【技术参数PNP硅晶体管双每个合格的MIL -PRF-三百三十六分之一万九千五百器件2N38102N3】,IC型号2N3810L,2N3810L PDF资料,2N3810L经销商,ic,电子元器件-51电子网

技术参数

PNP硅晶体管双

每个合格的MIL -PRF-三百三十六分之一万九千五百

器件

2N3810

2N3810L

2N3810U

2N3811

2N3811L

2N3811U

合格

水平

JAN

JANTX

JANTXV

最大额定值

评级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

价值

60

5.0

50

一

两

1

部分章节

2

0.5

0.6

-65到+200

单位

VDC

MADC

总功耗

@ T

A

= +25

0

C

操作&存储结温范围

1 ）减额线性2.86毫瓦/ C对于T

A

> + 25℃

2 ）减额线性3.43毫瓦/

0

对于T

A

> +25

0

C

0

P

T

J

,

T

英镑

0

W

C

TO-78*

*请参阅附录A.

对于封装外形

电气特性（T

A

= 25

0

C除非另有说明）

特征

符号

分钟。

马克斯。

单位

开关特性

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 10

μAdc

集电极 - 发射极击穿电流

I

C

= 10 MADC

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 10

μAdc

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 50伏直流

发射基截止电流

V

EB

= 4.0伏

V

（ BR ）

CBO

V

（ BR ）

首席执行官

V

（ BR ）

EBO

I

CBO

60

5.0

10

VDC

μAdc

I

EBO

6湖街，劳伦斯，MA 01841

1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真：（ 978 ） 689-0803

120101

第1页2

2N3810 ， 2N3810L ， 2N3811 ， 2N3811L JAN系列

电气特性（续）

特征

符号

分钟。

马克斯。

单位

基本特征（ 3 ）

正向电流传输比

I

C

= 10

μAdc ，

V

CE

= 5.0伏

I

C

= 100

μAdc ，

V

CE

= 5.0伏

I

C

= 500

μAdc ，

V

CE

= 5.0伏

I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 5.0伏

I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 5.0伏

I

C

= 1.0

μAdc ，

V

CE

= 5.0VDC

I

C

= 10

μAdc ，

V

CE

= 5.0伏

I

C

= 100

μAdc ，

V

CE

= 5.0伏

I

C

= 500

μAdc ，

V

CE

= 5.0伏

I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 5.0伏

I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 5.0伏

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 100

μAdc ，

I

B

= 10

μAdc

I

C

= 1.0 MADC ，我

B

= 100

μAdc

基射极饱和电压

I

C

= 100

μAdc ，

I

B

= 10

μAdc

I

C

= 1.0 MADC ，我

B

= 100

μAdc

基射极不饱和电压

V

CE

= 5.0 ADC ，我

C

= 100

μAdc

2N3810 ， 2N3810L

100

150

125

h

FE

2N3811 ， 2N3811L

75

225

300

250

V

CE （ SAT ）

450

900

0.2

0.25

0.7

0.8

0.7

VDC

V

BE （ SAT ）

V

BE

VDC

动态特性

正向电流传输比，震级

I

C

= 500

μAdc ，

V

CE

= 5.0伏， F = 30 MHz的

I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 5.0伏， F = 100 MHz的

小信号短路正向电流传输比

I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫

2N3810 ，L

2N3811 ，L

小信号短路输入阻抗

I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫

2N3810 ，L

2N3811 ，L

小信号短路输出导纳

I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫

输出电容

V

CB

= 5.0伏，我

E

= 0，100千赫

≤

f

≤

1.0兆赫

输入电容

V

EB

= 0.5伏，我

C

= 0，100千赫

≤

f

≤

1.0兆赫

噪声系数

2N3810 ，L

I

C

= 100

μAdc ，

V

CE

= 10 VDC ， F = 100赫兹，R

G

= 3.0 k

I

C

= 100

μAdc ，

V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫，R

G

= 3.0 k

I

C

= 100

μAdc ，

V

CE

= 10 VDC ， F = 10千赫，R

G

= 3.0 k

I

C

= 100

μAdc ，

V

CE

= 10 VDC ， F = 10 Hz至15.7千赫，R

G

= 3.0 k

I

C

= 100

μAdc ，

I

C

= 100

μAdc ，

I

C

= 100

μAdc ，

I

C

= 100

μAdc ，

2N3811 ，L

F = 100赫兹，R

G

= 3.0 k

F = 1.0千赫，R

G

= 3.0 k

F = 10千赫，R

G

= 3.0 k

F = 10 Hz至15.7千赫，R

G

= 3.0 k

h

fe

1.0

150

300

3.0

5.0

600

900

30

40

60

5.0

8.0

k

μmhos

pF

h

fe

h

je

h

oe

C

敖包

C

IBO

F

1

F

2

F

3

F

4

7.0

3.0

2.5

3.5

dB

V

CE

= 10 VDC ，

V

CE

= 10 VDC ，

V

CE

= 10 VDC ，

V

CE

= 10 VDC ，

（ 3 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比

≤

2.0%.

F

1

F

2

F

3

F

4

4.0

1.5

2.0

2.5

dB

6湖街，劳伦斯，MA 01841

1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真：（ 978 ） 689-0803

120101

第2页2

技术参数

PNP硅晶体管双

每个合格的MIL -PRF-三百三十六分之一万九千五百

器件

2N3810

2N3810L

2N3810U

2N3811

2N3811L

2N3811U

合格

水平

JAN

JANTX

JANTXV

最大额定值

评级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

价值

60

5.0

50

一

两

1

部分章节

2

0.5

0.6

-65到+200

单位

VDC

MADC

总功耗

@ T

A

= +25

0

C

操作&存储结温范围

1 ）减额线性2.86毫瓦/ C对于T

A

> + 25℃

2 ）减额线性3.43毫瓦/

0

对于T

A

> +25

0

C

0

P

T

J

,

T

英镑

0

W

C

TO-78*

*请参阅附录A.

