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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N3232
描述
·带
TO- 3封装
优秀
安全工作区
ULOW
集电极饱和电压
应用
For
音频放大器和电源开关
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
80
60
7
7.5
115
150
-65~200
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
（日） JC
参数
热阻结到外壳
价值
1.17
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2N3232
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 30毫安，我
B
=0
60
V
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
I
首席执行官
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
I
C
= 3A ; V
CE
=4V
1.0
V
基射极电压上
1.5
V
集电极截止电流
V
CE
= 40V ;我
B
=0
0.7
mA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 80V ;我
E
=0
0.1
mA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 7V ;我
C
=0
0.1
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 5A ; V
CE
=10V
18
55
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N3232
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N3232
描述
·采用TO-3封装
·卓越的安全工作区
·低集电极饱和电压
应用
·对于音频放大器和电源开关
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
80
60
7
7.5
115
150
-65~200
单位
V
V
V
A
W
热特性
符号
R
（日） JC
参数
热阻结到外壳
价值
1.17
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 30毫安，我
B
=0
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
I
C
= 3A ; V
CE
=4V
V
CE
= 40V ;我
B
=0
V
CB
= 80V ;我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 5A ; V
CE
=10V
18
民
60
典型值。
2N3232
符号
V
（ BR ） CEO
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE
最大
单位
V
1.0
1.5
0.7
0.1
0.1
55
V
V
mA
mA
mA
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N3232
图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）
3
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