2N3442
2N4347
大功率工业TRANSISTORS
NPN硅晶体管设计用于工业和商业设备,包括高应用
高保真音频放大器,串联和分流稳压器和电源开关。
低集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE ( SAT )
= 1.0伏(最大) @我
C
= 2.0 ADC - 2N4347
集电极 - 发射极电压 - 可持续
VCEO ( SUS) = 120伏直流(最小值) - 2N4347
140伏(最小) - 2N3442
优秀的第二击穿能力
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CB
V
EB
评级
#集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
价值
120
140
140
160
7.0
5.0
10
10
15 (**)
3.0
7.0
8.0
-
100
117
0.57
0.67
-65到+200
单位
V
VDC
VDC
I
C
集电极电流
PEAK
连续
ADC
I
B
基极电流
PEAK
器件总功耗
@ T
C
= 25°
减额
上述25 °
结温
储存温度
ADC
P
D
瓦
W / ℃,
°C
°C
T
J
T
S
(** )这个数据保证除了JEDEC的注册数据。
半导体COMSET
1/3
2N3442
2N4347
符号
V
BE(上)
评级
基射极电压
测试条件(S )
I
C
= 2.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
I
C
= 5.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
I
C
= 3.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
I
C
= 10位ADC ,V
CE
= 4.0伏
V
CE
= 4.0伏,我
C
= 0.5 ADC , F = 1.0
千赫
V
CE
= 4.0伏,我
C
= 2.0 ADC , F = 1.0
千赫
V
CE
= 4.0伏,我
C
= 0.5 ADC ,女
TEST
=
50千赫
V
CE
= 4.0伏,我
C
= 2.0 ADC ,女
TEST
=
40千赫
V
CE
= 67伏直流,我
C
= 1.5 ADC
V
CE
= 78伏直流,我
C
= 1.5 ADC
最小典型单位的Mx
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
-
-
-
-
40
12
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.0
3.0
1.7
5.7
-
-
72
-
千赫
2N3442
2N4347
2N3442
80
1.0
1.0
-
-
s
-
2N4347
200
VDC
h
fe
小信号电流增益
f
T
电流增益 - 带宽
产品(2)
第二击穿
集电极电流
I
S / B
(1 )脉冲宽度
≈
300
s,
占空比
∠
2.0%
(2)
f
T
= |h
fe
| * f
TEST
机械数据案例TO- 3
尺寸
A
B
C
D
E
G
H
L
M
N
P
引脚1 :
引脚2 :
案例:
mm
25,51
38,93
30,12
17,25
10,89
11,62
8,54
1,55
19,47
1
4,06
英寸
1,004
1,53
1,18
0,68
0,43
0,46
0,34
0,6
0,77
0,04
0,16
BASE
辐射源
集热器
提供的资料被认为是准确和可靠。然而, CS不承担任何责任
使用该等信息造成的后果,也没有对可能出现的错误。
资料如有变更,恕不另行通知。
半导体COMSET
3/3
2N3442
2N4347
大功率工业TRANSISTORS
NPN硅晶体管设计用于工业和商业设备,包括高应用
高保真音频放大器,串联和分流稳压器和电源开关。
低集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE ( SAT )
= 1.0伏(最大) @我
C
= 2.0 ADC - 2N4347
集电极 - 发射极电压 - 可持续
VCEO ( SUS) = 120伏直流(最小值) - 2N4347
140伏(最小) - 2N3442
优秀的第二击穿能力
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CB
V
EB
I
C
评级
#集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续
集电极电流
PEAK
连续
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
价值
120
140
140
160
7.0
5.0
10
10
15 (**)
3.0
7.0
8.0
-
100
117
0.57
0.67
-65到+200
单位
V
VDC
VDC
ADC
I
B
基极电流
PEAK
器件总功耗
@ T
C
= 25°
减额
上述25 °
结温
储存温度
ADC
P
D
T
J
T
S
瓦
W / ℃,
°C
°C
(** )这个数据保证除了JEDEC的注册数据。
半导体COMSET
1/3
2N3442
2N4347
符号
V
BE(上)
评级
基射极电压
测试条件(S )
I
C
= 2.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
