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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第75页 > 2N3904-AP
2N3904
NPN通用开关晶体管
电压
特点
NPN硅外延,平面设计
集电极 - 发射极电压V
CE
= 40V
集电极电流I
C
= 200毫安
免费( PNP )设备: 2N3906
无铅产品可供选择: 99 %以上的锡能满足RoHS指令
环境物质指令的要求
40伏
动力
625毫瓦
机械数据
案例: TO- 92
码头:每MIL -STD- 202方法208
大约重量: 0.02克
标记: 3904
绝对最大额定值
参数
ollector - 惠tter电压
ollector - 基极电压
EMI tter - 基极电压
ollector光凭目前 - C ONTI nuous
符号
V
权证
V
C B
V
E B
I
C
价值
40
60
6.0
200
UNI TS
V
V
V
mA
热特性
参数
最大功率耗散
储存温度
结温
热阻,结到环境
符号
P
合计
T
英镑
T
J
R
θ
JA
价值
625
-55到150
-55到150
200
O
单位
mW
O
C
C
O
C / W
STAD-SEP.13.2005
PAGE 。 1
2N3904
电气特性(T
J
=25
O
C,除非另有说明)
PA RA M E TE
C 0 LLE C到的R - é英里TTE 重新akdo WN武LTA阁B
C 0 LLE C到的R - 重新akdo WN武LTA阁B酶B
英里TTE的R - B A发E B再A K D 2 O WN武LTA克é
B A S式C UT F F C-UR 鄂西北
C 0 L L权证吨 R C UT F F C-UR 鄂西北
S YM B○升
V
( B R )
EO
V
( B R )
BO
V
( B R )
EBO
I
Bé V
I
权证X
特S T C 0 N D I T I O
I
C
= 1 。 0米A,I
B
= 0
I
C
= 1 0 U A,I
E
= 0
I
E
= 1 0 U A,I
C
= 0
V
CE
=3 0 V, V
EB
=3 .0 V
V
CE
=3 0 V, V
EB
=3 .0 V
I
C
= 0 。 1米,V
权证
= 1 . 0 V
I
C
= 1 。 0米A,V
权证
= 1 . 0 V
I
C
= 1 0米A,V
权证
= 1 . 0 V
I
C
= 5 0米A,V
权证
= 1 . 0 V
I
C
= 1 0 0米A,V
权证
= 1 . 0 V
I
C
= 1 0微米的,我
B
= 1 。 0米一
I
C
= 5 0米A,I
B
= 5 。 0米一
I
C
= 1 0微米的,我
B
= 1 。 0米一
I
C
= 5 0米A,I
B
= 5 。 0米一
I
C
= 1 0米A,V
权证
= 2 0 V
F = 1 0 0 MH
Z
V
C B
= 5 。 0 V,I
E
= 0中,f = 1 M·H
Z
V
C B
= 0 。 5 V,I
E
= 0中,f = 1 M·H
Z
M IN 。
40
60
6 .0
-
-
40
70
100
60
30
-
-
0 .6 5
-
300
-
-
-
V
CC
=3 V, V
BE
=0 .5 V,
I
C
= 1 0微米的,我
B 1
= 1米
-
-
V
C C
= 3 V,I
C
= 1 0微米的
I
B 1
= I
B 2
= 1米
-
牛逼YP 。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
MA X 。
-
-
-
50
50
-
-
300
-
-
0 .2
0 .3
0 .8 5
0 .9 5
-
4 .0
8
35
35
200
50
ü妮吨s
V
V
V
nA
nA
D C C-UR 鄂西北G A I N
h
F ê
-
ollector - é米特S上UR通报BULLETIN武ltage
B ASE - é米特S上UR通报BULLETIN武ltage
C-UR重新NT - 摹AIN - B A ND宽度P杆UC吨
C 0 L L权证T O服务的R - B A S式C一P A C I T A NC é
ê米I T T E的R - B A S式C一P A C I T A NC é
D E L的钛M E
R I发E钛M E
S T R A克é钛M E
F A L L钛M E
V
权证(S AT )
V
B E( AT )
f
T
C
CBO
C
EBO
t
d
t
r
t
s
t
f
V
V
MH
Z
F
F
P
P
ns
ns
ns
ns
切换时间等效测试电路
+3V
+ 1 0 .9 V
0
300ns
ü吨 嘞 2 。 0 %
275
-0 .5 V
< 1ns的
10K
C
S
* < 4P F
elayand ISE牛逼IME 曲IV勒NT牛逼EST ircuit
+3V
2 75
+ 1 0 .9 V
0
10 5 0 0美国