对于封装外形

电气特性（T

A

= 25

0

C除非另有说明）

特征

符号

分钟。

马克斯。

单位

开关特性

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 10

μAdc

集电极 - 发射极击穿电流

I

C

= 10 MADC

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 10

μAdc

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 50伏直流

发射基截止电流

V

EB

= 4.0伏

V

（ BR ）

CBO

V

（ BR ）

首席执行官

V

（ BR ）

EBO

I

CBO

60

5.0

10

VDC

μAdc

I

EBO

6湖街，劳伦斯，MA 01841

1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真：（ 978 ） 689-0803

120101

第1页2

2N3810 ， 2N3810L ， 2N3811 ， 2N3811L JAN系列

电气特性（续）

特征

符号

分钟。

马克斯。

单位

基本特征（ 3 ）

正向电流传输比

I

C

= 10

μAdc ，

V

CE

= 5.0伏

I

C

= 100

μAdc ，

V

CE

= 5.0伏

I

C

= 500

μAdc ，

V

CE

= 5.0伏

I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 5.0伏

I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 5.0伏

I

C

= 1.0

μAdc ，

V

CE

= 5.0VDC

I

C

= 10

μAdc ，

V

CE

= 5.0伏

I

C

= 100

μAdc ，

V

CE

= 5.0伏

I

C

= 500

μAdc ，

V

CE

= 5.0伏

I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 5.0伏

I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 5.0伏

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 100

μAdc ，

I

B

= 10

μAdc

I

C

= 1.0 MADC ，我

B

= 100

μAdc

基射极饱和电压

I

C

= 100

μAdc ，

I

B

= 10

μAdc

I

C

= 1.0 MADC ，我

B

= 100

μAdc

基射极不饱和电压

V

CE

= 5.0 ADC ，我

C

= 100

μAdc

2N3810 ， 2N3810L

100

150

125

h

FE

2N3811 ， 2N3811L

75

225

300

250

V

CE （ SAT ）

450

900

0.2

0.25

0.7

0.8

0.7

VDC

V

BE （ SAT ）

V

BE

VDC

动态特性

正向电流传输比，震级

I

C

= 500

μAdc ，

V

CE

= 5.0伏， F = 30 MHz的

I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 5.0伏， F = 100 MHz的

小信号短路正向电流传输比

I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫

2N3810 ，L

2N3811 ，L

小信号短路输入阻抗

I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫

2N3810 ，L

2N3811 ，L

小信号短路输出导纳

I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫

输出电容

V

CB

= 5.0伏，我

E

= 0，100千赫

≤

f

≤

1.0兆赫

输入电容

V

EB

= 0.5伏，我

C

= 0，100千赫

≤

f

≤

1.0兆赫

噪声系数

2N3810 ，L

I

C

= 100

μAdc ，

V

CE

= 10 VDC ， F = 100赫兹，R

G

= 3.0 k

I

C

= 100

μAdc ，

V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫，R

G

= 3.0 k

I

C

= 100

μAdc ，

V

CE

= 10 VDC ， F = 10千赫，R

G

= 3.0 k

I

C

= 100

μAdc ，

V

CE

= 10 VDC ， F = 10 Hz至15.7千赫，R

G

= 3.0 k

I

C

= 100

μAdc ，

I

C

= 100

μAdc ，

I

C

= 100

μAdc ，

I

C

= 100

μAdc ，

2N3811 ，L

F = 100赫兹，R

G

= 3.0 k

F = 1.0千赫，R

G

= 3.0 k

F = 10千赫，R

G

= 3.0 k

F = 10 Hz至15.7千赫，R

G

= 3.0 k

h

fe

1.0

150

300

3.0

5.0

600

900

30

40

60

5.0

8.0

k

μmhos

pF

h

fe

h

je

h

oe

C

敖包

C

IBO

F

1

F

2

F

3

F

4

7.0

3.0

2.5

3.5

dB

V

CE

= 10 VDC ，

V

CE

= 10 VDC ，

V

CE

= 10 VDC ，

V

CE

= 10 VDC ，

（ 3 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比

≤

2.0%.

F

1

F

2

F

3

F

4

4.0

1.5

2.0

2.5

dB

6湖街，劳伦斯，MA 01841

1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真：（ 978 ） 689-0803

120101

第2页2

技术数据表

6湖街，劳伦斯，MA 01841

1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真：（ 978 ） 689-0803

网址：http ： //www.microsemi.com

PNP硅晶体管双

每个合格的MIL -PRF-三百三十六分之一万九千五百

器件

水平

2N3810

2N3810L

2N3810U

2N3811

2N3811L

2N3811U

JAN

JANTX

JANTV

JANS

绝对最大额定值

(T

C

= + 25 ° C除非另有说明）

参数/测试条件

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

一

部分

1

总功耗

@ T

A

= +25°C

P

T

J

, T

英镑

200

价值

60

5.0

50

两

节

2

350

mW

°C

单位

VDC

MADC

操作&存储结温

范围

注意：

1.

2.

