技术参数
NPN功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-三百六十九分之一万九千五
器件
2N3441
资质等级
JANTX
最大额定值
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
基极电流
集电极电流
总功耗
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
CER
V
EBO
I
B
I
C
P
T
T
J
,
T
英镑
符号
R
θ
JC
0
价值
140
160
150
7.0
2.0
3.0
3.0
25
-65到+200
马克斯。
7.0
58.5
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
W
W
0
C
单位
0
0
@ T
A
= +25
0
C
(1)
@ T
C
= +25
0
C
(2)
操作&存储结温范围
热特性
特征
热阻，结到外壳
结到环境
1)
TO- 66 * （ TO- 213AA ）
2)
线性降额@ 17.1毫瓦/ C对于T
A
> + 25℃
减免线性@ 143毫瓦/
0
对于T
C
> +25
0
C
*请参阅附录A
包装外形
0
R
θ
JA
C / W
C / W
电气特性（T
C
= 25
0
C除非另有说明）
特征
符号
V
（ BR ）
首席执行官
V
（ BR ）
CER
V
（ BR ）
CEX
I
CEX
I
EBO
分钟。
140
150
160
1.0
1.0
马克斯。
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
MADC
开关特性
集电极 - 发射极电压
I
C
= 100 MADC
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 100 MADC ，R
BE
= 100
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 100 MADC ，V
BE
= -1.5伏
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 140伏，V
BE
= -1.5伏
发射基截止电流
V
EB
= 7.0伏
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真： （ 978 ） 689-0803
120101
第1页2
2N3441 JAN系列
电气特性（续）
特征
符号
分钟。
50
25
10
马克斯。
单位
基本特征
(3)
正向电流传输比
I
C
= 50 MADC ，V
CE
= 4.0伏
I
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 4.0伏
I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 0.5 ADC ，我
B
= 50 MADC
基射极电压
I
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 4.0伏
h
FE
100
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
1.0
1.7
VDC
VDC
动态特性
共发射小信号短路幅度
正向电流传输比
I
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 4.0伏， F = 100千赫
小信号短路正向电流传输比
I
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 4.0伏
输出电容
V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0，100千赫
≤
f
≤
1.0兆赫
h
fe
h
fe
C
敖包
4.0
15
40
100
300
pF
开关特性
开启时间
V
CC
= 30伏直流;我
C
= 0.5 ADC ;我
B
= 50 MADC
打开-O FF时间
V
CC
= 30伏直流;我
C
= 0.5 ADC ;我
B
=
-
I
B
= 50 MADC
t
on
8.0
15
s
s
t
关闭
安全工作区
DC测试
T
C
= +25
0
C， 1个周期，T = 1.0秒
测试1
V
CE
= 8.33伏，我
C
= 3.0 ADC
测试2
V
CE
= 30伏直流电，我
C
= 833 MADC
测试3
V
CE
= 140伏，我
C
= 178.5 MADC
（ 3 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比
≤
2.0%.
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真： （ 978 ） 689-0803
120101
第2页2
LAB
机械数据
尺寸mm （英寸）
3.68
（ 0.145 ）弧度。
马克斯。
6.35 (0.250)
8.64 (0.340)
3.61 (0.142)
3.86 (0.145)
弧度。
SEME
2N3441
中功率
硅NPN
晶体管
24.33 (0.958)
24.43 (0.962)
0.71 (0.028)
0.86 (0.034)
11.94 (0.470)
12.70 (0.500)
特点
低饱和电压
高电压额定值
最大安全工作，区
曲线直流和脉冲工作。
14.48 (0.570)
14.99 (0.590)
4.83 (0.190)
5.33 (0.210)
9.14 (0.360)
分钟。
1.27 (0.050)
1.91 (0.750)
应用
串联和并联稳压器
TO–66
引脚1 - 基地
PIN 2 - 发射极
情况是收藏家。
音频放大器
电源开关电路
电磁阀和继电器驱动器
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
j
, T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
减免上述25℃
工作和存储结温范围
160V
140V
7V
3A
2A
25W
0.142 W / ℃，
-65 ℃200℃
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
预赛。 7/94
LAB
电气特性
（温度上限= 25 ° C除非另有说明）
参数
开关特性
V
CEO （ SUS） *
I
首席执行官
I
CEX
I
EBO
集电极 - 发射极可持续
电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
基本特征
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
直流电流增益
集电极 - 发射极
饱和电压
基地 - 发射极电压上
动态特性
h
fe
小信号电流增益
小信号电流增益
V
CE
= 4V
F = 1kHz时
V
CE
= 4V
F = 0.4MHz
I
C
= 0.5A
I
C
= 0.5A
15
5
75
—
—
V
CE
= 4V
V
CE
= 4V
I
C
= 2.7A
V
CE
= 4V
I
C
= 0.5A
I
C
= 2.7A
I
B
= 0.9A
I
C
= 2.7A
25
5
6
6.7
100
—
V
V
I
C
= 0.1A
V
CE
= 140V
V
CE
= 140V
V
EB
= 7V
I
B
= 0
I
B
= 0
V
BE （OFF）的
= 1.5V
T
C
= 150°C
I
C
= 0
140
100
5
6
1
V
mA
mA
mA
SEME
2N3441
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
h
fe
*
这个测试必须不能在一个曲线跟踪测量。
热特性
R
q
JC
热阻结 - 壳
7
° C / W
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
预赛。 7/94
技术参数
NPN功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-三百六十九分之一万九千五
器件
2N3441
资质等级
JANTX
最大额定值
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