UTY YC嘞 2 0.0 %
C
S
* < 4 P F
-9 .1 V
1 0K
< 1ns的
1N916
S到RA geand F A LL牛逼IM E E曲IV勒NT牛逼EST IRC它ü
STAD-SEP.13.2005
PAGE 。 2
2N3904
300
250
200
的hFE
150
T
J
= 25
C
100
50
0
0.01
0.1
1
T
J
= 150
C
电气特性曲线
1.400
V
CE
= 1V
1.200
1.000
T
J
= 100
C
V
BE
(V)
0.800
T
J
= 25
C
0.600
0.400
0.200
0.000
T
J
= 150
T
J
= 100
C
V
CE
= 1V
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流,I
C
(MA )
集电极电流,I
C
(MA )
图。 1.典型
FE
VS集电极电流
1.000
图。 2.典型的V
BE
VS集电极电流
1.0
T
J
= 25
C
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 150
C
T
J
= 100
C
V
CE
( SAT ) (V )
0.100
T
J
= 25
C
V
BE
( SAT ) (V )
T
J
= 150
C
I
C
/I
B
= 10
0.010
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.1
0.01
0.1
1
集电极电流,I
C
(MA )
10
100
集电极电流,I
C
(MA )
图。 3.典型的V
CE
(坐)与集电极电流
10
图。 4.典型的V
BE
(坐)与集电极电流
T
J
= 25
C
C
IB
( EB)的
电容(pF)
C
OB
( CB )
1
0.1
1
10
100
反向电压, V
R
(V)
图。 5.典型的电容VS反向电压
STAD-SEP.13.2005
PAGE 。 3
2N3904
TO- 92案例大纲
TO-92
法律声明
版权所有强茂国际, 2005年公司
本文件中的信息被认为是准确和可靠。规格及信息
本文如有更改,恕不另行通知。潘日新使得对于任何担保,声明或保证
适合其产品的任何特定用途。潘日新产品未被授权用于生命支持设备或使用
系统。潘日新不转达根据其专利权或他人权利的任何许可。
STAD-SEP.13.2005
PAGE 。 4
2N3904
小信号NPN晶体管
初步数据
订购代码
2N3904
2N3904-AP
s
记号
2N3904
2N3904
包装/出货
TO- 92 /散装
TO-92
/ Ammopack
s
s
硅外延平面NPN
晶体管
TO- 92封装,适合
通孔PCB组装
PNP的互补类型是
2N3906
TO-92
体积
TO-92
Ammopack
应用
s
完全适应电视和家庭
电器设备
s
带小负荷开关三极管
高增益和低饱和
电压
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 基极电压(I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压(I
B
= 0)
发射极 - 基极电压(I
C
= 0)
集电极电流
总功耗在T
C
= 25 C
储存温度
马克斯。工作结温
o
价值
60
40
6
200
625
-65到150
150
单位
V
V
V
mA
mW
o
o
C
C
2003年2月
1/5
2N3904
热数据
R
THJ - AMB
R
THJ情况
热阻结到环境
热阻结案件
最大
最大
200
83.3
o
o
C / W
C / W
电气特性
(T
= 25
o
C除非另有说明)
符号
I
CEX
I
BEX
参数
集电极截止
电流(V
BE
= -3 V)
底座截止电流
(V
BE
= -3 V)
测试条件
V
CE
= 30 V
V
CE
= 30 V
I
C
= 1毫安
40
分钟。
典型值。
马克斯。
50
50
单位
nA
nA
V
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
(I
B
= 0)
V
( BR ) CBO
集电极 - 基
击穿电压
(I
E
= 0)
发射极 - 基
击穿电压
(I
C
= 0)
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
直流电流增益
I
C
= 10
A
60
V
V
( BR ) EBO
I
E
= 10
A
6
V
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
h
FE
I
C
= 10毫安
I
C
= 50毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 50毫安
I
C
I
C
I
C
I
C
I
C
=
=
=
=
=
0.1毫安
