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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第27页 > 2N3716
2N3716
尺寸以毫米(英寸) 。
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
在一个双极NPN器件
密封TO3
金属包装。
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
0.97 (0.060)
1.10 (0.043)
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
22.23
(0.875)
马克斯。
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
1
2
双极NPN装置。
V
首席执行官
= 80V
3
(案例)
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
I
C
= 10A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS , CECC和JAN的要求,
JANTX , JANTXV和JANS规范。
TO3 ( TO204AA )
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C( CONT )
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
80
10
单位
V
A
-
Hz
@ 2/1 (V
CE
/ I
C
)
50
4M
150
150
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表,请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件,参数限制和封装尺寸,恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠,在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 556565.传真:+44( 0 ) 1455 552612 。
电子信箱:
sales@semelab.co.uk
网址:
http://www.semelab.co.uk
产生
31-Jul-02
博卡半导体公司
BSC
http://www.bocasemi.com
A
http://www.bocasemi.com
A
http://www.bocasemi.com
A
A
A
最大额定值
工作结存储温度范围
热阻
功耗
基极电流
集电极电流
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
等级
140
160
符号
TJ , TSTG
VCEO
VCB
VEB
θ
JC
PD
IC
IB
2N3715
1.17
150
4.0
7.0
10
80
60
- 65至+ 200
2N3716
1.17
150
100
4.0
7.0
10
80
案例1-07
TO–204AA
(TO–3)
安培
安培
3–12
摩托罗拉公司1995年
。 。 。专为中速开关和放大器应用。这些设备
特色:
硅NPN功率晶体管
半导体技术资料
摩托罗拉
第七版
安全区域限制由图12所示, 13这两个限制都适用,必须严格遵守。
PD ,功耗(瓦)
总的转换时间3一个典型的1.15
s
指定在1和3的增益范围
低VCE (SAT) :典型值为0.5 V电压IC = 5 A和IB = 0.5 A
出色的安全工作区
补充2N3791-92
100
120
20
40
60
80
0
0
图1.电源温度降额曲线
25
50
75
100
125
150
TC ,外壳温度( ° C)
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
175
200
10安培
功率晶体管
硅NPN
60 - 80伏
150瓦
2N3715
2N3716
订购此文件
通过2N3715 / D
NPN
_
C / W
单位
_
C
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度
电气特性
( TC = 25
_
C除非另有说明)
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
开关时间(
s)
( IC = 5.0 A, IB1 = IB2 = 0.5 ADC )
上升时间
贮存时间
下降时间
开关时间(图2 )
小信号电流增益
( VCE = 10 VDC , IC = 0.5 ADC , F = 1.0兆赫)
基射极电压( 1 )
( IC = 3.0 ADC , VCE = 2.0 V直流)
基射极饱和电压( 1 )
( IC = 5.0 ADC , IB = 0.5 ADC )
集电极 - 发射极饱和电压( 1 )
( IC = 5.0 ADC , IB = 0.5 ADC )
直流电流增益( 1 )
( IC = 1.0 ADC , VCE = 2.0 V直流)
( IC = 3.0 ADC , VCE = 2.0 V直流)
集电极 - 发射极耐受电压( 1 )
( IC = 200 MADC , IB = 0 )
集电极 - 发射极截止电流
( VCE = 80伏直流电, VBE = - 1.5 V直流)
( VCE = 100伏, VBE = - 1.5 V直流)
( VCE = 60 VDC , VBE = - 1.5伏, TC = 150
_
C)
( VCE = 80伏直流电, VBE = - 1.5伏, TC = 150
_
C)
发射基截止电流
( VEB = 7.0伏)
0.3
0.5
0.7
1.0
1.5
0.1
0.1
0.2
IB1 = IB2
0.2
tr
tf
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
IC ,集电极电流( AMPS )
ts
v
300
s,
占空比
v
2.0%.
