2N3506
硅NPN晶体管
数据表
描述
Semicoa半导体提供：
筛选和处理符合MIL -PRF- 19500
附录E
JAN级（ 2N3506J ）
JANTX级别（ 2N3506JX ）
JANTXV级（ 2N3506JV ）
JANS级（ 2N3506JS ）
QCI适用的级别
每MIL -STD- 750方法100 ％模目视检查
2072年的JANTXV和JANS
辐射测试（总剂量）要求
应用
通用开关晶体管
低功耗
NPN硅晶体管
特点
密封TO- 39金属罐
在芯片配置也可
芯片几何尺寸1506
参考文献：
MIL-PRF-19500/349
好处
请联系Semicoa的特殊配置
www.SEMICOA.com或（ 714 ） 979-1900
资质等级： JAN ， JANTX ，
JANTXV和JANS
辐射测试可用
T
C
= 25 ° C除非另有说明
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流，连续
功耗，T
A
= 25
O
C
线性降额超过25
O
C
功耗，T
C
= 25
O
C
线性降额超过25
O
C
热阻
工作结温
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
P
T
等级
40
60
5
3
1
5.71
5
28.6
175
-65到+200
-65到+200
单位
伏
伏
伏
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
R
θJA
T
J
T
英镑
Copyright 2002年
英文内容
Semicoa半导体公司
麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541
第1页2
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2N3506
硅NPN晶体管
数据表
电气特性
在T规定的特性
A
= 25°C
开关特性
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
基本特征
参数
符号
h
FE1
h
FE2
h
FE3
h
FE4
h
FE5
V
BEsat1
V
BEsat2
V
BEsat3
V
CEsat1
V
CEsat2
V
CEsat3
符号
|h
FE
|
C
敖包
C
IBO
t
d
t
r
t
s
t
f
测试条件
I
C
= 500毫安， V
CE
= 1伏特
I
C
= 1.5 A，V
CE
- 2伏
I
C
= 2.5 A，V
CE
= 3伏
I
C
= 3.0 A，V
CE
= 5伏
I
C
= 500毫安， V
CE
= 1伏特
T
A
= -55°C
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 1.5 A，I
B
= 150毫安
I
C
= 2.5 A，I
B
= 250毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 1.5 A，I
B
= 150毫安
I
C
= 2.5 A，I
B
= 250毫安
测试条件
V
CE
= 5伏，我
C
= 100毫安，
F = 20MHz的
V
CB
= 10伏，我
E
= 0 mA时，
100千赫< F < 1兆赫
V
EB
= 3伏，我
C
= 0 mA时，
100千赫< F < 1兆赫
I
C
= 1.5 A，I
B1
= 150毫安
I
C
= 1.5 A，I
B1
= 150毫安
I
C
= 1.5 A，I
B1
=I
B2
= 150毫安
I
C
= 1.5 A，I
B1
=I
B2
= 150毫安
民
50
40
30
25
25
典型值
最大
250
200
单位
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CEX1
I
CEX2
测试条件
I
C
= 100
A
I
C
= 10毫安
I
E
= 10
A
V
CE
= 40伏，V
EB
= 4伏
V
CE
= 40伏，V
EB
= 4伏，
T
A
= 150°C
民
60
40
5
1
1.5
典型值
最大
单位
伏
伏
伏
A
mA
直流电流增益
基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
动态特性
参数
震级 - 共发射极，短
电路正向电流传输比
开路输出电容
开路输入电容
延迟时间
上升时间
开关特性
贮存时间
下降时间
0.8
0.5
1.0
1.5
1.0
1.3
2.0
伏
伏
民
3
典型值
最大
15
40
300
15
30
单位
pF
pF
ns
ns
55
35
ns
ns
Copyright 2002年
英文内容
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