【小信号晶体管TO- 39案例（续）型号描述VCBO(V)VCEO(V)* VCERVEBO(V)IC】,IC型号2N3634,2N3634 PDF资料,2N3634经销商,ic,电子元器件-51电子网

小信号晶体管

TO- 39案例（续）

型号

描述

VCBO

(V)

VCEO

(V)

* VCER

VEBO

(V)

ICBO @

(A)

* ICEO

** ICES

*** ICEV

**** ICER

民

5.0

4.5

4.0

6.0

5.0

6.0

5.0

6.0

4.0

6.0

5.0

7.0

5.0

3.5

4.0

6.0

0.50

0.10

0.50

0.01**

--

0.10

1.20

0.10

0.50

0.10

10

--

0.50

--

0.20

0.30

--

20*

1.00***

0.01

--

2.00**

60

30

50

90

50

75

30

50

--

100

500

100

60

30

60

40

60

--

40

60

--

40

200

--

28

40

60

100

--

90

110

民

20

40

25

40

100

40

100

40

30

25

50

100

25

40

100

75

40

25

40

60

30

20

25

30

20

30

35

10

40

30

40

30

40

最大

60

120

75

--

120

300

120

300

200

150

100

150

300

100

120

300

275

120

180

150

120

80

200

250

100

80

120

--

200

150

120

250

120

500

10

150

1500

750

50

500

150

1,000

100

1,000

30

1,000

500

50

1,500

25

150

500

1.0

10

2.0

10

1.5

5.0

1.0

1.5

10

1.5

10

5.0

2.0

10

2.0

最大

1.20

0.30

0.36

0.30

0.35

0.60

0.40

0.5

0.70

0.50

1.20

0.50

0.40

0.75

0.22

0.20

0.40

0.50

1.00

5.00

0.90

0.50

1.00

0.75

1.00

0.50

1,000

150

10

300

150

500

750

50

500

150

1,000

100

300

500

30

10

1,000

500

200

500

100

1,500

25

150

1,000

VCB

(V)

的hFE

@ IC @ VCE VCE （ SAT ） @ IC

（毫安）（V ）

(V)

（MA ）

fT

（兆赫）

* TYP

COB

（PF ）

* TYP

吨

（纳秒）

花花公子

（纳秒）

NF

（ dB）的

* TYP

* TYP * TYP

民

2N3444

2N3467

2N3468

2N3494

2N3495

2N3498

2N3499

2N3500

2N3501

2N3502

2N3503

2N3506

2N3507

2N3554

2N3634

2N3635

2N3660

2N3661

2N3665

2N3666

2N3671

2N3678

2N3719

2N3720

2N3722

NPN核心驱动力

PNP核心驱动力

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

NPN高压

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

NPN核心驱动力

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN核心驱动力

80

40

50

80

120

100

150

45

60

80

60

140

40

60

120

60

75

40

60

50

80

50

75

300

40

60

40

80

70

55

40

60

150

70

100

120

民

50

40

50

80

120

100

150

45

60

40

50

30

140

30

50

80

50

55

40

60

30

50

30

50

300

40

60

40

50

40

30

40

60

150

50

80

100

民

150

175

150

200

150

200

60

150

200

30

60

200

250

60

300

250

30

180

150

180

200

500

60

40

60

40

最大

12

25

7.0

6.0

10

8.0

40

25

10

275

12

9.0

8.0

120

10

12

10

9.0

6.0

15

12

3.0

120

3.5

12

60

MAX MAX

50

40

--

50

400

--

50

35

48

--

45

60

--

100

--

70

90

--

105

600

--

100

60

--

105

115

70

--

400

--

最大

--

3.0

--

2N3724A

NPN核心驱动力

2N3725A

NPN核心驱动力

2N3734

2N3735

2N3742

2N3743

2N3762

2N3763

2N3764

2N3830

2N3831

2N3866

2N3867

2N3868

2N3923

2N3945

2N4000

2N4001

NPN核心驱动力

NPN高压

PNP高压

PNP核心驱动力

NPN核心驱动力

NPN VHF / UHF OSC

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

62

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

技术参数

PNP硅晶体管放大器

每个合格的MIL -PRF- 357分之19500

器件

2N3634

2N3634L

2N3635

2N3635L

2N3636

2N3636L

2N3637

2N3637L

资质等级

JAN

JANTX

JANTXV

JANS

最大额定值

评级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

总功耗

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

2N3634*

2N3635*

140

2N3636*

2N3637*

175

单位

TO- 39 * （ TO- 205AD ）

2N3634, 2N3635

2N3636, 2N3637

VDC

5.0

VDC

1.0

ADC

0 (1)

