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2N3507A
硅NPN晶体管
D上TA秒H E E吨
描述
Semicoa提供:
筛选和处理符合MIL -PRF- 19500
附录E
JAN级( 2N3507AJ )
JANTX级别( 2N3507AJX )
JANTXV级( 2N3507AJV )
JANS级( 2N3507AJS )
QCI适用的级别
每MIL -STD- 750方法100 %模目视检查
2072年的JANTXV和JANS
辐射测试(总剂量)要求
应用
通用开关晶体管
低功耗
NPN硅晶体管
特点
密封TO- 39金属罐
在芯片配置也可
芯片几何尺寸1506
参考文献:
MIL-PRF-19500/349
好处
请联系Semicoa的特殊配置
www.SEMICOA.com或( 714 ) 979-1900
资质等级: JAN , JANTX ,
JANTXV和JANS
辐射测试可用
T
C
= 25 ° C除非另有说明
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流,连续
功耗,T
A
= 25
O
C
线性降额超过25
O
C
功耗,T
C
= 25
O
C
线性降额超过25
O
C
热阻
工作结温
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
P
T
等级
50
80
5
3
1
5.71
5
28.6
175
-65到+200
单位
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
R
θJA
T
J
T
英镑
2007
英文内容
Semicoa
麦考密克333大道,加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ,传真714.557.4541
第1页2
www.SEMICOA.com
2N3507A
硅NPN晶体管
D上TA秒H E E吨
电气特性
在T规定的特性
A
= 25°C
开关特性
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CEX1
I
CEX2
测试条件
I
C
= 100
A
I
C
= 10毫安
I
E
= 10
A
V
CE
= 60伏特,V
EB
= 4伏
V
CE
= 60伏特,V
EB
= 4伏,
T
A
= 150°C
80
50
5
1
1.5
典型值
最大
单位
A
mA
基本特征
参数
符号
h
FE1
h
FE2
h
FE3
h
FE4
h
FE5
V
BEsat1
V
BEsat2
V
BEsat3
V
CEsat1
V
CEsat2
V
CEsat3
测试条件
I
C
= 500毫安, V
CE
= 1伏特
I
C
= 1.5 A,V
CE
- 2伏
I
C
= 2.5 A,V
CE
= 3伏
I
C
= 3.0 A,V
CE
= 5伏
I
C
= 500毫安, V
CE
- 2伏
T
A
= -55°C
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
I
C
= 1.5 A,I
B
= 150毫安
I
C
= 2.5 A,I
B
= 250毫安
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
I
C
= 1.5 A,I
B
= 150毫安
I
C
= 2.5 A,I
B
= 250毫安
脉冲测试:脉冲宽度= 300
s,
占空比
2.0%
直流电流增益
35
30
25
20
17
典型值
最大
175
150
单位
基射极饱和电压
0.8
集电极 - 发射极饱和电压
1.0
1.3
2.0
0.5
1.0
1.5
动态特性
参数
震级 - 共发射极,短
电路正向电流传输比
开路输出电容
开路输入电容
延迟时间
上升时间
符号
|h
FE
|
C
敖包
C
IBO
t
d
t
r
测试条件
V
CE
= 5伏,我
C
= 100毫安,
F = 20MHz的
V
CB
= 10伏,我
E
= 0 mA时,
100千赫< F < 1兆赫
V
EB
= 3伏,我
C
= 0 mA时,
100千赫< F < 1兆赫
I
C
= 1.5 A,I
B1
= 150毫安
I
C
= 1.5 A,I
B1
= 150毫安
3
典型值
最大
15
40
300
15
30
pF
pF
ns
ns
单位
开关特性
贮存时间
下降时间
t
s
t
f
I
C
= 1.5 A,I
B1
=I
B2
= 150毫安
I
C
= 1.5 A,I
B1
=I
B2
= 150毫安
55
35
ns
ns
2007
英文内容
Semicoa
麦考密克333大道,加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ,传真714.557.4541
第2页2
www.SEMICOA.com
技术数据表
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 620-2600 /传真: ( 978 ) 689-0803
网址:http : //www.microsemi.com
NPN型中功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-三百四十九分之一万九千五
器件
水平
2N3506
2N3506A
2N3506L
2N3506AL
2N3507
2N3507A
2N3507L
2N3507AL
JAN
JANTX
JANTXV
绝对最大额定值(T
C
= + 25 ° C除非另有说明)
参数/测试条件
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
@ T
A
= 25°C
(1)
@ T
C
= 25°C
(2)
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
T
op
, T
英镑
2N3506
40
60
5.0
3.0
1.0
5.0
-65到+200
2N3507
50
80
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
W
°C
TO-5 (L-版本)
线性降额5.71毫瓦/°C,对于T
A
> + 25°C
