2N3501
电气参数（T
A
@ 25 ° C除非另有说明）
°
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ）
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
μAdc ，
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10
μAdc ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 75 VDC ，我
E
= 0)
o
(V
CB
= 75 VDC ，我
E
= 0, T
A
= 150 C)
发射Cuto FF电流
(V
EB （O FF ）
= 4.0伏，我
C
= 0)
直流电流增益
(I
C
= 0.1 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10伏）（1）
(I
C
= 150 MADC ，V
CE
= 10伏）（1）
(I
c
= 150 MADC ，V
CE = 10V直流） @ 55℃
(I
C
= 300 MADC ，V
CE
= 10伏）（1）
集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 1.0 MADC ）
(I
C
= 150 MADC ，我
B
= 15 MADC ）
基射极饱和电压（ 1 ）
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 1.0 MADC ）
(I
C
= 150 MADC ，我
B
= 15 MADC ）
共发射极小信号短路正向电流的大小
传输比
(V
CE
= 20伏直流，我
C
= 20 MADC ， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0时，在100kHz < F < 1MHz的）
输入电容
(V
EB
= 0.5伏，我
C
= 0时，在100kHz < F < 100MHz的）
小-Signal电流增益
(I
c
= 10mAdc ，V
CE
= 10V直流， F = 1.0千赫）
噪声系数
(V
CE
= 10V直流
,
I
C
= 0.5mAdc ;
g
= 1kohms ， F = 1MHz的）
噪声系数
( V
CE
= 10Vdc的，我
C
= 0.5mAdc ;
g
= 1kohms ， F = 1MHz的）
打开 - 打开时间
( V
EB
= 12VDC，我
C
= 150mAdc ，我
B1
= 15mAdc ）
打开 - 关闭时间
( I
C
= 150mAdc ，我
B1
= I
B2
= -15mAdc ）
符号
BV
首席执行官
150
BV
CBO
150
BV
EBO
6.0
I
CBO
--
--
I
EBO
--
h
FE
35
50
75
100
45
20
V
CE （ SAT ）
--
--
V
BE （ SAT ）
--
--
/h
fe
/
1.5
--
--
--
0.8
1.2
8
--
pf
--
C
IBO
--
h
fe
75
NF
NF
t
on
t
关闭
--
300
16
6
115
1150
dB
dB
nS
nS
--
80
--
8.0
pf
--
--
0.2
0.4
VDC
--
--
--
--
--
--
--
--
--
300
--
--
VDC
--
25
--
--
--
0.05
50
NADC
--
--
μAdc
--
--
VDC
--
--
VDC
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
VDC
C
敖包
(1)
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300毫秒，占空比
≤
2.0%
数据表＃ MSC0282A 97年5月19日
2N3501
硅NPN晶体管
D上TA秒H E E吨
描述
Semicoa半导体提供：
筛选和处理符合MIL -PRF- 19500
附录E
JAN级（ 2N3501J ）
JANTX级别（ 2N3501JX ）
JANTXV级（ 2N3501JV ）
JANS级（ 2N3501JS ）
QCI适用的级别
每MIL -STD- 750方法100 ％模目视检查
2072年的JANTXV和JANS
辐射测试（总剂量）要求
应用
通用
低功耗
NPN硅晶体管
特点
密封TO- 39金属罐
在芯片配置也可
芯片几何尺寸5620
参考文献：
MIL-PRF-19500/366
好处
请联系Semicoa的特殊配置
www.SEMICOA.com或（ 714 ） 979-1900
资质等级： JAN ， JANTX ，
JANTXV和JANS
辐射测试可用
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流，连续
功耗，T
A
= 25
O
C
线性降额超过25
O
C
热阻
工作结温
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
T
C
= 25 ° C除非另有说明
等级
150
150
6
300
1
5.71
175
-65到+200
-65到+200
单位
伏
伏
伏
mA
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
R
θJA
T
J
T
英镑
版权所有2004
牧师H.2
Semicoa
麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541
第1页2
www.SEMICOA.com
2N3501
硅NPN晶体管
D上TA秒H E E吨
电气特性
在T规定的特性
A
= 25°C
开关特性
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射基截止电流
符号
V
（ BR ） CEO
I
CBO1
I
CBO2
I
CBO3
I
首席执行官
I
EBO1
I
EBO2
测试条件
I
C
= 10毫安
V
CB
- 150伏
V
CB
= 75伏特
V
CB
= 75伏特，T
A
= 150°C
V
CE
= 120伏
V
EB
= 6伏
V
EB
= 4伏
民
150
10
50
50
1
10
