【小信号晶体管TO- 18案例（续）型号描述BVCBO BVCEO BVEBO ICBO @(V)(V】,IC型号2N4029,2N4029 PDF资料,2N4029经销商,ic,电子元器件-51电子网

小信号晶体管

TO- 18案例（续）

型号

描述

BVCBO BVCEO BVEBO ICBO @

(V)

(A)

民

最大

* ICES

** ICEV

--

0.01

0.3*

0.01

1.7

--

0.05

0.015

50

--

0.01

1.0

--

0.01

1.0**

0.01

50*

VCB

(V)

的hFE

民

最大

@

IC

@

VCE

（MA ）

(V)

VCE （ SAT ）

@

IC科夫

fT

(V)

（毫安）（PF ）（兆赫）

最大

民

NF

（ dB）的

最大

吨

（纳秒）

最大

花花公子

（纳秒）

最大

2N3576

2N3672

2N3700

2N3701

PNP SAT SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

20

60

140

90

35

60

80

45

60

50

80

70

80

60

80

40

150

40

6.0

12

15

200

60

40

120

60

80

15

50

80

90

20

40

60

80

45

60

30

50

60

80

60

80

40

150

15

6.0

12

15

140

45

30

120

60

80

15

5.0

7.0

5.0

6.0

5.0

4.0

15

5.0

6.0

5.0

6.0

4.5

--

30

90

50

20

40

50

70

40

50

40

60

--

60

50

60

30

120

--

3.0

6.0

8.0

150

--

30

70

30

50

10

40

75

100

40

150

300

30

20

40

100

250

60

40

100

70

150

30

40

50

30

50

40

50

100

40

20

100

40

100

30

40

120

275

300

120

450

900

120

--

450

600

150

200

300

200

300

--

120

200

500

--

500

300

100

10

150

0.5

30

50

1.0

100

10

30

10

0.01

2.0

0.01

150

30

1.0

10

5.0

0.4

1.0

5.0

1.0

5.0

1.0

10

1.0

0.03

0.3

10

5.0

1.0

5.0

10

0.5

0.4

0.2

0.25

0.18

0.3

0.25

0.42

0.52

0.15

0.5

0.3

3.0

0.35

0.15

0.18

1.0

--

0.2

0.5

0.19

100

150

1.0

30

50

10

500

150

500

50

30

10

--

10

2.0

10

500

30

4.5

9.0

12

4.0

6.0

4.0

6.0

12

10

20

2.2

3.5

4.0

3.0

5.0

--

8.0

6.0

8.0

15

4.5

400

200

100

80

30

350

250

300

40

300

100

150

100

150

400

450

50

500

650

700

850

--

50

--

250

600

800

--

4.0

3.5

2.5

--

3.0

2.0

--

5.0

2.0

3.0

--

2.0

--

30

--

35

--

35

--

40

--

50

--

65

--

60

--

150

--

15

20

--

35

2N3798A

PNP低噪声

2N3799A

PNP低噪声

2N3829

2N3946

2N3947

2N3962

2N3963

2N3964

2N3965

2N4013

2N4014

2N4026

2N4027

2N4028

2N4029

2N4034

2N4035

2N4068

2N4137

2N4207

2N4208

2N4209

2N4269

2N4359

2N4384

2N4386

2N4390

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP低噪声

NPN高

电流开关

NPN高

电流开关

PNP幅度/ SWITCH

PNP SAT SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

NPN SAT SWITCH

PNP ULTRA HIGH

速开关

PNP SAT SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP低噪声

NPN低噪声

NPN幅度/ SWITCH

2N4413A

PNP低噪声

2N4415A

PNP低噪声

2N4962

2N4963

2N5056

2N5057

NPN幅度/ SWITCH

PNP快速开关

（ 2004年6月）

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

数据表号2N4029

型号2N4029

几何6700

极性PNP

QUAL等级： JAN - JANTXV

产品特点：

通用晶体管

高速开关和驱动程序

领域应用。

装在一个

TO-18

情况。

还采用芯片形式提供

6700芯片的几何形状。

显示的最小和最大限值

每

MIL-PRF-19500/512

哪

Semicoa满足于所有情况。

通用型号：

2N4029

REF ： MIL -PRF-五百十二分之一万九千五

TO-18

最大额定值

T

C

= 25℃ ，除非另有规定

o

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流，连续

在25℃的环境功耗

o

减免上述25℃

工作结温

储存温度

o

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

P

T

J

T

英镑

等级

80

5.0

1.0

0.5

2.86

-55到+200

单位

V

mA

瓦

o

毫瓦/ C

o

C

o

数据表号2N4029

电气特性

T

C

= 25℃ ，除非另有规定

o

开关特性

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 10 μA ，脉冲

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10毫安，脉冲

发射极 - 基极击穿电压

I

C

= 10 μA ，脉冲

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 60 V

V

CB

= 60 V ，T

A

= +150 C

集电极 - 发射极截止电流

V

CE

= 60 V, V

BE

= 2.0 V

基极发射极截止电流

V

BE

= 3 V

o

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CBO1

I

CBO2

I

CEX1

I

EBO

民

80

5.0

---

最大

---

10

25

单位

V

nA

A

nA

基本特征

正向电流传输比

I

C

= 100 μA ，V

CE

= 5 V

I

C

= 100毫安， V

CE

= 5.0 V （脉冲测试）

I

C

= 500毫安， V

CE

= 5 V （脉冲测试）

I

C

= 1.0 A，V

CE

= 5 V （脉冲测试）

I

C

= 500毫安， V

CE

= 5.0 V （脉冲测试），T

A

= -55

o

C

符号

h

FE1

h

FE2

h

FE3

h

FE4

h

FE5

V

CE(sat)1

V

CE(sat)2

V

CE(sat)3

V

BE(sat)1

V

BE(sat)2

民

50

100

70

25

30

---

最大

---

300

---

0.15

0.5

1.0

0.9

1.2

单位

---

V DC

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 150毫安，我

B

= 15 MA（脉冲测试）

I

C

= 500毫安，我

B

= 50 MA（脉冲测试）

I

C

= 1.0 A，I

B

= 100 MA（脉冲测试）

基射极饱和电压

I

C

= 150毫安，我

B

= 15 MA（脉冲测试）

I

C

= 500毫安，我

B

= 50 MA（脉冲测试）

小信号特性

常见发射小信号幅度

短路正向电流传输比

V

CE

= 10 V，I

C

= 50 mA时， F = 100 MHz的

开路输出电容

V

CB

= 10 V，I

E

= 0 ， 100千赫< F < 1兆赫

输入电容，输出开路

V

EB

= 0.5 V，I

C

= 0 ， 100千赫< F < 1兆赫

符号

|h

fe

|

C

敖包

C

IBO

民

1.5

---

最大

6.0

20

80

单位

---

pF

开关特性

延迟时间

I

C

= 500毫安，我

B1

= 50毫安

上升时间

I

C

= 500毫安，我

B1

= 50毫安

贮存时间

I

C

= 500毫安，我

B1

= I

B2

= 50毫安

下降时间

I

C

= 500毫安，我

B1

= I

B2

= 50毫安

符号

t

d

t

r

t

s

t

f

民

---

最大

15

25

175

35

单位

ns

小信号晶体管

TO- 18案例（续）

型号

描述

BVCBO BVCEO BVEBO ICBO @

(V)

(A)

民

最大

* ICES

** ICEV

--

0.01

0.3*

0.01

1.7

--

0.05

0.015

50

--

0.01

1.0

--

0.01

1.0**

0.01

50*

VCB

(V)

的hFE

民

最大

@

IC

@

VCE

（MA ）

(V)

VCE （ SAT ）

@

IC科夫

fT

(V)