特征
图2.典型的开关时间
3.0
5.0
+11.5 V
2N3715, 2N3716
2N3715, 2N3716
2N3715, 2N3716
2N3715, 2N3716
–9 V
HG继电器
100
1W
所有类型
所有类型
所有类型
2N3715
2N3716
2N3715
2N3716
2N3715
2N3716
+ 62 V
花花公子
1.7毫秒
吨= 30
s
VCEO ( SUS) *
VCE (星期六) *
VBE (星期六) *
–9 V
符号
A
测试电路
4.8毫秒
VBE *
IEBO
ICEX
的hFE *
的hFE
tr
ts
tf
100
– 4 V
900
20
1W
波形
在A点
4.0
50
30
60
80
IC = 5 A, IB1 = IB2 = 0.5 A
f
150厘泊占空比
2%
6
4W
2N3715 2N3716
0.45
0.3
0.4
典型值
+ 30 V
900
100
最大
150
1.5
1.5
0.8
1.0
1.0
10
10
5.0
3–13
MADC
MADC
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
s
2N3715 2N3716
IC ,集电极电流( AMPS )
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1 0.2
0.5
1.0 2.0
2N3715, 2N3716
1000
700
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0
0.4
0.8
VCE = 2 V
见注2
TJ = 175℃
– 40°C
25°C
5.0 10 20
50
VCE = 2 V
见注1 , 2
IB ,基极电流(毫安)
TJ = 175℃
– 40°C
25°C
100 200
500 1000
1.2
1.6
2.0
IB ,基极电流(毫安)
VBE ,基极发射极电压(伏)
图3.集电极电流与基极电流
图4.基极电流,电压变化
IC ,集电极电流( AMPS )
10
7
5
3
2
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
2N3715, 2N3716
TJ = 175℃
25°C
– 40°C
VCE = 2 V
见注2
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
VBE ,基极发射极电压(伏)
图5.集电极电流电压变化
注: 1,虚线表示的计量基极电流,再加上晶体管175的ICBO
_
C.
注2:脉冲测试:脉冲宽度
200
微秒,
占空比
1.5%.
3–14
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
2N3715 2N3716
VCE (SAT) ,集电极 - 发射极饱和
电压(伏)
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.1
10
20
30
50
70
IC = 1
100
200
IB ,基极电流(毫安)
300
500
700
1000
2000
IC = 3] A
IC = 5 A
TJ =
25°C
– 40°C
175°C
见注2
图6.集电极 - 发射极饱和电压变化
1.4
VBE (星期六) ,基射极饱和
电压(伏)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.1
10
20
30
50
70
100
200
IB ,基极电流(毫安)
300
500
700
TJ =
25°C
– 40°C
175°C
见注2
1000
2000
IC = 1
IC = 3] A
IC = 5 A
图7.基射极饱和电压变化
10
7.0
IC ,集电极电流(毫安)
IC ,集电极电流(毫安)
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
– 0.6
VCE = VCEO - 20 V
见注2
100
50
30
20
10
5.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
1
TJ = 175℃
TJ = 100℃
10
100
1000
VCE = VCEO - 20 V
见注2
10,000
100,000
TJ = 175℃
TJ = 100℃
反向
– 0.4
– 0.2
0
前锋
0.2
0.4
VBE ,基极发射极电压(伏)
RBE ,外部基极发射极电阻(欧姆)
图8.集电极电流与
基射极电压
图9.集电极电流与
基射极电阻
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3–15
2N3715 2N3716
200
hFE参数,电流增益
TJ = 175℃
150
的hFE
I –
+
IBC
)
ICBO
ICBO
100
25°C
VCE = 2 V
50
– 40°C
0
0.01
0.02
0.03
0.05
0.07
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
IC ,集电极电流( AMPS )
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
图10.电流增益变化
f
τ
,电流增益 - 带宽积( MC )
8
6
4
2
VCE = 6 V
0
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
IC ,集电极电流( AMPS )
2.0
3.0
5.0
图11.电流增益 - 带宽积与集电极电流
安全工作区
10
7
5
3
2
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
DC到5毫秒
500
s
1毫秒
50
s
250
s
10
7
5
3
2
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
DC到5毫秒
500
s
1毫秒
50
s
250
s
IC ,集电极电流( AMPS )
IC ,集电极电流( AMPS )
0
10
20
30
40
50
60
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
70
0
10
80
20
30
40
50
60
70
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
90
图12. 2N3715
安全工作区曲线表明IC - VCE限制
低于该设备不会进入二次突破性
下来。具体电路集电极负载线必须落在
适用的安全区,以避免使集电极 - 发射极
