功率晶体管
TO- 66案例
型号
NPN
2N3054
2N3054A
2N3583
2N3584
2N3585
2N3738
2N3739
PNP
2N6049
2N6420
2N6421
2N6422
IC
(A)
最大
4.0
4.0
2.0
2.0
2.0
1.0
1.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
3.0
5.0
3.0
5.0
3.0
5.0
2.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
7.0
7.0
7.0
7.0
1.0
1.0
1.0
4.0
4.0
3.0
4.0
4.0
8.0
8.0
7.0
7.0
6.0
6.0
6.0
1.0
1.0
4.0
4.0
4.0
3.0
PD
(W)
25
75
35
35
35
20
20
25
25
25
25
20
20
35
75
35
75
35
75
35
20
20
20
25
25
25
40
40
40
40
35
35
35
29
50
20
50
50
75
75
90
90
40
40
40
20
20
40
40
29
25
BVCBO
(V)
民
90
90
250
375
500
250
325
60
60
80
80
80
100
50
40
70
60
90
80
500
350
500
500
40
60
80
80
80
100
100
275
350
400
50
90
140
60
80
60
80
60
80
90
70
50
250
325
110
130
60
160
BVCEO
(V)
民
55
55
175
250
300
225
300
60
60
80
80
60
80
40
40
60
60
80
80
300
250
350
350
40
60
80
80
80
100
100
225
300
350
40
80
120
60
80
60
80
60
80
80
60
40
225
300
100
120
60
120
的hFE
民
25
25
40
40
40
40
40
30
30
30
30
40
40
25
25
25
25
25
25
40
50
25
50
20
20
20
30
60
30
60
10
10
10
20
25
20
750
750
750
750
20
20
20
20
20
40
40
15
15
20
25
最大
150
150
- -
- -
- -
200
200
150
150
150
150
160
160
100
100
100
100
100
100
- -
150
75
150
150
150
150
120
240
120
240
100
100
100
100
100
150
18,000
18,000
18,000
18,000
100
100
100
100
100
200
200
150
150
120
150
@ IC VCE （ SAT ） @ IC
(A)
(V)
(A)
最大
0.5
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.25
0.25
0.25
0.25
0.5
0.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
0.1
0.05
0.05
0.05
0.5
0.5
0.5
2.0
2.0
2.0
2.0
1.0
1.0
1.0
1.5
1.5
0.5
2.0
2.0
4.0
4.0
2.5
2.5
2.0
2.5
3.0
0.1
0.1
1.5
1.5
1.0
0.5
1.0
0.5
5.0
0.75
0.75
2.5
2.5
0.6
0.6
0.6
0.6
1.0
1.0
2.0
4.0
2.0
4.0
2.0
4.0
1.0
0.9
0.9
0.75
0.6
0.6
0.6
0.7
0.7
0.7
0.7
1.4
1.6
2.0
1.5
0.5
1.2
2.0
2.0
2.0
2.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.5
2.5
1.2
1.2
1.0
1.0
0.5
0.5
1.0
1.0
1.0
0.25
0.25
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
3.0
5.0
3.0
5.0
3.0
5.0
0.75
0.05
0.05
0.05
1.0
1.0
1.0
2.0
2.0
2.0
2.0
0.125
0.125
0.125
1.5
1.5
0.5
2.0
2.0
4.0
4.0
4.0
4.0
2.0
2.5
3.0
0.25
0.25
1.5
1.5
0.5
0.5
fT
（兆赫）
民
0.8
0.8
10
10
10
10
10
3.0
3.0
3.0
3.0
10
10
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
15
20
20
20
3.0
3.0
3.0
30
30
30
30
20
20
20
0.8
0.8
0.8
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
10
10
5.0
5.0
0.75
0.2
2N3740
2N3740A
2N3741
2N3741A
2N3766
2N3767
2N4231
2N4231A
2N4232
2N4232A
2N4233
2N4233A
2N4240
2N4296
2N4298
2N4299
2N4910
2N4911
2N4912
2N5427
2N5428
2N5429
2N5430
2N6312
2N6313
2N6314
2N6423
2N4898
2N4899
2N4900
2N6211
2N6212
2N6213
2N6260
2N6261
2N6263
2N6294
2N6295
2N6300
2N6301
2N6315
2N6316
2N6372
2N6373
2N6374
2N6465
2N6466
40312
CM3441
2N6296
2N6297
2N6298
2N6299
2N6317
2N6318
2N5954
2N5955
2N5956
2N6424
2N6425