（毫安）（PF ）（兆赫）

最大

民

NF

（ dB）的

最大

吨

（纳秒）

最大

花花公子

（纳秒）

最大

2N3576

2N3672

2N3700

2N3701

PNP SAT SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

20

60

140

90

35

60

80

45

60

50

80

70

80

60

80

40

150

40

6.0

12

15

200

60

40

120

60

80

15

50

80

90

20

40

60

80

45

60

30

50

60

80

60

80

40

150

15

6.0

12

15

140

45

30

120

60

80

15

5.0

7.0

5.0

6.0

5.0

4.0

15

5.0

6.0

5.0

6.0

4.5

--

30

90

50

20

40

50

70

40

50

40

60

--

60

50

60

30

120

--

3.0

6.0

8.0

150

--

30

70

30

50

10

40

75

100

40

150

300

30

20

40

100

250

60

40

100

70

150

30

40

50

30

50

40

50

100

40

20

100

40

100

30

40

120

275

300

120

450

900

120

--

450

600

150

200

300

200

300

--

120

200

500

--

500

300

100

10

150

0.5

30

50

1.0

100

10

30

10

0.01

2.0

0.01

150

30

1.0

10

5.0

0.4

1.0

5.0

1.0

5.0

1.0

10

1.0

0.03

0.3

10

5.0

1.0

5.0

10

0.5

0.4

0.2

0.25

0.18

0.3

0.25

0.42

0.52

0.15

0.5

0.3

3.0

0.35

0.15

0.18

1.0

--

0.2

0.5

0.19

100

150

1.0

30

50

10

500

150

500

50

30

10

--

10

2.0

10

500

30

4.5

9.0

12

4.0

6.0

4.0

6.0

12

10

20

2.2

3.5

4.0

3.0

5.0

--

8.0

6.0

8.0

15

4.5

400

200

100

80

30

350

250

300

40

300

100

150

100

150

400

450

50

500

650

700

850

--

50

--

250

600

800

--

4.0

3.5

2.5

--

3.0

2.0

--

5.0

2.0

3.0

--

2.0

--

30

--

35

--

35

--

40

--

50

--

65

--

60

--

150

--

15

20

--

35

2N3798A

PNP低噪声

2N3799A

PNP低噪声

2N3829

2N3946

2N3947

2N3962

2N3963

2N3964

2N3965

2N4013

2N4014

2N4026

2N4027

2N4028

2N4029

2N4034

2N4035

2N4068

2N4137

2N4207

2N4208

2N4209

2N4269

2N4359

2N4384

2N4386

2N4390

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP低噪声

NPN高

电流开关

NPN高

电流开关

PNP幅度/ SWITCH

PNP SAT SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

NPN SAT SWITCH

PNP ULTRA HIGH

速开关

PNP SAT SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP低噪声

NPN低噪声

NPN幅度/ SWITCH

2N4413A

PNP低噪声

2N4415A

PNP低噪声

2N4962

2N4963

2N5056

2N5057

NPN幅度/ SWITCH

PNP快速开关

（ 2004年6月）

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

2N4029

硅PNP晶体管

数据表

描述

Semicoa半导体提供：

筛选和处理符合MIL -PRF- 19500

附录E

JAN级（ 2N4029J ）

JANTX级别（ 2N4029JX ）和

JANTXV级（ 2N4029JV ）

QCI适用的级别

每MIL -STD- 750方法100 ％模目视检查

2072的JANTXV

辐射测试（总剂量）要求

应用

高速开关

低功耗

PNP硅晶体管

特点

密封TO- 18金属罐

在芯片配置也可

芯片几何尺寸6700

参考文献：

MIL-PRF-19500/512

好处

请联系Semicoa的特殊配置

www.SEMICOA.com或（ 714 ） 979-1900

绝对最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流，连续

功耗，T

A

= 25°C

线性降额超过37.5 ℃，

热阻

工作结温

储存温度

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

P

T

资质等级： JAN ， JANTX ，并

JANTXV

辐射测试可用

T

C

= 25 ° C除非另有说明

等级

80

5

1

0.5

3.08

325

-65到+200

单位

伏

A

W

毫瓦/°C的

° C / W

°C

R

θJA

T

J

T

英镑

英文内容

Semicoa半导体公司

麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541

第1页2

www.SEMICOA.com

2N4029

硅PNP晶体管

数据表

电气特性

在T规定的特性

A

= 25°C

开关特性

参数

集电极 - 基极截止电流

集电极 - 发射极截止电流

发射基截止电流

基本特征

参数

符号

h

FE1

h

FE2

h

FE3

h

FE4

h

FE5

V

BEsat1

V

BEsat2

V

CEsat1

V

CEsat2

V

CEsat3

测试条件

I

C

= 100

A,

V

CE

= 5伏

I

C

= 100毫安， V

CE

= 5伏

I

C

= 500毫安， V

CE

= 5伏

I

C

= 1 A，V