@ T

A

= +25 C

1.0

W

P

T

0 (2)

@ T

C

= +25 C

5.0

W

0

操作&存储结温范围

-65到+200

C

T

J

,

T

英镑

*为“L”的后缀器件的电气特性都是相同的“非L”对应的设备

1 ）减额线性5.71毫瓦/

0

对于T

A

> +25

0

C

2 ）线性降额28.6毫瓦/

0

对于T

C

> +25

0

C

TO-5*

2N3634, 2N3635

2N3636, 2N3637

*请参阅附录A

包装外形

电气特性（T

A

= 25

0

C除非另有说明）

特征

符号

分钟。

马克斯。

单位

开关特性

集电极 - 发射极击穿电流

I

C

= 10 MADC

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 100 VDC

V

CB

= 140伏

发射基截止电流

V

EB

= 3.0伏

V

EB

= 5.0伏

集电极 - 发射极截止电流

V

CE

= 100 VDC

2N3634, 2N3635

2N3636, 2N3637

V

（ BR ）

首席执行官

140

175

100

10

50

10

VDC

μAdc

I

CBO

2N3634, 2N3635

I

EBO

I

首席执行官

6湖街，劳伦斯，MA 01841

1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真：（ 978 ） 689-0803

120101

第1页2

2N3634 ，L 2N3635 ，L 2N3636 ，L 2N3637 ，L- JAN系列

电气特性（续）

特征

符号

分钟。

马克斯。

单位

基本特征（ 3 ）

正向电流传输比

I

C

= 0.1 MADC ，V

CE

= 10 VDC

I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC

I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 10 VDC

I

C

= 50 MADC ，V

CE

= 10 VDC

I

C

= 150 MADC ，V

CE

= 10 VDC

I

C

= 0.1 MADC ，V

CE

= 10 VDC

I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC

I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 10 VDC

I

C

= 50 MADC ，V

CE

= 10 VDC

I

C

= 150 MADC ，V

CE

= 10 VDC

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 10 MADC ，我

B

= 1.0 MADC

I

C

= 50 MADC ，我

B

= 5.0 MADC

基射极饱和电压

I

C

= 10 MADC ，我

B

= 1.0 MADC

I

C

= 50 MADC ，我

B

= 5.0 MADC

2N3634, 2N3636

25

45

50

30

55

90

100

60

h

FE

150

2N3635, 2N3637

h

FE

300

V

CE （ SAT ）

0.3

0.6

0.8

0.9

VDC

V

BE （ SAT ）

0.65

VDC

动态特性

正向电流传输比

I

C

= 30 MADC ，V

CE

= 30伏直流电， F = 100 MHz的

2N3634, 2N3636

2N3635, 2N3637

h

fe

1.5

2.0

40

80

100

200

8.0

8.5

160

320

600

1200

200

10

75

5.0

3.0

s

pF

正向电流传输比

I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫

小信号短路输入阻抗

I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫

小信号开路输出导纳

I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫

输出电容

V

CB

= 20伏直流，我

E

= 0，100千赫

≤

f

≤

1.0兆赫

输入电容

V

EB

= 1.0伏，我

C

= 0，100千赫

≤

f

≤

1.0兆赫

噪声系数

V

CE

= 10 VDC ，我

C

= 0.5 MADC ，R

g

= 1.0

2N3634, 2N3636

2N3635, 2N3637

2N3634, 2N3636

2N3635, 2N3637

h

fe

h

je

h

oe

C

敖包

C

IBO

F = 100赫兹

F = 1.0千赫

F = 10千赫

NF

dB

安全工作区

DC测试

T

C

= 25

0

C， 1个周期，T = 1.0秒

测试1

V

CE

= 100伏，我

C

= 30 MADC

2N3634, 2N3635

V

CE

= 130伏，我

C

= 20 MADC

2N3636, 2N3637

测试2

V

CE

= 50伏直流，我

C

= 95 MADC

测试3

V

CE

= 5.0伏，我

C

= 1.0 ADC

（ 3 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比

≤

2.0%.

