2N3866UB
硅NPN晶体管
数据表
描述
Semicoa半导体提供：
筛选和处理符合MIL -PRF- 19500
附录E
JAN级（ 2N3866UBJ ）
JANTX级别（ 2N3866UBJX ）
JANTXV级（ 2N3866UBJV ）
JANS级（ 2N3866UBJS ）
QCI适用的级别
每MIL -STD- 750方法100 ％模目视检查
2072年的JANTXV和JANS
辐射测试（总剂量）要求
应用
通用高频
VHF- UHF放大器晶体管
NPN硅晶体管
特点
密封Cersot陶瓷
在芯片配置也可
芯片几何尺寸1008
参考文献：
MIL-PRF-19500/398
好处
请联系Semicoa的特殊配置
www.SEMICOA.com或（ 714 ） 979-1900
资质等级： JAN ， JANTX ，
JANTXV和JANS
辐射测试可用
T
C
= 25 ° C除非另有说明
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流，连续
功耗，T
A
= 25°C
线性降额25°C以上
热阻
工作结温
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
等级
30
60
3.5
400
0.5
2.86
325
-65到+200
单位
伏
伏
伏
mA
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
R
θJA
T
J
T
英镑
Copyright 2002年
牧师F
Semicoa半导体公司
麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541
第1页2
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2N3866UB
硅NPN晶体管
数据表
电气特性
在T规定的特性
A
= 25°C
开关特性
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
首席执行官
I
CES1
I
CES2
测试条件
I
C
= 100
A
I
C
= 5毫安
I
E
= 100
A
V
CE
= 28伏
V
CE
= 55伏
V
CE
= 55伏，T
A
= 150°C
民
60
30
3.5
20
100
2
典型值
最大
单位
伏
伏
伏
A
A
mA
基本特征
参数
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
动态特性
参数
震级 - 共发射极，短
电路正向电流传输比
开路输出电容
收藏家EF网络效率
电源输出
符号
|h
FE
|
C
敖包
η
1
η
2
P
1out
P
1out
测试条件
V
CE
= 15伏特，我
C
= 50毫安，
F = 200 MHz的
V
CB
= 28伏，我
E
= 0 mA时，
符号
h
FE1
h
FE2
h
FE3
V
CEsat1
测试条件
I
C
= 50 mA时， V
CE
= 5伏
I
C
= 360毫安， V
CE
= 5伏
I
C
= 50 mA时， V
CE
= 5伏
T
A
= -55°C
I
C
= 100毫安，我
B
= 10毫安
脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
≤
2.0%
民
15
5
7
典型值
最大
200
单位
1
伏
民
2.5
典型值
最大
8
3.5
单位
pF
%
V
CC
= 28伏， F = 400 MHz的
P
in
= 0.15 W
P
in
= 0.075 W
V
CC
= 28伏， F = 400 MHz的
P
in
= 0.15 W
P
in
= 0.075 W
45
40
1.0
0.5
2
瓦
Copyright 2002年
牧师F
Semicoa半导体公司
麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541
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技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
NPN硅
高频三极管
每个合格的MIL -PRF-三百九十八分之一万九千五百
器件
水平
2N3866
2N3866A
2N3866UB
2N3866AUB
JAN
JANTX
JANTXV
JANS
绝对最大额定值
(T
C
= + 25 ° C除非另有说明）
参数/测试条件
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
@ T
A
= +25°C
2N3866 ，A
2N3866UB / AUB
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
T
j
, T
英镑
R
θJC
价值
30
60
305
400
1.0
0.5
-65到+200
60.0
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
W
°C
° C / W
TO- 39 （ TO- 205AD ）
2N3866 ， 2N3866A
操作&存储结温范围
热阻，结到外壳
注意：
1.减免线性5.71mW / ° C（ 2N3866 ， 2N3866A ）和3.08mW / ° C（ 2N3866UB /
2N3866AUB ）以上的牛逼
A
> + 25°C
2. T
A
在MIL -PRF- 19500的总体要求定义=室内环境
3. P
T
= 2.9W在T
C
= + 25 ° C，减免在16.6mW / ° C以上牛逼
C
> + 25°C
电气特性
(T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
参数/测试条件
关CHARACTERTICS
符号
分钟。
马克斯。
单位
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 5.0mAdc
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100μAdc
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 100μAdc
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 28VDC
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 55VDC
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
首席执行官
I
CES1
30
60
3.5
20
100
VDC
VDC
VDC
μAdc
μAdc
UB包
2N3866UB ， 2N3866AUB
T4 - LDS - 0175修订版1（ 101096 ）
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技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰
联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298
电气特性
(T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
参数/测试条件
基本特征
(3)
正向电流传输比
I
C
= 100μAdc ，V
CE
= 5.0VDC
I
C
= 360mAdc ，V
CE
= 5.0VDC
符号
分钟。
马克斯。
单位
2N3866 ， 2N3866UB
2N3866A ， 2N3866AUB
2N3866 ， 2N3866UB
2N3866A ， 2N3866AUB
h
FE
15
25
5
8
200
200
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 100mAdc ，我
B
= 10mAdc
集电极 - 发射极截止电流 - 高温运行
V
CE
= 55VDC
T
A
= +150°C
正向电流传输比 - 低温运行
V
CE
= 5.0VDC
2N3866 ， 2N3866UB
I
C
= 50mAdc ，T
A
= -55°C
2N3866A ， 2N3866AUB
动态特性
参数/测试条件
共发射小信号短路正向幅度
电流传输比
I
C
= 50mAdc ，V
CE
= 15V直流， F = 100MHz的
2N3866 ， 2N3866UB
2N3866A ， 2N3866AUB
输出电容
V
CB
= 28V直流，我
E
= 0时，在100kHz
≤
f
≤
1.0MHz
功率输出特性
参数/测试条件
电源输出
V
CC
= 28V直流; P
in
= 0.15W ; F = 400MHz的*
V
CC
= 28V直流; P
in
= 0.075W ; F = 400MHz的*
收藏家EF网络效率
V
CC
= 28V直流; P
in
= 0.15W ; F = 400MHz的
V
CC
= 28V直流; P
in
= 0.075W ; F = 400MHz的
*请参阅图4 / 398
钳位电感
集电极 - 发射极击穿电压
V
BE
= 1.5VDC
I
C
= 40mAdc
（ 4 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比
≤
2.0%.