25
典型值
最大
单位
伏
A
nA
A
A
A
nA
基本特征
参数
符号
h
FE1
h
FE2
h
FE3
h
FE4
h
FE5
h
FE7
V
BEsat1
V
BEsat2
V
CEsat1
V
CEsat2
脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
≤
2.0%
直流电流增益
基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
测试条件
I
C
= 0.1毫安， V
CE
= 10伏
I
C
= 1.0毫安， V
CE
= 10伏
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10伏
I
C
= 1500毫安， V
CE
= 10伏
I
C
= 300毫安， V
CE
= 10伏
I
C
= 150毫安， V
CE
= 10伏
T
A
= -55°C
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1毫安
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1毫安
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
民
35
50
75
100
20
45
典型值
最大
单位
300
0.8
1.2
0.2
0.4
伏
伏
动态特性
参数
震级 - 共发射极，短
电路正向电流传输比
小信号短路正向
电流传输比
开路输出电容
开路输入电容
符号
|h
FE
|
h
FE
C
敖包
C
IBO
NF
1
噪声系数
NF
2
测试条件
V
CE
= 20伏，我
C
= 20毫安，
F = 100 MHz的
V
CE
= 10伏，我
C
= 10毫安，
F = 1千赫
V
CB
= 10伏，我
E
= 0 mA时，
100千赫< F < 1兆赫
V
EB
= 0.5伏特，我
C
= 0 mA时，
100千赫< F < 1兆赫
V
CE
= 10伏，我
C
= 0.5毫安，
F = 1千赫，R
g
= 1 k
V
CE
= 10伏，我
C
= 0.5毫安，
F = 10千赫，R
g
= 1 k
V
EB
= 5伏，我
C
= 150毫安，
I
B1
= 15毫安
I
C
= 150毫安，我
B1
=I
B2
?? 15毫安
民
1.5
75
典型值
最大
8
375
8
80
16
dB
6
pF
pF
单位
开关特性
饱和导通时间
饱和的关断时间
t
ON
t
关闭
115
1,150
ns
ns
版权所有2004
牧师H.2
Semicoa
麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541
第2页2
www.SEMICOA.com
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
抗辐射
硅NPN开关晶体管
每个合格的MIL -PRF- 366分之19500
器件
水平
2N3498
2N3498L
2N3499
2N3499L
2N3500
2N3500L
2N3501
2N3501L
2N3501UB
JANSM - 3K拉德（SI ）
JANSD - 10K拉德（SI ）
JANSP - 30K拉德（SI ）
JANSL - 50K拉德（SI ）
JANSR - 100K拉德（SI ）
绝对最大额定值
(T
C
= + 25 ° C除非另有说明）
参数/测试条件
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
@ T
A
= +25°C
@ T
C
= +25°C
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
T
J
, T
英镑
2N3498* 2N3501*
2N3499* 2N3501*
100
100
6.0
500
1.0
5.0
-65到+200
150
150
6.0
300
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
W
W
°C
操作&存储结温范围
TO-5*
2N3498L ， 2N3499L
2N2500L ， 2N3501L
热特性
参数/测试条件
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
符号
R
θJC
R
θJA
马克斯。
30
175
单位
° C / W
° C / W
*为“L”的后缀器件的电气特性都是相同的“非L”的
相应的设备。
1.线性降额5.71 W / ℃，对于T
A
> 25℃
2.线性降额28.6 W / ℃，对于T
C
> 25℃
电气特性
(T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
参数/测试条件
关CHARACTERTICS
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10mAdc
2N3498, 2N3499
2N3500, 2N3501
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 50VDC
2N3498, 2N3499
V
CB
= 75VDC
2N3500, 2N3501
V
CB
= 100V直流
2N3498, 2N3499
V
CB
= 150VDC
2N3500, 2N3501
V
（ BR ） CEO
100
150
50
50
10
10
VDC
μAdc
μAdc
μAdc
μAdc
TO- 39 * （ TO- 205AD ）
2N3498, 2N3499
2N3500, 2N3501
单位
符号
分钟。
马克斯。
I
CBO
3针
2N3501UB
T4 - LDS -0056修订版1（ 080812 ）
第1页3
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
抗辐射
硅NPN开关晶体管
每个合格的MIL -PRF- 366分之19500
电气特性
(T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
参数/测试条件
开关特性
发射基截止电流
V
EB
= 4.0Vdc