6湖街，劳伦斯，MA 01841

1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真：（ 978 ） 689-0803

120101

第2页2

博卡半导体公司

BSC

http://www.bocasemi.com

http://www.bocasemi.com

http://www.bocasemi.com

http://www.bocasemi.com

http://www.bocasemi.com

技术数据表

6湖街，劳伦斯，MA 01841

1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真：（ 978 ） 689-0803

网址：http ： //www.microsemi.com

戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰

联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298

PNP硅晶体管开关

每个合格的MIL -PRF- 357分之19500

器件

水平

2N3634

2N3634L

2N3634UB

2N3635

2N3635L

2N3635UB

2N3636

2N3636L

2N3636UB

2N3637

2N3637L

2N3637UB

JAN

JANTX

JANTXV

JANS

绝对最大额定值

(T

C

= + 25 ° C除非另有说明）

参数/测试条件

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

总功耗

UB ：

@ T

A

= +25°C

@ T

C

= +25°C

@ T

C

= +25°C

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

P

T

**

T

J

, T

英镑

2N3634*

2N3635*

140

5.0

1.0

5.0

1.5

-65到+200

2N3636*

2N3637*

175

5.0

1.0

单位

VDC

ADC

W

°C

TO-5*

2N3634L ， 2N3635L

2N3636L ， 2N3637L

操作&存储结温范围

*为“L”的后缀器件的电气特性都是相同的“非L”对应的

设备。

**咨询三百五十七分之一万九千五百的降额曲线。

电气特性

(T

A

= + 25℃ ，除非另有说明）

参数/测试条件

关CHARACTERTICS

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10mAdc

2N3634, 2N3635

2N3636, 2N3637

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 100V直流

V

CB

= 140Vdc

V

CB

= 175VDC

发射基截止电流

V

EB

= 3.0VDC

V

EB

= 5.0VDC

集电极 - 发射极截止电流

V

CE

= 100V直流

V

（ BR ） CEO

140

175

100

10

50

10

VDC

符号

分钟。

马克斯。

单位

TO- 39 * （ TO- 205AD ）

2N3634, 2N3635

2N3636, 2N3637

2N3634, 2N3635

2N3636, 2N3637

I

CBO

μAdc

3针

μAdc

2N3634UB ， 2N3635UB

2N3636UB ， 2N3637UB

I

EBO

I

首席执行官

T4 - LDS - 0156版本2 （ 101452 ）

第1页5

技术数据表

6湖街，劳伦斯，MA 01841

1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真：（ 978 ） 689-0803

网址：http ： //www.microsemi.com

戈特路商业园，恩尼斯，公司克莱尔，爱尔兰

联系电话： +353 （ 0 ） 65 6840044传真： +353 （ 0 ） 65 6822298

电气特性

(T

A

= + 25℃ ，除非另有说明）

参数/测试条件

基本特征

(1)