I
C
= 5.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
I
C
= 3.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
I
C
= 10位ADC ,V
CE
= 4.0伏
V
CE
= 4.0伏,我
C
= 0.5 ADC , F = 1.0
千赫
V
CE
= 4.0伏,我
C
= 2.0 ADC , F = 1.0
千赫
V
CE
= 4.0伏,我
C
= 0.5 ADC ,女
TEST
=
50千赫
V
CE
= 4.0伏,我
C
= 2.0 ADC ,女
TEST
=
40千赫
V
CE
= 67伏直流,我
C
= 1.5 ADC
V
CE
= 78伏直流,我
C
= 1.5 ADC
最小典型单位的Mx
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
-
-
-
-
40
12
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.0
3.0
1.7
5.7
-
72
-
-
-
-
VDC
h
fe
小信号电流增益
-
f
T
电流增益 - 带宽
产品(2)
第二击穿
集电极电流
2N4347
200
2N3442
2N4347
2N3442
80
1.0
1.0
千赫
I
S / B
s
(1 )脉冲宽度
≈
300
s,
占空比
∠
2.0%
(2)
f
T
= |h
fe
| * f
TEST
机械数据案例TO- 3
尺寸
A
B
C
D
E
G
H
L
M
N
P
引脚1 :
引脚2 :
案例:
mm
25,51
38,93
30,12
17,25
10,89
11,62
8,54
1,55
19,47
1
4,06
英寸
1,004
1,53
1,18
0,68
0,43
0,46
0,34
0,6
0,77
0,04
0,16
BASE
辐射源
集热器
提供的资料被认为是准确和可靠。然而, CS不承担任何责任
使用该等信息造成的后果,也没有对可能出现的错误。
资料如有变更,恕不另行通知。
半导体COMSET
3/3
2N3442
2N4347
大功率工业TRANSISTORS
NPN硅晶体管设计用于工业和商业设备,包括高应用
高保真音频放大器,串联和分流稳压器和电源开关。
低集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE ( SAT )
= 1.0伏(最大) @我
C
= 2.0 ADC - 2N4347
集电极 - 发射极电压 - 可持续
VCEO ( SUS) = 120伏直流(最小值) - 2N4347
140伏(最小) - 2N3442
优秀的第二击穿能力
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CB
V
EB
评级
#集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
价值
120
140
140
160
7.0
5.0
10
10
15 (**)
3.0
7.0
8.0
-
100
117
0.57
0.67
-65到+200
单位
V
VDC
VDC
I
C
集电极电流
PEAK
连续
ADC
I
B
基极电流
PEAK
器件总功耗
@ T
C
= 25°
减额
上述25 °
结温
储存温度
ADC
P
D
瓦
W / ℃,
°C
°C
T
J
T
S
(** )这个数据保证除了JEDEC的注册数据。
半导体COMSET
1/3
2N3442
2N4347
符号
V
BE(上)
评级
基射极电压
测试条件(S )
I
C
= 2.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
I
C
= 5.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
I
C
= 3.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
I
C
= 10位ADC ,V
CE
= 4.0伏
V
CE
= 4.0伏,我
C
= 0.5 ADC , F = 1.0
千赫
V
CE
= 4.0伏,我
C
= 2.0 ADC , F = 1.0
千赫
V
CE
= 4.0伏,我
C
= 0.5 ADC ,女
TEST
=
50千赫
V
CE
= 4.0伏,我
C
= 2.0 ADC ,女
TEST
=
40千赫
V
CE
= 67伏直流,我
C
= 1.5 ADC
V
CE
= 78伏直流,我
C
= 1.5 ADC
最小典型单位的Mx
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
-
-
-
-
40
12
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.0
3.0
1.7
5.7
-
-
72
-
千赫
2N3442
2N4347
2N3442
80
1.0
1.0
-
-
s
-
2N4347
200
VDC
h
fe
小信号电流增益
f
T
电流增益 - 带宽
产品(2)
第二击穿
集电极电流
I
S / B
(1 )脉冲宽度
≈
300
s,
占空比
∠
2.0%
(2)
f
T
= |h
fe
| * f
TEST
机械数据案例TO- 3
尺寸
A
B
C
D
E
G
H
L
M
N
P
引脚1 :
引脚2 :
案例:
mm
25,51
38,93
30,12
17,25
