技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
NPN型中功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-三百四十九分之一万九千五
器件
水平
2N3506
2N3506A
2N3506L
2N3506AL
2N3507
2N3507A
2N3507L
2N3507AL
JAN
JANTX
JANTXV
绝对最大额定值（T
C
= + 25 ° C除非另有说明）
参数/测试条件
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
@ T
A
= 25°C
(1)
@ T
C
= 25°C
(2)
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
T
op
, T
英镑
2N3506
40
60
5.0
3.0
1.0
5.0
-65到+200
2N3507
50
80
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
W
°C
TO-5 （L-版本）
线性降额5.71毫瓦/°C，对于T
A
> + 25°C
线性降额55.5毫瓦/°C，对于T
C
> + 25°C
工作&存储温度范围
注意：
1)
2)
电气特性
(T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
参数/测试条件
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10mAdc
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 40VDC
V
CE
= 60V直流
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100μAdc
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10μAdc
基本特征
(3)
正向电流传输比
I
C
= 500mAdc ，V
CE
= 1VDC
正向电流传输比
I
C
= 1.5Adc ，V
CE
= 2VDC
正向电流传输比
I
C
= 2.5Adc ，V
CE
=有3Vdc
T4 - LDS -0016修订版1（ 072040 ）
2N3506
2N3507
2N3506
2N3507
2N3506
2N3507
h
FE
h
FE
h
FE
50
35
40
30
30
25
第1页2
250
175
200
150
2N3506
2N3507
2N3506
2N3507
V
（ BR ） CEO
40
50
1.0
1.0
60
80
5
VDC
符号
分钟。
马克斯。
单位
I
CEX
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
μAdc
VDC
VDC
TO- 39 （ TO- 205 -AD ）
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
NPN型中功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-三百四十九分之一万九千五
电气特性
(T
A
= + 25 ℃，除非另有说明） （续）
参数/测试条件
基本特征
(3)
正向电流传输比
I
C
= 3.0Adc ，V
CE
= 5V直流
正向电流传输比
I
C
= 500mAdc ，V
CE
= 1.0VDC
正向电流传输比
I
C
= 500mAdc ，V
CE
= 2VDC
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 500mAdc ，我
B
= 50mAdc
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 1.5Adc ，我
B
= 150mAdc
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 2.5Adc ，我
B
= 250mAdc
基射极饱和电压
I
C
= 500mAdc ，我
B
= 50mAdc
基射极饱和电压
I
C
= 1.5Adc ，我
B
= 150mAdc
基射极饱和电压
I
C
= 2.5Adc ，我
B
= 250mAdc
动态特性
参数/测试条件
共发射小信号短路幅度
正向电流传输比
I
C
= 100mAdc ，V
CE
= 5V直流， F = 20MHz的
输出电容
V
CB
= 10Vdc的，我
E
= 0时，在100kHz
≤
f
≤
1.0MHz
输入电容
V
EB
= 3.0VDC ，我
C
= 0时，在100kHz
≤
f
≤
1.0MHz
开关特性（ 4 ）
参数/测试条件
延迟时间
I
C
= 1.5Adc ，我
B1
= 150mAdc
冲洗时间
I
C
= 1.5Adc ，我
B1
= 150mAdc
贮存时间
I
C
= 1.5Adc ，我
B1
= I
B2
= 150mAdc
下降时间
I
C
= 1.5Adc ，我
B1
= I
B2
= 150mAdc
（ 3 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比
≤
2.0%.