正向电流传输比

I

C

= 0.1mAdc ，V

CE

= 10V直流

I

C

= 1.0mAdc ，V

CE

= 10V直流

I

C

= 10mAdc ，V

CE

= 10V直流

I

C

= 50mAdc ，V

CE

= 10V直流

I

C

= 150mAdc ，V

CE

= 10V直流

I

C

= 0.1mAdc ，V

CE

= 10V直流

I

C

= 1.0mAdc ，V

CE

= 10V直流

I

C

= 10mAdc ，V

CE

= 10V直流

I

C

= 50mAdc ，V

CE

= 10V直流

I

C

= 150mAdc ，V

CE

= 10V直流

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 10mAdc ，我

B

= 1.0mAdc

I

C

= 50mAdc ，我

B

= 5.0mAdc

基射极饱和电压

I

C

= 10mAdc ，我

B

= 1.0mAdc

I

C

= 50mAdc ，我

B

= 5.0mAdc

动态特性

参数/测试条件

正向电流传输比

I

C

= 30mAdc ，V

CE

= 30V直流， F = 100MHz的

正向电流传输比

I

C

= 10mAdc ，V

CE

= 10V直流， F = 1.0kHz

小信号短路输入阻抗

I

C

= 10mAdc ，V

CE

= 10V直流， F = 1.0kHz

小信号开路输入阻抗

I

C

= 10mAdc ，V

CE

= 10V直流， F = 1.0kHz

输出电容

V

CB

= 20VDC ，我

E

= 0，100千赫

≤

f

≤

1.0MHz

输入电容

V

EB

= 1.0VDC ，我

C

= 0，100千赫

≤

f

≤

1.0MHz

噪声系数

V

CE

= 10Vdc的，我

C

= 0.5mAdc ，R

g

= 1.0kΩ

F = 100Hz的

F = 1.0kHz

F = 10kHz的

符号

2N3634, 2N3636

2N3635, 2N3637

2N3634, 2N3636

2N3635, 2N3637

2N3634, 2N3636

2N3635, 2N3637

|h

fe

|

分钟。

1.5

2.0

40

80

100

200

马克斯。

8.0

8.5

160

320

600

1200

200

10

Ω

μs

pF

单位

2N3634, 2N3636

25

45

50

30

55

90

100

60

V

CE （ SAT ）

符号

分钟。

马克斯。

单位

150

h

FE

2N3635, 2N3637

300

0.3

0.6

0.8

0.9

VDC

V

BE （ SAT ）

0.65

VDC

h

fe

h

ie

h

oe

C

敖包

C

IBO

75

5.0

3.0

pF

NF

dB

（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比

≤

2.0%

T4 - LDS - 0156版本2 （ 101452 ）

页2的5

技术数据表

6湖街，劳伦斯，MA 01841

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安全工作区

DC测试

T

C

= 25 ℃，1个周期， t为1.0秒

测试1

V

CE

= 100V直流，我

C

= 30mAdc

V

CE

= 130Vdc ，我

C

= 20mAdc的

测试2

V

CE

= 50V直流，我

C

= 95mAdc

测试3

V

CE

= 5.0VDC ，我

C

= 1.0Adc

2N3634, 2N3635

2N3636, 2N3637

T4 - LDS - 0156版本2 （ 101452 ）

第3 5

技术数据表

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包装尺寸

尺寸

英寸

MILLIMETERS

民

最大

民

最大

.305

.335

7.75

8.51

.240

.260

6.10

6.60

.335

.370

8.51

9.40

0.200 TYP

5.08 TYP

.016

.021

0.41

0.53

见注释7,9和10

.016

.019

0.41

0.48

050

1.27

.250

6.35

.100

2.54

.050

1.27

.010

0.254

.029

.045

0.74

1.14

.028

.034

0.71

0.86

45 ° TP

辐射源

BASE

集热器

LTR

CD

CH

HD

LC

LD

LL

LU

L

1

L

2

P

Q

r

TL

TW

α

第一学期

第二学期

第三学期

笔记

7

6

7

5

8

4

3

6

注意事项：

1.尺寸以英寸。

2.

毫米给出的只是一般信息。

除了最大， TW必须保持的0.021英寸（0.53毫米）的最小长度。

3.

4.

TL的最大HD测量。

CD变化应不大于± 0.010英寸（0.25毫米）的区域P.此区域的控制进行自动处理。

5.

6.

导致在计平面0.054 - 0.055英寸 - 低于飞机座位（ 1.37 1.40毫米）应在0.007英寸（0.18 MM）的半径

实际位置（TP ）在最大的物质条件（ MMC）相对于选项卡MMC 。该装置可以通过被测量

直接方法或通过量规和测量过程。

7.

陆应用于L1和L2之间。 LD适用于L2和L最小值之间。直径不受控制的L1和超越LL

最低限度。

R（半径）适用于标签的两个内角。

8.

9.

晶体管类型2N3634 2N3637通过， LL为0.500英寸（ 12.70毫米）最低，而0.750英寸（ 19.05毫米）

最大（TO- 39）。

10.

晶体管类型2N3634L通过2N3637L ， LL是1.500英寸（ 38.10毫米）最低，并1.750英寸（ 44.45毫米）

最大（TO -5）。

11.

