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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第77页 > 2N3442
2N3442
2N4347
大功率工业TRANSISTORS
NPN硅晶体管设计用于工业和商业设备,包括高应用
高保真音频放大器,串联和分流稳压器和电源开关。
低集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE ( SAT )
= 1.0伏(最大) @我
C
= 2.0 ADC - 2N4347
集电极 - 发射极电压 - 可持续
VCEO ( SUS) = 120伏直流(最小值) - 2N4347
140伏(最小) - 2N3442
优秀的第二击穿能力
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CB
V
EB
评级
#集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
价值
120
140
140
160
7.0
5.0
10
10
15 (**)
3.0
7.0
8.0
-
100
117
0.57
0.67
-65到+200
单位
V
VDC
VDC
I
C
集电极电流
PEAK
连续
ADC
I
B
基极电流
PEAK
器件总功耗
@ T
C
= 25°
减额
上述25 °
结温
储存温度
ADC
P
D
W / ℃,
°C
°C
T
J
T
S
(** )这个数据保证除了JEDEC的注册数据。
半导体COMSET
1/3
2N3442
2N4347
热特性
符号
R
thJC
评级
热阻,结到外壳
2N4347
2N3442
价值
1.75
1.5
单位
° C / W
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
V
CEO ( SUS )
评级
集电极 - 发射极
维持电压( 1)
测试条件(S )
I
C
= 200 MADC ,我
B
=0
最小典型单位的Mx
2N4347
120
2N3442
140
-
-
-
-
-
-
VDC
-
-
V
-
200
MADC
200
-
2N4347
10
MADC
-
2N3442
-
2N4347
2N3442
2N4347
-
15
10
2N3442
20
4.0
2N4347
2N3442
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
5.0
60
-
-
70
-
1.0
2.0
1.0
5.0
MADC
-
5.0
-
2.0
2N4347
130
2N3442
150
2N4347
2N3442
-
V
CER ( SUS)
R
BE
=100
集电极 - 发射极
维持电压
I
C
= 0.1 ADC
I
C
= 0.2 ADC
V
CE
= 100伏,我
B
=0
V
CE
= 140伏,我
B
=0
V
CE
= 125 VDC ,V
EB (O FF )
-1.5伏
I
首席执行官
集电极 - 发射极电流
I
CEX
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 120伏,V
EB (O FF )
= 1.5伏,
T
C
= 150°C
V
CE
= 140伏,V
EB (O FF )
-1.5伏
V
CE
= 140伏,V
EB (O FF )
= 1.5伏,
T
C
= 150°C
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
BE
= 7.0伏,我
C
=0
I
C
= 2.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
h
FE
I
C
= 5.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
直流电流增益
I
C
= 3.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
I
C
= 10位ADC ,V
CE
= 4.0伏
I
C
= 2.0 ADC ,我
B
= 200 MADC
V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极
饱和电压
I
C
= 5.0 ADC ,我
B
= 0.63 ADC
I
C
= 3.0 ADC ,我
B
= 0.3 ADC
I
C
= 10位ADC ,我
B
= 0.2 ADC
VDC
半导体COMSET
2/3
2N3442
2N4347
符号
V
BE(上)
评级
基射极电压
测试条件(S )
I
C
= 2.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
I
C
= 5.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
I
C
= 3.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
I
C
= 10位ADC ,V
CE
= 4.0伏
V
CE
= 4.0伏,我
C
= 0.5 ADC , F = 1.0
千赫
V
CE
= 4.0伏,我
C
= 2.0 ADC , F = 1.0
千赫
V
CE
= 4.0伏,我
C
= 0.5 ADC ,女
TEST
=
50千赫
V
CE
= 4.0伏,我
C
= 2.0 ADC ,女
TEST
=
40千赫
V
CE
= 67伏直流,我
C
= 1.5 ADC
V
CE
= 78伏直流,我
C
= 1.5 ADC
最小典型单位的Mx
