民
– 40
– 0.25
– 0.25
– 0.7
0.4
–2
1.2
最大
2N4868
2N4868A
民
– 40
– 0.25
– 0.25
–1
1
–3
3
最大
2N4869
2N4869A
民
– 40
– 0.25
– 0.25
– 1.8
2.5
–5
7.5
最大
单位
V
nA
A
V
mA
过程NJ16
测试条件
I
G
= - 1μA ，V
DS
= V
V
GS
= – 30V, V
DS
= V
V
GS
= – 30V, V
DS
= V
V
DS
= 20V ，我
D
= 1 A
V
DS
= 20V, V
GS
= V
T
A
= 150°C
700
2000
1.5
25
5
20
10
1
1000
3000
4
25
5
20
10
1
1300
4000
10
25
5
20
10
1
S
S
pF
pF
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
V
DS
= 20V, V
GS
= V
V
DS
= 20V, V
GS
= V
V
DS
= 20V, V
GS
= V
V
DS
= 20V, V
GS
= V
V
DS
= 10V, V
GS
= V
V
DS
= 10V, V
GS
= V
V
DS
= 10V, V
GS
= V
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 10赫兹
F = 1千赫
F = 1千赫
NF
dB
(2N4867, 68, 69)
R
G
= 20 k
（ 2N4867A ， 68A ， 69A ）
R
G
= 5 k
TO72套餐
尺寸以英寸（毫米）
表面贴装
SMP4867 ， SMP4867A ， SMP4868 ，
SMP4868A ， SMP4869 ， SMP4869A
引脚配置
1来源， 2漏， 3门， 4保护套
www.interfet.com
1000 N.希洛路，花环，TX 75042
(972) 487-1287
传真
(972) 276-3375
LS4117 ， 4118 ， 4119
线性集成系统
超高输入阻抗
N沟道JFET
特点
低功耗
最低电路负载
I
DSS
<90
A（ 2N4117 ）
I
GSS
<1 PA（ 2N4117A系列）
D
绝对最大额定值（注1 ）
@ 25 ℃（除非另有说明）
栅极 - 源极或栅极 - 漏极电压
（注1 ）
栅电流
器件总功耗
（减免为2mW / ° C至175 ° C）
存储温度范围
焊接温度
（ 16"分之1案件从10秒）
G
2
3
4
例
G
-40V
50mA
S
D
1
C
S
300mW
-65 ° C到+ 175℃
255°C
TO-72
底部视图
电气特性@ 25
°
℃（除非另有说明）
2N4117/A
2N4118
FN4117/A
2N4118A
符号
特征
MIN MAX MIN
最大
门反向电流
--
-10
--
-10
I
GSS
唯一的标准
--
-25
--
-25
I
GSS
门反向电流
--
-1
--
-1
BV
GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
只有"A"系列
栅源击穿电压
栅源截止电压
--
-40
-0.6
-2.5
--
-1.8
0.09
210
3
3
1.5
--
-40
-1
0.08
80
--
--
--
-2.5
--
-3
0.24
250
5
3
1.5
2N4119
2N4119A
最小最大
--
-10
--
-25
--
-1
--
-40
-2
0.20
100
--
--
--
-2.5
--
-6
0.60
330
10
3
1.5
单位
pA
nA
pA
nA
V
mA
条件
V
GS
= -20V V
DS
= 0
150°C
V
GS
=-20V V
DS
= 0
150°C
I
G
=-1A
V
DS
=10V
V
DS
=10V
V
DS
= 0
I
D
= 1nA的
V
GS
= 0
饱和漏极电流
0.03
（注2 ）
FN4117 / A 0.015
共源转发
70
跨
（注2 ）
共源输出
--
导
共源输入
--
电容
共源反向
--
传输电容
μmho
f=1kHz
V
DS
= 10V
pF
V
GS
= 0
f=1MHz
注意事项：
1.由于对称的几何形状，这些单元可以与源操作和漏极引线互换。
2.此参数是一个2毫秒的间隔施加电源100毫秒后测量的。 （不是JEDEC的条件。 ）
线性集成系统
4042帆船CT，弗里蒙特，CA 94538电话： （ 510 ） 490-9160 传真： （ 510 ） 353-0261
LS4117 ， 4118 ， 4119
线性集成系统
超高输入阻抗
N沟道JFET
特点
低功耗
最低电路负载
I
DSS
<90
A（ 2N4117 ）
I
GSS
<1 PA（ 2N4117A系列）
D