10,89
11,62
8,54
1,55
19,47
1
4,06
英寸
1,004
1,53
1,18
0,68
0,43
0,46
0,34
0,6
0,77
0,04
0,16
BASE
辐射源
集热器
提供的资料被认为是准确和可靠。然而, CS不承担任何责任
使用该等信息造成的后果,也没有对可能出现的错误。
资料如有变更,恕不另行通知。
半导体COMSET
3/3
2N3442
2N4347
大功率工业TRANSISTORS
NPN硅晶体管设计用于工业和商业设备,包括高应用
高保真音频放大器,串联和分流稳压器和电源开关。
低集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE ( SAT )
= 1.0伏(最大) @我
C
= 2.0 ADC - 2N4347
集电极 - 发射极电压 - 可持续
VCEO ( SUS) = 120伏直流(最小值) - 2N4347
140伏(最小) - 2N3442
优秀的第二击穿能力
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CB
V
EB
评级
#集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
价值
120
140
140
160
7.0
5.0
10
10
15 (**)
3.0
7.0
8.0
-
100
117
0.57
0.67
-65到+200
单位
V
VDC
VDC
I
C
集电极电流
PEAK
连续
ADC
I
B
基极电流
PEAK
器件总功耗
@ T
C
= 25°
减额
上述25 °
结温
储存温度
ADC
P
D
瓦
W / ℃,
°C
°C
T
J
T
S
(** )这个数据保证除了JEDEC的注册数据。
半导体COMSET
1/3
2N3442
2N4347
符号
V
BE(上)
评级
基射极电压
测试条件(S )
I
C
= 2.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
I
C
= 5.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
I
C
= 3.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
I
C
= 10位ADC ,V
CE
= 4.0伏
V
CE
= 4.0伏,我
C
= 0.5 ADC , F = 1.0
千赫
V
CE
= 4.0伏,我
C
= 2.0 ADC , F = 1.0
千赫
V
CE
= 4.0伏,我
C
= 0.5 ADC ,女
TEST
=
50千赫
V
CE
= 4.0伏,我
C
= 2.0 ADC ,女
TEST
=
40千赫
V
CE
= 67伏直流,我
C
= 1.5 ADC
V
CE
= 78伏直流,我
C
= 1.5 ADC
最小典型单位的Mx
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
-
-
-
-
40
12
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.0
3.0
1.7
5.7
-
-
72
-
千赫
2N3442
2N4347
2N3442
80
1.0
1.0
-
-
s
-
2N4347
200
VDC
h
fe
小信号电流增益
f
T
电流增益 - 带宽
产品(2)
第二击穿
集电极电流
I
S / B
(1 )脉冲宽度
≈
300
s,
占空比
∠
2.0%
(2)
f
T
= |h
fe
| * f
TEST
机械数据案例TO- 3
尺寸
A
B
C
D
E
G
H
L
M
N
P
引脚1 :
引脚2 :
案例:
mm
25,51
38,93
30,12
17,25
10,89
11,62
8,54
1,55
19,47
1
4,06
英寸
1,004
1,53
1,18
0,68
0,43
0,46
0,34
0,6
0,77
0,04
0,16
BASE
辐射源
集热器
提供的资料被认为是准确和可靠。然而, CS不承担任何责任
使用该等信息造成的后果,也没有对可能出现的错误。
资料如有变更,恕不另行通知。
半导体COMSET
3/3
技术参数
NPN大功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-三百七十分之一万九千五百
器件
2N3442
资质等级
JAN
JANTX
JANTXV
最大额定值
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
基极电流
集电极电流
总功耗
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
CER
V
EBO
I
B
I
C
P
T
T
J
,
T
英镑
符号
R
θ
JC
价值
140
160
150
7.0
7.0
10
6.0
117
-55到+200
马克斯。
1.5
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
W
W
0
C
单位
C / W
@ T
A
= 25
0
C
(1)
@ T
C
= 25
0
C
(2)
操作&存储结温范围
的TO- 3 * (TO- 204AA )
热特性
特征
热阻,结到外壳
1 )线性降额34.2毫瓦/
0
对于T
A
& GT ; 25
0
C
2)
线性降额668毫瓦/
0
对于T
C
& GT ; 25
0
C
0
*请参阅附录A
包装外形
电气特性(T