线性降额55.5毫瓦/°C,对于T
C
> + 25°C
工作&存储温度范围
注意:
1)
2)
电气特性
(T
A
= + 25℃ ,除非另有说明)
参数/测试条件
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10mAdc
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 40VDC
V
CE
= 60V直流
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100μAdc
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10μAdc
基本特征
(3)
正向电流传输比
I
C
= 500mAdc ,V
CE
= 1VDC
正向电流传输比
I
C
= 1.5Adc ,V
CE
= 2VDC
正向电流传输比
I
C
= 2.5Adc ,V
CE
=有3Vdc
T4 - LDS -0016修订版1( 072040 )
2N3506
2N3507
2N3506
2N3507
2N3506
2N3507
h
FE
h
FE
h
FE
50
35
40
30
30
25
第1页2
250
175
200
150
2N3506
2N3507
2N3506
2N3507
V
( BR ) CEO
40
50
1.0
1.0
60
80
5
VDC
符号
分钟。
马克斯。
单位
I
CEX
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
μAdc
VDC
VDC
TO- 39 ( TO- 205 -AD )
技术数据表
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 620-2600 /传真: ( 978 ) 689-0803
网址:http : //www.microsemi.com
NPN型中功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-三百四十九分之一万九千五
电气特性
(T
A
= + 25 ℃,除非另有说明) (续)
参数/测试条件
基本特征
(3)
正向电流传输比
I
C
= 3.0Adc ,V
CE
= 5V直流
正向电流传输比
I
C
= 500mAdc ,V
CE
= 1.0VDC
正向电流传输比
I
C
= 500mAdc ,V
CE
= 2VDC
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 500mAdc ,我
B
= 50mAdc
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 1.5Adc ,我
B
= 150mAdc
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 2.5Adc ,我
B
= 250mAdc
基射极饱和电压
I
C
= 500mAdc ,我
B
= 50mAdc
基射极饱和电压
I
C
= 1.5Adc ,我
B
= 150mAdc
基射极饱和电压
I
C
= 2.5Adc ,我
B
= 250mAdc
动态特性
参数/测试条件
共发射小信号短路幅度
正向电流传输比
I
C
= 100mAdc ,V
CE
= 5V直流, F = 20MHz的
输出电容
V
CB
= 10Vdc的,我
E
= 0时,在100kHz
f
1.0MHz
输入电容
V
EB
= 3.0VDC ,我
C
= 0时,在100kHz
f
1.0MHz
开关特性( 4 )
参数/测试条件
延迟时间
I
C
= 1.5Adc ,我
B1
= 150mAdc
冲洗时间
I
C
= 1.5Adc ,我
B1
= 150mAdc
贮存时间
I
C
= 1.5Adc ,我
B1
= I
B2
= 150mAdc
下降时间
I
C
= 1.5Adc ,我
B1
= I
B2
= 150mAdc
( 3 )脉冲测试:脉冲宽度= 300μS ,占空比
2.0%.
( 4 )咨询MIL -PRF-三百四十九分之一万九千五对于其他Infornation 。
T4 - LDS -0016修订版1( 072040 )
符号
t
d
t
r
t
s
t
f
分钟。
马克斯。
15
30
55
35
单位
ns
ns
ns
ns
符号
|h
fe
|
分钟。
3.0
马克斯。
15
单位
2N3506
2N3507
2N3506
2N3507
2N3506A
2N3507A
h
FE
h
FE
h
FE
V
CE ( SAT )
V
CE ( SAT )
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE ( SAT )
0.8
25
20
25
17
25
17
0.5
1.0
1.5
1.0
1.3
2.0
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
符号
分钟。
马克斯。
单位
C
敖包
C
IBO
40
300
pF
pF
第2页2
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2N3507A
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
2N3507A
Microchip Technology
24+
10000
TO-39(TO-205AD)
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
2N3507A
Microchip Technology
24+
10000
TO-39(TO-205AD)
全新原装现货,原厂代理。
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电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
2N3507A
MOT
2024
4900
CAN/TO-3
原装现货上海库存,欢迎查询
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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