1毫安
10毫安
50毫安
百毫安
I
B
= 1毫安
I
B
= 5毫安
I
B
= 1毫安
I
B
= 5毫安
V
CE
= 1 V
V
CE
= 1 V
V
CE
= 1 V
V
CE
= 1 V
V
CE
= 1 V
0.65
60
80
100
60
30
250
270
4
18
5
0.2
0.2
0.85
0.95
V
V
V
V
300
f
T
C
CBO
C
EBO
NF
t
d
t
r
跃迁频率
集电极 - 基
电容
发射极 - 基
电容
噪声系数
延迟时间
上升时间
I
C
= 10毫安V
CE
= 20 V F = 100 MHz的
I
E
= 0
I
C
= 0
V
CB
= 10 V
V
EB
= 0.5 V
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
兆赫
pF
pF
dB
35
35
200
50
ns
ns
ns
ns
V
CE
= 5 V I
C
= 0.1毫安F = 10赫兹
15.7千赫
G
= 1 K
I
C
= 10毫安
V
CC
= 30 V
I
B
= 1毫安
I
B1
= -I
B2
= 1毫安
t
s
贮存时间
I
C
= 10毫安
下降时间
V
CC
= 30 V
t
f
脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比
2 %
2/5
2N3904
TO- 92机械数据
mm
分钟。
A
b
D
E
e
e1
L
R
S1
W
V
4.32
0.36
4.45
3.30
2.41
1.14
12.70
2.16
1.14
0.41
4度
典型值。
马克斯。
4.95
0.51
4.95
3.94
2.67
1.40
15.49
2.41
1.52
0.56
6度
分钟。
0.170
0.014
0.175
0.130
0.095
0.045
0.500
0.085
0.045
0.016
4度
典型值。
马克斯。
0.195
0.020
0.194
0.155
0.105
0.055
0.609
0.094
0.059
0.022
6度
DIM 。
3/5
2N3904
TO- 92 AMMOPACK SHIPMENT ( Suffix" - AP" )机械数据
DIM 。
A1
T
T1
T2
d
P0
P2
F1,F2
三角洲
W
W0
W1
W2
H
H0
H1
D0
t
L
I1
增量P
mm
典型值。
典型值。
分钟。
12.50
5.65
2.44
-2.00
17.50
5.70
8.50
18.50
15.50
3.80
12.70
6.35
2.54
18.00
6.00
9.00
16.00
4.00
马克斯。
4.80
3.80
1.60
2.30
0.48
12.90
7.05
2.94
2.00
19.00
6.30
9.25
0.50
20.50
16.50
25.00
4.20
0.90
11.00
1.00
分钟。
0.492
0.222
0.096
-0.079
0.689
0.224
0.335
0.728
0.610
0.150
0.500
0.250
0.100
0.709
0.236
0.354
0.630
0.157
马克斯。
0.189
0.150
0.063
0.091
0.019
0.508
0.278
0.116
0.079
0.748
0.248
0.364
0.020
0.807
0.650
0.984
0.165
0.035
0.433
0.039
3.00
-1.00
0.118
-0.039
4/5
2N3904
提供的资料被认为是准确和可靠。然而,意法半导体承担的后果不承担任何责任
使用这些信息,也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。无许可证
牌照以暗示或以其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格
如有更改,恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。意法半导体的产品
未授权使用的,而不意法半导体的明确书面批准的生命支持设备或系统中的关键组件。
ST的标志是意法半导体公司的商标。
2003意法半导体 - 印刷意大利 - 版权所有
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 芬兰 - 法国 - 德国 - 香港 - 印度 - 以色列 - 意大利 - 日本 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 -
新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国。
http://www.st.com
5/5
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯

???? ?????? ? ! ?? " # ???
