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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第245页 > 2N3440
技术参数
NPN小功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF- 368分之19500
器件
2N3439
2N3439L
2N3440
2N3440L
资质等级
JANTX
JANTXV
最大额定值
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
T
op
,
T
英镑
0
2N3439
350
450
2N3440
250
300
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
W
W/
0
C
0
C
@T
A
= 25
0
C
(1)
@T
C
= 25
0
C
(2)
工作&存储温度范围
1)
7.0
1.0
0.8
5.0
-55到+200
TO- 5 *
2N3439L , 2N3440L
2)
线性降额4.57毫瓦/ C对于T
A
> + 25℃
线性降额28.5毫瓦/
0
对于T
C
> +25
0
C
0
TO- 39 * ( TO205 -AD )
2N3439, 2N3440
*请参阅附录A
包装外形
电气特性(T
A
= 25
0
C除非另有说明)
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 50 MADC
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 300伏
V
CE
= 200伏
发射基截止电流
V
EB
= 7.0伏
2N3439
2N3440
2N3439
2N3440
V
( BR )
首席执行官
I
首席执行官
350
250
2.0
2.0
10
VDC
μAdc
μAdc
μAdc
I
EBO
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
第1页2
2N3439 ,L 2N3440 ,L, JAN系列
电气特性(续)
特征
符号
I
CEX
分钟。
马克斯。
单位
μAdc
μAdc
开关特性(续)
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 450 V ,V
BE
= -1.5伏
V
CE
= 300伏,V
BE
= -1.5伏
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 360伏
V
CB
= 250 VDC
V
CB
= 450 VDC
V
CB
= 300伏
2N3439
2N3440
2N3439
2N3440
2N3439
2N3440
5.0
5.0
2.0
2.0
5.0
5.0
I
CBO
μAdc
基本特征
(3)
正向电流传输比
I
C
= 20 MADC ,V
CE
= 10 VDC
I
C
= 2.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC
I
C
= 0.2 MADC ,V
CE
= 10 VDC
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 50 MADC ,我
B
= 4.0 MADC
基射极饱和电压
I
C
= 50 MADC ,我
B
= 4.0 MADC
h
FE
40
30
10
160
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
0.5
1.3
VDC
VDC
动态特性
共发射小信号短路幅度
正向电流传输比
I
C
= 10 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 5.0 MHz的
正向电流传输比
I
C
= 5.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫
输出电容
V
CB
= 10 VDC ,我
E
= 0,100千赫
f
1.0兆赫
输入电容
V
EB
= 5.0伏,我
C
= 0,100千赫
f
1.0兆赫
h
fe
h
fe
C
敖包
C
IBO
3.0
15
25
10
75
pF
pF
开关特性
开启时间
V
CC
= 200伏;我
C
= 20 MADC ,我
B1
=
2.0 MADC
打开-O FF时间
V
CC
= 200伏;我
C
= 20 MADC ,我
B1
= -
I
B2
=
2.0 MADC
t
on
1.0
10
s
s
t
关闭
安全工作区
DC测试
T
C
= 25
0
C, 1个周期,T = 1.0秒
测试1
V
CE
= 5.0伏,我
C
= 1.0 ADC
这两种类型
测试2
V
CE
= 350伏,我
C
= 14 MADC
2N3439
测试3
V
CE
= 250 VDC ,我
C
= 20 MADC
2N3440
( 3 )脉冲测试:脉冲宽度= 300μS ,占空比
2.0%.