2N6467
2N6468
86
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
阴影部分表示达林顿。
2N3583
尺寸以毫米（英寸） 。
3.68
（ 0.145 ）弧度。
马克斯。
6.35 (0.250)
8.64 (0.340)
3.61 (0.142)
4.08(0.161)
弧度。
在一个双极NPN器件
密封TO66
金属包装。
11.94 (0.470)
12.70 (0.500)
24.13 (0.95)
24.63 (0.97)
1
14.48 (0.570)
14.99 (0.590)
2
0.71 (0.028)
0.86 (0.034)
双极NPN装置。
V
首席执行官
= 175V
I
C
= 1A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS ， CECC和JAN的要求，
JANTX ， JANTXV和JANS规格
4.83 (0.190)
5.33 (0.210)
9.14 (0.360)
分钟。
1.27 (0.050)
1.91 (0.750)
TO66 （ TO213AA ）
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C（ CONT ）
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
175
1
单位
V
A
-
Hz
@ 10/0.75 (V
CE
/ I
C
)
40
10M
200
35
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
产生
1-Aug-02
NPN 2N3583 - 2N3584 - 2N3585
NPN硅功率晶体管。
高电压功率晶体管设计用于工业和军事应用。
TO- 66金属外壳。
符合RoHS指令。
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
评级
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
2N3583
2N3584
2N3585
2N3583
2N3584
2N3585
2N3583
2N3584
2N3585
t
p
= 10ms的
@ T
mb
= 70°C
价值
250
330
440
175
250
300
6
1
2
2
5
1
35
200
-65到+200
单位
V
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（I
C
= 0)
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
V
V
A
A
A
瓦
°C
°C
I
C
I
CM
I
B
P
T
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
thJC
R
thJA
评级
热阻，结到外壳
热阻，结到环境中的自由空气
价值
5
87.5
单位
° C / W
半导体COMSET
1
NPN 2N3583 - 2N3584 - 2N3585
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
评级
集电极 - 发射极截止
当前
测试条件（S ）
2N3583
I
B
= 0 ; V
CE
= 150 V
V
BE
= -1.5V ;
V
CE
= 225 V
V
BE
= -1.5V ;
V
CE
= 340 V
V
BE
= -1.5V ;
V
CE
= 450 V
V
BE
= -1.5V ;
V
CE
= 225 V
T
j
= 150°C
V
BE
= -1.5V ;
V
CE
= 300 V
T
j
= 150°C
I
C
= 0 ; V
EB
= 6 V
最小典型单位的Mx
-
-
-
-
-
-
I
首席执行官
2N3584
2N3585
2N3583
2N3584
2N3585
2N3583
2N3584
2N3585
2N3583
2N3584
2N3585
2N3583
2N3584
2N3585
2N3583
2N3584
2N3585
2N3583
2N3584
2N3585
2N3583
2N3583
2N3584
2N3585
2N3584
2N3585
2N3583
2N3584
2N3585
2N3583
2N3584
2N3585
2N3584
2N3585
2N3584
2N3585
2N3584
2N3585
10
5
5
1
mA
I
CEX
集电极 - 发射极截止
当前
-
-
-
-
175
250
300
-
-
-
-
40
10
25
25
8
8
350
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
5
0.5
0.5
-
-
-
5
0.75
0.75
1.4
200
-
100
100
80
80
-
mA
I
EBO
V
CEO （ SUS ）
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
发射极截止offcurrent
集电极 - 发射极
sustaning电压（ 1）
集电极 - 发射极
饱和电压（ 1）
基射极饱和
电压（1）
I
B
= 0 ; I
C
= 200毫安
V
I
C
= 1 ;我
B
= 125毫安
V
I
C
= 1 ;我
B
= 100毫安
V
CE
= 10 V ;我
C
= 500毫安
h
FE
直流电流增益（ 1 ）
V
CE
= 10 V ;我
C
= 1 A
V
CE
= 2 V ;我
C
= 1 A
I
S / B
f
T
t
d
+t
r
t
f
t
s
第二击穿
集电极电流
跃迁频率
导通时间
下降时间
载体的存储时间
V
CE
= 100V ; T = 1秒
V
CE
= 10 V ;我
C
= 200毫安
F = 5兆赫
I
C
= 1 ;我
B
= 100毫安
I
C
= 1 ;我
B
= 100毫安
I
C
= 1 ;我
B
= 100毫安
10
-
-
-
-
-
-
-
-
3
3
4
兆赫
s
脉冲条件下测得的1 ：
t
P
<300s,
δ
<2%.
