【2N39032N3903CBETO-92NPN通用放大器该器件是专为使用一般通用放大器和交换机要求集】,IC型号2N3904RLRMG,2N3904RLRMG PDF资料,2N3904RLRMG经销商,ic,电子元器件-51电子网

2N3903

C

BE

TO-92

NPN通用放大器

该器件是专为使用一般通用放大器

和交换机要求集电极电流为100 mA。

绝对最大额定值*

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

T

J

, T

英镑

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

TA = 25° C除非另有说明

参数

价值

40

60

6.0

200

-55到+150

单位

V

mA

°C

工作和存储结温范围

*

这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。

注意事项：

1)

这些评级是基于150度C的最高结温

2)

这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。

热特性

符号

P

D

R

θJC

R

θJA

TA = 25° C除非另有说明

特征

器件总功耗

减免上述25℃

热阻，结到外壳

热阻，结到环境

最大

2N3903

625

5.0

83.3

200

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

2001年仙童半导体公司

2N3903 ，版本A

2N3903

NPN通用放大器

（续）

电气特性

符号

参数

TA = 25° C除非另有说明

测试条件

民

最大

单位

开关特性

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

集电极 - 发射极击穿电压*

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

基地截止电流

I

C

= 1.0毫安，我

B

= 0

I

C

= 10

A,

I

E

= 0

I

E

= 10

A,

I

C

= 0

V

CE

= 30 V, V

OB

= 3.0 V

V

CE

= 30 V, V

OB

= 3.0 V

40

60

6.0

50

V

nA

z

I

CEX

I

BL

基本特征*

h

FE

直流电流增益

V

CE

= 1.0 V，I

C

- 0.1毫安

V

CE

= 1.0 V，I

C

= 1.0毫安

V

CE

= 1.0 V，I

C

= 10毫安

V

CE

= 1.0 V，I

C

= 50毫安

V

CE

= 1.0 V，I

C

= 100毫安

I

C

= 10 mA时，我

B

= 1.0毫安

I

C

= 50 mA时，我

B

= 5.0毫安

I

C

= 10 mA时，我

B

= 1.0毫安

I

C

= 50 mA时，我

B

= 5.0毫安

20

35

50

30

15

150

V

CE（

SAT

)

V

BE （

SAT

)

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

0.65

0.2

0.3

0.85

0.95

V

小信号特性

C

ob

C

ib

h

fe

h

fe

h

ie

h

re

h

oe

NF

输出电容

输入电容

小信号电流增益

输入阻抗

电压反馈比例

输出导纳

噪声系数

V

CE

= 5.0 V，I

C

= 100

A,

R

S

= 1.0 k,

B

W

= 10 Hz至15.7千赫

V

CB

= 5.0 V ， F = 100千赫

V

EB

= 0.5 V ， F = 100千赫

I

C

= 10 mA时， V

CE

= 20 V,

F = 100 MHz的

V

CE

= 10 V，I

C

= 1.0毫安

F = 1.0千赫

2.5

50

1.0

0.1

1.0

200

8.0

5.0

40

6.0

k

x 10

μmhos

dB

-4

4.0

8.0

pF

开关特性

t

d

t

r

t

s

t

f

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

V

CC

= 3.0 V，I

C

= 10毫安，

I

B1

= 1.0毫安， V

的ob （关闭）

= 0.5 V

V

CC

= 3.0 V，I

C

= 10毫安

I

B1

= I

B2

= 1.0毫安

35

175

50

ns

*

脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

s,

占空比

≤

2.0%

2N3903

NPN通用放大器

（续）

典型特征

500

400

125 °C

V

CE

= 5V

V

CESAT

- 集电极 - 发射极电压（ V）

h

FE

- 典型ICAL脉冲CURRE NT GAIN

典型的脉冲电流增益

VS集电极电流

集电极 - 发射极饱和

电压Vs集电极电流

0.15

β

= 10

125 °C

300

25 °C

0.1

25 °C

200

100

0

0.1

- 40 °C

0.05

- 40 °C

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

0.1

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

V

-

BE（上）

基极发射极电压（ V）

V

BESAT

- 基极发射极电压（V）的

基射极饱和

电压Vs集电极电流

1

β

= 10

基射极电压ON VS

集电极电流

1

V

CE

= 5V

0.8

- 40 °C

25 °C

0.8

- 40 °C

25 °C

0.6

125 °C

0.6

125 °C

0.4

0.1

I

C

1

10

- 集电极电流（毫安）

100

0.2

0.1

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

集电极截止电流

VS环境温度

I

CBO

- 集电极电流（ NA）

500

电容（pF）

10

电容VS

反向偏置电压

F = 1.0 MHz的

100

10

1

0.1

V

CB

= 30V

5

4

3

2

敖包

IBO

25

50

75

100

125

T

A

- 环境温度（

°

C)