图13. 2N3716
短暂。 (在旅行的占空比不作任何显著
改变这些安全区)。为了保证下面的操作
最大的TJ ,电源温度降额曲线必须是
观察两种稳态和脉冲功率的条件。
3–16
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N3716
描述
·采用TO-3封装
应用
·他们的目的是用于电力线的使用
和切换应用程序
钉扎
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形( TO- 3 )和符号
描述
绝对最大额定值
(Ta=25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
100
80
7
10
4
150
200
-65~200
单位
V
V
V
A
A
W
热特性
符号
R
(日) JC
参数
热阻结到外壳
价值
1.17
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压breakdwon
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
I
C
= 3A ; V
CE
=2V
V
CE
=100V; V
BE (OFF)的
=1.5V
T
C
=150
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=2V
I
C
= 3A ; V
CE
=2V
I
C
= 10A ; V
CE
=4V
I
C
=0.5A;V
CE
=10V
50
30
5
4
80
典型值。
2N3716
符号
V
( BR ) CEO
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
I
CEX
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
f
T
最大
单位
V
0.8
1.5
1.5
1.0
10.0
5.0
150
V
V
V
mA
mA
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N3716
图2外形尺寸( unindicated公差: ± 0.10mm)的
3
技术参数
NPN大功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-四百零八分之一万九千五百
器件
2N3715
2N3716
资质等级
JAN
JANTX
JANTXV
最大额定值
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
基极电流
集电极电流
总功耗
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
B
I
C
P
T
T
J
,
T
英镑
符号
0
2N3715
60
80
2N3716
80
100
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
W
W
0
C
单位
C / W
@ T
A
= 25
0
C
@ T
C
=100
0
C
操作&存储结温范围
7.0
4.0
10
5.0
85.7
-65到+200
马克斯。
1.17
热特性
特征
热阻,结到外壳
1 )线性降额28.57毫瓦/ C对于T
A
>25
2 )线性降额0.857 W /
0
对于T
C
>100
0
C
*请参阅附录A
包装外形
0
R
θ
JC
0
的TO- 3 * (TO- 204AA )
电气特性(T
C
= 25
0
C除非另有说明)
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电流
I
C
= 10 MADC
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 80伏直流
V
CB
= 100 VDC
发射极 - 基极击穿电压
V
EB
= 7.0伏
集电极 - 发射极截止电流
V
BE
= 1.5伏,V
CE
= 60 VDC
V
BE
= 1.5伏,V
CE
= 80伏直流
2N3715
2N3716
2N3715
2N3716
V
( BR )
首席执行官
60
80
10
10
1.0
1.0
1.0
VDC
I
CBO
μAdc
I
EBO
2N3715
2N3716
I
CEX
MADC
MADC
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
第1页2
2N3715 , 2N3716 JAN系列
电气特性(续)
特征
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 60 VDC
V
CE
= 80伏直流
符号
2N3715
2N3716
I
CES
分钟。
马克斯。
1.0
1.0
单位
MADC
基本特征
(3)
正向电流传输比
I
C
= 1.0 ADC ,V
CE
= 2.0伏
I
C
= 3.0 ADC ,V
CE
= 2.0伏
I
C
= 5.0 ADC ,V
CE
= 2.0伏
I
C
= 10位ADC ,V
CE
= 4.0伏
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5.0 ADC ,我
B
= 0.5 ADC
I
C
= 10位ADC ,我
B
= 2.0 ADC
基射极饱和电压
I
C
= 5.0 ADC ,我
B
= 0.5 ADC
I
C
= 10位ADC ,我
B
= 2.0 ADC
50
30
10
5.0
150
120
h
FE
V
CE ( SAT )
1.0
2.5
1.5
3.0
VDC
V
BE ( SAT )
VDC
动态特性
共发射小信号短路的幅度
正向电流传输比
I
C
= 0.5 ADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 100千赫 - 1.0兆赫
正向电流传输比
I
C
= 0.5 ADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫
输出电容
V
CB
= 10 VDC ,我
E
= 0中,f = 1.0兆赫
h
fe
h
fe
C
敖包
4.0
20
30
300
500
pF
安全工作区
DC测试
T
C
= +25
0
C, 1个周期,T
1.0 s
测试1
V
CE
= 15 VDC ,我
C
= 10位ADC
测试2
V
CE
= 40 VDC ,我
C
= 3.75 ADC
测试3
V
CE
= 55伏直流,我
C
= 0.9 ADC
2N3715
V
CE
= 65伏直流,我
C
= 0.9 ADC
2N3716
( 3 )脉冲测试:脉冲宽度= 300μS ,占空比
2.0%.
