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2N3906
首选设备
通用
晶体管
PNP硅
http://onsemi.com
集热器
3
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
625
5.0
PD
PD
1.5
12
TJ , TSTG
-55
+150
毫瓦/°C的
°C
2N
3906
YWW
单位
° C / W
° C / W
Y
WW
=年
=工作周
250
mW
毫瓦/°C的
mW
1
2
3
TO–92
CASE 29
风格1
价值
40
40
5.0
200
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
2
BASE
1
辐射源
风格1
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗
@ TA = 25°C
减免上述25℃
总功耗
@ TA = 60℃
器件总功耗
@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
标记DIAGRAMS
热特性
(注1 )
特征
热阻,
结到环境
热阻,
结到外壳
符号
R
θJA
R
θJC
最大
200
83.3
1.表示除了JEDEC要求的数据。
订购信息
设备
2N3906
2N3906RLRA
2N3906RLRE
2N3906RLRM
2N3906RLRP
2N3906RL1
2N3906ZL1
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
航运
5000单位/箱
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
2000 /弹药包
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司, 2001年
1
2001年11月 - 修订版0
出版订单号:
2N3906/D
2N3906
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
符号
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压(注2 ) ( IC = 1.0 MADC , IB = 0 )
集电极 - 基极击穿电压( IC = 10
MADC ,
IE = 0 )
发射极 - 基极击穿电压( IE = 10
MADC ,
IC = 0)
底座截止电流( VCE = 30 V直流, VEB = 3.0伏)
集电极截止电流( VCE = 30 V直流, VEB = 3.0伏)
V( BR ) CEO
V( BR ) CBO
V( BR ) EBO
IBL
ICEX
40
40
5.0
50
50
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
基本特征
(注2 )
直流电流增益
( IC = 0.1 MADC , VCE = 1.0 V直流)
( IC = 1.0 MADC , VCE = 1.0 V直流)
( IC = 10 MADC , VCE = 1.0 V直流)
( IC = 50 MADC , VCE = 1.0 V直流)
( IC = 100 MADC , VCE = 1.0 V直流)
集电极 - 发射极饱和电压
( IC = 10 MADC , IB = 1.0 MADC )
( IC = 50 MADC , IB = 5.0 MADC
基射极饱和电压
( IC = 10 MADC , IB = 1.0 MADC )
( IC = 50 MADC , IB = 5.0 MADC )
的hFE
60
80
100
60
30
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
0.65
0.85
0.95
0.25
0.4
VDC
300
VDC
小信号特性
电流增益 - 带宽积
( IC = 10 MADC , VCE = 20伏, F = 100兆赫)
输出电容( VCB = 5.0伏, IE = 0 , F = 1.0兆赫)
输入电容( VEB = 0.5伏, IC = 0 , F = 1.0兆赫)
输入阻抗( IC = 1.0 MADC , VCE = 10 VDC , F = 1.0千赫)
电压反馈比例
( IC = 1.0 MADC , VCE = 10 VDC , F = 1.0千赫)
小信号电流增益
( IC = 1.0 MADC , VCE = 10 VDC , F = 1.0千赫)
输出导纳( IC = 1.0 MADC , VCE = 10 VDC , F = 1.0千赫)
噪声系数
( IC = 100
MADC ,
VCE = 5.0伏, RS = 1.0千欧, F = 1.0千赫)
fT
250
科博
CIBO
缺氧缺血性脑病
HRE
0.1
的hFE
100
HOE
NF
4.0
3.0
400
60
毫姆欧
dB
10
2.0
4.5
10
12
pF
pF
k
X 10–4
兆赫
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
( VCC = 3.0伏, VBE = 0.5伏,
IC = 10 MADC , IB1 = 1.0 MADC )
( VCC = 3.0伏, IC = 10 MADC ,
IB1 = IB2 = 1.0 MADC )
( VCC = 3.0伏, IC = 10 MADC ,
IB1 = IB2 = 1.0 MADC )
td
tr
ts
tf
75
225
ns
35
35
ns
ns
ns
2.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士;
占空比
v
2%.