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
-
-
-
-
40
12
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.0
3.0
1.7
5.7
-
-
72
-
千赫
2N3442
2N4347
2N3442
80
1.0
1.0
-
-
s
-
2N4347
200
VDC
h
fe
小信号电流增益
f
T
电流增益 - 带宽
产品(2)
第二击穿
集电极电流
I
S / B
(1 )脉冲宽度
300
s,
占空比
2.0%
(2)
f
T
= |h
fe
| * f
TEST
机械数据案例TO- 3
尺寸
A
B
C
D
E
G
H
L
M
N
P
引脚1 :
引脚2 :
案例:
mm
25,51
38,93
30,12
17,25
10,89
11,62
8,54
1,55
19,47
1
4,06
英寸
1,004
1,53
1,18
0,68
0,43
0,46
0,34
0,6
0,77
0,04
0,16
BASE
辐射源
集热器
提供的资料被认为是准确和可靠。然而, CS不承担任何责任
使用该等信息造成的后果,也没有对可能出现的错误。
资料如有变更,恕不另行通知。
半导体COMSET
3/3
2N3442
2N4347
大功率工业TRANSISTORS
NPN硅晶体管设计用于工业和商业设备,包括高应用
高保真音频放大器,串联和分流稳压器和电源开关。
低集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE ( SAT )
= 1.0伏(最大) @我
C
= 2.0 ADC - 2N4347
集电极 - 发射极电压 - 可持续
VCEO ( SUS) = 120伏直流(最小值) - 2N4347
140伏(最小) - 2N3442
优秀的第二击穿能力
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CB
V
EB
I
C
评级
#集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续
集电极电流
PEAK
连续
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
价值
120
140
140
160
7.0
5.0
10
10
15 (**)
3.0
7.0
8.0
-
100
117
0.57
0.67
-65到+200
单位
V
VDC
VDC
ADC
I
B
基极电流
PEAK
器件总功耗
@ T
C
= 25°
减额
上述25 °
结温
储存温度
ADC
P
D
T
J
T
S
W / ℃,
°C
°C
(** )这个数据保证除了JEDEC的注册数据。
半导体COMSET
1/3
2N3442
2N4347
热特性
符号
R
thJC
评级
热阻,结到外壳
2N4347
2N3442
价值
1.75
1.5
单位
° C / W
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
V
CEO ( SUS )
V
CER ( SUS)
R
BE
=100
I
首席执行官
评级
集电极 - 发射极
维持电压( 1)
集电极 - 发射极
维持电压
集电极 - 发射极电流
测试条件(S )
I
C
= 200 MADC ,我
B
=0
最小典型单位的Mx
2N4347
120
2N3442
140
2N4347
130
2N3442
150
2N4347
2N3442
2N4347
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
-
200
200
2.0
10
-
-
-
15
10
20
4.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5.0
30
5.0
60
-
70
-
1.0
2.0
1.0
5.0
-
MADC
MADC
MADC
VDC
I
C
= 0.1 ADC
I
C
= 0.2 ADC
V
CE
= 100伏,我
B
=0
V
CE
= 140伏,我
B
=0
V
CE
= 125 VDC ,V
EB (O FF )
-1.5伏
I
CEX
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 120伏,V
EB (O FF )
= 1.5伏,
T
C
= 150°C
V
CE
= 140伏,V
EB (O FF )
-1.5伏
V
CE
= 140伏,V
EB (O FF )
= 1.5伏,
T
C
= 150°C
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
BE
= 7.0伏,我
C
=0
I
C
= 2.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
h
FE
直流电流增益
I
C
= 5.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
I
C
= 3.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
I
C
= 10位ADC ,V
CE
= 4.0伏
2N3442
2N4347
2N3442
V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极
饱和电压
I
C
= 2.0 ADC ,我
B
= 200 MADC
I
C
= 5.0 ADC ,我
B
= 0.63 ADC
I
C
= 3.0 ADC ,我
B
= 0.3 ADC
I
C
= 10位ADC ,我
B
= 0.2 ADC
VDC
半导体COMSET