绝对最大额定值（注1 ）
@ 25 ℃（除非另有说明）
栅极 - 源极或栅极 - 漏极电压
（注1 ）
栅电流
器件总功耗
（减免为2mW / ° C至175 ° C）
存储温度范围
焊接温度
（ 16"分之1案件从10秒）
G
2
3
4
例
G
-40V
50mA
S
D
1
C
S
300mW
-65 ° C到+ 175℃
255°C
TO-72
底部视图
电气特性@ 25
°
℃（除非另有说明）
2N4117/A
2N4118
FN4117/A
2N4118A
符号
特征
MIN MAX MIN
最大
门反向电流
--
-10
--
-10
I
GSS
唯一的标准
--
-25
--
-25
I
GSS
门反向电流
--
-1
--
-1
BV
GSS
V
GS （ OFF ）
I
DSS
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
只有"A"系列
栅源击穿电压
栅源截止电压
--
-40
-0.6
-2.5
--
-1.8
0.09
210
3
3
1.5
--
-40
-1
0.08
80
--
--
--
-2.5
--
-3
0.24
250
5
3
1.5
2N4119
2N4119A
最小最大
--
-10
--
-25
--
-1
--
-40
-2
0.20
100
--
--
--
-2.5
--
-6
0.60
330
10
3
1.5
单位
pA
nA
pA
nA
V
mA
条件
V
GS
= -20V V
DS
= 0
150°C
V
GS
=-20V V
DS
= 0
150°C
I
G
=-1A
V
DS
=10V
V
DS
=10V
V
DS
= 0
I
D
= 1nA的
V
GS
= 0
饱和漏极电流
0.03
（注2 ）
FN4117 / A 0.015
共源转发
70
跨
（注2 ）
共源输出
--
导
共源输入
--
电容
共源反向
--
传输电容
μmho
f=1kHz
V
DS
= 10V
pF
V
GS
= 0
f=1MHz
注意事项：
1.由于对称的几何形状，这些单元可以与源操作和漏极引线互换。
2.此参数是一个2毫秒的间隔施加电源100毫秒后测量的。 （不是JEDEC的条件。 ）
线性集成系统
4042帆船CT，弗里蒙特，CA 94538电话： （ 510 ） 490-9160 传真： （ 510 ） 353-0261
N沟道JFET
通用扩增fi er
公司
2N4117 - 2N4119 / 2N4117A - 2N4119A
PN4117 - PN4119 / PN4117A - PN4119A / SST4117 - SST4119
引脚配置
特点
泄漏
低电容
低
TO - 92
TO-72
绝对最大额定值
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
栅极 - 源极或栅极 - 漏极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40V
栅极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+200
o
C
工作温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+175
o
C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300mW的
减免上述25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2.0MW /
o
C
注意：
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些都是
值仅为设备的这些功能操作或
上面的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
G
D
C
S
G
S
SOT-23
G
5007
D
S
产品标识（ SOT -23 ）
SST4117
SST4118
SST4119
T17
T18
T19
订购信息
部分
包
温度范围
-55
o
C至+175
o
C
-55
o
C至+135
o
C
-55
o
C至+135
o
C
-55
o
C至+175
o
C
2N4117-19 / A密封TO- 72
PN4117-19 /塑料TO- 92
SST4117-19塑料SOT- 23
X2N4117-19 /排序的芯片载体
电气特性
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
符号
BV
GSS
参数
栅源击穿电压
门反向电流
I
GSS
A设备
A设备
V
GS （ OFF ）
I
DSS
g
fs
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