V
EB
= 6.0VDC
基本特征
(3)
正向电流传输比
I
C
= 0.1mAdc ，V
CE
= 10V直流
I
C
= 1.0mAdc ，V
CE
= 10V直流
2N3498, 2N3500
2N3499, 2N3501
2N3498, 2N3500
2N3499, 2N3501
2N3498, 2N3500
2N3499, 2N3501
2N3498, 2N3500
2N3499, 2N3501
2N3500
2N3501
2N3498
2N3499
所有类型
2N3498, 3N3499
2N3500, 2N3501
所有类型
2N3498, 3N3499
2N3500, 2N3501
V
CE （ SAT ）
20
35
25
50
35
75
40
100
15
20
15
20
0.2
0.6
0.4
0.8
1.4
1.2
VDC
120
300
I
EBO
符号
分钟。
马克斯。
单位
25
10
μAdc
μAdc
I
C
= 10mAdc ，V
CE
= 10V直流
h
FE
I
C
= 150mAdc ，V
CE
= 10V直流
I
C
= 300mAdc ，V
CE
= 10V直流
I
C
= 500mAdc ，V
CE
= 10V直流
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 10mAdc ，我
B
= 1.0mAdc
I
C
= 300mAdc ，我
B
= 30mAdc
I
C
= 150mAdc ，我
B
= 15mAdc
基射极饱和电压
I
C
= 10mAdc ，我
B
= 1.0mAdc
I
C
= 300mAdc ，我
B
= 30mAdc
I
C
= 150mAdc ，我
B
= 15mAdc
V
BE （ SAT ）
VDC
动态特性
参数/测试条件
幅度，正向电流传输比
I
C
= 20mAdc的，V
CE
= 20VDC ， F = 100MHz的
输出电容
V
CB
= 10Vdc的，我
E
= 0时，在100kHz
≤
f
≤
1.0MHz
输入电容
V
EB
= 0.5VDC ，我
C
= 0时，在100kHz
≤
f
≤
1.0MHz
2N3498, 2N3499
2N3500, 2N3501
C
敖包
10
8.0
80
pF
pF
符号
|h
fe
|
分钟。
1.5
马克斯。
8.0
单位
C
IBO
T4 - LDS -0056修订版1（ 080812 ）
分页： 1 2 3
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
抗辐射
硅NPN开关晶体管
每个合格的MIL -PRF- 366分之19500
开关特性
参数/测试条件
开启时间
V
EB
= 5V直流;我
C
= 150mAdc ;我
B1
= 15mAdc
打开-O FF时间
I
C
= 150mAdc ;我
B1
= I
B2
= 15mAdc
安全工作区
DC测试
T
C
= + 25 ° C，T
r
≥
10ηs ; 1个周期，T = 1.0秒
测试1
V
CE
= 10Vdc的，我
C
= 500mAdc
V
CE
= 16.67Vdc ，我
C
= 300mAdc
V
CE
= 10Vdc的，我
C
= 113mAdc
测试2
V
CE
= 50V直流，我
C
= 100mAdc
V
CE
= 50V直流，我
C
= 23mAdc
测试3
V
CE
= 80VDC ，我
C
= 40mAdc
V
CE
= 80VDC ，我
C
= 14mAdc
钳位开关
T
A
= +25°C
测试1
I
B
= 85mAdc ，我
C
= 500mAdc
I
B
= 50mAdc ，我
C
= 300mAdc
2N3498, 2N3499
2N3500, 2N3501
所有类型
2N3501UB
所有类型
2N3501UB
2N3498, 2N3499
2N3500, 2N3501
2N3501UB
符号
t
on
分钟。
马克斯。
115
单位
ηs
t
关闭
1150
ηs
（ 3 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比
≤
2.0%
T4 - LDS -0056修订版1（ 080812 ）
第3页3
2N3501
机械数据
尺寸mm （英寸）
8.51 (0.34)
9.40 (0.37)
NPN硅晶体管
7.75 (0.305)
8.51 (0.335)
6.10 (0.240)
6.60 (0.260)
特点
12.70
(0.500)
分钟。
0.89
马克斯。
(0.035)
0.41 (0.016)
0.53 (0.021)
DIA 。
NPN高压平面晶体管
5.08 (0.200)
典型值。
密封TO39封装
2
1
0.74 (0.029)
1.14 (0.045)
0.71 (0.028)
0.86 (0.034)
2.54
(0.100)
3
提供全屏蔽选项
45°
TO39封装
仰视图
引脚1 - 发射极
引脚2 =管脚3 =收藏家
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
英镑
R
ja
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（I
B
= 0)
集电极电流
器件总耗散T
A
= 25 °C
减免上述25℃
储存温度
热阻结到环境
150V
150V
6V
300mA
1W
5.71mW /°C的
-65 ℃200℃
175°C/W
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
文档编号5974
第1期
2N3501
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
集电极 - 发射极击穿电压
1
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
I
C
= 10毫安
I
C
= 10A
I
E
= 10A
V
CB
= 75V
V
CB
= 75V
V
EB （O FF ）
= 4V
I
C
= 0.1毫安
I
C
= 1毫安
h
FE
直流电流增益
I
C
= 10毫安
I
C
= 150毫安
I
C
= 300毫安
I
C
= 10毫安
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极饱和电压