2/3
2N3442
2N4347
符号
V
BE(上)
评级
基射极电压
测试条件(S )
I
C
= 2.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
I
C
= 5.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
I
C
= 3.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
I
C
= 10位ADC ,V
CE
= 4.0伏
V
CE
= 4.0伏,我
C
= 0.5 ADC , F = 1.0
千赫
V
CE
= 4.0伏,我
C
= 2.0 ADC , F = 1.0
千赫
V
CE
= 4.0伏,我
C
= 0.5 ADC ,女
TEST
=
50千赫
V
CE
= 4.0伏,我
C
= 2.0 ADC ,女
TEST
=
40千赫
V
CE
= 67伏直流,我
C
= 1.5 ADC
V
CE
= 78伏直流,我
C
= 1.5 ADC
最小典型单位的Mx
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
-
-
-
-
40
12
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.0
3.0
1.7
5.7
-
72
-
-
-
-
VDC
h
fe
小信号电流增益
-
f
T
电流增益 - 带宽
产品(2)
第二击穿
集电极电流
2N4347
200
2N3442
2N4347
2N3442
80
1.0
1.0
千赫
I
S / B
s
(1 )脉冲宽度
300
s,
占空比
2.0%
(2)
f
T
= |h
fe
| * f
TEST
机械数据案例TO- 3
尺寸
A
B
C
D
E
G
H
L
M
N
P
引脚1 :
引脚2 :
案例:
mm
25,51
38,93
30,12
17,25
10,89
11,62
8,54
1,55
19,47
1
4,06
英寸
1,004
1,53
1,18
0,68
0,43
0,46
0,34
0,6
0,77
0,04
0,16
BASE
辐射源
集热器
提供的资料被认为是准确和可靠。然而, CS不承担任何责任
使用该等信息造成的后果,也没有对可能出现的错误。
资料如有变更,恕不另行通知。
半导体COMSET
3/3
2N3442
2N4347
大功率工业TRANSISTORS
NPN硅晶体管设计用于工业和商业设备,包括高应用
高保真音频放大器,串联和分流稳压器和电源开关。
低集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE ( SAT )
= 1.0伏(最大) @我
C
= 2.0 ADC - 2N4347
集电极 - 发射极电压 - 可持续
VCEO ( SUS) = 120伏直流(最小值) - 2N4347
140伏(最小) - 2N3442
优秀的第二击穿能力
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CB
V
EB
评级
#集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
价值
120
140
140
160
7.0
5.0
10
10
15 (**)
3.0
7.0
8.0
-
100
117
0.57
0.67
-65到+200
单位
V
VDC
VDC
I
C
集电极电流
PEAK
连续
ADC
I
B
基极电流
PEAK
器件总功耗
@ T
C
= 25°
减额
上述25 °
结温
储存温度
ADC
P
D
W / ℃,
°C
°C
T
J
T
S
(** )这个数据保证除了JEDEC的注册数据。
半导体COMSET
1/3
2N3442
2N4347
热特性
符号
R
thJC
评级
热阻,结到外壳
2N4347
2N3442
价值
1.75
1.5
单位
° C / W
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
V
CEO ( SUS )
评级
集电极 - 发射极
维持电压( 1)
测试条件(S )
I
C
= 200 MADC ,我
B
=0
最小典型单位的Mx
2N4347
120
2N3442
140
-
-
-
-
-
-
VDC
-
-
V
-
200
MADC
200
-
2N4347
10
MADC
-
2N3442
-
2N4347
2N3442
2N4347
-
15
10
2N3442
20
4.0
2N4347
2N3442
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
5.0
60
-
-
70
-
1.0
2.0
1.0
5.0
MADC
-
5.0
-
2.0
2N4347
130
2N3442
150
2N4347
2N3442
-
V
CER ( SUS)
R
BE
=100
集电极 - 发射极
维持电压
I
C
= 0.1 ADC
I
C
= 0.2 ADC
V
CE
= 100伏,我
B
=0
V
CE
= 140伏,我
B
=0
V
CE
= 125 VDC ,V
EB (O FF )
-1.5伏
I
首席执行官
集电极 - 发射极电流
I
CEX
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 120伏,V
EB (O FF )
= 1.5伏,
T
C
= 150°C
V
CE
= 140伏,V
EB (O FF )
-1.5伏
V
CE
= 140伏,V
EB (O FF )
= 1.5伏,
T
C
= 150°C
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
