2N3906 / MMBT3906 / PZT3906 - PNP通用放大器
2013年9月
2N3906 / MMBT3906 / PZT3906
PNP通用放大器
描述
这个装置是专为通用放大器器
和开关以10mA的集电极电流的应用
为100 mA。
2N3906
MMBT3906
C
C
PZT3906
E
TO-92
EBC
SOT-23
马克： 2A
E
C
SOT-223
B
B
订购信息
产品型号
2N3906BU
2N3906TA
2N3906TAR
2N3906TF
2N3906TFR
MMBT3906
PZT3906
记号
2N3906
2N3906
2N3906
2N3906
2N3906
2A
3906
包
TO-92
TO-92
TO-92
TO-92
TO-92
SOT-23
SOT-223
包装方法
体积
弹药
弹药
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
包装数量
10000
2000
2000
2000
2000
3000
2500
2010仙童半导体公司
2N3906 / MMBT3906 / PZT3906版本1.2.1
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绝对最大额定值
(1)
应力超过绝对最大额定值可能会损坏设备。该设备可能无法正常运行或操作
竹叶提取高于推荐的工作条件，并强调部分这些级别是不推荐的。此外
化，长期暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。该
绝对最大额定值仅为应力额定值。值是在T
A
= 25_C除非另有说明。
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J,
T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
参数
价值
-40
-40
-5.0
-200
-55到+150
单位
V
V
V
mA
°C
连续集电极电流 -
工作和存储结温范围
注意：
1，这些评级是基于150的最高结温
°C.
这些都是稳定状态的限制。飞兆半导体应在涉及脉冲应用咨询
或低工作周期操作。
热特性
值是在T
A
= 25_C除非另有说明。
符号
P
D
R
θJC
参数
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
马克斯。
2N3906
625
5.0
83.3
MMBT3906
(2)
350
2.8
PZT3906
(3)
1,000
8.0
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
R
θJA
热阻，结到环境
200
357
125
° C / W
注意事项：
2.设备安装在FR- 4 PCB 1.6英寸× 1.6英寸× 0.06英寸。
3.设备安装在FR- 4 PCB 36毫米×18 x 1.5毫米;安装垫的集电导线最小6厘米
2
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电气特性
值是在T
A
= 25_C除非另有说明。
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
BL
I
CEX
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
(4)
发射极 - 基极击穿电压
基地截止电流
收藏家Cuto FF电流
测试条件
I
C
= -1.0毫安，我
B
= 0
I
E
= -10
μA,
I
C
= 0
V
CE
= -30 V, V
BE
= 3.0 V
V
CE
= -30 V, V
BE
= 3.0 V
I
C
= -0.1毫安，V
CE
= -1.0 V
I
C
= -1.0毫安，V
CE
= -1.0 V
分钟。
-40
-40
-5.0
马克斯。
单位
V
V
V
开关特性
集电极 - 基极击穿电压余
C
= -10
μA,
I
E
= 0
-50
-50
60
80
100
60
30
-0.25
-0.4
-0.65
-0.85
-0.95
300
nA
nA
基本特征
h
FE
直流电流
收益
(4)
I
C
= -10毫安，V
CE
= -1.0 V
I
C
= -50毫安，V
CE
= -1.0 V
I
C
= -100毫安，V
CE
= -1.0V
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
AGE
基射极饱和电压
I
C
= -10毫安，我
B
= -1.0毫安
I
C
= -50毫安，我
B
= -5.0毫安
I
C
= -10毫安，我
B
= -1.0毫安
I
C
= -50毫安，我
B
= -5.0毫安
I
C
= -10毫安，V
CE
= -20 V,
F = 100 MHz的
V
CB
= -5.0 V，I
E
= 0,
F = 100千赫
V
EB
= -0.5 V，I
C
= 0,
F = 100千赫
I
C
= -100
μA,
V
CE
= -5.0 V,
R
S
= 1.0 kΩ,
F = 10 Hz至15.7千赫
V
CC
= -3.0 V, V
BE
= -0.5 V
I
C
= -10毫安，我
B1
= -1.0毫安
V
CC
= -3.0 V，I
C
= -10毫安，
I
B1
= I
B2
= -1.0毫安
V
V
V
V
小信号特性
f
T
C
敖包
C
IBO
NF
电流增益 - 带宽积
输出电容
输入电容
噪声系数
250
4.5
10.0
4.0
兆赫
pF
pF
dB
开关特性
t
d
t
r
t
s
t
f
注意：
4.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2.0%.
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
35
35
225
75
ns
ns
ns
ns
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典型性能特性
图1.典型的脉冲电流增益与集电极
当前
图2.集电极 - 发射极饱和电压与
集电极电流
图3.基射极饱和电压
与集电极电流
图4.基射极电压上与集电极
当前
图5.集电极截止电流与环境
温度
图6.共基极开路输入和输出
把电容与反向偏置电压
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典型性能特性
（续）
图7.噪声系数与频率的关系
图8.噪声系数与源电阻
图9.开关时间与集电极电流
图10.导通和关断时间与收藏家
当前
图11.功耗与环境
温度
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