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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第550页 > 2N3906RLRPG
2N3906
PNP通用开关晶体管
电压
特点
PNP硅外延，平面设计
集电极 - 发射极电压V
CE
= 40V
集电极电流I
C
= -200mA
无铅产品可供选择： 99 ％以上的锡能满足RoHS指令
环境物质指令的要求
40伏
动力
625毫瓦
机械数据
案例： TO- 92
码头：每MIL -STD- 750 ，方法2026
大约重量： 0.02克
标记： S2A
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
最大功率耗散
储存温度
结温
符号
V
EO
V
BO
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
J
价值
-40
-40
-5.0
-200
625
-55到150
-55到150
单位
V
V
V
mA
mW
O
C
C
O
热特性
参数
热阻，结到环境
符号
价值
200
单位
O
R
θ
JA
C / W
REV.0-DEC.12.2005
PAGE 。 1
2N3906
电气特性
PA RA M E TE
C 0 LLE C到的R - é英里TTE 重新akdo WN武LTA阁B
C 0 LLE C到的R - 重新akdo WN武LTA阁B酶B
英里TTE的R - B A发E B再A K D 2 O WN武LTA克é
B A S式C UT F F C-UR 鄂西北
C 0 L L权证吨 R C UT F F C-UR 鄂西北
S YM B○升
V
（ B R ）
权证
V
（ B R ）
C B
V
（ B R ）
E B
I
B·L
I
权证X
T E S T C 0 N D资讯IO
I
C
= 1 。 0米A，I
B
= 0
I
C
= - 1 0 U A，I
E
= 0
I
E
= 1 0 U A，I
C
= 0
V
CE
=-3 0 V, V
EB
=-3 .0 V
V
CE
=-3 0 V, V
EB
=-3 .0 V
I
C
= - 0 。 1米，V
权证
= - 1 . 0 V
I
C
= - 1 。 0米A，V
权证
= - 1 . 0 V
I
C
= - 1 0米A，V
权证
= - 1 . 0 V
I
C
= - 5 0米A，V
权证
= - 1 . 0 V
I
C
= - 1 0 0米A，V
权证
= - 1 . 0 V
I
C
= - 1 0微米的，我
B
= - 1 。 0米一
I
C
= - 5 0微米的，我
B
= - 5 。 0米一
I
C
= - 1 0微米的，我
B
= - 1 。 0米一
I
C
= - 5 0微米的，我
B
= - 5 。 0米一
V
C B
= - 5 。 0 V，I
E
= 0中，f = 1 M·H
Z
V
C B
= - 0 。 5 V，I
C
= 0中，f = 1 M·H
Z
M IN 。
-40
-40
-5 .0
-
-
60
80
100
60
30
-
-
-0 .6 5
-
-
-
-
牛逼YP 。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
MA X 。
-
-
-
-50
-50
-
-
300
-
-
-0 .2 5
-0 .4
-0 .8 5
-0 .9 5
4 .5
10
35
35
225
75
加利IT
V
V
V
nA
nA
D C C-UR 鄂西北G A I N
h
FE
-
ollector - é米特S上UR通报BULLETIN武ltage
B ASE - é米特S上UR通报BULLETIN武ltage
C 0 L L权证T O服务的R - B A S式C一P A C I T A NC é
ê米I T T E的R - B A S式C一P A C I T A NC é
D E L的钛M E
R I发E钛M E
S T R A克é钛M E
F A L L钛M E
V
权证（S AT ）
V
B E（ AT ）
C
CBO
C
EBO
t
d
t
r
t
s
t
f
V
V
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
CC
=-3 V, V
BE
=-0 .5 V,
I
C
= - 1 0微米的，我
B
= - 1米
-
-
V
C C
= - 3 V，I
C
= - 1 0微米的
I
B 1
= I
B 2
= - 1米
-
切换时间等效测试电路
3V
3V
275O
< 1ns的
0
0.5V
10KO
C
S
* < 4PF
1N916
275O
< 1ns的
+9.1V
0
10KO
C
S
* < 4PF
1N916
-10.9V
300ns
占空比= 2.0 ％
-10.9V
10至500US
占空比= 2.0 ％
延迟和上升时间等效测试电路
存储和下降时间等效测试电路
REV.0-DEC.12.2005
PAGE 。 2
2N3906
电气特性曲线
300
T
J
= 150° C
250
1.0
1.2
V
CE
= 1V
200
的hFE
T
J
= 100° C
V
BE
(V)
0.8
T
J
= 25° C
0.6
T
J
= 100° C
0.4
T
J
= 150° C
150
T
J
= 25° C
100
50
V
CE
= 1V
0
0.01
0.2
0.1
1
10
100
1000
0.0
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流，I
C
（MA ）
集电极电流，I
C
（MA ）
图。 1.典型
FE
与集电极电流
1.00
I
C
/I
B
= 10
图。 2.典型的V
BE
与集电极电流
1.000
T
J
= 25° C
的Vce （ sat）的（V）的
0.10
T
J
= 150°
T
J
= 25°
VBE （饱和） （V）的
T
J
= 100°
C
T
J
= 150° C
I /I
B
= 10
C
0.01
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.100
0.01
0.1
1
10
100
集电极电流，I
C
（MA ）
集电极电流，I