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
第2页2
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2N3715/3716
描述
ΔDC
目前GAIN-
: h
FE
= 50-150@I
C
= 1A
ùWide
安全工作区
ULOW
集电极饱和电压 -
: V
CE ( SAT )
= 0.8V (最大值) @我
C
= 5A
.Complement
到类型2N3791 / 3792
应用
·设计
对于中速开关和放大器
应用
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
符号
参数
2N3715
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N3716
2N3715
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N3716
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
J
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
基极电流
集电极耗散功率@ T
C
=25℃
结温
储存温度
80
7
10
4
150
200
-65~200
V
A
A
W
100
60
V
价值
80
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻,结到外壳
最大
1.17
单位
℃/W
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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
2N3715/3716
典型值。
最大
单位
2N3715
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
2N3716
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
I
C
= 5A ;我
B
= 0.5A
I
C
= 5A ;我
B
= 0.5A
I
C
= 3A ; V
CE
= 2V
2N3715
I
CEX
收藏家Cuto FF电流
2N3716
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
V
CE
= 80V; V
BE (
关闭
)
= -1.5V
V
CE
= 60V; V
BE (
关闭
)
= -1.5V ,T
C
=150℃
V
CE
= 100V; V
BE (
关闭
)
= -1.5V
V
CE
= 80V; V
BE (
关闭
)
= -1.5V ,T
C
=150℃
V
EB
= 7V ;我
C
= 0
I
C
= 1A ; V
CE
= 2V
I
C
= 3A ; V
CE
= 2V
I
C
= 200毫安;我
B
= 0
60
V
80
0.8
1.5
1.5
1.0
10
mA
1.0
10
5.0
50
30
150
mA
V
V
V
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
V
BE (
on
)
电流增益带宽积
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 10V ; F
TEST
= 1.0MHz的
4
兆赫
开关时间
上升时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 5A ;我
B1
= -I
B2
= 0.5A
0.45
0.3
0.4
μs
μs
μs
t
r
t
英镑
t
f
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2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N3716
描述
·带
TO- 3封装
应用
·他们
拟用于电力线的使用
和切换应用程序
钉扎
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形( TO- 3 )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
100
80
7
10
4
150
200
-65~200
单位
V
V
V
A
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
1.17
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
( BR ) CEO
V
CESAT
V
BESAT
V
BE
I
CEX
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
f
T
参数
集电极 - 发射极电压breakdwon
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
I
C
= 3A ; V
CE
=2V
V
CE
=100V; V
BE (OFF)的
=1.5V
T
C
=150℃
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=2V
I
C
= 3A ; V
CE
=2V
I
C
= 10A ; V
CE
=4V
I
C
=0.5A;V
CE
=10V
50
30
5
4
80
典型值。
2N3716
最大
单位
V
0.8
1.5
1.5
1.0
10.0
5.0
150
V
V
V
mA
mA
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N3716
图2外形尺寸( unindicated公差: ± 0.10mm)的
3
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
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