$ % ? ? ? ???? ? ! ?? " # ???
2N3904
特点
通孔封装
能够耗散功率至200mA IC的600mWatts的。
外壳材料:模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
和MSL等级1
标记:型号数量
无铅涂层/符合RoHS标准( "P"Suffix候
兼容。参见订购信息)
NPN通用
用途放大器
TO-92
A
E
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
符号
参数
集电极 - 发射极击穿电压*
(I
C
= 1.0mAdc ,我
B
=0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10μAdc ,我
E
=0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10μAdc ,我
C
=0)
基地截止电流
(V
CE
= 30V直流,V
BE
=3.0Vdc)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 30V直流,V
BE
=3.0Vdc)
直流电流增益*
(I
C
= 0.1mAdc ,V
CE
=1.0Vdc)
(I
C
= 1.0mAdc ,V
CE
=1.0Vdc)
(I
C
= 10mAdc ,V
CE
=1.0Vdc)
(I
C
= 50mAdc ,V
CE
=1.0Vdc)
(I
C
= 100mAdc ,V
CE
=1.0Vdc)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 10mAdc ,我
B
=1.0mAdc)
(I
C
= 50mAdc ,我
B
=5.0mAdc)
基射极饱和电压
(I
C
= 10mAdc ,我
B
=1.0mAdc)
(I
C
= 50mAdc ,我
B
=5.0mAdc)
电流增益带宽积
(I
C
= 10mAdc ,V
CE
= 20VDC , F = 100MHz时)
输出电容
(V
CB
= 5.0Vdec ,我
E
= 0 , F = 1.0MHz的)
输入电容
(V
BE
= 0.5VDC ,我
C
= 0 , F = 1.0MHz的)
噪声系数
(I
C
= 100μAdc ,V
CE
= 5.0VDC ,R
S
=1.0k
F = 10Hz到15.7kHz )
延迟时间
(V
CC
= 3.0VDC ,V
BE
=0.5Vdc
上升时间
I
C
= 10mAdc ,我
B1
=1.0mAdc)
贮存时间
(V
CC
= 3.0VDC ,我
C
=10mAdc
下降时间
I
B1
=I
B2
=1.0mAdc)
300μS ,占空比
2.0%
40
60
6.0
50
50
最大
单位
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
开关特性
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
BL
I
CEX
B
基本特征
h
FE
40
70
100
60
30
C
300
V
CE ( SAT )
0.2
0.4
0.65
0.85
0.95
VDC
D
V
BE ( SAT )
VDC
C
B
E
小信号特性
f
T
C
敖包
C
IBO
NF
250
4.0
8.0
5.0
兆赫
G
pF
尺寸
pF
dB
暗淡
A
B
C
D
E
G
开关特性
t
d
t
r
t
s
t
f
*脉冲宽度
35
35
200
50
ns
ns
ns
ns
英寸
.170
.170
.550
.010
.130
.010
最大
.190
.190
.590
.020
.160
.104
MM
4.33
4.30
13.97
0.36
3.30
2.44
最大
4.83
4.83
14.97
0.56
3.96
2.64
www.mccsemi.com
1 5
修订: 6
2008/05/08
2N3904
MCC
TM
微型商业组件
直流电流增益VS集电极电流
220
200
160
h
FE
120
80
40
V
BE(上)
-(V)
0.6
0.4
0.2
V
CE
= 5.0V
1.2
基射极电压ON VS
集电极电流
V
CE
= 5.0V
1.0
0.8
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
T
A
= -40°C
0.1
1
I
C
- (毫安)
10
100
0
0.1
1.0
I
C
- (毫安)
10
100
集电极饱和
Volatge VS集电极电流
.150
.125
.100
V
CE ( SAT )
- (V)
.075
.050
.025
0
0.1
V
BE ( SAT )