根据ASME Y14.5M ，直径相当于

φx

符号。

图1：

外形尺寸（ TO- 5和TO -39 ）

T4 - LDS - 0156版本2 （ 101452 ）

第4 5

技术数据表

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注意事项：

1.尺寸以英寸。

2.毫米给出的只是一般信息。

在包3.阴影区表示金属化区域。

4.垫1 =基，垫2 =发射器，键盘3 =收藏家，垫4 =

屏蔽层连接到盖子。

5.按照ASME Y14.5M ，直径。

相当于

φx

符号

LTR

BH

BL

BW

CL

CW

LL

1

LL

2

LS

1

LS

2

LW

r

1

r

2

尺寸

英寸

MILLIMETERS

民

最大

民

最大

.046

.056

1.17

1.42

.115

.128

2.92

3.25

.085

.108

2.16

2.74

.128

3.25

.108

2.74

.022

.038

0.56

0.96

.017

.035

0.43

0.89

.036

.040

0.91

1.02

.071

.079

1.81

2.01

.016

.024

0.41

0.61

.008

.203

.012

.305

.022

.559

笔记

图2：

物理尺寸，表面贴装2N3634UB通过2N3637UB （ UB版本）。

T4 - LDS - 0156版本2 （ 101452 ）

页5

技术数据表

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抗辐射

PNP硅晶体管开关

每个合格的MIL -PRF- 357分之19500

器件

水平

2N3634

2N3634L

2N3634UB

2N3635

2N3635L

2N3635UB

2N3636

2N3636L

2N3636UB

2N3637

2N3637L

2N3637UB

JANSM - 3K拉德（SI ）

JANSD - 10K拉德（SI ）

JANSP - 30K拉德（SI ）

JANSL - 50K拉德（SI ）

JANSR - 100K拉德（SI ）

绝对最大额定值

(T

C

= + 25 ° C除非另有说明）

参数/测试条件

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

总功耗

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

2N3634* 2N3636*

2N3635* 2N3637*

140

5.0

1.0

175

5.0

1.0

单位

VDC

ADC

TO-5*

2N3634L ， 2N3635L

2N3636L ， 2N3637L

@ T

A

= +25°C

1.0

W

P

T

**

@ T

C

= +25°C

5.0

W

UB ： @ T

C

= +25°C

1.5

W

操作&存储结温

-65到+200

°C

T

J

, T

英镑

范围

*为“L”的后缀器件的电气特性都是相同的“非L”对应的

设备。

**咨询三百五十七分之一万九千五百的降额曲线。

电气特性

(T

A

= + 25℃ ，除非另有说明）

参数/测试条件

关CHARACTERTICS

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10mAdc

2N3634, 2N3635

2N3636, 2N3637

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 100V直流

V

CB

= 140Vdc

V

CB

= 175VDC

发射基截止电流

V

EB

= 3.0VDC

V

EB

= 5.0VDC

集电极 - 发射极截止电流

V

CE

= 100V直流

T4 - LDS -0065版本2 （ 100377 ）

符号

分钟。

马克斯。

单位

TO- 39 * （ TO- 205AD ）

2N3634, 2N3635

2N3636, 2N3637

V

（ BR ） CEO

140

175

100

10

50

10

VDC

2N3634, 2N3635

2N3636, 2N3637

I

CBO

μAdc

3针

μAdc

第1页5

2N3634UB ， 2N3635UB

2N3636UB ， 2N3637UB

I

EBO

I

首席执行官

技术数据表

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电气特性

(T

A

= + 25℃ ，除非另有说明）

参数/测试条件

基本特征

(1)