CE

= 5伏

I

C

= 500毫安， V

CE

= 5伏

T

A

= -55°C

I

C

= 150毫安，我

B

= 15毫安

I

C

= 500毫安，我

B

= 50毫安

I

C

= 150毫安，我

B

= 15毫安

I

C

= 500毫安，我

B

= 50毫安

I

C

= 1 A，I

B

= 100毫安

符号

I

CBO1

I

CBO2

I

CBO3

I

CEX

I

EBO1

I

EBO2

测试条件

V

CB

= 80伏

V

CB

= 60伏

V

CB

= 60伏，T

A

= 150°C

V

CE

= 60伏特，V

EB

- 2伏

V

BE

= 5伏

V

BE

= 3伏

民

典型值

最大

10

25

10

25

单位

A

nA

A

nA

A

nA

脉冲测试：脉冲宽度= 300

s,

占空比

≤

2.0%

直流电流增益

民

50

100

70

25

30

典型值

最大

300

单位

基射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

动态特性

参数

震级 - 共发射极，短

电路正向电流传输比

开路输出电容

开路输入电容

开关特性

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

0.9

1.2

0.15

0.50

1.00

伏

符号

|h

FE

|

C

敖包

C

IBO

t

d

t

r

t

s

t

f

测试条件

V

CE

= 10伏，我

C

= 50毫安，

F = 100 MHz的

V

CB

= 10伏，我

E

= 0 mA时，

100千赫< F < 1兆赫

V

EB

= 0.5伏特，我

C

= 0 mA时，

100千赫< F < 1兆赫

民

1.5

典型值

最大

6.0

20

80

单位

pF

I

C

= 500毫安，我

B

= 50毫安

I

C

= 500毫安，我

B

= 50毫安

15

25

175

35

ns

英文内容

Semicoa半导体公司

麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541

第2页2

www.SEMICOA.com

2N4029

硅PNP晶体管

数据表

描述

Semicoa半导体提供：

筛选和处理符合MIL -PRF- 19500

附录E

JAN级（ 2N4029J ）

JANTX级别（ 2N4029JX ）和

JANTXV级（ 2N4029JV ）

QCI适用的级别

每MIL -STD- 750方法100 ％模目视检查

2072的JANTXV

辐射测试（总剂量）要求

应用

高速开关

低功耗

PNP硅晶体管

特点

密封TO- 18金属罐

在芯片配置也可

芯片几何尺寸6700

参考文献：

MIL-PRF-19500/512

好处

请联系Semicoa的特殊配置

www.SEMICOA.com或（ 714 ） 979-1900

绝对最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流，连续

功耗，T

A

= 25°C

线性降额超过37.5 ℃，

热阻

工作结温

储存温度

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

P

T

资质等级： JAN ， JANTX ，并

JANTXV

辐射测试可用

T

C

= 25 ° C除非另有说明

等级

80

5

1

0.5

3.08

325

-65到+200

单位

伏

A

W

毫瓦/°C的

° C / W

°C

R

θJA

T

J

T

英镑

英文内容

Semicoa半导体公司

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第1页2

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2N4029

硅PNP晶体管

数据表

电气特性

在T规定的特性

A

= 25°C

开关特性

参数

集电极 - 基极截止电流

集电极 - 发射极截止电流

发射基截止电流

基本特征

参数

符号

h

FE1

h

FE2

h

FE3

h

FE4

h

FE5

V

BEsat1

V

BEsat2

V

CEsat1

V

CEsat2

V

CEsat3

测试条件

I

C

= 100

A,

V

CE

= 5伏

I

C

= 100毫安， V

CE

= 5伏

I

C

= 500毫安， V

CE

= 5伏

I

C

= 1 A，V

CE

= 5伏

I

C

= 500毫安， V

CE

= 5伏

T

A

= -55°C

I

C

= 150毫安，我

B

= 15毫安

I

C

= 500毫安，我

B

= 50毫安

I

C

= 150毫安，我

B

= 15毫安

I

C

= 500毫安，我

B

= 50毫安

I

C

= 1 A，I

B

= 100毫安

符号

I

CBO1

I

CBO2

I

CBO3

I

CEX

I

EBO1

I

EBO2

测试条件

V

CB

= 80伏

V

CB

= 60伏

V

CB

= 60伏，T

A

= 150°C

V

CE

= 60伏特，V

EB

- 2伏

V

BE

= 5伏

V

BE

= 3伏

民

典型值

最大

10

25

10

25

单位

A

nA

A

nA

A

nA

脉冲测试：脉冲宽度= 300

s,

占空比

≤

2.0%

直流电流增益

民

50

100

70

25

30

典型值

最大

300

单位

基射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

动态特性

参数

震级 - 共发射极，短

电路正向电流传输比

开路输出电容

开路输入电容

开关特性

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

0.9

1.2

0.15

0.50

1.00

伏

符号

|h

FE

|

C

敖包

C

IBO

t

d

t

r

t

s

t

f

测试条件

V

CE

= 10伏，我

C

= 50毫安，

F = 100 MHz的

V

CB

= 10伏，我

E

= 0 mA时，

100千赫< F < 1兆赫

V

EB

= 0.5伏特，我

C

= 0 mA时，

100千赫< F < 1兆赫

民

1.5

典型值

最大

6.0

20

80

单位

pF

I

C

= 500毫安，我

B

= 50毫安

I

C

= 500毫安，我

B

= 50毫安

15

25

175

35

ns

英文内容

Semicoa半导体公司

麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541