C
（MA ）
图。 3.典型的V
CE （SAT）
与集电极电流
10
图。 4.典型的V
BE （SAT）
与集电极电流
C
IB
（ EB）的
电容（pF）
C
OB
（ CB ）
1
0.1
1
10
100
反向电压， V
R
(V)
图。 5.典型的电容与反向电压
REV.0-DEC.12.2005
PAGE 。 3
2N3906
TO- 92案例大纲
TO-92
法律声明
版权所有强茂国际， 2005年公司
本文件中的信息被认为是准确和可靠。规格及信息
本文如有更改，恕不另行通知。潘日新使得对于任何担保，声明或保证
适合其产品的任何特定用途。潘日新产品未被授权用于生命支持设备或使用
系统。潘日新不转达根据其专利权或他人权利的任何许可。
STAD-AUG.23.2005
PAGE 。 4
2N3906
通用
晶体管
PNP硅
特点
http://onsemi.com
集热器
3
2
BASE
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
价值
40
40
5.0
200
625
5.0
250
1.5
12
55
+150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
mW
W
毫瓦/°C的
°C
TO92
CASE 29
风格1
12
1
2
1
辐射源
无铅包可用*
最大额定值
等级
集热器
发射极电压
集热器
基极电压
辐射源
基极电压
集电极电流
连续
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 60°C
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
3
直引线
散装
3
BENT LEAD
磁带&卷轴
弹药包
热特性
（注1 ）
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
R
qJA
R
QJC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
2N
3906
ALYWG
G
标记图
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表示除了JEDEC要求的数据。
A
=大会地点
L
=晶圆地段
Y
=年
W =工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年2月
第4版
1
出版订单号：
2N3906/D
2N3906
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集热器
：辐射源
击穿电压（注2 ）
集热器
： BASE
击穿电压
辐射源
： BASE
击穿电压
基地截止电流
收藏家Cuto FF电流
基本特征
（注2 ）
直流电流增益
(I
C
= 0.1 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 50 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 1.0 MADC ）
(I
C
= 50 MADC ，我
B
= 5.0 MADC
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 1.0 MADC ）
(I
C
= 50 MADC ，我
B
= 5.0 MADC ）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 20伏， F = 100兆赫）
(V
CB
= 5.0伏，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
(V
EB
= 0.5伏，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
(I
C
= 100
MADC ，
V
CE
= 5.0伏，R
S
= 1.0千瓦， F = 1.0千赫）
h
FE
60
80
100
60
30
0.65
300
0.25
0.4
0.85
0.95
(I
C
= 1.0 MADC ，我
B
= 0)
(I
C
= 10
MADC ，
I
E
= 0)
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
(V
CE
= 30伏直流电，V
EB
= 3.0伏）
(V
CE
= 30伏直流电，V
EB
= 3.0伏）
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
BL
I
CEX
40
40
5.0
50
50
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
符号
民
最大
单位
集热器
：辐射源
饱和电压
BASE
：辐射源
饱和电压
小信号特性
当前
- 获得 -
带宽积
输出电容
输入电容
输入阻抗
电压反馈比例
小信号电流增益
输出导纳
噪声系数
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
VDC
VDC
f
T
C
敖包
C
IBO
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
NF
250
2.0
0.1
100
3.0
4.5
10
12
10
400
60
4.0
兆赫
pF
pF
kW
X 10
4
毫姆欧
dB
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
(V
CC
= 3.0伏，V
BE
= 0.5伏，
I
C
= 10 MADC ，我
B1
= 1.0 MADC ）
(V
CC
= 3.0伏，我
C
= 10 MADC ，我
B1
= I
B2
= 1.0 MADC ）
(V
CC
= 3.0伏，我
C
= 10 MADC ，我
B1
= I
B2
= 1.0 MADC ）
t
d
t
r
t
s
t
f
35
35
225
75
ns
ns
ns
ns
2.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士;
占空比
v
2%.
