硅RF小信号
NPN晶体管
2N2857CSM
高电流增益带宽积（ FT）
密封陶瓷表面贴装封装
专为高增益，低噪声放大器，
振荡器和混频器应用
筛选选项可用
绝对最大额定值
（ TA = 25° C除非另有说明）
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
PD
TJ
TSTG
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
TA = 25°C
在总功率耗散
减免上述25℃
TC = 25°C
在总功率耗散
减免上述25℃
结温范围
存储温度范围
30V
15V
3V
40mA
200mW
1.14mW/°C
300mW
1.72mW/°C
-65到+ 200℃
-65到+ 200℃
热性能
符号
R
θJA
R
θJC
参数
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
马克斯。
875
583.3
单位
° C / W
° C / W
Semelab有限公司保留随时更改测试条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。
提供的信息Semelab被认为是既准确又可靠，在即将出版的时间。但
Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。 Semelab鼓励客户
验证数据表是在下订单之前电流。
Semelab有限公司
考文垂路，拉特沃思，莱斯特郡， LE17 4JB
电话：+44（ 0 ） 1455 556565
传真：+44（ 0 ） 1455 552612
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电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
V（ BR ） CEO
(1)
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极截止电流
测试条件
IC = 3毫安
VCB = 15V
IB = 0
IE = 0
TA = 150℃
VCB = 30V
IE = 0
IB = 0
IC = 0
VCE = 1.0V
TA = -55°C
IC = 10毫安
IC = 10毫安
IB = 1.0毫安
IB = 1.0毫安
分钟。
15
典型值
马克斯。
单位
V
10
1.0
1.0
100
10
30
10
0.4
150
nA
A
nA
A
ICBO
冰
IEBO
的hFE
(1)
集电极截止电流
射极截止电流
正向电流传输
比
(1)
VCE = 16V
VEB = 3V
IC = 3毫安
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
(1)
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极饱和
电压
V
1.0
动态特性
| HFE |
小信号的正向电流
传输比
小信号电流增益
集电极 - 基反馈
电容
(2)
IC = 5毫安
F = 100MHz的
IC = 2毫安
F = 1.0kHz
VCB = 10V
F = 1.0MHz的
IE = 2毫安
F = 31.9MHz
VCE = 6V
F = 450MHz的
VCE = 6V
F = 450MHz的
VCE = 6V
VCE = 6V
IE = 0
VCB = 6V
IC = 1.5毫安
IC = 1.5毫安
RG = 50
10
21
的hFE
建行
rb'Cc
GPE
(2)
50
220
1.0
pF
集电极基时间
不变
小信号功率增益
4
15
ps
12.5
dB
4.5
NF
(2)
噪声系数
笔记
（1 ）脉冲宽度
≤
300us,
δ ≤
2%
（ 2 ）通过设计而已，而不是生产测试。
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2N2857CSM
机械数据
尺寸mm （英寸）
0.51 ± 0.10
(0.02 ± 0.004)
1.02 ± 0.10
(0.04 ± 0.004)
R0.31
(0.012)
3
2.54 ± 0.13
(0.10 ± 0.005)
2
1
1.91 ± 0.10
(0.075 ± 0.004)
3.05 ± 0.13
(0.12 ± 0.005)
0.76 ± 0.15
(0.03 ± 0.006)
0.31弧度。
(0.012)
1.40
(0.055)
马克斯。
LCC1
（仰视图）
垫1 - 基地
垫2 - 发射极
垫3 - 集电极
0.51 ± 0.10
(0.02 ± 0.004)
4
1.02 ± 0.10
(0.04 ± 0.004)
R0.31
(0.012)
R
(0 0.
