2N3955
单片双
N沟道JFET
该2N3955是一款低噪声，低漂移，单片双N沟道JFET
该2N3955系列是为匹配JFET对
差分放大器。该2N3955系列通用
目的JFET的特点是低中
高频差分放大器要求低失调
电压漂移，噪声和电容
该2N3955系列具有低电容 - 为6.0pF最大
和斑点噪声系数 - 0.5分贝最大。部分报价
卓越的跟踪能力。
8引脚P- DIP和8引脚SOIC提供方便
制造，并且对称引出线防止
不正确的方向。
（见包装信息） 。
特点是什么？
低漂移
低漏
低噪声
绝对最大额定值
@25°C(unlessotherwisenoted)
|V
GS1‐2
/T|=5V/°Cmax.
I
G
=20pATYP.
e
n
=10nV/√HzTYP.
2N3955应用范围：
宽带差分放大器
高输入阻抗放大器
最高温度
储存温度
‐65°Cto+200°C
工作结温
+150°C
MaximumVoltageandCurrentforEachTransistor–Note1
‐V
GSS
栅极电压漏极或源极
60V
‐V
DSO
漏源极电压
60V
‐I
G（ F）
门正向电流
50mA
最大功率耗散
DeviceDissipation@FreeAir–Total400mW@25°C
MATCHINGCHARACTERISTICS@25°CUNLESSOTHERWISENOTED
SYMBOL
特征值单位条件
|V
GS1‐2
/ T | MAX 。
漂移VS.
25
μV/°C V
DG
=20V,I
D
=200A
温度是多少？
T
A
=‐55°Cto+125°C
|V
GS1‐2
|最大。
失调电压
10
mV
V
DG
=20V,I
D
=200A
马克斯。
‐‐
‐‐
3000
1000
3
5
5
4.5
4
50
50
‐‐
100
5
1
0.1
‐‐
‐‐
0.5
15
6
2
‐‐
单位“
V
V
μmho
μmho
%
mA
%
V
V
pA
nA
pA
pA
μmho
μmho
μmho
dB
dB
dB
内华达州/ √Hz的
pF
pF
pF
条件“
V
DS
=0I
D
=1A
I
G
=1nAI
D
=0I
S
=0
V
DG
=20VV
GS
=0Vf=1kHz
V
DG
=20VI
D
=200A
V
DG
=20VV
GS
=0V
V
DS
=20VI
D
=1nA
V
DS
=20VI
D
=200A
V
DG
=20VI
D
=200A
T
A
=+125°C
V
DG
=10VI
D
=200A
V
DG
=20VV
DS
=0
V
DG
=20VV
GS
=0V
V
DG
=20VI
D
=200A
ELECTRICALCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisenoted)
SYMBOL
特色」
分钟。
（典型值） *
BV
GSS
击穿电压
60
‐‐
BV
GGO
栅栅击穿
60
‐‐
跨
Y
FSS
全导
1000
2000
Y
fS
典型的操作
500
700
|Y
FS1‐2
/Y
FS
|
不匹配
‐‐
0.6
漏电流
I
DSS
全导
0.5
2
|I
DSS1‐2
/I
DSS
|
错配的全导
‐‐
1
栅极电压
V
GS
（关闭）或V
p
夹断电压
1
2
V
GS
（上）
工作范围
0.5
‐‐
栅极电流
‐I
G
经营？
‐‐
20
‐I
G
高温
‐‐
‐‐
‐I
G
降低V
DG
‐‐
5
‐I
GSS
在全导通
‐‐
‐‐
输出电导
Y
OSS
全导
‐‐
‐‐
Y
OS
经营？
‐‐
0.1
|Y
OS1‐2
|
微分
‐‐
0.01
共模抑制
CMR刀
‐20log|V
GS1‐2
/V
DS
|
‐‐
100
CMR刀
‐20log|V
GS1‐2
/V
DS
|
‐‐
75
NOISE
NF
身材
‐‐
‐‐
e
n
电压是多少？
‐‐
‐‐
Capacitance
C
国际空间站
输入 -
‐‐
‐‐
C
RSS
反向传输
‐‐
‐‐
C
DD
漏漏
‐‐
0.1
注1 - 这些额定值的限制值高于其中任何半导体的适用性可能受到损害
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V
DS
=10to20VI
D
=200A
V
DS
=5to10VI
D
=200A
V
DS
=20VV
GS
=0VR
G
=10MΩ
f=100HzNBW=6Hz
V
DS
=20VI
D
=200Af=10HzNBW=1Hz
V
DS
=20VV
GS
=0Vf=1MHz
V
DG
=20VI
D
=200A
PDIP / SOIC （顶视图）
可用的软件包：
2N3955的PDIP / SOIC
2N3955可用裸片
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