-65到+200

TO-78

减免线性1.143mW /°C，对于T

A

> + 25 ° C（ 1节）

减免线性2.00mW /°C，对于T

A

> + 25 ° C（两节）

电气特性

(T

A

= + 25℃ ，除非另有说明）

参数/测试条件

关CHARACTERTICS

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 100μAdc

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 50VDC

V

CB

= 60V直流

发射基截止电流

V

EB

= 4.0Vdc

V

EB

= 5.0VDC

V

（ BR ） CEO

60

VDC

符号

分钟。

马克斯。

单位

I

CBO

10

μAdc

I

EBO

T4 - LDS - 0118修订版1（ 091095 ）

第1页3

技术数据表

6湖街，劳伦斯，MA 01841

1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真：（ 978 ） 689-0803

网址：http ： //www.microsemi.com

PNP硅晶体管双

每个合格的MIL -PRF-三百三十六分之一万九千五百

电气特性（续）

参数/测试条件

ON CHARACTERTICS

正向电流传输比

I

C

= 10μAdc ，V

CE

= 5.0VDC

I

C

= 100μAdc ，V

CE

= 5.0VDC

I

C

= 1.0mAdc ，V

CE

= 5.0VDC

I

C

= 10mAdc ，V

CE

= 5.0VDC

I

C

= 1.0μAdc ，V

CE

= 5.0VDC

I

C

= 10μAdc ，V

CE

= 5.0VDC

I

C

= 100μAdc ，V

CE

= 5.0VDC

I

C

= 1.0mAdc ，V

CE

= 5.0VDC

I

C

= 10mAdc ，V

CE

= 5.0VDC

2N3810 ， 2N3810L ， 2N3810U

h

FE

100

150

125

450

符号

分钟。

马克斯。

单位

2N3811 ， 2N3811L ， 2N3811U

h

FE

75

225

300

250

900

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 100μAdc ，我

B

= 10μAdc

I

C

= 1.0mAdc ，我

B

= 100μAdc

基射极饱和电压

I

C

= 100μAdc ，我

B

= 10μAdc

I

C

= 1.0mAdc ，我

B

= 100μAdc

基射极不饱和电压

V

CE

= 5.0Adc ，我

C

= 100μAdc

V

BE

0.7

VDC

V

BE （ SAT ）

0.7

0.8

VDC

V

CE （ SAT ）

0.2

0.25

VDC

动态特性

正向电流传输比，震级

I

C

= 500μAdc ，V

CE

= 5.0VDC ， F = 30MHz的

I

C

= 1.0mAdc ，V

CE

= 5.0VDC ， F = 100MHz的

小信号短路正向电流传输比

I

C

= 1.0mAdc ，V

CE

= 10V直流， F = 1.0kHz

小信号短路输入阻抗

I

C

= 1.0mAdc ，V

CE

= 10V直流， F = 1.0kHz

小信号短路输出导纳

I

C

= 1.0mAdc ，V

CE

= 10V直流， F = 1.0kHz

输出电容

V

CB

= 5.0VDC ，我

E

= 0时，在100kHz

≤

f

≤

1.0MHz

输入电容

V

EB

= 5.0VDC ，我

C

= 0时，在100kHz

≤

f

≤

1.0MHz

2N3810 ， 2N3810L ， 2N3810U

2N3811 ， 2N3811L ， 2N3811U

h

oe

5.0

60

2N3810 ， 2N3810L ， 2N3810U

2N3811 ， 2N3811L ， 2N3811U

h

je

3.0

30

40

kΩ

2N3810 ， 2N3810L ， 2N3810U

2N3811 ， 2N3811L ， 2N3811U

h

fe

150

300

600

900

|h

fe

|

1.0

5.0

μmhos

C

敖包

5.0

pF

C

IBO

8.0

pF

T4 - LDS - 0118修订版1（ 091095 ）