150

1

0.1

1

10

反向偏置电压（V）的

100

2N3903

NPN通用放大器

（续）

典型特征

（续）

噪声系数与频率

12

NF - 噪声系数（dB ）

10

8

6

4

2

0

0.1

I C = 100

A,

R 5 = 500

噪声系数VS源电阻

12

NF - 噪声系数（dB ）

I C = 1.0毫安

R 5 = 200Ω

I C = 50

A

R 5 = 1.0千欧

I C = 0.5毫安

R 5 = 200Ω

V

CE

= 5.0V

10

I C = 5.0毫安

8

6

4

2

0

0.1

I C = 50

A

I C = 100

A

1

10

的F - 频率（KHz ）

100

1

10

R

S

- 源极电阻值（kΩ ）

100

电流增益和相位角

与频率

50

45

40

35

30

25

20

15

10

5

0

h

fe

P

D

- 功耗（ W）

功耗与

环境温度

0

20

40

60

80

100

120

140

160

180

1000

1

- 电流增益（分贝）

SOT-223

0.75

θ

- 学位

TO-92

θ

0.5

SOT-23

0.25

h

V

CE

= 40V

I

C

= 10毫安

1

10

100

的F - 频率（MHz）

fe

0

25

50

75

100

温度（

o

C)

125

150

导通时间与集电极电流

500

I

B1

= I

B2

=

40V

时间（纳秒）

100

15V

t

r @

V

CC

= 3.0V

2.0V

10

t

d @

V

CB

= 0V

5

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

I

c

10

上升时间与集电极电流

500

V

CC

= 40V

t

r

- 上升时间（ NS ）

I

B1

= I

B2

=

I

c

10

100

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

10

5

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

2N3903

NPN通用放大器

（续）

典型特征

（续）

贮藏时间与集电极电流

500

t

S

- 存储时间（纳秒）

T

J

= 25°C

秋季时间与集电极电流

500

I

B1

= I

B2

=

t

f

- 下降时间（ NS ）

T

J

= 125°C

I

c

10

I

B1

= I

B2

=

I

c

10

V

CC

= 40V

100

T

J

= 125°C

100

T

J

= 25°C

10

5

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

10

5

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

电流增益

V

CE

= 10 V

F = 1.0千赫

T

A

= 25

o

C

h

oe

- 输出导纳（

姆欧）

500

100

输出导纳

V

CE

= 10 V

F = 1.0千赫

T

A

= 25

o

C

h

fe

- 电流增益

100

10

0.1

1

I

C

- 集电极电流（毫安）

10

1

0.1

1

I

C

- 集电极电流（毫安）

10

h

re

- 电压反馈比率（ X10

100

h

ie

- 输入阻抗（K

)

_4

)

输入阻抗

V

CE

= 10 V

F = 1.0千赫

T

A

= 25

o

C

电压反馈比例

10

7

5

4

3

2

V

CE

= 10 V

F = 1.0千赫

T

A

= 25

o

C

10

1

0.1

1

I

C

- 集电极电流（毫安）

10

1

0.1

1

I

C

- 集电极电流（毫安）

10

2N3903, 2N3904

通用

晶体管

NPN硅

特点

http://onsemi.com

集热器

3

无铅包可用*

最大额定值

等级

集热器

：辐射源

电压

集热器

： BASE

电压

辐射源

： BASE

电压

集电极电流

连续

器件总功耗

@ T

A

= 25°C

减免上述25℃

器件总功耗

@ T

C

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

P

D

价值

40

60

6.0

200

625

5.0

1.5

12

55

+150

单位

VDC

MADC

mW

毫瓦/°C的

W

毫瓦/°C的

°C

2

BASE

1

辐射源

P

D

TO92

CASE 29

风格1

12

1

2

T

J

, T

英镑

热特性

（注1 ）

特征

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

符号

R

qJA

R

QJC

最大

200

83.3

单位

° C / W

3

直引线

散装

3

BENT LEAD

磁带&卷轴

弹药包

标记DIAGRAMS

2N

390x

YWWG

G

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1.表示除了JEDEC要求的数据。

x

= 3或4

Y

=年

WW =工作周

G

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第3页。

*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请

下载安森美半导体焊接与安装技术

参考手册， SOLDERRM / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2010

2010年1月

启示录7

1

出版订单号：

2N3903/D

2N3903, 2N3904

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

集热器

：辐射源

击穿电压（注2 ）（我

C

= 1.0 MADC ，我

B

= 0)

集热器

： BASE

击穿电压（I

C

= 10

MADC ，

I

E

= 0)

辐射源

： BASE

击穿电压（I

E

= 10

MADC ，

I

C

= 0)

底座截止电流（V

CE

= 30伏直流电，V

EB

= 3.0伏）

集电极截止电流（V

CE

= 30伏直流电，V

EB

= 3.0伏）

基本特征

DC电流增益（注2）

(I

C

= 0.1 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 50 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

(I

C

= 100 MADC ，V

CE

= 1.0伏）

集热器

：辐射源

饱和电压（注2 ）

(I

C

= 10 MADC ，我

B

= 1.0 MADC ）

(I

C

= 50 MADC ，我

B

= 5.0 MADC

BASE

：辐射源

饱和电压（注2 ）

(I

C

= 10 MADC ，我

B

= 1.0 MADC ）

(I

C

= 50 MADC ，我

B

= 5.0 MADC ）

小信号特性

当前

- 获得 -

带宽积

(I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 20伏， F = 100兆赫）

输出电容（V

CB

= 5.0伏，我

E

= 0中，f = 1.0 MHz）的

输入电容（V

EB

= 0.5伏，我

C

= 0中，f = 1.0 MHz）的

输入阻抗

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

电压反馈比例

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

小信号电流增益

(I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

输出导纳（我

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

噪声系数

(I

C

= 100

MADC ，

V

CE

= 5.0伏，R

S

= 1.0 k

W,

F = 1.0千赫）

开关特性

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

2.脉冲测试：脉冲宽度

v

300

女士;

占空比

v

2%.