第2页2

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2N4026

尺寸以毫米（英寸）。

5.84 (0.230)

5.31 (0.209)

4.95 (0.195)

4.52 (0.178)

在双极PNP设备

密封TO18

金属包装。

双极PNP设备。

V

首席执行官

= 60V

0.48 (0.019)

0.41 (0.016)

DIA 。

I

C

= 1A

所有Semelab密封产品

可根据被处理

BS ， CECC和JAN的要求，

JANTX ， JANTXV和JANS规格

3

2

1

2.54 (0.100)

喃。

TO18 （ TO206AA ）

引脚配置

1 - 发射极

2 - 基

3 - 集电极

参数

V

首席执行官

*

I

C（ CONT ）

h

FE

f

t

P

D

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

60

1

单位

V

A

-

@ 5 / 0.1米（V

CE

/ I

C

)

30

100M

0.5

Hz

W

*最大工作电压

这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系

sales@semelab.co.uk 。

Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信

是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

电子信箱：

sales@semelab.co.uk

网址：

http://www.semelab.co.uk

产生

2-Aug-02

技术数据表

6湖街，劳伦斯，MA 01841

1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真：（ 978 ） 689-0803

网址： http://www.microsemi.com

戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰。

联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298

PNP硅晶体管开关

每个合格的MIL -PRF-五百一十二分之一万九千五百

器件

水平

2N4029

2N4033

2N4033UA

2N4033UB

JAN

JANTX

JANTXV

JANS

绝对最大额定值

(T

C

= + 25 ° C除非另有说明）

参数/测试条件

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

总功率耗散@ T

A

=

+25°C

2N4029

1

2N4033

2

2N4033UA ， UB

3

2N4029

2N4033

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

P

T

j

, T

英镑

R

θJC

价值

80

5.0

1.0

0.5

0.8

0.5

-65到+200

80

40

单位

VDC

ADC

W

°C

° C / W

的TO- 18 （TO- 206AA ）

2N4029

操作&存储结温范围

热阻，结到外壳

注意：

1.

2.

3.

减免线性2.86mW /°C，对于T

A

> + 25°C

减免线性4.56mW /°C，对于T

A

> + 25°C

对于UB封装，使用R

θJC

或见热曲线/ 512

TO- 39 （ TO- 205AD ）

2N4033

电气特性

(T

A

= + 25℃ ，除非另有说明）

参数/测试条件

关CHARACTERTICS

符号

分钟。

马克斯。

单位

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 80VDC

V

CB

= 60V直流

V

CB

= 60V直流，T

A

= +150°C

发射基截止电流

V

EB

= 5.0VDC

V

EB

= 3.0VDC

集电极 - 发射极截止电流

V

BE

= 2.0Vdc ，V

CE

= 60V直流

I

CBO

10

25

10

25

μAdc

UA封装

I

EBO

I

CEX

UB包

第1页6

T4 - LDS - 0157版本2 （ 101305 ）

技术数据表

6湖街，劳伦斯，MA 01841

1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真：（ 978 ） 689-0803

网址： http://www.microsemi.com

戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰。

联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298

电气特性

(T

A

= + 25℃ ，除非另有说明）

参数/测试条件

基本特征

(3)

正向电流传输比

I

C

= 100μAdc ，V

CE

= 5.0VDC

I

C

= 100mAdc ，V

CE

= 5.0VDC

I

C

= 500mAdc ，V

CE

= 5.0VDC

I

C

= 1.0Adc ，V

CE

= 5.0VDC

I

C

= 500mAdc ，V

CE

= 5.0VDC ，T

A

= -55°C

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 150mAdc ，我

B

= 15mAdc

I

C

= 500mAdc ，我

B

= 50mAdc

I

C

= 1.0Adc ，我

B

= 100mAdc

基射极电压

I

C

= 150mAdc ，我

B

= 15mAdc

I

C

= 500mAdc ，我

B

= 50mAdc

动态特性

参数/测试条件

共发射小信号短路正向幅度

电流传输比

I

C

= 50mAdc ，V

CE

= 10V直流， F = 100MHz的

输出电容

V

CB

= 10Vdc的，我

E

= 0时，在100kHz

≤

f

≤

1.0MHz

输入电容

V

EB

= 0.5VDC ，我

C

= 0时，在100kHz

≤

f

≤

1.0MHz

开关特性

参数/测试条件

ON- TIME

V

CC

= 31.9Vdc ;我

C

= 500mAdc ;我

B1

= 50mAdc

上升时间

V

CC

= 31.9Vdc ;我

C

= 500mAdc ;我

B1

= 50mAdc

贮存时间

V

CC

= 31.9V ，我

C

= 500mAdc ，我

B1

= 50mAdc

下降时间

V

CC

= 31.9V ，我

C

= 500mAdc ，我

B1

= 50mAdc

（ 4 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比

≤

2.0%.