（ 4 ）咨询MIL -PRF-三百四十九分之一万九千五对于其他Infornation 。
T4 - LDS -0016修订版1（ 072040 ）
符号
t
d
t
r
t
s
t
f
分钟。
马克斯。
15
30
55
35
单位
ns
ns
ns
ns
符号
|h
fe
|
分钟。
3.0
马克斯。
15
单位
2N3506
2N3507
2N3506
2N3507
2N3506A
2N3507A
h
FE
h
FE
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
0.8
25
20
25
17
25
17
0.5
1.0
1.5
1.0
1.3
2.0
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
符号
分钟。
马克斯。
单位
C
敖包
C
IBO
40
300
pF
pF
第2页2
2N3506
硅NPN晶体管
数据表
描述
Semicoa半导体提供：
筛选和处理符合MIL -PRF- 19500
附录E
JAN级（ 2N3506J ）
JANTX级别（ 2N3506JX ）
JANTXV级（ 2N3506JV ）
JANS级（ 2N3506JS ）
QCI适用的级别
每MIL -STD- 750方法100 ％模目视检查
2072年的JANTXV和JANS
辐射测试（总剂量）要求
应用
通用开关晶体管
低功耗
NPN硅晶体管
特点
密封TO- 39金属罐
在芯片配置也可
芯片几何尺寸1506
参考文献：
MIL-PRF-19500/349
好处
请联系Semicoa的特殊配置
www.SEMICOA.com或（ 714 ） 979-1900
资质等级： JAN ， JANTX ，
JANTXV和JANS
辐射测试可用
T
C
= 25 ° C除非另有说明
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流，连续
功耗，T
A
= 25
O
C
线性降额超过25
O
C
功耗，T
C
= 25
O
C
线性降额超过25
O
C
热阻
工作结温
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
P
T
等级
40
60
5
3
1
5.71
5
28.6
175
-65到+200
-65到+200
单位
伏
伏
伏
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
R
θJA
T
J
T
英镑
Copyright 2002年
英文内容
Semicoa半导体公司
麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541
第1页2
www.SEMICOA.com
2N3506
硅NPN晶体管
数据表
电气特性
在T规定的特性
A
= 25°C
开关特性
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
基本特征
参数
符号
h
FE1
h
FE2
h
FE3
h
FE4
h
FE5
V
BEsat1
V
BEsat2
V
BEsat3
V
CEsat1
V
CEsat2
V
CEsat3
符号
|h
FE
|
C
敖包
C
IBO
t
d
t
r
t
s
t
f
测试条件
I
C
= 500毫安， V
CE
= 1伏特
I
C
= 1.5 A，V
CE
- 2伏
I
C
= 2.5 A，V
CE
= 3伏
I
C
= 3.0 A，V
CE
= 5伏
I
C
= 500毫安， V
CE
= 1伏特
T
A
= -55°C
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 1.5 A，I
B
= 150毫安
I
C
= 2.5 A，I
B
= 250毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 1.5 A，I
B
= 150毫安
I
C
= 2.5 A，I
B
= 250毫安
测试条件
V
CE
= 5伏，我
C
= 100毫安，
F = 20MHz的
V
CB
= 10伏，我
E
= 0 mA时，
100千赫< F < 1兆赫
V
EB
= 3伏，我
C
= 0 mA时，
100千赫< F < 1兆赫
I
C
= 1.5 A，I
B1
= 150毫安
I
C
= 1.5 A，I
B1
= 150毫安
I
C
= 1.5 A，I
B1
=I
B2
= 150毫安
I
C
= 1.5 A，I
B1
=I
B2
= 150毫安
民
50
40
30
25
25
典型值
最大
250
200
单位
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CEX1
I
CEX2
测试条件
I
C
= 100
A
I
C
= 10毫安
I
E
= 10
A
V
CE
= 40伏，V
EB
= 4伏
V
CE
= 40伏，V
EB
= 4伏，
T
A
= 150°C
民
60
40
5
1
1.5
典型值
最大
单位
伏
伏
伏
A
mA
直流电流增益
基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
动态特性
参数
震级 - 共发射极，短
电路正向电流传输比
开路输出电容
开路输入电容
延迟时间
上升时间
开关特性
贮存时间
下降时间
0.8
0.5
1.0
1.5
1.0
1.3
2.0
伏
伏
民
3
典型值
最大
15
40
300
15