C
= 25
0
C除非另有说明)
特征
符号
V
( BR )
首席执行官
V
( BR )
CER
V
( BR )
CEX
I
CEX
I
EBO
分钟。
140
150
160
1.0
1.0
马克斯。
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
MADC
开关特性
集电极 - 发射极电压
I
C
= 3.0 ADC
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1.5 ADC ,R
BE
= 100
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1.5 ADC ,V
EB
= 1.5 VDC
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 140伏,V
EB
= 1.5 VDC
发射基截止电流
V
EB
= 7.0伏
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
第1页2
2N3442 JAN系列
电气特性(续)
特征
符号
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE
分钟。
20
马克斯。
70
1.0
1.7
VDC
VDC
单位
基本特征
(3)
正向电流传输比
I
C
= 3.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3.0 ADC ,我
B
= 300 MADC
基射极电压
I
C
= 3.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
动态特性
小信号短路正向电流传输比
I
C
= 3.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏, F = 100千赫
h
fe
1.0
安全工作区
DC测试
T
C
= +25
0
C, 1个周期,T = 1.0秒
测试1
V
CE
= 11.7伏,我
C
= 10位ADC
测试2
V
CE
= 78伏直流,我
C
= 1.5 ADC
测试3
V
CE
= 140伏,我
C
= 0.5 ADC
( 3 )脉冲测试:脉冲宽度= 300μS ,占空比
≤
2.0%.
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
第2页2
集电极发射极耐受电压 -
VCEO ( SUS) = 140伏直流(最小值)
优秀的二次击穿能力
热特性
*最大额定值
*表示JEDEC注册的数据。
**此数据保证,除了JEDEC注册的数据。
热阻,结到外壳
工作和存储结
温度范围
总功率耗散@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
基极电流 - 连续
PEAK
连续集电极电流 -
集电极电流 -
PEAK
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
特征
等级
符号
符号
TJ , TSTG
VCEO
R
θJC
VCB
VEB
PD
IC
IB
- 65至+ 200
价值
117
0.67
最大
10
15**
160
140
1.5
7.0
—
7.0
案例1-07
TO–204AA
(TO–3)
瓦
W/
_
C
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
专为工业和商业应用NPN硅功率晶体管
设备包括高保真音频放大器,串联和并联稳压器和
电源开关。
大功率工业
晶体管
半导体技术资料
摩托罗拉
第七版
10安培
功率晶体管
NPN硅
140伏
117 WATTS
2N3442
订购此文件
通过2N3442 / D
_
C / W
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
_
C
1
2N3442
*表示JEDEC注册的数据。
注意事项:
1.脉冲测试:脉冲宽度= 300
s,
占空比
2, FT = | HFE |
FTEST
动态特性
基本特征( 1 )
开关特性
电气特性
( TC = 25
_
C除非另有说明)
2
PD / PD ( MAX ) ,功耗(标准化)
小信号电流增益
( IC = 2.0 ADC , VCE = 4.0伏, F = 1.0千赫)
电流增益 - 带宽积( 2 )
( IC = 2.0 ADC , VCE = 4.0伏, FTEST = 40千赫)
基射极电压ON
( IC = 10位ADC , VCE = 4.0 V直流)
集电极 - 发射极饱和电压
( IC = 10位ADC , IB = 2.0 ADC )
直流电流增益
( IC = 3.0 ADC , VCE = 4.0 V直流)
( IC = 10位ADC , VCE = 4.0 V直流)
发射Cuto FF电流
( VBE = 7.0伏, IC = 0 )
收藏家Cuto FF电流
( VCE = 140伏, VBE (关闭) = 1.5伏)
( VCE = 140伏, VBE (关闭) = 1.5伏, TC = 150
_
C)
收藏家Cuto FF电流
( VCE = 140伏, IB = 0 )
集电极 - 发射极耐受电压
( IC = 200 MADC , IB = 0 )
特征
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0
v
2.0%.