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
第2页2
该数据表已经从下载:
www.datasheetcatalog.com
数据表的电子元件。
小信号晶体管
TO- 39案例(续)
型号
描述
VCBO
(V)
VCEO
(V)
* VCER
VEBO
(V)
ICBO @ VCB
(A)
(V)
* ICEO
** ICES
*** ICEV
**** ICER
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
4.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
7.0
7.0
5.0
4.0
7.0
7.0
7.0
7.0
5.0
4.0
4.0
5.0
4.0
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
6.0
6.0
6.0
7.0
7.0
0.10
0.10
0.50
0.50
0.10
0.10
--
0.10
0.025
0.025
--
--
0.20
0.10
0.10
0.25
0.01**
0.01**
0.01*
0.01*
0.01*
10
50
0.01*
--
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.01**
0.01**
0.10
--
0.50***
0.50***
20
20
40
40
60
60
50
50
--
50
50
50
--
--
30
90
90
30
30
60
60
60
60
100
60
30
--
30
30
20
30
30
40
60
50
50
50
--
80
120
360
250
100
40
30
50
40
100
30
20
40
100
100
100
30
100
40
50
30
100
40
100
40
30
50
30
25
40
100
20
50
30
30
25
40
100
40
60
40
40
40
40
最大
300
120
90
150
120
300
130
150
120
300
300
300
120
300
120
250
130
300
120
300
120
120
200
130
100
120
300
120
150
90
90
75
120
300
120
--
120
120
160
160
1,000
1,000
1,000
1,000
150
150
50
10
150
150
150
150
150
150
150
150
50
150
150
150
150
30
100
150
300
150
150
50
500
500
500
500
150
150
150
2.5
1,000
1,000
20
20
1.0
1.0
2.0
2.0
10
10
5.0
10
10
10
10
10
10
10
10
10
1.0
10
10
10
10
10
10
1.0
10
10
10
5.0
1.0
1.0
1.0
1.0
10
10
10
5.0
2.0
2.0
10
10
最大
0.40
0.40
0.50
0.50
0.40
0.40
0.25
0.50
0.50
0.50
0.50
2.00
0.40
0.20
0.20
1.40
1.00
1.00
1.00
0.25
0.25
1.00
0.50
0.50
1.50
0.60
0.60
0.30
1.00
1.20
1.00
1.20
0.60
0.60
0.40
1.00
0.50
0.50
0.50
0.50
1,000
1,000
1,000
1,000
150
150
50
150
150
150
150
500
150
150
150
150
300
1,000
1,000
150
150
50
100
300
300
150
150
50
1,000
1,000
1,000
1,000
500
500
150
2.5
2,000
2,000
50
50
的hFE
@ IC @ VCE VCE ( SAT ) @ IC的fT
COB
(MA )
(V)
(V)
(毫安) (兆赫) (PF )
(纳秒)
花花公子
(纳秒)
NF
( dB)的
* TYP * TYP * TYP * TYP * TYP
2N2854
2N2855
2N2890
2N2891
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
60
60
100
100
60
60
30
60
60
60
60
60
60
140
140
60
60
100
100
80
80
150
100
45
50
50
50
40
40
50
60
75
60
60
60
125
85
125
450
300
40
40
80
80
60
60
25
20
20
20
30
30
30
80
80
40
60
60
60
40
40
150
80
45
30
35
35
20
40
50
30
40
30
30
40
100
60
80
350
250
--
--
30
30
200
200
100
200
250
250
250
250
250
100
100
100
130
70
60
70
60
40
250
130
60
200
200
500
175
150
200
175
250
250
250
36
40
40
15
15
最大最大最大最大
--
--
70
70
8.0
8.0
20
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
12
12
15
10
20
20
25
25
9.0
6.0
10
25
10
10
3.5
25
25
12
12
8.0
8.0
8.0
35
150
150
10
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
40
--
--
--
--
--
50
55
45
50
60
60
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
60
--
--
--
--
--
--
--
--
--
700
--
--
--
--
--
185
165
70
70
150
150
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
2N2904A PNP幅度/ SWITCH
2N2905A PNP幅度/ SWITCH
2N2927
2N2951
2N2958
2N2959
2N2960
2N2961
2N3015
2N3019
2N3020
2N3053
2N3072
2N3107
2N3108
2N3109
2N3110
2N3114
2N3119
2N3120