符号

分钟。

马克斯。

单位

h

FE

50

100

70

25

30

300

V

CE （ SAT ）

0.15

0.50

1.0

0.9

1.2

VDC

V

BE （ SAT ）

VDC

符号

|h

fe

|

分钟。

马克斯。

单位

1.5

6.0

20

80

pF

C

敖包

C

IBO

符号

t

分钟。

马克斯。

15

25

175

35

单位

ηs

d

r

t

s

f

t

T4 - LDS - 0157版本2 （ 101305 ）

第2 6

技术数据表

6湖街，劳伦斯，MA 01841

1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真：（ 978 ） 689-0803

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包装尺寸

符号

CD

CH

HD

LC

LD

LL

LU

L

1

L

2

Q

TL

TW

r

P

α

尺寸

英寸

MILLIMETERS

MIN MAX MIN

最大

.178 .195 4.52

4.95

.170 .210 4.32

5.34

.209 .230 5.31

5.84

.100 TP

2.54 TP

.016 .021 0.41

0.53

.500 .750 12.70 19.05

.016 .019 0.41

0.48

.050

1.27

.250

6.35

.040

1.02

.028 .048 0.71

1.22

.036 .046 0.91

1.17

.010

0.25

.100

2.54

45 ° TP

笔记

6

7, 8

7, 8, 12

7, 8

5

3, 4

3

10

6

注意事项：

1尺寸为英寸。

2毫米当量给出的只是一般信息。

3除了R（半径）最大， TW应当承担的0.011 （0.28 mm）的最小长度。

4维TL从最大的高清测量。

5车身轮廓内通过HD ，CD ，和Q限定区域可选

6信息在以下座位平面计平面0.054 +.001 -.000英寸（ 1.37 +0.03 -0.00毫米），应在0.007英寸（ 0.18毫米）

半径最大使用材料情况（ MMC ），相对于选项卡MMC实际位置（TP ）的。该装置可以通过被测量

直接的方法。

7尺寸卢适用于L之间

1

和L

2

。尺寸LD适用于L之间

2

和最小值。直径是不受控制以L

1

超越LL最低。

8这三个线索。

9署长须在内部连接的情况。

10尺寸R （半径）适用于标签的两个内角。

11根据ASME Y14.5M ，直径相当于

φx

符号。

12对于“L ”后缀的设备，尺寸LL为1.50 （ 38.10毫米）最低， 1.75 （ 44.45毫米）最大。

图1.物理尺寸为2N4029 （ TO- 18 ）。

T4 - LDS - 0157版本2 （ 101305 ）

第3页6

技术数据表

6湖街，劳伦斯，MA 01841

1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真：（ 978 ） 689-0803

网址： http://www.microsemi.com

戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰。

联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298

符号

CD

CH

HD

LC

LD

LL

LU

L

1

L

2

Q

TL

TW

r

P

α

尺寸

英寸

MILLIMETERS

MIN MAX MIN

最大

.305 .335 7.75

8.51

.240 .260 6.10

6.60

.335 .370 8.51

9.40

0.200 TP

5.08 TP

.016 .021 0.41

0.53

.500 .750 12.70 19.05

.016 .019 0.41

0.48

.050

1.27

.250

6.35

.050

1.27

.029 .045 0.74

1.14

.028 .034 0.71

0.86

.010

0.25

.100

2.54

45 ° TP

笔记

6

7, 8

7, 8, 12

7, 8

5

3, 4

3

10

6

注意事项：

1尺寸为英寸。

2毫米当量给出的只是一般信息。

3除了R（半径）最大， TW应当承担的0.011 （0.28 mm）的最小长度。

4维TL从最大的高清测量。

5车身轮廓内通过HD ，CD ，和Q限定区域可选

6信息在以下座位平面计平面0.054 +.001 -.000英寸（ 1.37 +0.03 -0.00毫米），应在0.007英寸（ 0.18毫米）

半径最大使用材料情况（ MMC ），相对于选项卡MMC实际位置（TP ）的。该装置可以通过被测量

直接的方法。

7尺寸卢适用于L之间

1

和L

2

。尺寸LD适用于L之间

2

和最小值。直径是不受控制以L

1

超越LL最低。

8这三个线索。

9署长须在内部连接的情况。

10尺寸R （半径）适用于标签的两个内角。

11根据ASME Y14.5M ，直径相当于

φx

符号。

12对于“L ”后缀的设备，尺寸LL为1.50 （ 38.10毫米）最低， 1.75 （ 44.45毫米）最大。

图2.物理尺寸为2N4033 （ TO- 39 ）。

T4 - LDS - 0157版本2 （ 101305 ）

第4 6

技术数据表

6湖街，劳伦斯，MA 01841

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戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰。