1
I
C
= 50毫安
I
C
= 150毫安
I
C
= 10毫安
V
BE （ SAT ）
基射极饱和电压
1
I
C
= 50毫安
I
C
= 150毫安
I
B
= 0
I
E
= 0
I
C
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
T
A
= 150
°
C
I
C
= 0
V
CE
= 10V
V
CE
= 10V
V
CE
= 10V
1
V
CE
= 10V
1
V
CE
= 10V
1
I
B
= 1毫安
I
B
= 5毫安
I
B
= 15毫安
I
B
= 1毫安
I
B
= 5毫安
I
B
= 15毫安
I
C
= 20mA下
F = 100MHz的
V
CB
= 10V
V
EB
= 0.5V
V
CE
= 10V
V
CE
= 10V
V
CE
= 10V
V
CE
= 10V
I
E
= 0
F = 1MHz的
I
C
= 0
F = 1MHz的
I
C
= 10毫安
F = 1kHz时
I
C
= 10毫安
F = 1kHz时
I
C
= 10毫安
F = 1kHz时
I
C
= 10毫安
F = 1kHz时
分钟。
150
150
6
典型值。
MAX 。 UNIT
V
0.05
50
25
A
nA
基本特征
35
50
75
100
20
0.2
0.25
0.4
0.8
0.9
1.2
V
V
300
—
小信号特性
f
T
C
敖包
C
IBO
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
电流增益带宽积
输出电容
输入电容
输入阻抗
电压反馈比例
小信号电流增益
输出导纳
2
V
CE
= 20V
150
8
兆赫
pF
80
0.25
1.25
4
375
200
x10
-4
—
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
文档编号5974
第1期
2N3501
电气特性继续
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
td
tr
ts
tf
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 150毫安
V
CC
= 100V
I
C
= 150毫安
V
CC
= 100V
I
C
= 150毫安
I
C
= 150毫安
I
B1
= 15毫安
V
EB （O FF ）
= -2V
I
B1
= 15毫安
V
EB （O FF ）
= -2V
V
CC
= 100V
V
CC
= 100V
20
35
800
80
ns
ns
ns
ns
测试条件
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
I
B1
= I
B2
= 15毫安
I
B1
= I
B2
= 15毫安
1 ）脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2 ％
2) f
t
被定义为频率在哪些| H
fe
|.f
TEST
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
文档编号5974
第1期
MCC
TM
2N3501
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
微型商业组件
NPN
双极
晶体管
特点
符合MIL -S -三百六十六分之一万九千五百
集电极 - 基极电压150V
集电极电流： 500毫安
快速开关1265纳秒
无铅涂层/符合RoHS （注1 ） （ "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
器件总功耗
o
@ T
A
= 25 C
o
减免上述25℃
器件总功耗
o
@ T
C
= 25 C
o
减免上述25℃
工作温度范围
存储温度范围
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
注意事项： 1。高低温焊料豁免应用，见欧盟指令附件7 。
150伏
500mAmps
TO- 39封装
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
马克斯。
150
150
6.0
300
1.0
5.71
P
D
5.0
28.6
-55
+200
-55
+200
175
35
瓦
o
毫瓦/ C
o
C
o
o
o
最大额定值
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
瓦
o
毫瓦/ C
T
J
T
S
R
θJA
R
θJC
C
C / W
C / W
机械概要
www.mccsemi.com
修订版：A
1第3
2011/01/01
MCC
电气参数（T
A
@ 25 ° C除非另有说明）
°
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ）
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
μAdc ，
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10
μAdc ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 75 VDC ，我
E
= 0)
o
(V
CB
= 75 VDC ，我
E
= 0, T
A
= 150 C)
发射Cuto FF电流
(V
EB （O FF ）
= 4.0伏，我
C
= 0)
直流电流增益
(I
C
= 0.1 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10伏）（1）
(I
C
= 150 MADC ，V
CE
= 10伏）（1）
(I
c
= 150 MADC ，V
CE = 10V直流） @ 55℃
(I
C
= 300 MADC ，V
CE
= 10伏）（1）
集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 1.0 MADC ）
(I
C
= 150 MADC ，我
B
= 15 MADC ）
基射极饱和电压（ 1 ）