http://onsemi.com
2
2N3906
3V
+9.1 V
& LT ; 1纳秒
+0.5 V
10 k
CS < 4 PF *
300纳秒
占空比= 2 %
10 < T1 < 500
ms
占空比= 2 %
t1
10.9 V
275
0
10 k
1N916
CS < 4 PF *
& LT ; 1纳秒
3V
275
10.6 V
*测试夹具和连接器共有并联电容
图1.延迟和上升时间
等效测试电路
图2.存储和下降时间
等效测试电路
典型的瞬态特性
TJ = 25°C
TJ = 125°C
10
7.0
电容(pF)
Q, CHARGE ( PC)
5.0
科博
CIBO
5000
3000
2000
1000
700
500
300
200
100
70
50
QT
VCC = 40 V
IC / IB = 10
3.0
2.0
QA
1.0
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
反向偏置(伏)
20 30 40
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 50 70 100
IC ,集电极电流(毫安)
200
图3.电容
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7
5
500
300
200
五六,下降时间( NS )
100
70
50
30
20
10
7
5
1.0
2.0 3.0
图4.收费数据
IC / IB = 10
VCC = 40 V
IB1 = IB2
IC / IB = 20
时间(纳秒)
TR @ VCC = 3.0 V
15 V
40 V
2.0 V
TD @ VOB = 0 V
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
IC ,集电极电流(毫安)
IC / IB = 10
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
IC ,集电极电流(毫安)
图5.开启时间
图6.下降时间
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3
2N3906
典型的音频小信号特性
噪声系数变异
( VCE = -5.0伏, TA = 25 ℃,带宽= 1.0赫兹)
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0.1
源电阻= 2.0
IC = 100
mA
0.2
0.4
1.0 2.0 4.0
10
男,频率(KHz )
20
40
100
源电阻= 200
W
IC = 1.0毫安
NF ,噪声系数(dB )
源电阻= 200
W
IC = 0.5毫安
源电阻= 2.0
IC = 50
mA
12
F = 1.0千赫
10
8
6
4
2
0
0.1
0.2
0.4
1.0 2.0
4.0
10
20
RG ,源电阻(千欧)
IC = 50
mA
IC = 100
mA
IC = 1.0毫安
IC = 0.5毫安
NF ,噪声系数(dB )
40
100
图7 。
网络连接gure 8 。
h参数值
( VCE = -10伏直流, F = 1.0千赫, TA = 25 ° C)
300
锄头,输出导纳(
m
姆欧)
100
70
50
30
20
^ h FE , DC电流增益
200
100
70
50
30
10
7
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC ,集电极电流(毫安)
5.0 7.0 10
5
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC ,集电极电流(毫安)
5.0 7.0 10
图9.电流增益
重,电压反馈比例( X 10
-4
)
20
即输入阻抗(千欧)
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
10
7.0
5.0
3.0
2.0
图10.输出导纳
1.0
0.7
0.5
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC ,集电极电流(毫安)
5.0 7.0 10
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC ,集电极电流(毫安)
5.0 7.0 10
图11.输入阻抗
图12.电压反馈比例
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4
2N3906
典型静态特性
2.0
^ h FE , DC电流增益(标准化)
TJ = + 125°C
+25°C
-55°C
VCE = 1.0 V
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
IC ,集电极电流(毫安)
20
30
50
70
100
200
图13.直流电流增益
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
1.0
TJ = 25°C
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.01
IC = 1.0毫安
10毫安
30毫安
百毫安
0.02
0.03
0.05
0.07
0.1
0.2
0.3
0.5
IB ,基极电流(毫安)
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
图14.集电极饱和区
TJ = 25°C
VBE (星期六) @ IC / IB = 10
VBE @ VCE = 1.0 V
q
V,温度系数(MV /
°
C)
1.0
0.8
V,电压(V )
0.6
0.4
0.2
0
1.0
0.5
0
-0.5
+ 25 ° C至+ 125°C
-1.0
-1.5
-2.0
0
20
q
VB的VBE (SAT)
40
60
80 100 120 140
IC ,集电极电流(毫安)
160
180 200
-55 ° C至+ 25°C
q
VC的VCE (SAT)
+ 25 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 25°C
VCE (SAT) @ IC / IB = 10
1.0
2.0
50
5.0
10
20
IC ,集电极电流(毫安)
100
200
图15为“ON”电压
图16.温度系数
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2N3906ZL1
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    -
    -
    -
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
2N3906ZL1
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TO-92(TO-226)
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
2N3906ZL1
ON
22+
78000
原厂封装
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电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
2N3906ZL1
ON Semiconductor
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
2N3906ZL1
MOTOROLA
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联系人:刘先生
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联系人:邓小姐
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联系人:陈小姐
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2N3906ZL1
MOT
99
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