正向电流传输比

I

C

= 0.1mAdc ，V

CE

= 10V直流

I

C

= 1.0mAdc ，V

CE

= 10V直流

I

C

= 10mAdc ，V

CE

= 10V直流

I

C

= 50mAdc ，V

CE

= 10V直流

I

C

= 150mAdc ，V

CE

= 10V直流

I

C

= 0.1mAdc ，V

CE

= 10V直流

I

C

= 1.0mAdc ，V

CE

= 10V直流

I

C

= 10mAdc ，V

CE

= 10V直流

I

C

= 50mAdc ，V

CE

= 10V直流

I

C

= 150mAdc ，V

CE

= 10V直流

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 10mAdc ，我

B

= 1.0mAdc

I

C

= 50mAdc ，我

B

= 5.0mAdc

基射极饱和电压

I

C

= 10mAdc ，我

B

= 1.0mAdc

I

C

= 50mAdc ，我

B

= 5.0mAdc

2N3634, 2N3636

25

45

50

30

55

90

100

60

V

CE （ SAT ）

符号

分钟。

马克斯。

单位

150

h

FE

2N3635, 2N3637

300

0.3

0.6

0.8

0.9

VDC

V

BE （ SAT ）

0.65

VDC

动态特性

正向电流传输比

I

C

= 30mAdc ，V

CE

= 30V直流， F = 100MHz的

正向电流传输比

I

C

= 10mAdc ，V

CE

= 10V直流， F = 1.0kHz

2N3634, 2N3636

2N3635, 2N3637

2N3634, 2N3636

2N3635, 2N3637

1.5

2.0

40

80

100

200

8.0

8.5

160

320

600

1200

200

10

Ω

μs

pF

|h

fe

|

h

fe

小信号短路输入阻抗

I

C

= 10mAdc ，V

CE

= 10V直流， F = 1.0kHz

2N3634, 2N3636

2N3635, 2N3637

小信号开路输入阻抗

I

C

= 10mAdc ，V

CE

= 10V直流， F = 1.0kHz

输出电容

V

CB

= 20VDC ，我

E

= 0，100千赫

≤

f

≤

1.0MHz

输入电容

V

EB

= 1.0VDC ，我

C

= 0，100千赫

≤

f

≤

1.0MHz

噪声系数

V

CE

= 10Vdc的，我

C

= 0.5mAdc ，R

g

= 1.0kΩ

h

ie

h

oe

C

敖包

C

IBO

F = 100Hz的

F = 1.0kHz

F = 10kHz的

75

pF

NF

5.0

3.0

dB

（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比

≤

2.0%

T4 - LDS -0065版本2 （ 100377 ）

页2的5

技术数据表

6湖街，劳伦斯，MA 01841

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安全工作区

DC测试

T

C

= 25 ℃，1个周期， t为1.0秒

测试1

V

CE

= 100V直流，我

C

= 30mAdc

V

CE

= 130Vdc ，我

C

= 20mAdc的

测试2

V

CE

= 50V直流，我

C

= 95mAdc

测试3

V

CE

= 5.0VDC ，我

C

= 1.0Adc

2N3634, 2N3635

2N3636, 2N3637

T4 - LDS -0065版本2 （ 100377 ）

第3 5

技术数据表

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包装尺寸

尺寸

英寸

MILLIMETERS

民

最大

民

最大

.305

.335

7.75

8.51

.240

.260

6.10

6.60

.335

.370

8.51

9.40

0.200 TYP

5.08 TYP

.016

.021

0.41

0.53

见注释7,9和10

.016

.019

0.41

0.48

050

1.27

.250

6.35

.100

2.54

.050

1.27

.010

0.254

.029

.045

0.74

1.14

.028

.034

0.71

0.86

45 ° TP

辐射源

BASE

集热器

LTR

CD

CH

HD

LC

LD

LL

LU

L1

L2

P

Q

r

TL

TW

α

第一学期

第二学期

第三学期

笔记

7

6

7

5

8

4

3

6

注意事项：

1.尺寸以英寸。

2.

毫米给出的只是一般信息。

除了最大， TW必须保持的0.021英寸（0.53毫米）的最小长度。

3.

4.

TL的最大HD测量。

CD变化应不大于± 0.010英寸（0.25毫米）的区域P.此区域的控制进行自动处理。

5.

6.

导致在计平面0.054 - 0.055英寸 - 低于飞机座位（ 1.37 1.40毫米）应在0.007英寸（0.18 MM）的半径

实际位置（TP ）在最大的物质条件（ MMC）相对于选项卡MMC 。该装置可以通过被测量

直接方法或通过量规和测量过程。

7.

陆应用于L1和L2之间。 LD适用于L2和L最小值之间。直径不受控制的L1和超越LL

最低限度。

R（半径）适用于标签的两个内角。

8.

9.

晶体管类型2N3634 2N3637通过， LL为0.500英寸（ 12.70毫米）最低，而0.750英寸（ 19.05毫米）

最大（TO- 39）。

10.

晶体管类型2N3634L通过2N3637L ， LL是1.500英寸（ 38.10毫米）最低，并1.750英寸（ 44.45毫米）

最大（TO -5）。

11.

根据ASME Y14.5M ，直径相当于

φx

符号。

图1：

外形尺寸（ TO- 5和TO -39 ）

T4 - LDS -0065版本2 （ 100377 ）

第4 5

技术数据表

6湖街，劳伦斯，MA 01841

1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真：（ 978 ） 689-0803

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注意事项：

1.尺寸以英寸。

2.毫米给出的只是一般信息。

在包3.阴影区表示金属化区域。

4.垫1 =基，垫2 =发射器，键盘3 =收藏家，垫4 =

屏蔽层连接到盖子。

5.按照ASME Y14.5M ，直径。

相当于

φx

符号

LTR

BH

BL

BW

CL

CW

LL1

LL2

LS1

LS2

LW

r

r1

r2

尺寸

英寸

MILLIMETERS

民

最大

民

最大

.046

.056

1.17

1.42

.115

.128

2.92

3.25

.085

.108

2.16

2.74

.128

3.25

.108

2.74

.022

.038

0.56

0.96

.017

.035

0.43

0.89

.036

.040

0.91

1.02

.071

.079

1.81

2.01

.016

.024

0.41

0.61

.008

.203

.012

.305

.022

.559

笔记

图2：

物理尺寸，表面贴装2N3634UB通过2N3637UB （ UB版本）。

T4 - LDS -0065版本2 （ 100377 ）

页5

2N3634

机械数据

尺寸mm （英寸）

8.51 (0.34)