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 1.0 MADC ）
(I
C
= 150 MADC ，我
B
= 15 MADC ）
共发射极小信号短路正向电流的大小
传输比
(V
CE
= 20伏直流，我
C
= 20 MADC ， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0时，在100kHz < F < 1MHz的）
输入电容
(V
EB
= 0.5伏，我
C
= 0时，在100kHz < F < 100MHz的）
小-Signal电流增益
(I
c
= 10mAdc ，V
CE
= 10V直流， F = 1.0千赫）
噪声系数
(V
CE
= 10V直流
,
I
C
= 0.5mAdc ;
g
= 1kohms ， F = 1MHz的）
噪声系数
( V
CE
= 10Vdc的，我
C
= 0.5mAdc ;
g
= 1kohms ， F = 1MHz的）
打开 - 打开时间
( V
EB
= 12VDC，我
C
= 150mAdc ，我
B1
= 15mAdc ）
打开 - 关闭时间
( I
C
= 150mAdc ，我
B1
= I
B2
= -15mAdc ）
符号
BV
首席执行官
150
BV
CBO
150
BV
EBO
6.0
I
CBO
--
--
--
35
50
75
100
45
20
V
CE （ SAT ）
--
--
V
BE （ SAT ）
--
--
/h
fe
/
1.5
--
--
--
0.8
1.2
8
--
pf
--
C
IBO
--
h
fe
75
NF
NF
t
on
t
关闭
--
300
16
6
115
1150
dB
dB
nS
nS
--
80
--
8.0
pf
--
--
0.2
0.4
VDC
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
0.05
50
25
--
--
--
--
300
--
--
VDC
μAdc
--
--
VDC
--
--
VDC
2N3501
TM
微型商业组件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
VDC
I
EBO
h
FE
NADC
C
敖包
(1)
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300毫秒，占空比
≤
2.0%
www.mccsemi.com
修订版：A
2 3
2011/01/01
MCC
TM
微型商业组件
订购信息：
设备
型号-BP
填料
Bulk;50pcs/Box
***重要提示***
微型商业组件公司
保留随时更改，恕不另行通知任何产品在此向右
进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件
公司。
不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;它也不
转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有
这样的使用和风险会同意举行
微型商业组件公司。
和其产品都是公司
代表我们的网站上，反对一切损害无害。
***生命支持***
未经明确的书面MCC的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
微审批商业组件公司。
***客户意识***
半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。微型商业组件（ MCC ）正在
强有力的措施保护自己和我们的客户从假冒伪劣配件泛滥。 MCC大力鼓励
客户可以直接从MCC或谁是对上市按国家授权分销商MCC MCC采购零部件
我们的网页引用
下文。
产品购买客户无论是从MCC直接或授权分销商MCC均为正品
件，具有完整的可追溯性，满足MCC的质量标准进行处理和存储。
MCC将不提供任何保修
覆盖或其他援助的零件未经授权来源购买。
MCC致力于打击这一全球
的问题，并鼓励我们的客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权
分销商。
www.mccsemi.com
修订版：A
3 3
2011/01/01
小信号晶体管
TO- 39案例（续）
型号
描述
VCBO
(V)
VCEO
(V)
* VCER
VEBO
(V)
ICBO @
(A)
* ICEO
** ICES
*** ICEV
**** ICER
民
5.0
5.0
5.0
4.5
4.0
6.0
6.0
6.0
6.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
6.0
6.0
5.0
6.0
4.0
4.0
6.0
6.0
6.0
5.0
5.0
7.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
3.5
4.0
4.0
6.0
6.0
6.0
6.0
0.50
0.10
0.10
0.10
0.10
0.50
0.50
0.50
0.50
0.01**
0.01**
--
--
--
0.10
0.10
1.20
0.10
0.50
0.50
0.10
0.10
10
10
--
0.50
0.50
--
0.20
0.20
0.30
--
--
--
--
--
20*
1.00***
1.00***
0.01
--
2.00**
2.00**
60
30
30
50
90
50
50
75
75
30
50
--
--
--
100
100
500
100
60
60
30
60
40
60
--
40
60
--
40
200
200
--
--
--
--
--
28
40
60
100
--
90
110
民
20
40
25
40
40
40
100
40
100
100
100
40
30
25
50
100
25
25
40
100
75
40
25
25
40
60
60
30
20
20
25
30
20
30
30
35
10
40
30
30
40
30
40
最大
60
120
75
--
--
120
300
120
300
300
300
200
150
100
150
300
100
100
120
300
275
120
180
180
150