2N3122
2N3133
2N3134
2N3137
2N3244
2N3245
2N3252
2N3253
2N3299
2N3300
2N3326
2N3388
2N3420
2N3421
2N3439
2N3440
PNP幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN核心驱动力
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN高压
NPN幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN VHF / UHF OSC
PNP核心驱动力
PNP核心驱动力
NPN核心驱动力
NPN核心驱动力
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN高压
NPN高压
61
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
小信号晶体管
TO- 39案例(续)
型号
描述
VCBO
(V)
VCEO
(V)
* VCER
VEBO
(V)
ICBO @ VCB
(A)
(V)
* ICEO
** ICES
*** ICEV
**** ICER
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
4.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
7.0
7.0
5.0
4.0
7.0
7.0
7.0
7.0
5.0
4.0
4.0
5.0
4.0
4.0
4.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
6.0
6.0
6.0
7.0
7.0
0.10
0.10
0.50
0.50
0.10
0.10
--
0.10
0.025
0.025
--
--
0.20
0.10
0.10
0.25
0.01**
0.01**
0.01*
0.01*
0.01*
10
50
0.01*
--
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.50
0.01**
0.01**
0.10
--
0.50***
0.50***
20
20
40
40
60
60
50
50
--
50
50
50
--
--
30
90
90
30
30
60
60
60
60
100
60
30
--
30
30
20
30
30
40
60
50
50
50
--
80
120
360
250
100
40
30
50
40
100
30
20
40
100
100
100
30
100
40
50
30
100
40
100
40
30
50
30
25
40
100
20
50
30
30
25
40
100
40
60
40
40
40
40
最大
300
120
90
150
120
300
130
150
120
300
300
300
120
300
120
250
130
300
120
300
120
120
200
130
100
120
300
120
150
90
90
75
120
300
120
--
120
120
160
160
1,000
1,000
1,000
1,000
150
150
50
10
150
150
150
150
150
150
150
150
50
150
150
150
150
30
100
150
300
150
150
50
500
500
500
500
150
150
150
2.5
1,000
1,000
20
20
1.0
1.0
2.0
2.0
10
10
5.0
10
10
10
10
10
10
10
10
10
1.0
10
10
10
10
10
10
1.0
10
10
10
5.0
1.0
1.0
1.0
1.0
10
10
10
5.0
2.0
2.0
10
10
最大
0.40
0.40
0.50
0.50
0.40
0.40
0.25
0.50
0.50
0.50
0.50
2.00
0.40
0.20
0.20
1.40
1.00
1.00
1.00
0.25
0.25
1.00
0.50
0.50
1.50
0.60
0.60
0.30
1.00
1.20
1.00
1.20
0.60
0.60
0.40
1.00
0.50
0.50
0.50
0.50
1,000
1,000
1,000
1,000
150
150
50
150
150
150
150
500
150
150
150
150
300
1,000
1,000
150
150
50
100
300
300
150
150
50
1,000
1,000
1,000
1,000
500
500
150
2.5
2,000
2,000
50
50
的hFE
@ IC @ VCE VCE ( SAT ) @ IC的fT
COB
(MA )
(V)
(V)
(毫安) (兆赫) (PF )
(纳秒)
花花公子
(纳秒)
NF
( dB)的
* TYP * TYP * TYP * TYP * TYP
2N2854
2N2855
2N2890
2N2891
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
60
60
100
100
60
60
30
60
60
60
60
60
60
140
140
60
60
100
100
80
80
150
100
45
50
50
50
40
40
50
60
75
60
60
60
125
85
125
450
300
40
40
80
80
60
60
25
20
20
20
30
30
30
80
80
40
60
60
60
40
40
150
80
45
30
35
35
20
40
50
30
40
30
30
40
100
60
80
350
250
--
--
30
30
200
200
100
200
250
250
250
250
250
100
100
100
130
70
60
70
60
40
250
130
60
200
200
500
175
150
200
175
250
250
250
36
40
40
15
15
最大最大最大最大
--
--
70
70
8.0
8.0
20
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
12
12
15
10
20
20
25
25
9.0
6.0
10
25
10
10
3.5
25
25
12
12
8.0
8.0
8.0
35
150
150
10
10
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
40
--
--
--
--
--