联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298

LTR 。

A

1

B

1

B

2

B

3

D

1

尺寸

英寸

MILLIMETERS

最小值最大值最小值最大值

.061 .075 1.55 1.91

.029 .041 0.74 1.04

.022 .028 0.56 0.71

0.075 REF

1.91 REF

.006 .022 0.15 0.56

.145 .155 3.68 3.93

.045 .055 1.14 1.39

记

3

LTR 。

D

2

D

3

E

3

L

1

L

2

L

3

5

尺寸

英寸

MILLIMETERS

民

最大

民

最大

0.0375 BSC

0.952 BSC

.155

3.94

.215

.225

5.46

5.72

.225

5.72

.032

.048

0.81

1.22

.072

.088

1.83

2.24

.003

.007

0.08

0.18

记

5

注意事项：

1尺寸为英寸。

2毫米当量给出的只是一般信息。

3尺寸“A”控制整体包装的厚度。当窗口盖时，尺寸“ A”必须由增加

最小的0.010英寸（ 0.254毫米）和最大的0.040英寸（ 1.020毫米）。

4所述的角形状（正方形，缺口，半径等），可以在制造商的选择而变化，从在图上示出。

5尺寸“B3”最小值和“ L3 ”最小和适当的雉堞长度定义一个通畅的三

维空间遍历所有在其中一个雉堞被设计在陶瓷层。（雉堞上需要

底部两层，可选配顶部陶瓷层。）尺寸“B3”最大和“ L3 ”最大定义的最大宽度

和雉堞在其表面上的任一点的深度。这些尺寸的测量之前可以浸焊制成。

6根据ASME Y14.5M ，直径相当于

φx

符号。

图3.物理尺寸，表面贴装（ UA版）。

T4 - LDS - 0157版本2 （ 101305 ）

分页： 5 6

2N4029, 2N4033

产品预览

小信号开关

晶体管

PNP硅

特点

http://onsemi.com

集热器

3

2

BASE

价值

80

5.0

1

0.5

0.8

1.0

4.0

65

到200

单位

VDC

ADC

W

1

辐射源

MIL -PRF-五百十二分之一万九千五合格

作为JAN ， JANTX ，并JANTXV

最大额定值

等级

集热器

：辐射源

电压

集热器

： BASE

电压

辐射源

： BASE

电压

集电极电流

连续

器件总功耗@ T

A

= 25°C

2N4029

2N4033

器件总功耗@ T

C

= 25°C

2N4029

2N4033

工作和存储结

温度范围

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

P

T

P

T

W

T

J

, T

英镑

°C

TO18

CASE 206AA

风格1

2N4029

TO39

CASE 205AB

风格1

2N4033

热特性

特征

热阻，结到环境

2N4029

2N4033

热阻，结到外壳

2N4029

2N4033

符号

R

qJA

最大

325

195

150

40

单位

° C / W

水平

JAN

° C / W

JANTX

JANTXV

2N4033

TO39

体积

订购信息

设备

2N4029

包

TO18

航运

体积

R

QJC

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

本文件包含有关正在开发中的产品信息。安森美半导体

保留不另行通知，以更改或终止本产品的权利。

半导体元件工业有限责任公司， 2013

2013年3月

牧师P0

1

出版订单号：

2N4029/D

2N4029, 2N4033

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集热器

：辐射源

击穿电压

(I

C

=

10

MADC ）

集热器

：辐射源

截止目前

(V

CE

=

60

VDC ）

集电极 - 基极截止电流

(V

CB

=

80

VDC ，我

E

= 0)

(V

CB

=

60

VDC ，我

E

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

=

5

VDC ）

(V

EB

=

3

VDC ）

基本特征

（注1 ）

直流电流增益

(I

C

=

0.1

MADC ，V

CE

=

5

VDC ）

(I

C

=

100

MADC ，V

CE

=

5

VDC ）

(I

C

=

500

MADC ，V

CE

=

5

VDC ）

(I

C

=

1

ADC ，V

CE

=

5

VDC ）

集热器

：辐射源

饱和电压

(I

C

=

150

MADC ，我

B

=

15

MADC ）

(I

C

=

500

MADC ，我

B

=

50

MADC ）

(I

C

=

1

ADC ，我

B

=

100

MADC ）

BASE

：辐射源

饱和电压

(I

C

=

150

MADC ，我

B

=

15

MADC ）

(I

C

=

500

MADC ，我

B

=

50

MADC ）

小信号特性

小信号电流增益的幅度

(I

C

=

50

MADC ，V

CE

=

10

VDC ， F = 100兆赫）

输出电容

(V

CB

=

10

VDC ，我

E

= 0，100千赫

≤

f

≤

1.0兆赫）

输入电容

(V

EB

=

0.5

VDC ，我

C

= 0，100千赫

≤

f

≤

1.0兆赫）

开关特性

延迟时间

（参考图中的MIL -PRF- 512分之19500 ）

上升时间

（参考图中的MIL -PRF- 512分之19500 ）

贮存时间

（参考图中的MIL -PRF- 512分之19500 ）

下降时间

（参考图中的MIL -PRF- 512分之19500 ）

1.脉冲测试：脉冲宽度= 300

女士，

占空比

≤

2.0%.

t

d

t

r

t

s

t

f

15

25

175

35

ns

|h

fe

|

C

敖包

C

IBO

1.5

6.0

20

80

pF

h

FE

50

100

70

25

300

0.15

0.5

1.0

0.9

1.2

V

（ BR ） CEO

I

CES

I

CBO

80

25

10

25

VDC

NADC

符号

民

最大

单位

mA

nA

mA

nA

I

EBO

V

CE （ SAT ）

VDC

V

BE （ SAT ）

VDC

http://onsemi.com

2

2N4029, 2N4033

包装尺寸

TO-18 3

CASE 206AA

发出

B

细节X

注意事项：

1.尺寸和公差符合ASME Y14.5M ， 1994年。

2.控制尺寸：英寸。

3.尺寸实测直径从A TO EDGE 。

4.铅TRUE位置的确定AT THE GUAGE

平面定义的维R.

5.尺寸f适用DIMENSION P和L之间

6.尺寸D之间的适用尺寸L和K.

7. BODY CONTOUR OPTIONAL WITHIN ZONE DEFINED BY DIMEN

SIONS A， B和T.