150
150
120
80
200
250
100
80
120
--
--
200
200
150
120
250
120
120
500
500
500
10
10
150
150
150
150
150
150
1500
1500
750
50
50
500
500
150
150
150
150
1,000
1,000
100
100
100
1,000
1,000
30
30
1,000
1,000
1,000
500
500
50
1,500
1,500
25
150
500
500
1.0
1.0
1.0
10
10
10
10
10
10
10
10
2.0
2.0
10
10
10
10
10
10
10
10
10
1.5
1.5
5.0
1.0
1.0
1.5
1.5
10
10
1.5
1.5
1.5
10
10
5.0
2.0
2.0
10
10
2.0
2.0
最大
1.20
0.30
0.36
0.30
0.35
0.60
0.60
0.40
0.40
0.40
0.40
0.5
0.5
0.70
0.50
0.50
1.20
1.20
0.50
0.50
0.40
0.40
0.75
0.75
0.22
0.20
0.40
0.50
0.50
1.00
5.00
0.90
0.90
0.50
0.50
0.50
1.00
0.75
0.75
1.00
0.50
0.50
0.50
1,000
150
150
10
10
300
300
150
150
150
150
500
500
750
50
50
500
500
150
150
150
150
1,000
1,000
100
100
300
500
500
30
10
1,000
1,000
500
200
500
100
1,500
1,500
25
150
1,000
1,000
VCB
(V)
的hFE
@ IC @ VCE VCE （ SAT ） @ IC
（毫安） （V ）
(V)
（MA ）
fT
（兆赫）
* TYP
COB
（PF ）
* TYP
吨
（纳秒）
花花公子
（纳秒）
NF
（ dB）的
* TYP
* TYP * TYP
民
2N3444
2N3467
2N3468
2N3494
2N3495
2N3498
2N3499
2N3500
2N3501
2N3502
2N3503
2N3506
2N3507
2N3554
2N3634
2N3635
2N3660
2N3661
2N3665
2N3666
2N3671
2N3678
2N3719
2N3720
2N3722
NPN核心驱动力
PNP核心驱动力
PNP核心驱动力
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN高压
NPN高压
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN核心驱动力
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN核心驱动力
80
40
50
80
120
100
100
150
150
45
60
60
80
60
140
140
40
60
120
120
60
75
40
60
60
50
80
50
75
300
300
40
60
40
80
70
55
40
60
150
70
100
120
民
50
40
50
80
120
100
100
150
150
45
60
40
50
30
140
140
30
50
80
80
50
55
40
60
60
30
50
30
50
300
300
40
60
40
50
40
30
40
60
150
50
80
100
民
150
175
150
200
150
150
150
150
150
200
200
60
60
150
150
200
30
30
60
60
200
250
60
60
300
300
300
300
250
30
30
180
150
180
200
200
500
60
60
40
60
40
40
最大
12
25
25
7.0
6.0
10
10
8.0
8.0
8.0
8.0
40
40
25
10
10
275
275
12
12
9.0
8.0
120
120
10
12
10
9.0
9.0
6.0
15
15
15
15
12
12
3.0
120
120
3.5
12
60
60
MAX MAX
50
40
40
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
50
400
400
--
--
--
--
--
--
--
--
50
35
35
48
48
--
--
45
45
45
60
60
--
100
100
--
--
--
--
70
90
90
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
105
600
600
--
--
--
--
--
--
--
--
100
60
60
60
60
--
--
105
105
115
70
70
--
400
400
--
--
--
--
最大
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
3.0
3.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
2N3724A
NPN核心驱动力
2N3725A
NPN核心驱动力
2N3734
2N3735
2N3742
2N3743
2N3762
2N3763
2N3764
2N3830
2N3831
2N3866
2N3867
2N3868
2N3923
2N3945
2N4000
2N4001
NPN核心驱动力
NPN核心驱动力
NPN高压
PNP高压
PNP核心驱动力
PNP核心驱动力
PNP核心驱动力
NPN核心驱动力
NPN核心驱动力
NPN VHF / UHF OSC
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
62
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
技术参数
NPN硅晶体管
每个合格的MIL -PRF- 366分之19500
器件
2N3498
2N3498L
2N3499
2N3499L
2N3500
2N3500L