.0 56
22
)
3
2.54 ± 0.13
(0.10 ± 0.005)
2
1
1.91 ± 0.10
(0.075 ± 0.004)
3.05 ± 0.13
(0.12 ± 0.005)
0.76 ± 0.15
(0.03 ± 0.006)
0.31弧度。
(0.012)
1.40
(0.055)
马克斯。
LCC1-4
（仰视图）
垫1 - 基地
垫2 - 发射极
PAD 3 - 集电极
垫4 -Lid联系接地*
请求
注意：如果需要，必须在订货时提出要求
*附加的接触提供了在应用到该盖的连接。连接的金属盖，以一个已知的电势停止深
介电放电空间应用;看到空间天气链接
www.semelab.co.uk/mil/lcc1_4
在Semelab网站。包装变体
要在订单中指定。
其他封装图可能是可用 - 联系Semelab销售到咨询
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NPN晶体管
2N2857CSM
筛选选择
空间等级（ JQRS / ESA）和高可靠性选项
按照现有的
高可靠性和
筛选选项手册
可以从下载
在从TT电子Semelab网站。
欧空局质量水平的产品都是基于测试
在通用ESCC 5000和规定的程序
相应部分详细规范。
Semelabs QR216和QR217处理规范
（ JQRS ） ，与公司的ISO 9001 ：2000相结合
目前批准的可行替代美国MIL-
PRF- 19500的空间层次处理。
QR217 （空间层次质量一致性）的基础上，
MIL - PRF-的质量一致性检验要求
19500 A组（表五） ， B（表VIA ） ，C （表七），并
同时ESA / ESCC 5000 （图F4 ）大量的验证测试。
QR216 （空间等级的筛选）是基于筛选
MIL -PRF- 19500 （表四）和欧空局还要求
/ ESCC 5000 （图F3 ） 。
JQRS零件加工器件的数据表和
筛选，以QR216与一致性测试Q217
符合MIL -STD- 750方法A，B组
和程序。
附加的一致性可供选择，例如
前盖目测，收买访问或数据包。
这些都是收费的，必须在命令中指定
阶段（见订购信息） 。最小订单
量，可申请。
替代或附加特定的客户或一致性
筛选要求会予以考虑。联系
Semelab销售与查询。
订购信息
部件号从部分和筛选水平建立。部分
号可以被扩展以包括附加的选项
如下所示。
类型 - 见主要部件号
套餐 - 参见机械数据
筛选级别 - 参见筛选选项（ ESA / JQRS ）
其他选项：
客户预帽外观检查
客户买入关闭访问
数据包
焊样品
扫描电子显微
X线摄影（X射线）
总剂量辐射测试
MIL -PRF- 19500 （ QR217 ）
B组充电
B组破坏性的机械样品
C组充电
C组的破坏性电气样本
C组的机械破坏样品
ESA / ESCC
很多验证测试（群1 ）充
LVT1破坏性样品（环境）
LVT1破坏性样品（机械）
很多验证测试（小组2 ）充
LVT2耐力样品（电器）
很多验证测试（群3 ）充
LVT3破坏性样品（机械）
.CVP
.CVB
·DA
.SS
.SEM
.XRAY
.RAD
.GRPB
.GBDM （ 12件）
.GRPC
.GCDE （ 12件）
.GCDM （6个）
.LVT1
.L1DE （ 15件）
.L1DM （ 15件）
.LVT2
.L2D （ 15件）
.LVT3
.L3D （ 5片装）
其他选项说明：
1 ）所有的“其他选项”是收费的，必须在订单阶段指定。
2）在B，C或LVT组是必需的，另外的电气和机械破坏
样品必须订购
3 ）所有样品的破坏性标记相同的其他生产零部件，除非
另有要求。
标签细节
部分通常标有标准号，序列
号（或密封的周） ，如下面的例子。
客户特定的标记要求可安排
问题，而是时间大约限制在两行
7个字符。这是为了确保文本仍然可读..