分页： 1 2 3

技术数据表

6湖街，劳伦斯，MA 01841

1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真：（ 978 ） 689-0803

网址：http ： //www.microsemi.com

PNP硅晶体管双

每个合格的MIL -PRF-三百三十六分之一万九千五百

动态特性（续）

参数/测试条件

噪声系数

I

C

= 100μAdc ，V

CE

= 10V直流， F = 100Hz的，R

G

= 3.0kΩ

I

C

= 100μAdc ，V

CE

= 10V直流， F = 1.0kHz ，R

G

= 3.0kΩ

I

C

= 100μAdc ，V

CE

= 10V直流， F = 10kHz时，R

G

= 3.0kΩ

I

C

= 100μAdc ，V

CE

= 10V直流， F = 10Hz至15.7kHz ，R

G

= 3.0kΩ

I

C

= 100μAdc ，V

CE

= 10V直流， F = 100Hz的，R

G

= 3.0kΩ

I

C

= 100μAdc ，V

CE

= 10V直流， F = 1.0kHz ，R

G

= 3.0kΩ

I

C

= 100μAdc ，V

CE

= 10V直流， F = 10kHz时，R

G

= 3.0kΩ

I

C

= 100μAdc ，V

CE

= 10V直流， F = 10Hz至15.7kHz ，R

G

= 3.0kΩ

2N3810 ， L，U

2N3811 ， L，U

F

1

F

2

F

3

F

4

F

1

F

2

F

3

F

4

7.0

3.0

2.5

3.5

4.0

1.5

2.0

2.5

dB

符号

分钟。

马克斯。

单位

T4 - LDS - 0118修订版1（ 091095 ）

第3页3

2N3810L

硅PNP晶体管

数据表

描述

Semicoa半导体提供：

筛选和处理符合MIL -PRF- 19500

附录E

JAN级（ 2N3810LJ ）

JANTX级别（ 2N3810LJX ）

JANTXV级（ 2N3810LJV ）

JANS级（ 2N3810LJS ）

QCI适用的级别

每MIL -STD- 750方法100 ％模目视检查

2072年的JANTXV和JANS

辐射测试（总剂量）要求

应用

通用

匹配双晶体管

PNP硅晶体管

特点

密封TO- 78金属罐

在芯片配置也可

芯片几何尺寸0220

参考文献：

MIL-PRF-19500/336

好处

请联系Semicoa的特殊配置

www.SEMICOA.com或（ 714 ） 979-1900

绝对最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流，连续

功耗，T

A

= 25°C

线性降额25°C以上

工作结温

储存温度

T

J

T

英镑

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

P

T

资质等级： JAN ， JANTX ，

JANTXV和JANS

辐射测试可用

T

C

= 25 ° C除非另有说明

等级

60

5

50

300一个部分

600两节

1.71one节

3.43两部分

-65到+200

单位

伏

mA

mW

毫瓦/°C的

°C

启摹

Semicoa半导体公司

麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541

第1页1

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2N3810L

硅PNP晶体管

数据表

电气特性

在T规定的特性

A

= 25°C

开关特性

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极截止电流

发射基截止电流

基本特征

参数

符号

h

FE2

h

FE3

h

FE4

h

FE5

h

FE6

h

FE3-1

/h

FE3-2

V

BE

|V

BE1

-V

BE2

|

1

|V

BE1

-V

BE2

|

2

|V

BE1

-V

BE2

|

3

V

BEsat1

V

BEsat2

V

CEsat1

V

CEsat2

测试条件

I

C

= 10

A,

V

CE

= 5伏

I

C

= 100

A,

V

CE

= 5伏

I

C

= 1毫安， V

CE

= 5伏

I

C

= 10 mA时， V