暗淡

A

B

C

D

E

F

H

J

K

L

M

N

P

R

T

U

MILLIMETERS

民

最大

5.31

5.84

4.52

4.95

4.32

5.33

0.41

0.53

---

0.76

0.41

0.48

0.91

1.17

0.71

1.22

12.70

19.05

6.35

---

45

_

BSC

2.54 BSC

---

1.27

1.37 BSC

---

0.76

2.54

---

英寸

民

最大

0.209

0.230

0.178

0.195

0.170

0.210

0.016

0.021

---

0.030

0.016

0.019

0.036

0.046

0.028

0.048

0.500

0.750

0.250

---

45

_

BSC

0.100 BSC

---

0.050

0.054 BSC

---

0.030

0.100

---

A

B

P

L

C

A

K

E

注7：

座位

飞机

U

R

注5

F

T

D

注4 & 6

0.007 （ 0.18 ） A B

S

C

3X

细节X

M

H

M

C

J

N

2

1

3

铅鉴定

详细信息

风格1 ：

PIN 1.辐射源

2.基

3.收集

http://onsemi.com

3

2N4029, 2N4033

包装尺寸

TO- 39 3引脚

CASE 205AB

发出

B

细节X

A

B

P

L

C

A

K

E

注7：

座位

飞机

U

R

注5

F

注意事项：

1.尺寸和公差符合ASME Y14.5M ， 1994年。

2.控制尺寸：英寸。

3.尺寸实测直径从A TO EDGE 。

4.铅TRUE位置的确定AT THE GUAGE

平面定义的维R.

5.尺寸f适用DIMENSION P和L之间

6.尺寸D之间的适用尺寸L和K.

7. BODY CONTOUR OPTIONAL WITHIN ZONE DEFINED BY DIMEN

SIONS A， B和T.

8.尺寸B变化应不超过0.010 IN ZONE P.

暗淡

A

B

C

D

E

F

H

J

K

L

M

N

P

R

T

U

MILLIMETERS

民

最大

8.89

9.40

8.00

8.51

6.10

6.60

0.41

0.48

0.23

3.18

0.41

0.48

0.71

0.86

0.73

1.02

12.70

14.73

6.35

---

45

_

BSC

5.08 BSC

---

1.27

1.37 BSC

---

0.76

2.54

---

英寸

民

最大

0.350

0.370

0.315

0.335

0.240

0.260

0.016

0.019

0.009

0.125

0.016

0.019

0.028

0.034

0.029

0.040

0.500

0.580

0.250

---

45

_

BSC

0.200 BSC

---

0.050

0.054 BSC

---

0.030

0.100

---

T

D

注4 & 6

0.007 （ 0.18 ） A B

S

C

3X

细节X

M

H

M

C

J

N

2

1

3

铅鉴定

详细信息

风格1 ：

PIN 1.辐射源

2.基

3.收集

安森美半导体

和

是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC拥有的权利，拥有多项专利，商标，

著作权，商业秘密和其他知识产权。 SCILLC的产品/专利覆盖的上市可能在www.onsemi.com/site/pdf/Patent-Marking.pdf访问。 SCILLC

保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。 SCILLC对其产品是否适合任何任何保证，声明或担保

特定用途，也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何责任，包括但

不限于特殊，间接或附带损失。这可能SCILLC数据表和/或规格提供“典型”参数，并会根据不同的应用

实际性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC

不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权使用的组件用于系统

外科植入到体内，或用于支持或维持生命，或其他应用程序的任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成一种情况，

可能发生的人身伤害或死亡。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC

其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师直接或间接引起的，收费是无害的，

人身伤害或死亡索赔等意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC是疏忽就设计或制造

零件。 SCILLC是一个机会均等/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。

出版物订货信息

文学履行：

安森美半导体文学配送中心

P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国

电话：

303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大

传真：

303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大

电子邮件：

orderlit@onsemi.com

N.美国技术支持：

免费电话800-282-9855

美国/加拿大

欧洲，中东和非洲技术支持：

电话： 421 33 790 2910

日本以客户为中心中心

电话： 81-3-5817-1050

安森美半导体网站： www.onsemi.com

为了文学：

http://www.onsemi.com/orderlit

有关更多信息，请联系您当地的

销售代表

http://onsemi.com

4

2N4029/D

2N4029, 2N4033

小信号开关

晶体管

PNP硅

特点

http://onsemi.com

集热器

3

2

BASE

1

辐射源

MIL -PRF-五百十二分之一万九千五合格

作为JAN ， JANTX ，并JANTXV

最大额定值

等级

集电极发射极电压

集电极基极电压

发射极基极电压连续

连续集电极电流 -

器件总功耗@ T

A

= 25°C

2N4029

2N4033

器件总功耗@ T

C

= 25°C

2N4029

2N4033

工作和存储结

温度范围

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

P

T

0.5

0.8

P

T

1.0

4.0

T

J

, T

英镑

-65到+200

°C

W

TO18

CASE 206AA

风格1

2N4029

价值

80

5.0

1

单位

VDC

ADC

W

热特性

特征

热阻，结到环境

2N4029

2N4033

热阻，结到外壳

2N4029

2N4033

符号

R

qJA

最大

325

195

° C / W

150

40

单位

° C / W

TO39

CASE 205AB

风格1

2N4033

订购信息

水平

JAN

JANTX

JANTXV

2N4033

TO39

体积

设备

2N4029

包

TO18

航运

体积

R

QJC

应力超过那些在最大额定值表中列出可能会损坏

装置。如果有任何超出这些限制，设备的功能不应该

可能发生的假定，破坏和可靠性可能会受到影响。

半导体元件工业有限责任公司， 2013

1

十一月， 2013 - 第1版

出版订单号：

2N4029/D

2N4029, 2N4033

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集电极发射极击穿电压

(I

C

= -10 MADC ）

集电极发射极截止电流

(V

CE

= -60伏直流）

集电极 - 基极截止电流

(V

CB

= -80伏直流，我

E

= 0)

(V

CB

= -60伏直流，我

E

= 0)

