2N2907ADIE
一个Microsemi的公司
580圣喜羊羊
水城， MA 02172
电话： 617-924-9280
传真： 617-924-1235
DIE规格
开关晶体管
PNP硅
产品特点：
n
电气性能I.A.W. MIL -PRF-二百九十一分之一万九千五百
n
可用晶圆或芯片形式的混合应用程序
n
通用，高速开关应用
n
低VCE （SAT） ： 2.4V左右@ IC = 150 MADC
物理尺寸
绝对最大额定值：
符号
VCEO
VCBO
VEBO
Ic
TJ ， TSTG
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
工作结&存储
温度范围
极限
60
60
5.0
600
-65到+200
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
°C
封装选项：
W：晶片（ 100 ％探测）U ：晶圆（样品探测）
D：芯片（华夫格包）
B：芯片（瓶）
V ：芯片（华夫格包， 100 ％目视检查） X：其他
金属化选项：
标准：铝顶
短跑1 ：
阿尔顶部
/金背面（无短跑＃ ）
/ TiPdAg背面
处理选项：
标准：能够JANTXV应用程序（没有后缀）
后缀为C：商业
后缀S：能S-水平相当的应用
订货信息：
零件编号： 2N2907A_ _ - _
第一个后缀字母：包装选项
第二个后缀字母：处理选项
短跑＃ ：金属化选项
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另行通知。
数据手册，模具， 2N2907A MSW牧师 - 98年4月14日
MSC0948.PDF
1
电气特性@ TJ = 25
°
C
符号
参数
条件
最小最大单位
开关特性
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
V（ BR ） CEO
冰
ICBO1
IEBO
击穿电压，集电极基
击穿电压，发射器基
击穿电压，集电极到发射极
集电极到发射极截止电流
集电极基截止电流
发射基地的截止电流
偏电导率。 D， IC = 10uAdc
偏电导率。 D， IE = 10uAdc
偏电导率。 D， IC = 10mAdc ，脉冲
偏电导率。 D， VCE = 50V直流
偏电导率。 D， VCB = 50V直流
偏电导率。 D， VEB = 4Vdc电压
60
5
60
VDC
VDC
VDC
50 NADC
10 NADC
50 NADC
基本特征
hFE1
hFE2
hFE3
hFE4
hFE5
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE(sat)1
VBE(sat)2
正向电流传输比
正向电流传输比
正向电流传输比
正向电流传输比
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
VCE = 10V直流， IC = 0.1mAdc
VCE = 10V直流， IC = 1.0mAdc
VCE = 10V直流， IC = 10mAdc
VCE = 10V直流， IC = 150mAdc ，脉冲
VCE = 10V直流， IC = 500mAdc ，脉冲
IC = 150mAdc ， IB = 15mAdc ，脉冲
IC = 500mAdc ， IB = 50mAdc ，脉冲
IC = 150mAdc ， IB = 15mAdc ，脉冲
IC = 500mAdc ， IB = 50mAdc ，脉冲
75
100
100
100
50
450
300
0.4
1.6
1.3
2.6
VDC
VDC
VDC
VDC
0.6
小信号特性
的hFE
/ HFE /
科博
CIBO
短路正向电流XFER比
短路正向的幅度
电流传输比
输出电容
输入电容
VCE = 10V直流， IC = 1mAdc中，f = 1kHz时
VCE = 20VDC ， IC = 50mAdc ， F = 100MHz的
VCB = 10V直流， IE = 0 ， 100kHz< F <1MHz
VEB = 2.0Vdc ， IC = 0 ， 100kHz< F <1MHz
100
2
8 pF的
30 pF的
开关特性
吨
花花公子
饱和导通时间
饱和的关断时间
作为291分之19500图7中定义
作为291分之19500图8中定义
45纳秒
300纳秒
2
QQ：2881677436 复制