50
55
45
50
60
60
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
60
--
--
--
--
--
--
--
--
--
700
--
--
--
--
--
185
165
70
70
150
150
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
2N2904A PNP幅度/ SWITCH
2N2905A PNP幅度/ SWITCH
2N2927
2N2951
2N2958
2N2959
2N2960
2N2961
2N3015
2N3019
2N3020
2N3053
2N3072
2N3107
2N3108
2N3109
2N3110
2N3114
2N3119
2N3120
2N3122
2N3133
2N3134
2N3137
2N3244
2N3245
2N3252
2N3253
2N3299
2N3300
2N3326
2N3388
2N3420
2N3421
2N3439
2N3440
PNP幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN核心驱动力
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN高压
NPN幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
NPN VHF / UHF OSC
PNP核心驱动力
PNP核心驱动力
NPN核心驱动力
NPN核心驱动力
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN高压
NPN高压
61
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
技术参数
NPN小功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF- 368分之19500
器件
2N3439
2N3439L
2N3440
2N3440L
资质等级
JANTX
JANTXV
最大额定值
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
T
op
,
T
英镑
0
2N3439
350
450
2N3440
250
300
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
W
W/
0
C
0
C
@T
A
= 25
0
C
(1)
@T
C
= 25
0
C
(2)
工作&存储温度范围
1)
7.0
1.0
0.8
5.0
-55到+200
TO- 5 *
2N3439L , 2N3440L
2)
线性降额4.57毫瓦/ C对于T
A
> + 25℃
线性降额28.5毫瓦/
0
对于T
C
> +25
0
C
0
TO- 39 * ( TO205 -AD )
2N3439, 2N3440
*请参阅附录A
包装外形
电气特性(T
A
= 25
0
C除非另有说明)
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 50 MADC
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 300伏
V
CE
= 200伏
发射基截止电流
V
EB
= 7.0伏
2N3439
2N3440
2N3439
2N3440
V
( BR )
首席执行官
I
首席执行官
350
250
2.0
2.0
10
VDC
μAdc
μAdc
μAdc
I
EBO
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
第1页2
2N3439 ,L 2N3440 ,L, JAN系列
电气特性(续)
特征
符号
I
CEX
分钟。
马克斯。
单位
μAdc
μAdc
开关特性(续)
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 450 V ,V
BE
= -1.5伏
V
CE
= 300伏,V
BE
= -1.5伏
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 360伏
V
CB
= 250 VDC
V
CB
= 450 VDC
V
CB
= 300伏
2N3439
2N3440
2N3439
2N3440
2N3439
2N3440
5.0
5.0
2.0
2.0
5.0
5.0
I
CBO
μAdc
基本特征
(3)
正向电流传输比
I
C
= 20 MADC ,V
CE
= 10 VDC
I
C
= 2.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC
I
C
= 0.2 MADC ,V
CE
= 10 VDC
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 50 MADC ,我
B
= 4.0 MADC
基射极饱和电压
I
C
= 50 MADC ,我
B
= 4.0 MADC
h
FE
40
30
10
160
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
0.5
1.3
VDC
VDC
动态特性
共发射小信号短路幅度
正向电流传输比
I
C
= 10 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 5.0 MHz的
正向电流传输比
I
C
= 5.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫
输出电容
V
CB
= 10 VDC ,我
E
= 0,100千赫
f
1.0兆赫
输入电容
V
EB
= 5.0伏,我
C
= 0,100千赫
f
1.0兆赫
h
fe
h
fe
C
敖包
C
IBO
3.0
15
25
10
75
pF
pF
开关特性
开启时间
V
CC
= 200伏;我
C
= 20 MADC ,我
B1
=
2.0 MADC
打开-O FF时间
V
CC
= 200伏;我
C
= 20 MADC ,我
B1
= -
I
B2
=
2.0 MADC
t
on
1.0
10
s
s
t
关闭
安全工作区
DC测试
T
C
= 25
0
C, 1个周期,T = 1.0秒
测试1
V
CE
= 5.0伏,我
C
= 1.0 ADC
这两种类型
测试2
V
CE
= 350伏,我
C
= 14 MADC
2N3439
测试3
V
CE
= 250 VDC ,我
C
= 20 MADC
2N3440
( 3 )脉冲测试:脉冲宽度= 300μS ,占空比
2.0%.