例如标记：
例如订购信息：
下面的例子是用于与部分， JQRS筛选，
另外C组的一致性测试和数据包。
型号：
2N2857CSM-JQRS
（包括飞机零部件的数量）
2N2857CSM-JQRS.GRPC
（收费符合的选项）
2N2857CSM-JQRS.GCDE
（收费破坏性的部分）
2N2857CSM-JQRS.GCDM
（收费破坏性的部分）
2N2857CSM-JQRS.DA
（费用数据包）
与任何特定要求的客户（如标记，
包或筛选）可以用类似的供给
替代型号（有最多20个字符
限制部分号码） 。深介质的要求
排变体（ LCC1-4 ）必须在时间指定
顺序。联系Semelab销售的所有查询
高可靠性和筛选选项手册的链接：
http://www.semelab.co.uk/pdf/misc/documents/hirel_and_screening_options.pdf
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LAB
机械数据
尺寸mm （英寸）
SEME
2N2857CSM
高频
NPN晶体管一
密封式
陶瓷表面贴装封装
高可靠性的应用
特点
0.51 ± 0.10
(0.02 ± 0.004)
0.31弧度。
(0.012)
硅NPN晶体管
密封陶瓷表面贴装
封装（ SOT23兼容）
2.54 ± 0.13
(0.10 ± 0.005)
3
0.76 ± 0.15
(0.03 ± 0.006)
2
1
CECC筛选选择
1.91 ± 0.10
(0.075 ± 0.004)
3.05 ± 0.13
(0.12 ± 0.005)
A=
0.31弧度。
(0.012)
A
1.40
(0.055)
马克斯。
1.02 ± 0.10
(0.04 ± 0.004)
SOT23封装陶瓷
（ LCC1 PACKAGE ）
仰视图
PAD 1 =基本
PAD 2 - 发射极
PAD 3 - 集电极
应用范围：
密封表面贴装版本
流行2N2857高可靠性
要求小尺寸和低应用
重的设备。
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
英镑
, T
J
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
器件总功耗
器件总功耗
@ T
A
=25°C
减免上述25℃
@ T
C
=25°C
减免上述25℃
工作和存储温度范围
30V
15V
2.5V
40mA
200mW
1.14mW /°C的
300mW
1.72mW /°C的
-65到+ 200℃
Semelab PLC 。
电话（ 01455 ） 556565.电传： 341927.传真：（ 01455 ） 552612 。
预赛。九十五分之七
LAB
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
参数
V
（ BR ） CBO *
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
h
FE
I
CES
NF
h
fe
| h
fe
|
C
cb
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极饱和电压
直流电流增益
集电极 - 发射极截止电流
噪声系数
小信号电流增益
h的幅度
fe
集电极 - 基反馈
电容
G
pe
r
b
’C
c
小信号功率增益
集电极 - 基时间常数
SEME
2N2857CSM
测试条件
I
C
= 1A
I
E
= 10A
V
CB
= 15V
I
E
= 0
I
C
= 10毫安
I
B
= 1毫安
V
CE
= 1V
I
C
= 3毫安
V
CB
= 16V
V
CE
= 6V
F = 450MHz的
V
CE
= 6V
V
CE
= 6V
F = 100MHz的
V
CB
= 10V
V
CE
= 6V
F = 450MHz的
V
CE
= 6V
F = 31.9MHz
I
E
= 2毫安
I
E
= 0
I
C
= 1.50毫安
F = 0.1至1兆赫
T
A
= 150°C
I
B
= 0
I
C
= 1.5毫安
R
G
= 50
I
C
= 2毫安
I
C
= 5毫安
T
A
= –55°C
I
E
= 0
I
B
= 0
I
C
= 0
分钟。
30
15
2.5
典型值。
MAX 。 UNIT
V
50
1
0.4
集电极 - 发射极击穿电压I
C
= 3毫安
A
V
—
0.5
30
10
1
100
4.5
50
10
220
21
1
12.5
4.0
21
15
nA
dB
—
—
pF
dB
ps
Semelab PLC 。
电话（ 01455 ） 556565.电传： 341927.传真：（ 01455 ） 552612 。
预赛。九十五分之七
QQ：2881677436 复制