http://onsemi.com
2
2N3906
订购信息
设备
2N3906
2N3906G
2N3906RL1
2N3906RL1G
2N3906RLRA
2N3906RLRAG
2N3906RLRM
2N3906RLRMG
2N3906RLRP
2N3906RLRPG
包
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
航运
5000单位/散装
5000单位/散装
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&弹药盒
2000 /磁带&弹药盒
2000 /磁带&弹药盒
2000 /磁带&弹药盒
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
3V
275
＆ LT ; 1纳秒
+0.5 V
10 k
C
S
< 4 PF *
10.6 V
300纳秒
占空比= 2 ％
*测试夹具和连接器共有并联电容
图1.延迟和上升时间等效测试电路
3V
+9.1 V
＆ LT ; 1纳秒
275
10 k
0
1N916
10 <吨
1
＆ LT ; 500
ms
占空比= 2 ％
*测试夹具和连接器共有并联电容
t
1
10.9 V
C
S
< 4 PF *
图2.存储和下降时间等效测试电路
http://onsemi.com
3
2N3906
典型的瞬态特性
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
10
7.0
电容（pF）
Q， CHARGE （ PC）
5.0
C
敖包
C
IBO
3.0
2.0
5000
3000
2000
1000
700
500
300
200
100
70
50
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
Q
T
Q
A
1.0
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
反向偏置（伏）
20 30 40
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 50 70 100
I
C
，集电极电流（毫安）
200
图3.电容
图4.收费数据
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7
5
I
C
/I
B
= 10
500
300
200
I
C
/I
B
= 20
五六，下降时间（ NS ）
100
70
50
30
20
10
7
5
I
C
/I
B
= 10
V
CC
= 40 V
I
B1
= I
B2
时间（纳秒）
t
r
@ V
CC
= 3.0 V
15 V
40 V
2.0 V
t
d
@ V
OB
= 0 V
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图5.打开
ΔON
时间
图6.下降时间
http://onsemi.com
4
2N3906
典型的音频小信号特性
噪声系数变异
(V
CE
=
5.0伏，T
A
= 25 ℃，带宽= 1.0赫兹）
5.0
源电阻= 200
W
I
C
= 1.0毫安
NF ，噪声系数（dB ）
源电阻= 200
W
I
C
- 0.5毫安
源电阻= 2.0
I
C
= 50
mA
12
F = 1.0千赫
10
I
C
- 0.5毫安
8
6
4
2
0
I
C
= 50
mA
I
C
= 100
mA
I
C
= 1.0毫安
NF ，噪声系数（dB ）
4.0
3.0
2.0
源电阻= 2.0
I
C
= 100
mA
0.2
0.4
1.0 2.0 4.0
10
男，频率（KHz ）
20
40
100
1.0
0
0.1
0.1
0.2
0.4
1.0 2.0
4.0
10
20
R
g
，源电阻（千欧）
40
100
图7 。
网络连接gure 8 。
h参数值
(V
CE
=
10 VDC ， F = 1.0千赫，T
A
= 25°C)
300
锄头，输出导纳（
m
姆欧）
100
70
50
30
20
^ h FE ， DC电流增益
200
100
70
50
10
7
30
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（毫安）
5.0 7.0 10
5
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（毫安）
5.0 7.0 10
图9.电流增益
重，电压反馈比例（ X 10
-4
)
20
即输入阻抗（千欧）
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
10
7.0
5.0
3.0
2.0
图10.输出导纳
1.0
0.7
0.5
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（毫安）
5.0 7.0 10
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
，集电极电流（毫安）
5.0 7.0 10
图11.输入阻抗
图12.电压反馈比例
http://onsemi.com
5
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推荐型号
2N1016A
2SD94
205-514-21
2SJ658
2RD412-1X32743
250JB8L
28LV64A-FT-20I/VS
27LV512-30/L
223LKP080M
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