30
单位
pF
pF
ns
ns
55
35
ns
ns
Copyright 2002年
英文内容
Semicoa半导体公司
麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541
第2页2
www.SEMICOA.com
小信号晶体管
TO- 39案例（续）
型号
描述
VCBO
(V)
VCEO
(V)
* VCER
VEBO
(V)
ICBO @
(A)
* ICEO
** ICES
*** ICEV
**** ICER
民
5.0
5.0
5.0
4.5
4.0
6.0
6.0
6.0
6.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
6.0
6.0
5.0
6.0
4.0
4.0
6.0
6.0
6.0
5.0
5.0
7.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
3.5
4.0
4.0
6.0
6.0
6.0
6.0
0.50
0.10
0.10
0.10
0.10
0.50
0.50
0.50
0.50
0.01**
0.01**
--
--
--
0.10
0.10
1.20
0.10
0.50
0.50
0.10
0.10
10
10
--
0.50
0.50
--
0.20
0.20
0.30
--
--
--
--
--
20*
1.00***
1.00***
0.01
--
2.00**
2.00**
60
30
30
50
90
50
50
75
75
30
50
--
--
--
100
100
500
100
60
60
30
60
40
60
--
40
60
--
40
200
200
--
--
--
--
--
28
40
60
100
--
90
110
民
20
40
25
40
40
40
100
40
100
100
100
40
30
25
50
100
25
25
40
100
75
40
25
25
40
60
60
30
20
20
25
30
20
30
30
35
10
40
30
30
40
30
40
最大
60
120
75
--
--
120
300
120
300
300
300
200
150
100
150
300
100
100
120
300
275
120
180
180
150
150
150
120
80
200
250
100
80
120
--
--
200
200
150
120
250
120
120
500
500
500
10
10
150
150
150
150
150
150
1500
1500
750
50
50
500
500
150
150
150
150
1,000
1,000
100
100
100
1,000
1,000
30
30
1,000
1,000
1,000
500
500
50
1,500
1,500
25
150
500
500
1.0
1.0
1.0
10
10
10
10
10
10
10
10
2.0
2.0
10
10
10
10
10
10
10
10
10
1.5
1.5
5.0
1.0
1.0
1.5
1.5
10
10
1.5
1.5
1.5
10
10
5.0
2.0
2.0
10
10
2.0
2.0
最大
1.20
0.30
0.36
0.30
0.35
0.60
0.60
0.40
0.40
0.40
0.40
0.5
0.5
0.70
0.50
0.50
1.20
1.20
0.50
0.50
0.40
0.40
0.75
0.75
0.22
0.20
0.40
0.50
0.50
1.00
5.00
0.90
0.90
0.50
0.50
0.50
1.00
0.75
0.75
1.00
0.50
0.50
0.50
1,000
150
150
10
10
300
300
150
150
150
150
500
500
750
50
50
500
500
150
150
150
150
1,000
1,000
100
100
300
500
500
30
10
1,000
1,000
500
200
500
100
1,500
1,500
25
150
1,000
1,000
VCB
(V)
的hFE
@ IC @ VCE VCE （ SAT ） @ IC
（毫安） （V ）
(V)
（MA ）
fT
（兆赫）
* TYP
COB
（PF ）
* TYP
吨
（纳秒）
花花公子
（纳秒）
NF
（ dB）的
* TYP
* TYP * TYP
民
2N3444
2N3467
2N3468
2N3494
2N3495
2N3498
2N3499
2N3500
2N3501
2N3502
2N3503
2N3506
2N3507
2N3554
2N3634
2N3635
2N3660
2N3661
2N3665
2N3666
2N3671
2N3678
2N3719
2N3720
2N3722
NPN核心驱动力
PNP核心驱动力
PNP核心驱动力
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN高压
NPN高压
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN核心驱动力
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN核心驱动力
80
40
50
80
120
100
100
150
150
45
60
60
80
60
140
140
40
60
120