BE
= 7.0伏,我
C
=0
I
C
= 2.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
h
FE
I
C
= 5.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
直流电流增益
I
C
= 3.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
I
C
= 10位ADC ,V
CE
= 4.0伏
I
C
= 2.0 ADC ,我
B
= 200 MADC
V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极
饱和电压
I
C
= 5.0 ADC ,我
B
= 0.63 ADC
I
C
= 3.0 ADC ,我
B
= 0.3 ADC
I
C
= 10位ADC ,我
B
= 0.2 ADC
VDC
半导体COMSET
2/3
2N3442
2N4347
符号
V
BE(上)
评级
基射极电压
测试条件(S )
I
C
= 2.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
I
C
= 5.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
I
C
= 3.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
I
C
= 10位ADC ,V
CE
= 4.0伏
V
CE
= 4.0伏,我
C
= 0.5 ADC , F = 1.0
千赫
V
CE
= 4.0伏,我
C
= 2.0 ADC , F = 1.0
千赫
V
CE
= 4.0伏,我
C
= 0.5 ADC ,女
TEST
=
50千赫
V
CE
= 4.0伏,我
C
= 2.0 ADC ,女
TEST
=
40千赫
V
CE
= 67伏直流,我
C
= 1.5 ADC
V
CE
= 78伏直流,我
C
= 1.5 ADC
最小典型单位的Mx
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
-
-
-
-
40
12
-
-
-
-
-
-
-
-
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2.0
3.0
1.7
5.7
-
-
72
-
千赫
2N3442
2N4347
2N3442
80
1.0
1.0
-
-
s
-
2N4347
200
VDC
h
fe
小信号电流增益
f
T
电流增益 - 带宽
产品(2)
第二击穿
集电极电流
I
S / B
(1 )脉冲宽度
300
s,
占空比
2.0%
(2)
f
T
= |h
fe
| * f
TEST
机械数据案例TO- 3
尺寸
A
B
C
D
E
G
H
L
M
N
P
引脚1 :
引脚2 :
案例:
mm
25,51
38,93
30,12
17,25
10,89
11,62
8,54
1,55
19,47
1
4,06
英寸
1,004
1,53
1,18
0,68
0,43
0,46
0,34
0,6
0,77
0,04
0,16
BASE
辐射源
集热器
提供的资料被认为是准确和可靠。然而, CS不承担任何责任
使用该等信息造成的后果,也没有对可能出现的错误。
资料如有变更,恕不另行通知。
半导体COMSET
3/3
2N3442
2N4347
大功率工业TRANSISTORS
NPN硅晶体管设计用于工业和商业设备,包括高应用
高保真音频放大器,串联和分流稳压器和电源开关。
低集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE ( SAT )
= 1.0伏(最大) @我
C
= 2.0 ADC - 2N4347
集电极 - 发射极电压 - 可持续
VCEO ( SUS) = 120伏直流(最小值) - 2N4347
140伏(最小) - 2N3442
优秀的第二击穿能力
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CB
V
EB
评级
#集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
价值
120
140
140
160
7.0
5.0
10
10
15 (**)
3.0
7.0
8.0
-
100
117
0.57
0.67
-65到+200
单位
V
VDC
VDC
I
C
集电极电流
PEAK
连续
ADC
I
B
基极电流
PEAK
器件总功耗
@ T
C
= 25°
减额
上述25 °
结温
储存温度
ADC
P
D
W / ℃,
°C
°C
T
J
T
S
(** )这个数据保证除了JEDEC的注册数据。
半导体COMSET
1/3
2N3442
2N4347
热特性
符号
R
thJC
评级
热阻,结到外壳
2N4347
2N3442
价值
1.75
1.5
单位
° C / W
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
V
CEO ( SUS )
评级
集电极 - 发射极
维持电压( 1)
测试条件(S )
I
C
= 200 MADC ,我
B
=0
最小典型单位的Mx
2N4347
120
2N3442
140
-
-
-
-
-
-
VDC
-
-
V
-
200
MADC
200
-
2N4347
10
MADC
-
2N3442
-
2N4347
2N3442
2N4347
-
15
10
2N3442
20
4.0
2N4347
2N3442
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
30
5.0
60