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
第2页2
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www.datasheetcatalog.com
数据表的电子元件。
大陆设备印度有限公司
一个IS / ISO 9002和IECQ认证的制造商
IS / ISO 9002
里克# QSC / L- 000019.2
IS / IECQC 700000
IS / IECQC 750100
NPN高压硅晶体管
2N3439
2N3440
TO-39
高电压的高压&使用的硅平面晶体管
高功率放大器的应用。
绝对最大额定值(Ta = 25℃ ,除非另有规定)
描述
符号
2N3439
VCEO
350
集电极发射极电压
VCBO
450
集电极基极电压
VEBO
7.0
发射极基极电压连续
IC
1.0
连续集电极电流
IB
0.5
基极电流
PD
1.0
功率耗散@ TA = 25摄氏度
5.7
减免上述25℃
PD
5.0
功耗@ TC = 25摄氏度
28.6
减免上述25℃
TJ , TSTG
-65到+200
工作和存储结
温度范围
热阻
Rth的第(j-一)
175
结到环境
RTH (J -C )
35
结到外壳
电气特性(Ta = 25℃除非另有说明)
描述
符号
测试条件
VCEO ( SUS) *
IC=50mA,IB=0
集电极发射极电压
ICBO
VCB = 360V , IE = 0
集电极切断电流
VCB = 250V , IE = 0
ICEO
VCE = 300V , IB = 0
VCE = 200V , IB = 0
ICEX
VCE=450V,VBE=1.5V
VCE=300V,VBE=1.5V
IEBO
VEB = 6V , IC = 0
射极切断电流
的hFE *
IC=2mA,VCE=10V
直流电流增益
IC=20mA,VCE=10V
IC=50mA,IB=4mA
集电极 - 发射极饱和电压
VCE (星期六) *
VBE (星期六) *
IC=50mA,IB=4mA
基极发射极饱和电压
2N3440
250
300
单位
V
V
V
A
A
W
毫瓦/摄氏度
W
毫瓦/摄氏度
摄氏度
摄氏度/ W
摄氏度/ W
2N3439
>350
<20
-
<20
-
<500
-
<20
>30
40-160
<0.5
<1.3
2N3440
>250
-
<20
-
<50
-
<500
<20
-
40-160
<0.5
<1.3
单位
V
uA
uA
uA
uA
uA
uA
uA
V
V
大陆设备印度有限公司
数据表
第1页3
电气特性(Ta = 25℃除非另有说明)
2N3439/3440
描述
符号
测试条件
2N3439 2N3440
小信号特性
的hFE
IC = 5毫安, VCE = 10V ,
>25
>25
小信号电流增益。
f=1kHz
COB
VCB = 10V , IE = 0 , F = 1MHz的
<10
<10
输出电容
兴业银行
VEB = 5V , IC = 0 , F = 1MHz的
<75
<75
输入电容
ft
IC = 10毫安, VCE = 10V
>15
>15
电流增益带宽积
f=5MHz
回复( HIE )
VCE- 10V , IC = 5毫安
<300
<300
输入阻抗的实部
f=1MHz
*脉冲测试: - 脉冲宽度= 300US ,占空比= 2 %
单位
pF
pF
兆赫
TO- 39金属罐包装
A
B
D
G
2
1
3
所有尺寸均为毫米
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
最大
8.50
9.39
7.74
8.50
6.09
6.60
0.40
0.53
0.88
2.41
2.66
4.82
5.33
0.71
0.86
0.73
1.02
12.70
42 DE摹48 DE摹
E
K
C
L
H
J
3
2
1
PIN CO NFIG URATION
1.电子M ITTE
2. B A SE
3. OLLE CTO
包装细节
TO-39
标准包装
详细
净重量/数量
500个/塑料袋540克/ 500个
内箱箱
SIZE
数量
3" X 7.5" X 7.5"
20.0K
SIZE
外箱BOX
数量
克重量
32.0K
40公斤
17 & QUOT ; ×15 & QUOT ; X 13.5 & QUOT ;
大陆设备印度有限公司
F
数据表
分页: 1 2 3
笔记
放弃
该产品的信息和选择指南方便选择CDIL的分立半导体器件(S )最适合的
在你的产品( S)按您的要求的应用程序。我们建议你彻底检讨我们的数据表( S) ,从而
要确认设备(S )满足功能参数为您的应用。提供的CDIL网络上的信息
网站/ CD被认为是准确和可靠。 CDIL然而,不承担不准确或不完整的责任
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它也没有传达根据其专利权或他人权利的任何许可。这些产品不是设计用于生活用
储蓄/支持设备或系统。 CDIL客户销售这些产品(或者作为单独的分立半导体
设备或在其最终产品的结合),在任何救生/支持设备或系统或应用程序这样做在自己