CE

= 5伏

I

C

= 100

A,

V

CE

= 5伏

T

A

= -55°C

I

C

= 100

A,

V

CE

= 5伏

V

CE

= 5伏，我

C

= 100

A

V

CE

= 5伏，我

C

= 10

A

V

CE

= 5伏，我

C

= 100

A

V

CE

= 5伏，我

C

= 10毫安

I

C

= 100

A,

I

B

= 10

A

I

C

= 1毫安，我

B

= 100

A

I

C

= 100

A,

I

B

= 10

A

I

C

= 1毫安，我

B

= 100

A

符号

V

（ BR ） CEO

I

CBO1

I

CBO2

I

CBO3

I

EBO1

I

EBO2

测试条件

I

C

= 100

A

V

CB

= 60伏

V

CB

= 50伏

V

CB

= 50伏，T

A

= 150°C

V

EB

= 5伏

V

EB

= 4伏

民

60

10

典型值

最大

单位

伏

A

nA

A

nA

脉冲测试：脉冲宽度= 300

s,

占空比

≤

2.0%

民

100

150

125

60

0.9

典型值

最大

450

单位

直流电流增益

基射极电压

基射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和

电压

1.0

0.7

5

3

5

0.7

0.8

0.20

0.25

伏

mVolts

伏

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硅PNP晶体管

数据表

动态特性

参数

震级 - 共发射极，短

电路正向电流传输比

小信号短路正向

电流传输比

开路输出电容

开路输入电容

符号

|h

FE1

|

|h

FE2

|

h

FE

C

敖包

C

IBO

测试条件

V

CE

= 5伏，我

C

= 500

A,

F = 30 MHz的

V

CE

= 5伏，我

C

= 1毫安，

F = 100 MHz的

V

CE

= 10伏，我

C

= 1毫安，

F = 1千赫

V

CB

= 5伏，我

E

= 0 mA时，

100千赫< F < 1兆赫

V

EB

= 0.5伏特，我

C

= 0 mA时，

100千赫< F < 1兆赫

V

CE

= 10伏，我

C

= 100

A,

R

g

= 3 k

F = 100赫兹

F = 1千赫

F = 10千赫

V

CE

= 10伏，我

C

= 100

A,

R

g

= 3 k

10赫兹< F < 15.7千赫

V

CB

= 10V ，我

C

= 1mA时， F = 1kHz时

V

CB

= 10V ，我

C

= 1mA时， F = 1kHz时

V

CB

= 10V ，我

C

= 100μA ， F = 1kHz时

民

1

150

5

600

5

8

pF

典型值

最大

单位

噪声系数

NF

1

NF

2

NF

3

NF

h

ie

h

oe

h

re

7

3

2.5

3.5

3

5

30

60

25x10

-4

dB

噪声系数（宽带）

短路输入阻抗

开路输出导纳

开路反向电压传输

比

dB

k

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PNP硅晶体管双

每个合格的MIL -PRF-三百三十六分之一万九千五百

器件

水平

2N3810

2N3810L

2N3810U

2N3811

2N3811L

2N3811U

JAN

JANTX

JANTV

JANS

绝对最大额定值

(T

C

= + 25 ° C除非另有说明）

参数/测试条件

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

一

部分

1

总功耗

@ T

A

= +25°C

P

T

J

, T

英镑

200

价值

60

5.0

50

两

节

2

350

mW

°C

TO-78

单位

VDC

MADC

操作&存储结温范围

-65到+200

注意事项：

1.减免线性1.143mW /°C，对于T

A

> + 25 ° C（ 1节）

2.减免线性2.000mW /°C，对于T

A

> + 25 ° C（两节）

电气特性

(T

A

= + 25℃ ，除非另有说明）

参数/测试条件

关CHARACTERTICS