-
-
70
-
1.0
2.0
1.0
5.0
MADC
-
5.0
-
2.0
2N4347
130
2N3442
150
2N4347
2N3442
-
V
CER ( SUS)
R
BE
=100
集电极 - 发射极
维持电压
I
C
= 0.1 ADC
I
C
= 0.2 ADC
V
CE
= 100伏,我
B
=0
V
CE
= 140伏,我
B
=0
V
CE
= 125 VDC ,V
EB (O FF )
-1.5伏
I
首席执行官
集电极 - 发射极电流
I
CEX
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 120伏,V
EB (O FF )
= 1.5伏,
T
C
= 150°C
V
CE
= 140伏,V
EB (O FF )
-1.5伏
V
CE
= 140伏,V
EB (O FF )
= 1.5伏,
T
C
= 150°C
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
BE
= 7.0伏,我
C
=0
I
C
= 2.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
h
FE
I
C
= 5.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
直流电流增益
I
C
= 3.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
I
C
= 10位ADC ,V
CE
= 4.0伏
I
C
= 2.0 ADC ,我
B
= 200 MADC
V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极
饱和电压
I
C
= 5.0 ADC ,我
B
= 0.63 ADC
I
C
= 3.0 ADC ,我
B
= 0.3 ADC
I
C
= 10位ADC ,我
B
= 0.2 ADC
VDC
半导体COMSET
2/3
2N3442
2N4347
符号
V
BE(上)
评级
基射极电压
测试条件(S )
I
C
= 2.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
I
C
= 5.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
I
C
= 3.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
I
C
= 10位ADC ,V
CE
= 4.0伏
V
CE
= 4.0伏,我
C
= 0.5 ADC , F = 1.0
千赫
V
CE
= 4.0伏,我
C
= 2.0 ADC , F = 1.0
千赫
V
CE
= 4.0伏,我
C
= 0.5 ADC ,女
TEST
=
50千赫
V
CE
= 4.0伏,我
C
= 2.0 ADC ,女
TEST
=
40千赫
V
CE
= 67伏直流,我
C
= 1.5 ADC
V
CE
= 78伏直流,我
C
= 1.5 ADC
最小典型单位的Mx
2N4347
2N3442
2N4347
2N3442
-
-
-
-
40
12
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.0
3.0
1.7
5.7
-
-
72
-
千赫
2N3442
2N4347
2N3442
80
1.0
1.0
-
-
s
-
2N4347
200
VDC
h
fe
小信号电流增益
f
T
电流增益 - 带宽
产品(2)
第二击穿
集电极电流
I
S / B
(1 )脉冲宽度
300
s,
占空比
2.0%
(2)
f
T
= |h
fe
| * f
TEST
机械数据案例TO- 3
尺寸
A
B
C
D
E
G
H
L
M
N
P
引脚1 :
引脚2 :
案例:
mm
25,51
38,93
30,12
17,25
10,89
11,62
8,54
1,55
19,47
1
4,06
英寸
1,004
1,53
1,18
0,68
0,43
0,46
0,34
0,6
0,77
0,04
0,16
BASE
辐射源
集热器
提供的资料被认为是准确和可靠。然而, CS不承担任何责任
使用该等信息造成的后果,也没有对可能出现的错误。
资料如有变更,恕不另行通知。
半导体COMSET
3/3
技术参数
NPN大功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-三百七十分之一万九千五百
器件
2N3442
资质等级
JAN
JANTX
JANTXV
最大额定值
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
基极电流
集电极电流
总功耗
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
CER
V
EBO
I
B
I
C
P
T
T
J
,
T
英镑
符号
R
θ
JC
价值
140
160
150
7.0
7.0
10
6.0
117
-55到+200
马克斯。
1.5
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
W
W
0
C
单位
C / W
@ T
A
= 25
0
C
(1)
@ T
C
= 25
0
C
(2)
操作&存储结温范围
的TO- 3 * (TO- 204AA )
热特性
特征
热阻,结到外壳
1 )线性降额34.2毫瓦/
0
对于T
A
& GT ; 25
0
C
2)
线性降额668毫瓦/
0
对于T
C
& GT ; 25
0
C
0
*请参阅附录A
包装外形
电气特性(T
C
= 25
0
C除非另有说明)
特征
符号
V