V
CE （ SAT ）
I
CES2
1.0
2.0
VDC
MADC
H
FE3
7
12
符号
|h
fe
|
分钟。
马克斯。
单位
2.5
4.0
8.0
7.5
3.5
pF
C
敖包
符号
P
1out
P
2out
分钟。
1.0
0.5
马克斯。
2.0
单位
W
n1
n2
45
40
%
V
（ BR ） CEX
55
VDC
T4 - LDS - 0175修订版1（ 101096 ）
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技术数据表
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包装尺寸
符号
CD
CH
HD
LC
LD
LL
LU
L
1
L
2
P
Q
TL
TW
r
α
尺寸
英寸
MILLIMETERS
MIN MAX MIN
最大
.305 .335 7.75
8.51
.240 .260 6.10
6.60
.335 .370 8.51
9.40
0.200 TP
5.08 TP
.016 .021 0.41
0.53
.500 .750 12.70 19.05
.016 .019 0.41
0.48
.050
1.27
.250
6.35
.100
2.54
.030
0.76
.029 .045 0.74
1.14
.028 .034 0.71
0.86
.010
0.25
45 ° TP
笔记
6
TO-39
7
8, 9
8, 9
8, 9
8, 9
8, 9
7
5
3, 4
3
10
7
注意事项：
1.尺寸以英寸。
2.毫米给出的只是一般信息。
3.除了R（半径）最大， TW应当承担的0.011 （0.28 mm）的最小长度。
4.尺寸TL的最大HD测量。
5.车身轮廓内通过HD ，CD ，和Q限定区域可选
6. CD变化应不大于0.010英寸（0.25毫米）的区域P.此区域的控制进行自动处理。
7.信息在以下座位平面计平面0.054 +.001 -.000英寸（ 1.37 +0.03 -0.00毫米），应在0.007英寸（ 0.18
在最大的物质条件（ MMC ），相对于选项卡MMC实际位置（TP ）的毫米）半径。该设备可以是
用直接法或通过测量步骤测量。
8.尺寸卢应用于L1和L2之间。尺寸LD适用于L2和LL最小值之间。直径
在不受控制及以后LL最低。
9.所有三根引线。
10.集热器应内部连接到的情况。
11.尺寸R （半径）适用于标签的两个内角。
12.按照ASME Y14.5M ，直径相当于
Φx
符号。
13.铅1 =发射器，导致2 =基地，导致3 =收藏家。
图1 。
外形尺寸（ TO- 39 ）
T4 - LDS - 0175修订版1（ 101096 ）
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技术数据表
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包装尺寸
信
BH
BL
BW
CL
CW
LL
1
LL2
LS
1
LS
2
LW
r
r
1
r
2
尺寸
英寸
MILLIMETERS
民
最大
民
最大
.046
.056
1.17
1.42
.115
.128
2.92
3.25
.085
.108
2.16
2.74
.128
3.25
.108
2.74
.022
.038
0.56
0.96
.017
.035
0.43
0.89
.036
.040
0.91
1.02
.071
.079
1.81
2.01
.016
.024
0.41
0.61
.008
.203
.012
.305
.022
.559
记
注意事项：
1.尺寸以英寸。
2.毫米给出的只是一般信息。
在包3.阴影区表示金属化区域。
4.盖材质：可伐。
5.垫1 =相应的，垫2 =发射器，键盘3 =收集器，垫4 =屏蔽连接到盖。
6.按照ASME Y14.5M ，直径相当于
Φx
符号。
网络连接gure 3 。
物理尺寸，表面贴装（ UB ） 。
T4 - LDS - 0175修订版1（ 101096 ）
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