门源夹断电压
漏电流在零电压（注1 ）
共源正向跨导（注1 ）
共源正向跨导（注2 ）
共源输出电导
共源输入电容（注2 ）
共源反向传输电容（注2 ）
-0.6
70
60
3
3
1.5
4117/A
-40
-10
-1
-25
-2.5
-1.8
210
-1
80
70
5
3
1.5
4118/A
-40
-10
-1
-25
-2.5
-3
250
-2
100
90
10
3
pF
1.5
4119/A
-40
-10
-1
-25
-2.5
-6
330
S
最小值最大值最小值最大值最小值最大值
单位
V
pA
nA
V
mA
测试条件
I
G
= -1μA ，V
DS
= 0
V
GS
= -20V, V
DS
= 0
T
A
= +150
o
C
V
DS
= 10V ，我
D
= 1nA的
V
DS
= 10V, V
GS
= 0
V
DS
= 10V ， F = 1kHz时
V
GS
= 0 ， F = 30MHz的
V
DS
= 10V, V
GS
= 0中，f = 1kHz的
V
DS
= 10V, V
GS
= 0,
F = 1MHz的
V
DS
= 10V, V
GS
= 0,
F = 1MHz的
0.02 0.09 0.08 0.24 0.20 0.60
注：1 。
脉冲测试：测试过程中使用的2毫秒的脉冲持续时间。
2.
仅供设计参考，未经100％测试。
2N4118
N沟道JFET
线性系统替换停产的Siliconix 2N4118
该2N4118是超高输入阻抗N沟道JFET
该2N4118提供超高的输入阻抗。该
设备被指定为10 pA的限制，是理想的使用
作为高阻抗敏感前置放大器。
特点是什么？
DIRECTREPLACEMENTFORSILICONIX2N4118
低功耗
最低电路负载
绝对最大额定值
@25°C(unlessotherwisenoted)
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散
最大电流
GateCurrent(Note1)
最大电压不
GatetoDrainorGatetoSource(Note2)
I
DSS
<90A
I
GSS
<10pA
2N4118优点：
微不足道的信号丢失/错误电压
与高阻抗源
低功耗（电池）
最大信号输出，低噪声
灵敏度高低电平信号
‐65°Cto+175°C
‐55°Cto+150°C
300mW
50mA
‐40V
2N4118应用范围：
高阻抗传感器
感烟探测器输入
红外检测放大器
精密测试设备
2N4118ELECTRICALCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisenoted)
SYMBOL
特点】
MIN
（典型值） *
MAX`
单位“
条件“
BV
GSS
门源击穿电压
‐40
‐‐
‐‐
V
I
G
=‐1A,V
DS
=0V
V
GS （ OFF ）
门源截止电压
‐1
‐‐
‐3
V
V
DS
=10V,I
D
=1nA
I
DSS
门源饱和电流
0.08
‐‐
0.24
mA
V
DS
=10V,V
GS
=0V
I
GSS
栅极泄漏电流
‐‐
‐‐
‐10
pA
V
GS
=‐20V,V
DS
=0V
‐‐
‐‐
‐25
V
GS
=‐20V,V
DS
=0V,150°C
g
fs
ForwardTransconductance(Note3)
80
‐‐
250
μmho
V
DS
=10V,V
GS
=0V,f=1kHz
g
os
输出电导
‐‐
‐‐
5
C
国际空间站
输入电容
‐‐
‐‐
3
pF
V
DS
=10V,V
GS
=0V,f=1MHz
C
RSS
反向传输电容
‐‐
‐‐
1.5
1.Absolutemaximumratingsarelimitingvaluesabovewhich2N4118serviceabilitymaybeimpaired.
注。
2.Duetosymmetricalgeometry,theseunitsmaybeoperatedwithsourceanddrainleadsinterchanged
3.Thisparameterismeasuredduringa2msinterval100msafterpowerisapplied.(NotaJEDECcondition.)
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2N4118的TO- 71
2N4118裸片。
TO- 71 （底视图）
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电子邮件：
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网址：
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