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 100μAdc

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 50VDC

V

CB

= 60V直流

发射基截止电流

V

EB

= 4.0Vdc

V

EB

= 5.0VDC

符号

分钟。

马克斯。

单位

V

（ BR ） CEO

60

VDC

ü - 包

μAdc

I

CBO

10

I

EBO

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电气特性（续）

参数/测试条件

ON CHARACTERTICS

正向电流传输比

I

C

= 10μAdc ，V

CE

= 5.0VDC

I

C

= 100μAdc ，V

CE

= 5.0VDC

I

C

= 1.0mAdc ，V

CE

= 5.0VDC

I

C

= 10mAdc ，V

CE

= 5.0VDC

I

C

= 1.0μAdc ，V

CE

= 5.0VDC

I

C

= 10μAdc ，V

CE

= 5.0VDC

I

C

= 100μAdc ，V

CE

= 5.0VDC

I

C

= 1.0mAdc ，V

CE

= 5.0VDC

I

C

= 10mAdc ，V

CE

= 5.0VDC

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 100μAdc ，我

B

= 10μAdc

I

C

= 1.0mAdc ，我

B

= 100μAdc

基射极饱和电压

I

C

= 100μAdc ，我

B

= 10μAdc

I

C

= 1.0mAdc ，我

B

= 100μAdc

基射极不饱和电压

V

CE

= 5.0Adc ，我

C

= 100μAdc

动态特性

正向电流传输比，震级

I

C

= 500μAdc ，V

CE

= 5.0VDC ， F = 30MHz的

I

C

= 1.0mAdc ，V

CE

= 5.0VDC ， F = 100MHz的

小信号短路正向电流传输比

I

C

= 1.0mAdc ，V

CE

= 10V直流， F = 1.0kHz

2N3810 ， 2N3810L ， 2N3810U

2N3811 ， 2N3811L ， 2N3811U

小信号短路输入阻抗

I

C

= 1.0mAdc ，V

CE

= 10V直流， F = 1.0kHz

2N3810 ， 2N3810L ， 2N3810U

2N3811 ， 2N3811L ， 2N3811U

1.0

150

300

3.0

5.0

符号

分钟。

马克斯。

单位

2N3810 ， 2N3810L ， 2N3810U

h

FE

100

150

125

75

225

300

250

450

2N3811 ， 2N3811L ， 2N3811U

h

FE

900

V

CE （ SAT ）

0.2

0.25

VDC

V

BE （ SAT ）

0.7

0.8

VDC

V

BE

0.7

VDC

|h

fe

|

5.0

600

900

30

40

60

kΩ

h

fe

h

je

小信号短路输出导纳

I

C

= 1.0mAdc ，V

CE

= 10V直流， F = 1.0kHz

2N3810 ， 2N3810L ， 2N3810U

2N3811 ， 2N3811L ， 2N3811U

h

oe

μmhos

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技术数据表

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动态特性（续）

参数/测试条件

输出电容

V

CB

= 5.0VDC ，我

E

= 0时，在100kHz

≤

f

≤

1.0MHz

输入电容

V

EB

= 5.0VDC ，我

C

= 0时，在100kHz

≤

f

≤

1.0MHz

噪声系数

I

C

= 100μAdc ，V

CE

= 10V直流， F = 100Hz的，R

G

= 3.0kΩ

I

C

= 100μAdc ，V

CE

= 10V直流， F = 1.0kHz ，R

G

= 3.0kΩ

I

C

= 100μAdc ，V

CE

= 10V直流， F = 10kHz时，R

G

= 3.0kΩ

I

C

= 100μAdc ，V

CE

= 10V直流， F = 10Hz至15.7kHz ，R

