2N3960
硅NPN晶体管
数据表
描述
Semicoa半导体提供：
筛选和处理符合MIL -PRF- 19500
附录E
JAN级（ 2N3960J ）
JANTX级别（ 2N3960JX ）
JANTXV级（ 2N3960JV ）
QCI适用的级别
每MIL -STD- 750方法100 ％模目视检查
2072的JANTXV
辐射测试（总剂量）要求
应用
通用
低功率开关晶体管
NPN硅晶体管
特点
密封TO- 18金属罐
在芯片配置也可
芯片几何尺寸0003
参考文献：
MIL-PRF-19500/399
好处
请联系Semicoa的特殊配置
www.SEMICOA.com或（ 714 ） 979-1900
资质等级： JAN ， JANTX ，并
JANTXV
辐射测试可用
T
C
= 25 ° C除非另有说明
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
功耗，T
A
= 25°C
线性降额25°C以上
工作结温
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
P
T
T
J
T
英镑
等级
12
20
4.5
400
2.3
-65到+200
-65到+200
单位
伏
伏
伏
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
Copyright 2002年
Rev. D的
Semicoa半导体公司
麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541
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2N3960
硅NPN晶体管
数据表
电气特性
在T规定的特性
A
= 25°C
开关特性
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射基截止电流
基本特征
参数
符号
h
FE1
h
FE2
h
FE3
h
FE4
V
BE1
V
BE2
V
CEsat1
V
CEsat2
符号
|h
FE
|
1
|h
FE
|
2
|h
FE
|
3
C
敖包
C
IBO
测试条件
I
C
= 1毫安， V
CE
= 1伏特
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 1伏特
I
C
= 30 mA时， V
CE
= 1伏特
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 1伏特
T
A
= -55°C
V
CE
= 1伏特，我
C
= 1毫安
V
CE
= 1伏特，我
C
= 30毫安
I
C
= 1毫安，我
B
- 0.1毫安
I
C
= 30 mA时，我
B
= 3毫安
测试条件
F = 100 MHz的
V
CE
= 4伏特，我
C
= 5毫安，
V
CE
= 4伏特，我
C
= 10毫安，
V
CE
= 4伏特，我
C
= 30毫安，
V
CB
= 4伏特，我
E
= 0 mA时，
100千赫< F < 1兆赫
V
EB
= 0.5伏特，我
C
= 0 mA时，
100千赫< F < 1兆赫
符号
V
（ BR ） CEO
I
CBO
I
CEX1
I
CEX2
I
CEX3
I
EBO
测试条件
I
C
= 10
A
V
CB
= 20伏
V
CE
= 10Volts ，V
BE
= 0.4Volts
V
CE
= 10Volts ，V
BE
- 2伏
V
CE
= 10Volts ，V
BE
= 2伏特，
T
A
= 150°C
V
EB
= 4.5伏
民
12
10
1
5
5
10
典型值
最大
单位
伏
A
A
nA
A
A
脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
≤
2.0%
直流电流增益
民
40
60
30
30
典型值
最大
300
单位
基射极电压
集电极 - 发射极饱和电压
动态特性
参数
震级 - 共发射极，短
电路正向电流传输比
开路输出电容
开路输入电容
0.8
1.0
0.2
0.3
民
13
14
12
2.5
2.5
典型值
最大
伏
伏
单位
pF
pF
Copyright 2002年
Rev. D的
Semicoa半导体公司
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