发射基截止电流

(V

EB

= -5 VDC ）

(V

EB

= -3伏）

基本特征

（注1 ）

直流电流增益

(I

C

= -0.1 MADC ，V

CE

= -5 VDC ）

(I

C

= -100 MADC ，V

CE

= -5 VDC ）

(I

C

= -500 MADC ，V

CE

= -5 VDC ）

(I

C

= -1 ADC ，V

CE

= -5 VDC ）

集电极发射极饱和电压

(I

C

= -150 MADC ，我

B

= -15 MADC ）

(I

C

= -500 MADC ，我

B

= -50 MADC ）

(I

C

= -1 ADC ，我

B

= -100 MADC ）

基地发射极饱和电压

(I

C

= -150 MADC ，我

B

= -15 MADC ）

(I

C

= -500 MADC ，我

B

= -50 MADC ）

小信号特性

小信号电流增益的幅度

(I

C

= -50 MADC ，V

CE

= -10伏直流， F = 100兆赫）

输出电容

(V

CB

= -10伏直流，我

E

= 0，100千赫

≤

f

≤

1.0兆赫）

输入电容

(V

EB

= -0.5伏，我

C

= 0，100千赫

≤

f

≤

1.0兆赫）

开关特性

延迟时间

（参考图中的MIL -PRF- 512分之19500 ）

上升时间

（参考图中的MIL -PRF- 512分之19500 ）

贮存时间

（参考图中的MIL -PRF- 512分之19500 ）

下降时间

（参考图中的MIL -PRF- 512分之19500 ）

t

d

t

r

t

s

t

f

15

25

175

35

ns

|h

fe

|

1.5

C

敖包

C

IBO

80

20

pF

6.0

pF

h

FE

50

100

70

25

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

0.9

1.2

0.15

0.5

1.0

VDC

300

VDC

V

（ BR ） CEO

80

I

CES

I

CBO

I

EBO

10

25

10

25

mA

nA

mA

nA

NADC

VDC

符号

民

最大

单位

产品性能参数显示在电气特性列出的测试条件下，除非另有说明。产品

性能可能无法通过电气特性来表示，如果在不同条件下操作。

1.脉冲测试：脉冲宽度= 300

女士，

占空比

≤

2.0%.

http://onsemi.com

2

2N4029, 2N4033

450

400

h

FE

，直流电流增益

350

300

250

200

150

100

50

0

0.1

V

CE

= 10 V

1

10

100

I

C

，集电极电流（毫安）

55°C

25°C

150°C

V

BESAT

，基极 - 发射

饱和电压（ V）

1.2

1.0

55°C

0.8

25°C

0.6

150°C

0.4

0.2

0

0.1

I

C

/I

B

= 10

1

10

100

I

C

，集电极电流（毫安）

图1.直流电流增益

图2.基射极饱和电压

0.3

V

BEON

，基极发射极电压

(V)

V

CESAT

，集电极 - 发射极

饱和电压（ V）

I

C

/I

B

= 10

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0

0.1

1

10

100

150°C

V

CE

= 1 V

55°C

25°C

0.2

150°C

25°C

0.1

55°C

0

0.1

1

10

100

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图3.集电极 - 发射极饱和电压

图4.基射极电压

1.0

C

IBO

，输入电容（ pF）的

V

CESAT

，集电极 - 发射极

饱和电压（ V）

300毫安

I

C

= 10毫安

百毫安

0.1

500毫安

70

60

50

40

30

20

10

0

5

T

J

= 25

°

C

f

TEST

= 10千赫

0.01

0.10

1

I

B

，基极电流（毫安）

10

4

3

2

1

0

V

BE

，基极 - 发射（ V）

图5.集电极饱和区

图6.输入电容

http://onsemi.com

3

2N4029, 2N4033

T

J

= 25

°

C

f

TEST

= 10千赫

f

t

，电流增益带宽（MHz ）

35

C

敖包

，输出电容（ pF）的

30

25

20

15

10

5

0

20 18 16 14 12 10 8

6 4

V

BC

，基极 - 集电极电压（V）的

350

300

250

200

150

100

50

0

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

100

T

J

= 25

°

C

V

CE

= 5 V

2

0

图7.输出电容

图8.电流增益带宽积

http://onsemi.com

4

2N4029, 2N4033

包装尺寸

TO-18 3

CASE 206AA

发出

B

细节X

注意事项：

1.尺寸和公差符合ASME Y14.5M ， 1994年。

2.控制尺寸：英寸。

3.尺寸实测直径从A TO EDGE 。

4.铅TRUE位置的确定AT THE GUAGE

平面定义的维R.

5.尺寸f适用DIMENSION P和L之间

6.尺寸D之间的适用尺寸L和K.

7. BODY CONTOUR OPTIONAL WITHIN ZONE DEFINED BY DIMEN

SIONS A， B和T.

暗淡

A

B

C

D

E

F

H

J

K

L

M

N

P

R

T

U

MILLIMETERS

民

最大

5.31

5.84

4.52

4.95

4.32

5.33

0.41

0.53

---

0.76

0.41

0.48

0.91

1.17

0.71

1.22

12.70

19.05

6.35

---

45

_

BSC

2.54 BSC

---

1.27

1.37 BSC

---

0.76

2.54

---

英寸

民

最大

0.209

0.230

0.178

0.195

0.170

0.210

0.016

0.021

---

0.030

0.016

0.019

0.036

0.046

0.028

0.048

0.500

0.750

0.250

---

45

_

BSC

0.100 BSC

---

0.050

0.054 BSC

---

0.030

0.100

---

A

B

P

L

F

C

A

K

E

T

注7：

座位

飞机

U

R

注5

D

注4 & 6

0.007 （ 0.18 ） A B

S

C

3X

细节X

M

N

H

1

2

3

M

C

J

铅鉴定

详细信息

风格1 ：

PIN 1.辐射源

2.基

3.收集

http://onsemi.com

5