9.40 (0.37)

PNP硅晶体管

7.75 (0.305)

8.51 (0.335)

6.10 (0.240)

6.60 (0.260)

特点

高压开关

低功耗运算放大器应用

密封TO39封装

12.70

(0.500)

分钟。

0.89

马克斯。

(0.035)

0.41 (0.016)

0.53 (0.021)

DIA 。

5.08 (0.200)

典型值。

应用范围：

2

1

0.74 (0.029)

1.14 (0.045)

0.71 (0.028)

0.86 (0.034)

2.54

(0.100)

通用

高速开关饱和

3

45°

TO- 39 （ TO- 205AD ）金属封装

仰视图

引脚1 - 发射极

PIN 2 - 基

PIN 3 - 集电极

绝对最大额定值

(T

例

= 25 ° C除非另有说明）

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

P

D

P

D

T

J

, T

英镑

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

Emmiter - 基极电压

集电极电流

器件总功耗@ T

A

= 25°C

减免上述25℃

器件总功耗@ T

C

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储结温范围

-140V

-5V

-1A

1W

5.71mW /°C的

5W

28.6mW / ℃，

-65到+ 200℃

Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信

是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。

Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

电子信箱：

sales@semelab.co.uk

网址：

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文档编号7744

第1期

2N3634

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

参数

测试条件

开关特性

BV

首席执行官

BV

CBO

BV

EBO

I

EBO

I

CBO

集电极 - 发射极击穿电压

1

I

C

= -10mA

集电极 - 基极击穿电压

1

发射极 - 基极击穿电压

1

发射极截止电流

集电极截止电流

I

C

= -100μA

I

C

= 0

V

BE

= -3.0V

V

CB

= -100V

I

C

= -0.1mA

I

C

= -1.0mA

h

FE

直流电流增益

1

I

C

= -10mA

I

C

= -50mA

I

C

= -150mA

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

集电极 - 发射极饱和电压

1

基地 - 发射极饱和电压

1

I

C

= -10mA

I

C

= -50mA

I

C

= -10mA

I

C

= -50mA

V

CE

= -30V

V

CB

= -20V

V

BE

= 1.0V

I

B

= 0

I

E

= 0

I

E

= -10μA

I

C

= 0

I

E

= 0

V

CE

= -10V

V

CE

= -10V

V

CE

= -10V

V

CE

= -10V

V

CE

= -10V

I

B

= -1.0mA

I

B

= -5mA

I

B

= -1.0mA

I

B

= -5mA

I

C

= -30mA

F = 100MHz的

I

E

= 0

F = 100KHz的

I

C

= 0

F = 1.0MHz的

分钟。

-140

-5.0

典型值。

MAX 。 UNIT

V

-50

-100

nA

基本特征

40

45

50

25

-0.3

-0.5

-0.8

-0.65

-0.9

V

150

小信号特性

f

t

C

ob

C

ib

h

ie

h

re

h

fe

h

oe

NF

电流增益带宽积

输出电容

输入电容

输入阻抗

电压反馈比例

小信号电流增益

输出导纳

噪声系数

V

CE

= -10V

R

S

= 1.0KΩ

V

CC

= -100V

I

C

= -50mA

I

C

= -0.5mA

F = 1.0kHz

V

BE

= 4.0V

I

B1

= I

B2

=-5mA

V

CE

= -10V

I

C

= -10mA

F = 1.0kHz

40

100

10

75

100

600

3.0

160

200

3.0

兆赫

pF

Ω

x10

-4

—

μmhos

dB

开关特性

t

on

t

关闭

开启时间

关断时间

400

600

ns

1 ）脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％

Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信

是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。

Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

电子信箱：

sales@semelab.co.uk

网址：

http://www.semelab.co.uk

文档编号7744

第1期

技术参数

PNP硅晶体管放大器

每个合格的MIL -PRF- 357分之19500

器件

2N3634

2N3634L

2N3635

2N3635L

2N3636

2N3636L

2N3637

2N3637L

资质等级

JAN

JANTX

JANTXV

JANS

最大额定值

评级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

总功耗

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

2N3634*

2N3635*

140

2N3636*

2N3637*

175

单位

TO- 39 * （ TO- 205AD ）

2N3634, 2N3635

2N3636, 2N3637

VDC

5.0

VDC

1.0

ADC

0 (1)