(V

CC

= 3.0伏，V

BE

= 0.5伏，

I

C

= 10 MADC ，我

B1

= 1.0 MADC ）

(V

CC

= 3.0伏，我

C

= 10 MADC ，

I

B1

= I

B2

= 1.0 MADC ）

2N3903

2N3904

t

d

t

r

t

s

t

f

35

175

200

50

ns

2N3903

2N3904

2N3903

2N3904

2N3903

2N3904

2N3903

2N3904

2N3903

2N3904

f

T

250

300

1.0

0.1

0.5

50

100

1.0

4.0

8.0

10

5.0

8.0

200

400

40

6.0

5.0

兆赫

2N3903

2N3904

2N3903

2N3904

2N3903

2N3904

2N3903

2N3904

2N3903

2N3904

h

FE

20

40

35

70

50

100

30

60

15

30

0.65

150

300

0.2

0.3

0.85

0.95

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

I

BL

I

CEX

40

60

6.0

50

VDC

NADC

符号

民

最大

单位

V

CE （ SAT ）

VDC

V

BE （ SAT ）

VDC

C

敖包

C

IBO

h

ie

pF

k

W

h

re

X 10

4

h

fe

h

oe

NF

毫姆欧

dB

http://onsemi.com

2

2N3903, 2N3904

订购信息

设备

2N3903RLRM

2N3904

2N3904G

2N3904H

2N3904RLRA

2N3904RLRAG

2N3904RLRM

2N3904RLRMG

2N3904RLRP

2N3904RLRPG

2N3904RL1G

2N3904ZL1

2N3904ZL1G

包

TO92

（无铅）

TO92

（无铅，无卤化物）

TO92

（无铅）

TO92

（无铅）

TO92

（无铅）

TO92

（无铅）

TO92

（无铅）

航运

2000 /弹药包

5000单位/散装

2000 /磁带&卷轴

2000 /弹药包

2000 /磁带&卷轴

2000 /弹药包

有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装

规范手册， BRD8011 / D 。

http://onsemi.com

3

2N3903, 2N3904

占空比= 2 ％

300纳秒

+3 V

+10.9 V

10 k

- 0.5 V

＆ LT ; 1纳秒

C

S

< 4 PF *

275

*测试夹具和连接器共有并联电容

图1.延迟和上升时间等效测试电路

10 <吨

1

＆ LT ; 500

ms

占空比= 2 ％

t

1

+3 V

+10.9 V

275

10 k

0

1N916

- 9.1 V′

＆ LT ; 1纳秒

C

S

< 4 PF *

*测试夹具和连接器共有并联电容

图2.存储和下降时间等效测试电路

http://onsemi.com

4

2N3903, 2N3904

典型的瞬态特性

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

10

7.0

电容（pF）

Q， CHARGE （ PC）

5.0

C

IBO

3.0

2.0

C

敖包

5000

3000

2000

1000

700

500

300

200

100

70

50

Q

T

Q

A

V

CC

= 40 V

I

C

/I

B

= 10

1.0

0.1

0.2 0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20 30 40

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20

30

50 70 100

200

反向偏置电压（伏）

I

C

，集电极电流（毫安）

图3.电容

500

300

200

100

70

50

30

20

10

7

5

t

d

@ V

OB

= 0 V

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20

30

2.0 V

50 70 100

200

40 V

15 V

10

7

5

I

C

/I

B

= 10

500

300

200

吨R，上升时间（ NS ）

100

70

50

30

20

图4.收费数据

V

CC

= 40 V

I

C

/I

B

= 10

时间（纳秒）

t

r

@ V

CC

= 3.0 V

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20

30

50 70 100

200

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图5.打开

ΔON

时间

500

300

200

吨S，存储时间（纳秒）

′

100

70

50

30

20

10

7

5

I

C

/I

B

= 20

I

C

/I

B

= 10

I

C

/I

B

= 20

I

C

/I

B

= 10

500

300

200

图6.上升时间

t′

s

= t

s

-

1

/

8

t

f

I

B1

= I

B2

五六，下降时间（ NS ）

V

CC

= 40 V

I

B1

= I

B2

I

C

/I

B

= 20

100

70

50

30

20

10

7

5

I

C

/I

B

= 10

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20

30

50 70 100

200

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20

30

50 70 100

200

I

C

，集电极电流（毫安）

I

C

，集电极电流（毫安）

图7.储存时间

图8.下降时间

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