2N3501
2N3501L
资质等级
JAN
JANTX
JANTXV
JANS
最大额定值
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
0
(1)
2N3498
*
2N3499
*
100
100
6.0
500
2N3500
*
2N3501
*
150
150
6.0
300
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
W
W
0
C
单位
0
TO-5*
2N3498L ， 2N3499L
2N3500L ， 2N3501L
@ T
A
= 25 C
@ T
C
= 25
0
C
(2)
操作&存储结温。范围
P
T
T
J
,
T
英镑
符号
R
θ
JC
1.0
5.0
-55到+200
马克斯。
35
热特性
C / W
结到环境
175
R
θ
JA
*为“L”的后缀器件的电气特性都是相同的“非L”对应的设备
1 ）减额线性5.71 W /
0
对于T
A
＆ GT ; 25
0
C
2 ）线性降额28.6 W /
0
对于T
C
＆ GT ; 25
0
C
特征
热阻：
结到外壳
TO- 39 * （ TO- 205AD ）
2N3498, 2N3499
2N3500, 2N3501
*请参阅附录A
包装外形
电气特性（T
A
= 25
0
C除非另有说明）
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10 MADC
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 50伏直流
V
CB
= 75 VDC
V
CB
= 100 VDC
V
CB
= 150伏
发射基截止电流
V
EB
= 4.0伏
V
EB
= 6.0伏
2N3498, 2N3499
2N3500, 2N3501
2N3498, 2N3499
2N3500, 2N3501
2N3498, 2N3499
2N3500, 2N3501
V
（ BR ）
首席执行官
100
150
50
50
10
10
25
10
VDC
I
CBO
μAdc
μAdc
μAdc
μAdc
μAdc
μAdc
I
EBO
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真： （ 978 ） 689-0803
120101
第1页2
2N3498 ，L 2N3499 ，L 2N3500 ，L 2N3501 ，L- JAN系列
电气特性（续）
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
基本特征
(3)
正向电流传输比
I
C
= 0.1 MADC ，V
CE
= 10 VDC
I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC
I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC
I
C
= 150 MADC ，V
CE
= 10 VDC
I
C
= 300 MADC ，V
CE
= 10 VDC
I
C
= 500 MADC ，V
CE
= 10 VDC
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 10 MADC ，我
B
= 1.0 MADC
I
C
= 300 MADC ，我
B
= 30 MADC
I
C
= 150 MADC ，我
B
= 15 MADC
基射极饱和电压
I
C
= 10 MADC ，我
B
= 1.0 MADC
I
C
= 300 MADC ，我
B
= 30 MADC
I
C
= 150 MADC ，我
B
= 15 MADC
2N3498, 2N3500
2N3499, 2N3501
2N3498, 2N3500
2N3499, 2N3501
2N3498, 2N3500
2N3499, 2N3501
2N3498, 2N3500
2N3499, 2N3501
2N3500
2N3501
2N3498
2N3499
所有类型
2N3498, 2N349
2N3500, 2N3501
所有类型
2N3498, 2N3499
2N3500, 2N3501
h
FE
20
35
25
50
35
75
40
100
15
20
15
20
120
300
V
CE （ SAT ）
0.2
0.6
0.4
0.8
1.4
1.2
VDC
V
BE （ SAT ）
VDC
动态特性
正向电流传输比，震级
I
C
= 20 MADC ，V
CE
= 20伏， F = 100 MHz的
输出电容
V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0，100千赫
≤
f
≤
1.0兆赫
输入电容
V
EB
= 0.5伏，我
C
= 0，100千赫
≤
f
≤
1.0兆赫
h
FE-
2N3498, 2N3499
2N3500, 2N3501
C
敖包
C
IBO
1.5
8.0
10
8.0
80
pF
pF
开关特性
开启时间
V
EB
= 5 VDC ;我
C
= 150 MADC ;我
B1
=
15 MADC
打开-O FF时间
I
C
= 150 MADC ;我
B1
=
I
B2
= -
15 MADC
t
on
115
1150
ηs
ηs
t
关闭
安全工作区
DC测试
T
C
= +25
0
C，T
r
≥
10
ηs;
1个周期，T = 1.0秒
测试1
V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 500 MADC
2N3498, 2N3499
V
CE
= 16.67伏，我
C
= 300 MADC
2N3500, 2N3501
测试2
V
CE
= 50伏直流，我
C
= 100 MADC
所有类型
测试3
V
CE
= 80伏直流，我
C
= 40 MADC
所有类型
钳位开关
T
A
= +25
0
C
测试1
I
B
= 85 MADC ，我
C
= 500 MADC
2N3498, 2N3499
I
B
= 50 MADC ，我
C
= 300 MADC
2N3500, 2N3501
（ 3 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比
≤
2.0%.