@ T

A

= +25 C

1.0

W

P

T

0 (2)

@ T

C

= +25 C

5.0

W

0

操作&存储结温范围

-65到+200

C

T

J

,

T

英镑

*为“L”的后缀器件的电气特性都是相同的“非L”对应的设备

1 ）减额线性5.71毫瓦/

0

对于T

A

> +25

0

C

2 ）线性降额28.6毫瓦/

0

对于T

C

> +25

0

C

TO-5*

2N3634, 2N3635

2N3636, 2N3637

*请参阅附录A

包装外形

电气特性（T

A

= 25

0

C除非另有说明）

特征

符号

分钟。

马克斯。

单位

开关特性

集电极 - 发射极击穿电流

I

C

= 10 MADC

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 100 VDC

V

CB

= 140伏

发射基截止电流

V

EB

= 3.0伏

V

EB

= 5.0伏

集电极 - 发射极截止电流

V

CE

= 100 VDC

2N3634, 2N3635

2N3636, 2N3637

V

（ BR ）

首席执行官

140

175

100

10

50

10

VDC

μAdc

I

CBO

2N3634, 2N3635

I

EBO

I

首席执行官

6湖街，劳伦斯，MA 01841

1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真：（ 978 ） 689-0803

120101

第1页2

2N3634 ，L 2N3635 ，L 2N3636 ，L 2N3637 ，L- JAN系列

电气特性（续）

特征

符号

分钟。

马克斯。

单位

基本特征（ 3 ）

正向电流传输比

I

C

= 0.1 MADC ，V

CE

= 10 VDC

I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC

I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 10 VDC

I

C

= 50 MADC ，V

CE

= 10 VDC

I

C

= 150 MADC ，V

CE

= 10 VDC

I

C

= 0.1 MADC ，V

CE

= 10 VDC

I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 10 VDC

I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 10 VDC

I

C

= 50 MADC ，V

CE

= 10 VDC

I

C

= 150 MADC ，V

CE

= 10 VDC

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 10 MADC ，我

B

= 1.0 MADC

I

C

= 50 MADC ，我

B

= 5.0 MADC

基射极饱和电压

I

C

= 10 MADC ，我

B

= 1.0 MADC

I

C

= 50 MADC ，我

B

= 5.0 MADC

2N3634, 2N3636

25

45

50

30

55

90

100

60

h

FE

150

2N3635, 2N3637

h

FE

300

V

CE （ SAT ）

0.3

0.6

0.8

0.9

VDC

V

BE （ SAT ）

0.65

VDC

动态特性

正向电流传输比

I

C

= 30 MADC ，V

CE

= 30伏直流电， F = 100 MHz的

2N3634, 2N3636

2N3635, 2N3637

h

fe

1.5

2.0

40

80

100

200

8.0

8.5

160

320

600

1200

200

10

75

5.0

3.0

s

pF

正向电流传输比

I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫

小信号短路输入阻抗

I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫

小信号开路输出导纳

I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫

输出电容

V

CB

= 20伏直流，我

E

= 0，100千赫

≤

f

≤

1.0兆赫

输入电容

V

EB

= 1.0伏，我

C

= 0，100千赫

≤

f

≤

1.0兆赫

噪声系数

V

CE

= 10 VDC ，我

C

= 0.5 MADC ，R

g

= 1.0

2N3634, 2N3636

2N3635, 2N3637

2N3634, 2N3636

2N3635, 2N3637

h

fe

h

je

h

oe

C

敖包

C

IBO

F = 100赫兹

F = 1.0千赫

F = 10千赫

NF

dB

安全工作区

DC测试

T

C

= 25

0

C， 1个周期，T = 1.0秒

测试1

V

CE

= 100伏，我

C

= 30 MADC

2N3634, 2N3635

V

CE

= 130伏，我

C

= 20 MADC

2N3636, 2N3637

测试2

V

CE

= 50伏直流，我

C

= 95 MADC

测试3

V

CE

= 5.0伏，我

C

= 1.0 ADC

（ 3 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比

≤

2.0%.

6湖街，劳伦斯，MA 01841

1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真：（ 978 ） 689-0803

120101

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