G

= 3.0kΩ

I

C

= 100μAdc ，V

CE

= 10V直流， F = 100Hz的，R

G

= 3.0kΩ

I

C

= 100μAdc ，V

CE

= 10V直流， F = 1.0kHz ，R

G

= 3.0kΩ

I

C

= 100μAdc ，V

CE

= 10V直流， F = 10kHz时，R

G

= 3.0kΩ

I

C

= 100μAdc ，V

CE

= 10V直流， F = 10Hz至15.7kHz ，R

G

= 3.0kΩ

2N3810 ， L，U

2N3811 ， L，U

F

1

F

2

F

3

F

4

F

1

F

2

F

3

F

4

7.0

3.0

2.5

3.5

4.0

1.5

2.0

2.5

dB

符号

C

敖包

C

IBO

分钟。

马克斯。

5.0

8.0

单位

pF

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第3 5

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包装尺寸

LTR

CD

CH

HD

HT

LC

LD

LL

α

TL

TW

尺寸

英寸

MILLIMETERS

民

最大

民

最大

.305

.335

7.75

8.51

.150

.185

3.81

4.70

.335

.370

8.51

9.40

.009

.041

0.23

1.04

0.200 BSC

5.08 BSC

.016

.021

0.41

0.53

见注释10 ，11和13

45 TP

.029

.045

0.74

1.14

.028

.034

0.71

0.86

笔记

10

9

5, 6

4, 5

注意事项：

1

尺寸为英寸。

2

毫米给出的只是一般信息。

3

参见规则标注半导体产品大纲包括在公开95 。

4

引线号4和8中省略此变异。

5

TW必须保持的0.021英寸（0.53毫米）的最小长度。

6

LL从最大的高清测量。

7

大纲在这个区域选的详细信息。

8

CD变化应不超过0.010英寸（ 0.25毫米）在区域P.此区域的控制进行自动处理。

9

导致在计平面0.054 - 0.055英寸 - 低于飞机座位（ 1.37 1.40毫米）应为真实0.007 （0.18 MM）半径范围内

位置（TP）在最大材料条件（MMC），相对于所述标签在MMC中。该设备可以通过直接进行测定

方法或通过对压力计所描述的测量仪和测量程序绘制的GS-1 。

10 LD适用于LL最低。

11 R （半径）适用于标签的两个内角。

12晶体管类型2N3810和2N3811 ， LL为0.500英寸（ 12.70毫米）最低，而0.750英寸（ 19.05毫米）最大。（ TO-

78).

13晶体管类型2N3810L和2N3811L ， LL是1.500英寸（ 38.10毫米）最低，并1.750英寸（ 44.45毫米）

最大。

14根据AMSE Y14.5M ，直径相当于

φx

符号。

15引线3和5 =发射器，引线2和6 =碱基，导致1和7 =集电极。

图1 。

外形尺寸（类似TO- 78 ）

T4 - LDS - 0118版本2 （ 110152 ）

第4 5

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符号

BL

BL2

BW

BW2

CH

LH

LL1

LL2

LS1

LS2

LW

尺寸

英寸

MILLIMETERS

民

最大

民

最大

.240

.250

6.10

6.35

.250

6.35

.165

.175

4.19

4.45

.175

4.45

.044

.080

1.12

2.03

.026

.039

0.66

0.99

.060

.070

1.52

1.78

.082

.098

2.08

2.49

.095

.105

2.41

2.67

.045

.055

1.14

1.40

.022

.028

0.56

0.71

PIN号

1

2

3

4

5

6

晶体管

收藏家没有。 1

基地没有。 1

基地没有。 2

收藏家没有。 2

发射器没有。 2

发射器没有。 1

注意事项：

1尺寸为英寸。

2毫米给出的只是一般信息。

3根据AMSE Y14.5M ，直径相当于

φx

符号。

图2中。

外形尺寸（ 2N3810U和2N3811U ）。

T4 - LDS - 0118版本2 （ 110152 ）

页5