( BR )
首席执行官
V
( BR )
CER
V
( BR )
CEX
I
CEX
I
EBO
分钟。
140
150
160
1.0
1.0
马克斯。
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
MADC
开关特性
集电极 - 发射极电压
I
C
= 3.0 ADC
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1.5 ADC ,R
BE
= 100
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1.5 ADC ,V
EB
= 1.5 VDC
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 140伏,V
EB
= 1.5 VDC
发射基截止电流
V
EB
= 7.0伏
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
第1页2
2N3442 JAN系列
电气特性(续)
特征
符号
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE
分钟。
20
马克斯。
70
1.0
1.7
VDC
VDC
单位
基本特征
(3)
正向电流传输比
I
C
= 3.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3.0 ADC ,我
B
= 300 MADC
基射极电压
I
C
= 3.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
动态特性
小信号短路正向电流传输比
I
C
= 3.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏, F = 100千赫
h
fe
1.0
安全工作区
DC测试
T
C
= +25
0
C, 1个周期,T = 1.0秒
测试1
V
CE
= 11.7伏,我
C
= 10位ADC
测试2
V
CE
= 78伏直流,我
C
= 1.5 ADC
测试3
V
CE
= 140伏,我
C
= 0.5 ADC
( 3 )脉冲测试:脉冲宽度= 300μS ,占空比
2.0%.
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
第2页2
该数据表已经从下载:
www.datasheetcatalog.com
数据表的电子元件。
博卡半导体公司
BSC
http://www.bocasemi.com
A
http://www.bocasemi.com
A
http://www.bocasemi.com
集电极发射极耐受电压 -
VCEO ( SUS) = 140伏直流(最小值)
优秀的二次击穿能力
热特性
*最大额定值
*表示JEDEC注册的数据。
**此数据保证,除了JEDEC注册的数据。
热阻,结到外壳
工作和存储结
温度范围
总功率耗散@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
基极电流 - 连续
PEAK
连续集电极电流 -
集电极电流 -
PEAK
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
特征
等级
符号
符号
TJ , TSTG
VCEO
R
θJC
VCB
VEB
PD
IC
IB
- 65至+ 200
价值
117
0.67
最大
10
15**
160
140
1.5
7.0
7.0
案例1-07
TO–204AA
(TO–3)
W/
_
C
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
专为工业和商业应用NPN硅功率晶体管
设备包括高保真音频放大器,串联和并联稳压器和
电源开关。
大功率工业
晶体管
半导体技术资料
摩托罗拉
第七版
10安培
功率晶体管
NPN硅
140伏
117 WATTS
2N3442
订购此文件
通过2N3442 / D
_
C / W
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
_
C
1
2N3442
*表示JEDEC注册的数据。
注意事项:
1.脉冲测试:脉冲宽度= 300
s,
占空比
2, FT = | HFE |
FTEST
动态特性
基本特征( 1 )
开关特性
电气特性
( TC = 25
_
C除非另有说明)
2
PD / PD ( MAX ) ,功耗(标准化)
小信号电流增益
( IC = 2.0 ADC , VCE = 4.0伏, F = 1.0千赫)
电流增益 - 带宽积( 2 )
( IC = 2.0 ADC , VCE = 4.0伏, FTEST = 40千赫)
基射极电压ON
( IC = 10位ADC , VCE = 4.0 V直流)
集电极 - 发射极饱和电压
( IC = 10位ADC , IB = 2.0 ADC )
直流电流增益
( IC = 3.0 ADC , VCE = 4.0 V直流)
( IC = 10位ADC , VCE = 4.0 V直流)
发射Cuto FF电流
( VBE = 7.0伏, IC = 0 )
收藏家Cuto FF电流
( VCE = 140伏, VBE (关闭) = 1.5伏)
( VCE = 140伏, VBE (关闭) = 1.5伏, TC = 150
_
C)
收藏家Cuto FF电流
( VCE = 140伏, IB = 0 )
集电极 - 发射极耐受电压
( IC = 200 MADC , IB = 0 )
特征
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0
v
2.0%.