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真： （ 978 ） 689-0803
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第2页2
数据表号2C3501
芯片型号2C3501
几何5620
极性NPN
通用封装器件：
2N3498, 2N3499, 2N3500,
2N3501
芯片型号
2C3501
通过Semicoa半自动
导体提供了性能
类似于这些设备。
型号：
2N3498 ， 2N3498L ， 2N3499 ， 2N3499L ， 2N3500 ，
2N3500L ， 2N3501 ， 2N3501L
产品简介：
应用范围：
专为开关
荷兰国际集团和放大器应用。
产品特点：
机械的特定网络阳离子
金属化
焊盘尺寸
模具厚度
芯片面积
顶面
顶部
背面
辐射源
BASE
艾尔 - 22.5 KA分钟。
金 - 6.5 KA NOM 。
5.0密耳直径
5.0密耳直径
8密耳的名义
30密耳×30密耳
SILOX钝化
电气特性
T
A
= 25 C
参数
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
o
测试条件
I
C
= 10.0毫安，我
B
= 0
I
C
= 10 μA ，我
E
= 0
I
E
= 10 μA ，我
C
= 0
V
CB
= 75 VC，我
E
= 0
民
150
150
6.0
---
最大
---
---
---
50
单位
V DC
V DC
V DC
nA
h
FE
I
C
= 150 mA dc直流电，V
CE
= 10.0 V
100
300
---
由于探针测试的限制，只有直流参数进行测试。这是一定要做脉冲宽度小于
超过300微秒，比2 ％的占空比少。
2N3501
电气参数（T
A
@ 25 ° C除非另有说明）
°
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ）
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
μAdc ，
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10
μAdc ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 75 VDC ，我
E
= 0)
o
(V
CB
= 75 VDC ，我
E
= 0, T
A
= 150 C)
发射Cuto FF电流
(V
EB （O FF ）
= 4.0伏，我
C
= 0)
直流电流增益
(I
C
= 0.1 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10伏）（1）
(I
C
= 150 MADC ，V
CE
= 10伏）（1）
(I
c
= 150 MADC ，V
CE = 10V直流） @ 55℃
(I
C
= 300 MADC ，V
CE
= 10伏）（1）
集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 1.0 MADC ）
(I
C
= 150 MADC ，我
B
= 15 MADC ）
基射极饱和电压（ 1 ）
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 1.0 MADC ）
(I
C
= 150 MADC ，我
B
= 15 MADC ）
共发射极小信号短路正向电流的大小
传输比
(V
CE
= 20伏直流，我
C
= 20 MADC ， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0时，在100kHz < F < 1MHz的）
输入电容
(V
EB
= 0.5伏，我
C
= 0时，在100kHz < F < 100MHz的）
小-Signal电流增益
(I
c
= 10mAdc ，V
CE
= 10V直流， F = 1.0千赫）
噪声系数
(V
CE
= 10V直流
,
I
C
= 0.5mAdc ;
g
= 1kohms ， F = 1MHz的）
噪声系数
( V
CE
= 10Vdc的，我
C
= 0.5mAdc ;
g
= 1kohms ， F = 1MHz的）
打开 - 打开时间
( V
EB
= 12VDC，我
C
= 150mAdc ，我
B1
= 15mAdc ）
打开 - 关闭时间
( I
C
= 150mAdc ，我
B1
= I
B2
= -15mAdc ）
符号
BV
首席执行官
150
BV
CBO
150
BV
EBO
6.0
I
CBO
--
--
I
EBO
--
h
FE
35
50
75
100
45
20
V
CE （ SAT ）
--
--
V
BE （ SAT ）
--
--
/h
fe
/
1.5
--
--
--
0.8
1.2
8
--
pf
--
C
IBO
--
h
fe
75
NF
NF
t
on
t
关闭
--
300
16
6
115
1150
dB
dB
nS
nS
--
80
--
8.0
pf
--
--
0.2
0.4
VDC
--
--
--
--
--
--
--
--
--
300
--
--
VDC
--
25
--
--
--
0.05
50
NADC
--
--
μAdc
--
--
VDC
--
--
VDC
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
VDC
C
敖包
(1)
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300毫秒，占空比
≤
2.0%
数据表＃ MSC0282A 97年5月19日
QQ：2880707522 复制