半导体COMSET
2
NPN 2N3583 - 2N3584 - 2N3585
机械数据案例TO- 66
引脚1 ：
引脚2 ：
案例：
BASE
辐射源
集热器
半导体COMSET
3
2N3583
2N3584
2N3585
NPN硅晶体管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央SEMICONDUCTOR 2N3583系列
类型NPN硅晶体管设计用于高
高速开关和高电压放大器应用。
标记：全部型号
TO- 66案例
最大额定值：
(TC=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
连续基极电流
功耗
工作和存储结温
热阻
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
PD
TJ ， TSTG
Θ
JC
2N3583
250
175
6.0
1.0
2N3584
375
250
6.0
2.0
5.0
1.0
35
-65到+200
5.0
2N3585
500
300
6.0
2.0
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
° C / W
电气特性：
（ TC = 25° C除非另有说明）
2N3583
符号
测试条件
最小最大
ICEV
VCE = 225V ， VEB = 1.5V
-
1.0
ICEV
VCE = 340V ， VEB = 1.5V
-
-
ICEV
VCE = 450V ， VEB = 1.5V
-
-
ICEV
VCE = 225V ， VEB = 1.5V ， TC = 150℃
-
3.0
ICEV
VCE = 300V ， VEB = 1.5V ， TC = 150℃
-
-
ICEO
VCE=150V
-
10
IEBO
VBE=6.0V
-
5.0
BVCEO
IC=200mA
175
-
VCE （ SAT ） IC = 1.0A ， IB = 125毫安
-
5.0
VBE （ SAT ） IC = 1.0A ， IB =百毫安
-
-
VBE （ON）的
VCE = 10V ， IC = 1.0A
-
1.4
的hFE
VCE = 10V ， IC =百毫安
40
-
的hFE
VCE = 10V ， IC = 500毫安
40 200
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 1.0A
-
-
的hFE
VCE = 10V ， IC = 1.0A
10
-
fT
VCE = 10V ， IC =的200mA， F = 5.0MHz
10
-
COB
VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的
-
120
的hFE
VCE = 30V ， IC = 100mA时F = 1.0kHz
25 350
tr
VCC = 200V ， IC = 1.0A ， IB1 = 100mA时RL = 200Ω -
-
ts
VCC = 200V ， IC = 1.0A ， IB1 = IB2 =百毫安
-
-
tf
VCC = 200V ， IC = 1.0A ， IB1 = IB2 =百毫安
-
-
350
-
是/ B
VCE=100V
2N3584
最小最大
-
-
-
1.0
-
-
-
-
-
3.0
-
5.0
-
0.5
250
-
-
0.75
-
1.4
-
1.4
40
-
-
-
8.0 80
25 100
10
-
-
120
-
-
-
3.0
-
4.0
-
3.0
350
-
2N3585
最小最大
-
-
-
-
-
1.0
-
-
-
3.0
-
5.0
-
0.5
300
-
-
0.75
-
1.4
-
1.4
40
-
-
-
8.0 80
25 100
10
-
-
120
-
-
-
3.0
-
4.0
-
3.0
350
-
单位
mA
mA
mA
mA
mA
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V
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兆赫
pF
μs
μs
μs
mA
R2 （ 2011年22月）
2N3583
2N3584
2N3585
NPN硅晶体管
TO- 66案例 - 机械外形
标记：
全部型号
R2 （ 2011年22月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
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