- (V)
1.2
I
C
/I
B
= 10
T
A
= 25°C
1.1
1.0
.90
.80
.70
盐基饱和度
电压Vs集电极电流
I
C
/I
B
= 10
T
A
= 25°C
1.0
I
C
- (毫安)
10
100
.60
0.1
1.0
I
C
- (毫安)
10
100
集电极截止电流与
环境温度
1000
1.0
8
V
CB
= 20V
100
I
CBO
- (毫安)
10
2
1.0
0
25
50
75
T
A
- (°C)
100
125
150
pF
6
电容VS
反向偏置电压
F = 1 MHz的
4
C
IB
C
OB
0
0.1
1.0
电压 - ( V)
10
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修订: 6
2 5
2008/05/08
2N3904
最大功率耗散VS
环境温度
800
12
10
600
P
D(最大)
- ( mW)的
400
TO-92
NF - (分贝)
6
4
200
SOT-23
0
0
2
0
0.1
8
I
C
= 1.0毫安
MCC
微型商业组件
噪声系数VS
源电阻
TM
I
C
= 100A
F = 1.0kHz
1.0
10
R
S
- (k)
电流增益
100
50
100
T
A
- (°C)
150
200
恒增益轮廓
带宽积(F
T
)
12
10
8
V
CE
- (V) 6
4
2
0
0.1
h
fe
100
1000
V
CE
= 10V
F = 1.0kHz
I
C
- (毫安)
*从100MHz的增量
200至500MHz
1.0
10
100
10
0.1
1.0
I
C
- (毫安)
10
噪声系数VS
频率
6
5
4
NF - (分贝)
3
2
1
0
I
C
= 50μA
S
= 1.0k
I
C
= 100μA
S
= 500
V
CE
= 5.0V
开关时间VS
集电极电流
1000
I
B1
= I
B2
= I
C
/10
t
r
t
s
I
C
= 0.5毫安
S
= 200
吨 - ( NS )
100
10
t
f
0.1
1.0
的F - (千赫)
10
100
1.0
1.0
10
I
C
- (毫安)
100
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修订: 6
3 5
2008/05/08
2N3904
输出导纳
V
CE
= 10V
F = 1.0kHz
100
MCC
微型商业组件
输入阻抗
10
V
CE
= 10V
F = 1.0kHz
TM
h
ie
- (k)
1.0
h
oe
- ()
10
0.1
0.1
1
1.0
I
C
- (毫安)
10
0.1
1.0
I
C
- (毫安)
10
电压反馈比例
100
1000
开启和关闭时间VS
集电极电流
h
fe
- (X10 )
10
吨 - ( NS )
-4
100
t
关闭
t
on
10
t
on
I
B1
= I
C
/10
V
BE (OFF)的
= 0.5V
t
关闭
I
B1
= I
B2
= I
C
/10
10
I
C
- (毫安)
100
1.0
0.1
1.0
I
C
- (毫安)
10
1.0
1.0
www.mccsemi.com
修订: 6
4 5
2008/05/08
MCC
设备
TM
微型商业组件
订购信息
填料
弹药包装; 2Kpcs / AmmoBox
Bulk;1Kpcs/Bag
(品名) -AP
(品名) -BP
***重要提示***
微型商业组件公司
.
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此产品进行更正,修改,增强,改进或其它更改。
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他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险
并同意举行
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和所有的公司
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应用*** ***免责声明
产品提供了
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不打算用于医学,
航空航天和军事应用。
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
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联系人:李
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