25
50
75
100
125
150
TC ,外壳温度( ° C)
图1.功率降额
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
VCEO ( SUS)
VCE ( SAT )
VBE (ON)的
符号
ICEO
IEBO
ICEX
的hFE
的hFE
fT
175
200
民
140
20
7.5
12
80
—
—
—
—
—
—
最大
200
5.7
5.0
5.0
5.0
30
72
70
—
—
—
MADC
MADC
MADC
单位
千赫
—
VDC
VDC
VDC
—
2N3442
包装尺寸
A
N
C
–T–
E
D
U
V
2
2 PL
座位
飞机
K
M
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.所有规则和注意事项与相关的
参考- 204AA外形为准。
0.13 (0.005)
L
G
1
Q
M
Y
M
–Y–
H
B
–Q–
0.13 (0.005)
M
牛逼
M
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
K
L
N
Q
U
V
英寸
民
最大
1.550 REF
–––
1.050
0.250
0.335
0.038
0.043
0.055
0.070
0.430 BSC
0.215 BSC
0.440
0.480
0.665 BSC
–––
0.830
0.151
0.165
1.187 BSC
0.131
0.188
MILLIMETERS
民
最大
39.37 REF
–––
26.67
6.35
8.51
0.97
1.09
1.40
1.77
10.92 BSC
5.46 BSC
11.18
12.19
16.89 BSC
–––
21.08
3.84
4.19
30.15 BSC
3.33
4.77
风格1 :
1. PIN BASE
2.辐射源
案例:收藏家
案例1-07
TO- 204AA (TO- 3)
ISSUE
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应用程序。所有的操作参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
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摩托罗拉
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摩托罗拉文学分布;
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香港:
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51汀角路,大埔,新界,香港。 852-26629298
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
*2N3442/D*
2N3442/D
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N3442
图2外形尺寸( unindicated公差:为±0.1mm )
3
技术参数
NPN大功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-三百七十分之一万九千五百
器件
2N3442
资质等级
JAN
JANTX
JANTXV
最大额定值
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
基极电流
集电极电流
总功耗
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
CER
V
EBO
I
B
I
C
P
T
T
J
,
T
英镑
符号
R
θ
JC
价值
140
160
150
7.0
7.0
10
6.0
117
-55到+200
马克斯。
1.5
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
W
W
0
C
单位
C / W
@ T
A
= 25
0
C
(1)
@ T
C
= 25
0
C
(2)
操作&存储结温范围
的TO- 3 * (TO- 204AA )
热特性
特征
热阻,结到外壳
1 )线性降额34.2毫瓦/
0
对于T
A
& GT ; 25
0
C
2)
线性降额668毫瓦/
0
对于T
C
& GT ; 25
0
C
0
*请参阅附录A
包装外形
电气特性(T
C
= 25
0
C除非另有说明)
特征
符号
V
( BR )
首席执行官
V
( BR )
CER
V
( BR )
CEX
I
CEX
I
EBO
分钟。
140
150
160
1.0
1.0
马克斯。
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
MADC
开关特性
集电极 - 发射极电压
I
C
= 3.0 ADC
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1.5 ADC ,R
BE
= 100
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1.5 ADC ,V
EB
= 1.5 VDC
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 140伏,V
EB
= 1.5 VDC
发射基截止电流
V
EB
= 7.0伏
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
第1页2
2N3442 JAN系列
电气特性(续)
特征
符号
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE
分钟。
20
马克斯。
70
1.0
1.7
VDC
VDC
单位
基本特征
(3)
正向电流传输比
I
C
= 3.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3.0 ADC ,我
B
= 300 MADC
基射极电压
I
C
= 3.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
动态特性
小信号短路正向电流传输比
I
C
= 3.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏, F = 100千赫
h
fe
1.0
安全工作区
DC测试
T
C
= +25
0
C, 1个周期,T = 1.0秒
测试1
V
CE
= 11.7伏,我
C
= 10位ADC
测试2
V
CE
= 78伏直流,我
C
= 1.5 ADC
测试3
V
CE
= 140伏,我
C
= 0.5 ADC
( 3 )脉冲测试:脉冲宽度= 300μS ,占空比
≤
2.0%.
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
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