风险CDIL将不负责对此类销售(S )造成的任何损坏。
CDIL求持续改进,并保留更改产品规格,恕不另行通知。
CDIL是公司的注册商标
大陆设备印度有限公司
C- 120 Naraina工业区,新德里110 028 ,印度。
电话+ 91-11-579 6150传真+ 91-11-579 9569 579 5290
电子邮件sales@cdil.com www.cdil.com
大陆设备印度有限公司
数据表
第3页3
博卡
半导体
CORP 。
http://www.bocasemi.com
http://www.bocasemi.com
http://www.bocasemi.com
http://www.bocasemi.com
http://www.bocasemi.com
2N3439
2N3440
机械数据
尺寸mm (英寸)
8.89 (0.35)
9.40 (0.37)
7.75 (0.305)
8.51 (0.335)
高压
NPN晶体管
特点
4.19 (0.165)
4.95 (0.195)
12.70
(0.500)
分钟。
0.89最大。
(0.035)
7.75 (0.305)
8.51 (0.335)
DIA 。
双硅平面外延NPN
晶体管
高电压
5.08 (0.200)
典型值。
应用范围:
2
1
0.66 (0.026)
1.14 (0.045)
0.71 (0.028)
0.86 (0.034)
2.54
(0.100)
3
这些设备特别适合作为DRI-
在高电压低电流的逆变器VERS ,
switing和串联稳压器。
45
TO39封装
引脚1 - 发射极
PIN 2 - 基
PIN 3 - 集电极
绝对最大额定值
(T
= 25 ° C除非另有说明)
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
集电极 - 基极电压(I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压(I
B
= 0)
发射极 - 基极电压(I
C
= 0)
集电极电流
基极电流
在T总功率耗散
25°C
T
AMB
50°C
储存温度
结温
2N3439
450V
350V
2N3440
300V
250V
7V
1A
0.5A
5W
1W
-55 ℃200℃
200°C
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 556565.传真:+44( 0 ) 1455 552612 。
电子信箱:
sales@semelab.co.uk
网址:
http://www.semelab.co.uk
Prelim.12/99
2N3439
2N3440
电气特性
参数
V
CEO ( SUS) *
I
首席执行官
I
CEX
I
CBO
I
EBO
V
CE (SAT) *
V
BE (SAT) *
集电极 - 发射极耐受电压
(I
B
= 0)
集电极截止电流
(I
B
= 0)
集电极截止电流
(V
BE
= -1.5V)
集电极 - 基截止电流
(I
E
= 0)
发射极截止电流(I
C
= 0)
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极饱和电压
(温度上限= 25 ° C除非另有说明)
测试条件
I
C
= 50毫安
I
C
= 50毫安
V
CE
= 300V
V
CE
= 200V
V
CE
= 450V
V
CE
= 300V
V
CB
= 350V
V
CB
= 250V
V
EB
= 6V
I
C
= 50毫安
I
C
= 50毫安
I
C
= 20mA下
V
CE
= 10V
I
C
= 2毫安
V
CE
= 10V
只2N3439
I
B
= 4毫安
I
B
= 4毫安
2N3439
2N3440
2N3439
2N3440
2N3439
2N3440
2N3439
2N3440
分钟。
350
250
典型值。
MAX 。 UNIT
V
20
50
500
500
20
20
20
0.5
1.3
m
A
A
A
A
V
V
40
30
160
h
FE *
直流电流增益
*脉冲测试吨
p
= 300
m
s ,
d
2%
动态特性
参数
f
T
C
ob
的hFE
跃迁频率
输出电容
小信号电流增益
(温度上限= 25 ° C除非另有说明)
测试条件
I
C
= 10毫安
V
CB
= 10V
I
C
= 5毫安
V
CE
= 10V
V
CE
= 10V
F = 5MHz时
F = 1MHz的
F = 1kHz时
分钟。
15
典型值。
MAX 。 UNIT
兆赫
10
pF
25
热数据
参数
R
q
JA
R
q
JC
热阻结到环境
热阻结到外壳
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
175
35
° C / W
° C / W
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 556565.传真:+44( 0 ) 1455 552612 。
电子信箱:
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网址:
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Prelim.12/99
2N3439
2N3440
硅NPN晶体管
s
s
SGS - THOMSON最佳SALESTYPES
NPN晶体管
描述
该2N3439 , 2N3440是硅外延平面
NPN晶体管JEDEC TO- 39金属外壳
设计用于消费电子和工业应用
线路供电的应用。
这些设备特别适合作为驱动
高电压低电流逆变器,开关和
系列稳压器。
TO-39
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
P
合计
T
英镑
T
j
参数
2N3439
集电极 - 基极电压(I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压(I
B
= 0)
发射极 - 基极电压(I
C
= 0)
集电极电流
基极电流
总功耗在T
c
25 C
o
价值
2N3440
300
250
7
1
0.5
10
1
-65 200
200
o
单位
V
V
V
A
A
W
W
o
o
450
350
总功耗在T
AMB
50 C
储存温度
马克斯。工作结温
C
C
1997年6月
1/4
2N3439 / 2N3440
热数据
R
THJ情况
R
THJ - AMB
热阻结案件
热阻结到环境
最大
最大
17.5
175
o
o
C / W
C / W
电气特性
(T
= 25
o
C除非另有说明)
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
CEX
I
EBO
参数
集电极截止
电流(I
E
= 0)
集电极截止
电流(I
B
= 0)
集电极截止
电流(V
BE
= -1.5V)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
测试条件
2N3439
2N3440
2N3439
2N3440
2N3439
2N3440
V
EB
= 6 V
I
C
= 50毫安
2N3439
2N3440
I
C
= 50毫安
I
C
= 50毫安
I
C
= 20毫安
I
C
= 2毫安
I
C
= 5毫安
I
C
= 5毫安
I
B
= 4毫安
I
B
= 4毫安
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V的
2N3439
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
F = 1kHz时
F = 5MHz时
40
30
25
15
兆赫
V
CB
= 360 V
V
CB
= 250 V
V
CE
= 300 V
V
CE
= 200 V
V
CE
= 450 V
V
CE
= 300 V
分钟。
典型值。
马克斯。
20
20
20
50
500
500
20
单位
A
A
A
A
A
A
A
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
h
FE
h
FE
f
T
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
直流电流增益
小信号电流
收益
跃迁频率
350
250
0.5
1.3
160
V
V
V
V
脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 %
2/4
2N3439 / 2N3440
TO- 39机械数据
mm
DIM 。
分钟。
A
B
D
E
F
G
H
I
L
5.08
1.2
0.9
45
o
(典型值)。
12.7
0.49
6.6
8.5
9.4
0.200
0.047
0.035
典型值。
马克斯。
分钟。
0.500
0.019
0.260
0.334
0.370
典型值。
马克斯。
G
I
H
D
A
L
F
E
B
P008B
3/4
2N3439 / 2N3440
提供的资料被认为是准确和可靠。不过, SGS - THOMSON微电子承担的任何责任
对此类信息的使用,也不对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利的后果。没有
获发牌照以暗示或其他方式SGS - THOMSON微电子公司的任何专利或专利权。规格提到
本出版物中如有更改,恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
SGS - THOMSON微电子产品不授权不明确的生命支持设备或系统中的关键组件
SGS - THOMSON Microelectonics的书面批准。
1997 SGS - THOMSON微电子 - 印刷意大利 - 版权所有
公司SGS - THOMSON微电子集团
澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 法国 - 德国 - 香港 - 意大利 - 日本 - 韩国 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 - 荷兰 -
新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 台湾 - 泰国 - 英国 - 美国
...