120
60
75
40
60
60
50
80
50
75
300
300
40
60
40
80
70
55
40
60
150
70
100
120
民
50
40
50
80
120
100
100
150
150
45
60
40
50
30
140
140
30
50
80
80
50
55
40
60
60
30
50
30
50
300
300
40
60
40
50
40
30
40
60
150
50
80
100
民
150
175
150
200
150
150
150
150
150
200
200
60
60
150
150
200
30
30
60
60
200
250
60
60
300
300
300
300
250
30
30
180
150
180
200
200
500
60
60
40
60
40
40
最大
12
25
25
7.0
6.0
10
10
8.0
8.0
8.0
8.0
40
40
25
10
10
275
275
12
12
9.0
8.0
120
120
10
12
10
9.0
9.0
6.0
15
15
15
15
12
12
3.0
120
120
3.5
12
60
60
MAX MAX
50
40
40
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
50
400
400
--
--
--
--
--
--
--
--
50
35
35
48
48
--
--
45
45
45
60
60
--
100
100
--
--
--
--
70
90
90
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
105
600
600
--
--
--
--
--
--
--
--
100
60
60
60
60
--
--
105
105
115
70
70
--
400
400
--
--
--
--
最大
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
3.0
3.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
2N3724A
NPN核心驱动力
2N3725A
NPN核心驱动力
2N3734
2N3735
2N3742
2N3743
2N3762
2N3763
2N3764
2N3830
2N3831
2N3866
2N3867
2N3868
2N3923
2N3945
2N4000
2N4001
NPN核心驱动力
NPN核心驱动力
NPN高压
PNP高压
PNP核心驱动力
PNP核心驱动力
PNP核心驱动力
NPN核心驱动力
NPN核心驱动力
NPN VHF / UHF OSC
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
62
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
数据表号2C3506
芯片型号2C3506
几何1506
极性NPN
通用封装器件：
2N3506, 2N3507
芯片型号
2C3506
通过Semicoa半自动
导体提供了性能
类似于这些设备。
型号：
产品简介：
应用范围：
专为高电流
租金，高速饱和开关和
核心驱动的应用程序。
产品特点：
高电流和高的速度能力
2N3506 ， 2N3506L ， 2N3507 ， 2N3507L
机械的特定网络阳离子
金属化
焊盘尺寸
模具厚度
芯片面积
顶面
顶部
背面
辐射源
BASE
艾尔 - 嘉22分钟。
金 - 6.5 KA NOM 。
9.0密耳X 6.0密耳
7.0密耳X 11.0密耳
8密耳的名义
60密耳×60密耳
SILOX钝化
电气特性
T
A
= 25
o
C
参数
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
测试条件
I
C
= 10 mA时，我
B
= 0
I
C
= 100 A ，我
E
= 0
I
E
= 10 μA ，我
C
= 0
民
40
60
5.0
最大
---
---
---
单位
V DC
V DC
V DC
h
FE
I
C
= 500 mA dc直流电，V
CE
= 1.0 V
50
---
---
由于探针测试的限制，只有直流参数进行测试。这是一定要做脉冲宽度小于
超过300微秒，比2 ％的占空比少。
数据表号2N3506
型号2N3506
几何
1506
极性NPN
QUAL等级： JAN - JANTXV
产品特点：
通用硅晶体管
用于开关和放大器应用程序
阳离子。
装在
TO-39
情况。
还采用芯片形式提供
该
1506
芯片的几何形状。
显示的最小和最大限值
每
MIL-PRF-19500/349
哪
Semicoa满足于所有情况。
通用型号：
2N3506
REF ： MIL -PRF-三百四十九分之一万九千五
TO-39
最大额定值
T
C
= 25℃ ，除非另有规定
o
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流，连续
功耗，T
A
= 25
o
C
减免上述25
o
C
工作结温
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
等级
40
60
5.0
3.0
1.0
5.71
单位
V
V
V
A
W
毫瓦/
o
C
o
T
J
T
英镑
-65到+200
-65到+200
C
C
o
QQ：2880707522 复制
