LAB
机械数据
尺寸mm （英寸）
SEME
2N3209DCSM
双高速，中功率
PNP通用晶体管
在密闭
陶瓷表面贴装封装
特点
2.29 ± 0.20
(0.09 ± 0.008)
1.65 ± 0.13
(0.065 ± 0.005)
0.64 ± 0.08
(0.025 ± 0.003)
1.40 ± 0.15
(0.055 ± 0.006)
硅平面外延双PNP
晶体管
4.32 ± 0.13
(0.170 ± 0.005)
2.54 ± 0.13
(0.10 ± 0.005)
2
1
3
4
5
密封陶瓷表面贴装
包
CECC筛选可供选择
空间质量等级选项
高速开关饱和
A
6
0.23
弧度。
(0.009)
1.27 ± 0.13
(0.05 ± 0.005)
6.22 ± 0.13
(0.245 ± 0.005)
A=
LCC2包装
仰视图
应用范围：
对于高reliablitity通用
要求小尺寸和低应用
重的设备。
PAD 1 - 集电极1
PAD 2 - 基地1
PAD 3 - 基地2
PAD 4 - 集电极2
PAD 5 - 发射器2
PAD 6 - 发射1
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
每面
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
P
D
R
ja
T
j
T
英镑
Semelab PLC 。
集热器
–
基极电压
集热器
–
发射极电压
辐射源
–
基极电压
集电极电流
设备损耗
减免上述50℃
热阻结到环境
最高结温
储存温度
总
–20V
–20V
–4V
–200mA
300mW
500mW
为2mW / ℃，
3.3mW /°C的
420 ° C / W
250 ° C / W
200°C
-65 ℃200℃
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
预赛。 2/00
LAB
电气特性
（温度上限= 25 ° C除非另有说明）
参数
V
CEO （ SUS） *
V
（ BR ） CBO *
V
（ BR ） EBO *
I
CES *
集电极 - 发射极耐受电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
SEME
2N3209DCSM
测试条件
I
C
= 10毫安
I
C
= 10
m
A
I
E
= 10
m
A
V
CE
= 10V
V
CE
= 10V
T
C
= 125°C
I
C
= 10毫安
I
B
= 1毫安
I
B
= 3毫安
I
B
= 10毫安
I
B
= 1毫安
I
B
= 3毫安
I
B
= 10毫安
V
CE
= 0.3V
V
CE
= 0.5V
V
CE
= 1V
V
CE
= 0.5V
I
C
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
分钟。
-20
-20
-4
典型值。
MAX 。 UNIT
V
V
V
80
10
0.15
0.20
0.60
V
nA
m
A
V
CE （SAT） *
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 30毫安
I
C
= 100毫安
I
C
= 10毫安
0.78
0.85
25
30
15
12
0.98
1.2
1.7
120
V
V
BE （SAT） *
基地 - 发射极饱和电压
I
C
= 30毫安
I
C
= 100毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 30毫安
I
C
= 100毫安
h
FE *
直流电流增益
—
T
AMB
= -55 ° C I
C
= 30毫安
*脉冲测试吨
p
= 300
m
s ,
d
2%
动态特性
（温度上限= 25 ° C除非另有说明）
参数
f
T
C
EBO
C
CBO
跃迁频率
电容
输入电容
测试条件
I
C
= 30毫安
V
EB
= 0.5V
V
CB
= 5V
V
CE
= 10V
I
C
= 0
I
E
= 0
F = 100MHz的
F = 1.0MHz的
F = 1.0MHz的
分钟。
400
典型值。
MAX 。 UNIT
兆赫
6.0
5.0
pF
pF
电气特性
（温度上限= 25 ° C除非另有说明）
参数
t
on
t
关闭
开启时间
打开-O FF时间
测试条件
V
CC
= 2V
I
C
= 30毫安
I
B1
= 1.5毫安
V
CC
= 2V
I
C
= 30毫安
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
60
90
ns
ns
I
B1
= I
B2
= 1.5毫安
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
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预赛。 2/00
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