基极电流
集电极电流
总功耗
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
CER
V
EBO
I
B
I
C
P
T
T
J
,
T
英镑
符号
R
θ
JC
0
价值
140
160
150
7.0
2.0
3.0
3.0
25
-65到+200
马克斯。
7.0
58.5
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
W
W
0
C
单位
0
0
@ T
A
= +25
0
C
(1)
@ T
C
= +25
0
C
(2)
操作&存储结温范围
热特性
特征
热阻，结到外壳
结到环境
1)
TO- 66 * （ TO- 213AA ）
2)
线性降额@ 17.1毫瓦/ C对于T
A
> + 25℃
减免线性@ 143毫瓦/
0
对于T
C
> +25
0
C
*请参阅附录A
包装外形
0
R
θ
JA
C / W
C / W
电气特性（T
C
= 25
0
C除非另有说明）
特征
符号
V
（ BR ）
首席执行官
V
（ BR ）
CER
V
（ BR ）
CEX
I
CEX
I
EBO
分钟。
140
150
160
1.0
1.0
马克斯。
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
MADC
开关特性
集电极 - 发射极电压
I
C
= 100 MADC
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 100 MADC ，R
BE
= 100
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 100 MADC ，V
BE
= -1.5伏
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 140伏，V
BE
= -1.5伏
发射基截止电流
V
EB
= 7.0伏
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真： （ 978 ） 689-0803
120101
第1页2
2N3441 JAN系列
电气特性（续）
特征
符号
分钟。
50
25
10
马克斯。
单位
基本特征
(3)
正向电流传输比
I
C
= 50 MADC ，V
CE
= 4.0伏
I
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 4.0伏
I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 0.5 ADC ，我
B
= 50 MADC
基射极电压
I
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 4.0伏
h
FE
100
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
1.0
1.7
VDC
VDC
动态特性
共发射小信号短路幅度
正向电流传输比
I
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 4.0伏， F = 100千赫
小信号短路正向电流传输比
I
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 4.0伏
输出电容
V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0，100千赫
≤
f
≤
1.0兆赫
h
fe
h
fe
C
敖包
4.0
15
40
100
300
pF
开关特性
开启时间
V
CC
= 30伏直流;我
C
= 0.5 ADC ;我
B
= 50 MADC
打开-O FF时间
V
CC
= 30伏直流;我
C
= 0.5 ADC ;我
B
=
-
I
B
= 50 MADC
t
on
8.0
15
s
s
t
关闭
安全工作区
DC测试
T
C
= +25
0
C， 1个周期，T = 1.0秒
测试1
V
CE
= 8.33伏，我
C
= 3.0 ADC
测试2
V
CE
= 30伏直流电，我
C
= 833 MADC
测试3
V
CE
= 140伏，我
C
= 178.5 MADC
（ 3 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比
≤
2.0%.
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真： （ 978 ） 689-0803
120101
第2页2
NPN 2N3441
硅功率晶体管
的2N3441是NPN晶体管安装在TO- 66金属封装，其集电极
连接到所述壳体。
它们被设计用于一般用途的开关和放大器应用中使用。
符合RoHS指令。
绝对最大额定值
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
t
T
J
T
英镑
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
I
B
= 0
I
E
= 0
I
C
= 0
价值
140
160
7
3
2
25
200
-65到+200
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
@ T
C
= 25°
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
V
CEO （ SUS ）
I
首席执行官
I
CEX
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
评级
集电极 - 发射极可持续
电压（*）
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和
电压（*）
基射极电压（ * ）
直流电流增益
测试条件（S ）
民
140
-
-
-
-
-
-
25
5
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
10
5
6
1
6
6.5
100
-
单位
V
mA
mA
mA
V
V
-
I
C
= 100毫安，我
B
= 0 A
V
CE
= 140 V，I
B
= 0
V
CE
= 140 V , V
BE
= 1.5 V
V
CE
= 140 V , V
BE
= 1.5 V
T
例
= 150°C
V
EB
= 7 V，I
C
= 0 A
I
C
= 2.7 A，I
B
= 900毫安
I
C
= 40 A，I
B
= 4 A
I
C
= 500毫安， V
CE
= 4 V
I
C
= 2.7 A，V
CE
= 4 V
（ * ）脉冲宽度= 300
s,
占空比< = 1.5 ％
1|2
20/09/2012
半导体COMSET
NPN 2N3441
热特性
符号
R
thJC
评级
价值
7
单位
° C / W
热阻，结到外壳
机械数据案例TO- 66
尺寸
mm
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
P
Q
S
T
引脚1 ：
引脚2 ：
案例：
民
30.60
11.94
6.35
0.712
1.27
24.28
4.83
2.41
14.48
9.15
-
3.60
-
-
最大
32.52
12.7
8.63
0.863
1.91
24.50
5.33
2.67
14.99
10.50
2.7
4.00
8.89
3.68
辐射源
BASE
集热器
修订后的2012年8月
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，半导体COMSET承担的后果不承担任何责任
利用这些信息，也没有对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利。资料如有变更，
恕不另行通知。 COMSET半导体公司对于其产品适用于任何特定的任何保证，声明或担保
目的，也不COMSET半导体承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何与
所有责任，包括但不限于间接或附带损失。 COMSET半导体的产品不授权使用的关键
组件生命支持设备或系统。
www.comsetsemi.com
20/09/2012
半导体COMSET
info@comsetsemi.com
2|2
QQ：2880707522 复制