25
50
75
100
125
150
TC ,外壳温度( ° C)
图1.功率降额
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
VCEO ( SUS)
VCE ( SAT )
VBE (ON)的
符号
ICEO
IEBO
ICEX
的hFE
的hFE
fT
175
200
140
20
7.5
12
80
最大
200
5.7
5.0
5.0
5.0
30
72
70
MADC
MADC
MADC
单位
千赫
VDC
VDC
VDC
2N3442
活动区安全工作区信息
20
10
s
IC ,集电极电流( AMP )
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
2.0 3.0
TJ = 200℃
dc
30
s
50
s
100
s
1.0毫秒
100毫秒
电流限制
热极限@ TC = 25°C
单脉冲
第二击穿极限
有上的功率处理能力,两个限制
晶体管:平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明I C - VCE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作,也就是,晶体管不能进行
更大的功耗比曲线表示。
图2中的数据是基于TJ (峰) = 200
_
℃; T C是
可变根据条件。在高温情况下temper-
atures ,热限制会降低功率,可以是
处理,以值小于规定的限制
二次击穿。
200
50 70 100
5.0 7.0 10
20 30
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
图2. 2N3442
400
TJ = 150℃
200
的hFE , DC电流增益
100
60
40
20
10
6.0
4.0
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC ,集电极电流( AMP )
5.0 7.0 10
25°C
– 55°C
VCE = 4.0 V
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
TJ = 25°C
0
2.0
5.0
10
20
50
100 200
IB ,基极电流(毫安)
500
1.0 k 2.0 k
IC = 1.0
2.0 A
4.0 A
8.0 A
图3.直流电流增益
图4.集电极饱和区
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
2N3442
包装尺寸
A
N
C
–T–
E
D
U
V
2
2 PL
座位
飞机
K
M
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.所有规则和注意事项与相关的
参考- 204AA外形为准。
0.13 (0.005)
L
G
1
Q
M
Y
M
–Y–
H
B
–Q–
0.13 (0.005)
M
牛逼
M
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
K
L
N
Q
U
V
英寸
最大
1.550 REF
–––
1.050
0.250
0.335
0.038
0.043
0.055
0.070
0.430 BSC
0.215 BSC
0.440
0.480
0.665 BSC
–––
0.830
0.151
0.165
1.187 BSC
0.131
0.188
MILLIMETERS
最大
39.37 REF
–––
26.67
6.35
8.51
0.97
1.09
1.40
1.77
10.92 BSC
5.46 BSC
11.18
12.19
16.89 BSC
–––
21.08
3.84
4.19
30.15 BSC
3.33
4.77
风格1 :
1. PIN BASE
2.辐射源
案例:收藏家
案例1-07
TO- 204AA (TO- 3)
ISSUE
摩托罗拉保留更改,恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保,声明或保证
其产品适用于任何特定用途,也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,
并明确拒绝承担任何责任,包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数,并会根据不同的
应用程序。所有的操作参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计,意,或授权用作组件
旨在系统通过外科手术移植到体内,或其他应用程序旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的故障
摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员,雇员,子公司,联营公司及分销商无害
对所有索赔,费用,损失,费用,以及直接或间接引起的,合理的律师费,人身伤害或死亡的任何索赔
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称,摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。
摩托罗拉
注册摩托罗拉公司,摩托罗拉公司的商标是一个平等机会/ AF连接rmative行动雇主。
如何找到我们:
美国/欧洲:
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;亚利桑那州凤凰城85036. 1-800-441-2447
M传真:
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键( 602 ) 244-6609
互联网:
http://Design-NET.com
日本:
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ,利胜乙木,
6F西武Butsuryu中心, 3-14-2巽江东区,东京135 ,日本。 03-3521-8315
香港:
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园,
51汀角路,大埔,新界,香港。 852-26629298
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
*2N3442/D*
2N3442/D
A
A
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N3442
描述
·带
TO- 3封装
优秀
安全工作区
应用
For
工业和商业设备
包括高保真音频放大器,
串联和并联稳压器和功率
切换应用程序
钉扎
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形( TO- 3 )和符号
描述
绝对最大额定值
(Ta=25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
160
140
7
10
15
117
150
-65~200
单位
V
V
V
A
A
W
热特性
符号
R
(日) JC
参数
热阻结到外壳
价值
1.5
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
CEO ( SUS )
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
I
首席执行官
I
CEX
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
I
C
= 10A ;我
B
=2A
I
C
= 10A ; V
CE
=4V
V
CE
= 140V ;我
B
=0
V
CE
=140V; V
BE (OFF)的
=1.5V
T
C
=150℃
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 3A ; V
CE
=4V
I
C
= 10A ; V
CE
=4V
I
C
= 2.0A ; V
CE
=4V;f
t
=40kHz
20
7.5
80
140
典型值。
2N3442
最大
单位
V
5.0
5.7
200
5.0
30
5.0
70
V
V
mA
mA
mA
千赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N3442
图2外形尺寸( unindicated公差:为±0.1mm )
3
技术参数
NPN大功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-三百七十分之一万九千五百
器件
2N3442
资质等级
JAN
JANTX
JANTXV
最大额定值
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
基极电流
集电极电流
总功耗
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
CER
V
EBO
I
B
I
C
P
T
T
J
,
T
英镑
符号
R
θ
JC
价值
140
160
150
7.0
7.0
10
6.0
117
-55到+200
马克斯。
1.5
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
W
W
0
C
单位
C / W
@ T
A
= 25
0
C
(1)
@ T
C
= 25
0
C
(2)
操作&存储结温范围
的TO- 3 * (TO- 204AA )
热特性
特征
热阻,结到外壳
1 )线性降额34.2毫瓦/
0
对于T
A
& GT ; 25
0
C
2)
线性降额668毫瓦/
0
对于T
C
& GT ; 25
0
C
0
*请参阅附录A
包装外形
电气特性(T
C
= 25
0
C除非另有说明)
特征
符号
V
( BR )
首席执行官
V
( BR )
CER
V
( BR )
CEX
I
CEX
I
EBO
分钟。
140
150
160
1.0
1.0
马克斯。
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
MADC
开关特性
集电极 - 发射极电压
I
C
= 3.0 ADC
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1.5 ADC ,R
BE
= 100
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1.5 ADC ,V
EB
= 1.5 VDC
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 140伏,V
EB
= 1.5 VDC
发射基截止电流
V
EB
= 7.0伏
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
第1页2
2N3442 JAN系列
电气特性(续)
特征
符号
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE
分钟。
20
马克斯。
70
1.0
1.7
VDC
VDC
单位
基本特征
(3)
正向电流传输比
I
C
= 3.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3.0 ADC ,我
B
= 300 MADC
基射极电压
I
C
= 3.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏
动态特性
小信号短路正向电流传输比
I
C
= 3.0 ADC ,V
CE
= 4.0伏, F = 100千赫
h
fe
1.0
安全工作区
DC测试
T
C
= +25
0
C, 1个周期,T = 1.0秒
测试1
V
CE
= 11.7伏,我
C
= 10位ADC
测试2
V
CE
= 78伏直流,我
C
= 1.5 ADC
测试3
V
CE
= 140伏,我
C
= 0.5 ADC
( 3 )脉冲测试:脉冲宽度= 300μS ,占空比
2.0%.
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
第2页2
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