4/4
2N3439
2N3440
硅NPN晶体管
s
s
意法半导体的优选
SALESTYPES
NPN晶体管
描述
该2N3439和2N3440的硅外延
平面NPN晶体管JEDEC TO- 39金属外壳
设计用于消费电子和工业应用
线路供电的应用。
这些设备特别适合作为驱动
高电压低电流逆变器,开关和
系列稳压器。
TO-39
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
P
合计
T
英镑
T
j
参数
2N3439
集电极 - 基极电压(I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压(I
B
= 0)
发射极 - 基极电压(I
C
= 0)
集电极电流
基极电流
总功耗在T
c
25
o
C
总功耗在T
AMB
50 C
储存温度
o
价值
2N3440
300
250
7
1
0.5
10
1
-65 200
200
450
350
单位
V
V
V
A
A
W
W
o
o
C
C
1/4
马克斯。工作结温
2000年12月
2N3439 / 2N3440
热数据
R
THJ情况
R
THJ - AMB
热阻结案件
热阻结到环境
最大
最大
17.5
175
o
o
C / W
C / W
电气特性
(T
= 25
o
C除非另有说明)
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
CEX
I
EBO
参数
集电极截止
电流(I
E
= 0)
集电极截止
电流(I
B
= 0)
集电极截止
电流(V
BE
= -1.5V)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
测试条件
2N3439
2N3440
2N3439
2N3440
2N3439
2N3440
V
EB
= 6 V
I
C
= 50毫安
2N3439
2N3440
I
C
= 50毫安
I
C
= 50毫安
I
C
= 20毫安
I
C
= 2毫安
I
C
= 5毫安
I
C
= 5毫安
I
B
= 4毫安
I
B
= 4毫安
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V的
2N3439
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
F = 1kHz时
F = 5MHz时
40
30
25
15
兆赫
V
CB
= 360 V
V
CB
= 250 V
V
CE
= 300 V
V
CE
= 200 V
V
CE
= 450 V
V
CE
= 300 V
分钟。
典型值。
马克斯。
20
20
20
50
500
500
20
单位
A
A
A
A
A
A
A
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
h
FE
h
FE
f
T
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
直流电流增益
小信号电流
收益
跃迁频率
350
250
0.5
1.3
160
V
V
V
V
脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 %
2/4
2N3439 / 2N3440
TO- 39机械数据
mm
DIM 。
分钟。
A
B
D
E
F
G
H
I
L
5.08
1.2
0.9
45
o
(典型值)。
12.7
0.49
6.6
8.5
9.4
0.200
0.047
0.035
典型值。
马克斯。
分钟。
0.500
0.019
0.260
0.334
0.370
典型值。
马克斯。
G
I
H
D
A
L
F
E
B
P008B
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2N3439 / 2N3440
提供的资料被认为是准确和可靠。然而,意法半导体承担的后果不承担任何责任
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未授权使用的,而不意法半导体的明确书面批准的生命支持设备或系统中的关键组件。
ST的标志是意法半导体公司的商标。
2000意法半导体 - 印刷意大利 - 版权所有
公司意法半导体集团
澳大利亚 - 巴西 - 中国 - 芬兰 - 法国 - 德国 - 香港 - 印度 - 意大利 - 日本 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 -
新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2N3440
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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联系人:李
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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联系人:李小姐/陈先生/李先生【只售原装假一罚百】豪迈兴你值得信赖的供应商!
地址:深圳市福田区中航路新亚洲二期N1B166,深圳市福田区华强北都会大厦B座17i 香港九龙湾临兴街21号美罗中心二期1908室
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