2N3019S
硅NPN晶体管
数据表
描述
Semicoa半导体提供：
筛选和处理符合MIL -PRF- 19500
附录E
JAN级（ 2N3019SJ ）
JANTX级别（ 2N3019SJX ）
JANTXV级（ 2N3019SJV ）
JANS级（ 2N3019SJS ）
QCI适用的级别
每MIL -STD- 750方法100 ％模目视检查
2072年的JANTXV和JANS
辐射测试（总剂量）要求
应用
通用
低功耗
NPN硅晶体管
特点
密封TO- 39金属罐
在芯片配置也可
芯片几何尺寸4500
参考文献：
MIL-PRF-19500/391
好处
请联系Semicoa的特殊配置
www.SEMICOA.com或（ 714 ） 979-1900
资质等级： JAN ， JANTX ，
JANTXV和JANS
辐射测试可用
T
C
= 25 ° C除非另有说明
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流，连续
功耗，T
A
= 25
O
C
线性降额超过60
O
C
功耗，T
C
= 25
O
C
线性降额超过25
O
C
热阻
工作结温
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
P
T
等级
80
140
7
1
0.8
5.7
5.0
28.6
175
-65到+200
单位
伏
伏
伏
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
R
θJA
T
J
T
英镑
Copyright 2002年
牧师F
Semicoa半导体公司
麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541
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2N3019S
硅NPN晶体管
数据表
电气特性
在T规定的特性
A
= 25°C
开关特性
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射基截止电流
发射基截止电流
基本特征
参数
符号
h
FE1
h
FE2
h
FE3
h
FE4
h
FE5
h
FE6
V
BESAT
V
CEsat1
V
CEsat2
测试条件
I
C
= 150毫安， V
CE
= 10伏
I
C
= 0.1毫安， V
CE
= 10伏
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10伏
I
C
= 500毫安， V
CE
= 10伏
I
C
= 1 A，V
CE
= 10伏
I
C
= 150毫安， V
CE
= 10伏
T
A
= -55°C
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
符号
V
（ BR ） CEO
I
CBO1
I
CES1
I
CES2
I
EBO1
I
EBO2
测试条件
I
C
= 30毫安
V
CB
140伏
V
CE
= 90伏
V
CE
= 90伏，T
A
= 150°C
V
EB
= 7伏
V
EB
= 5伏
民
80
10
10
10
10
10
典型值
最大
单位
伏
A
nA
A
A
nA
脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
≤
2.0%
直流电流增益
民
100
50
90
50
15
40
典型值
最大
300
200
200
单位
基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
小信号特性
参数
震级 - 共发射极，短
电路正向电流传输比
小信号短路正向
电流传输比
开路输出电容
开路输入电容
集电极基时间常数
噪声系数
开关特性
饱和导通时间
1.1
0.2
0.5
伏
伏
符号
|h
FE
|
h
FE
C
敖包
C
IBO
r
b
’C
C
NF
测试条件
V
CE
= 10伏，我
C
= 50毫安，
F = 20MHz的
V
CE
= 5伏，我
C
= 1毫安，
F = 1千赫
V
CB
= 10伏，我
E
= 0 mA时，
100千赫< F < 1兆赫
V
EB
= 0.5伏特，我
C
= 0 mA时，
100千赫< F < 1兆赫
V
CB
= 10伏，我
E
= 10毫安，
F = 79.8兆赫
V
CE
= 10伏，我
C
= 100
A,
F = 200赫兹，R
g
= 1 k
民
5
80
典型值
最大
20
400
12
60
400
4
单位
pF
pF
ps
dB
t
ON
+t
关闭
30
ns
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