2N2894
机械数据
尺寸mm （英寸）
5.84 (0.230)
5.31 (0.209)
4.95 (0.195)
4.52 (0.178)
PNP硅
晶体管
特点
硅PNP晶体管
高速，低饱和度开关
5.33 (0.210)
4.32 (0.170)
0.48 (0.019)
0.41 (0.016)
DIA 。
12.7 (0.500)
分钟。
应用范围：
通用开关
应用
2.54 (0.100)
喃。
3
2
1
TO18
仰视图
PIN 2 - 基
PIN1 - EMITER
PIN 3 - 集电极
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
英镑
, T
J
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
器件总功耗
器件总功耗
@ T
A
=25°C
减免上述25℃
@ T
C
=25°C
减免上述25℃
工作和存储温度范围
电话：+44（ 0 ） 1455 ） 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 ） 552612 。
网址：
http://www.semelab.co.uk
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
12V
12V
4V
200mA
360mW
2.06mW /°C的
12W
6.85mW /°C的
-65到+ 200℃
Semelab PLC 。
预赛。 4/99
2N2894
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
参数
BV
CEO （ SUS ）
集电极 - 基BreakdownVoltage
BV
CES
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
I
CES
I
B
V
CE （ SAT ）
集电极 - 基极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
基极电流
集电极 - 发射极饱和电压
测试条件
I
C
= 10毫安
I
C
= 10
m
A
I
E
= 100
m
A
V
CB
= 6V
V
CE
= 6V
V
CE
= 6V
I
C
= 10毫安
I
C
= 30毫安
I
C
= 100毫安
I
C
= 10毫安
I
B
= 0
V
BE
= 0
I
E
= 0
I
C
= 0
T
AMB
= 125
°
C
V
BE
= 0
V
BE
= 0
I
B
= 1毫安
I
B
= 3毫安
I
B
= 10毫安
I
B
= 1毫安
I
B
= 3毫安
I
B
= 10毫安
V
CE
= 0.3V
V
CE
= 0.5V
V
CE
= 0.5V
T
AMB
= -55
°
C
I
C
= -30mA
V
CE
= –0.5V
F = 100MHz的
I
E
= 0
I
C
= 0
V
CE
= 10V
I
C
= 30毫安
V
CB
= 5V
F = 140KHz
V
BE
= 0.5V
F = 140KHz
V
CC
= 2V
I
C
= 30毫安
分钟。
12
12
12
4
典型值。
MAX 。 UNIT
集电极 - 发射极击穿电压I
C
= 10
m
A
V
10
80
80
0.15
0.2
0.5
V
m
A
nA
0.78
0.85
30
40
17
25
400
0.98
1.2.
1.7
150
—
V
V
BE （ SAT ）
基地 - 发射极电压上
I
C
= 30毫安
I
C
= 100毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 30毫安
h
FE
直流电流增益
I
C
= 30毫安
f
T
C
ob
C
ib
t
on
t
关闭
电流增益带宽积
输出电容
输入电容
启动时间
兆赫
6
pF
6
60
ns
90
关闭时间
I
B1
= – I
B2
=1.5mA
*脉冲测试：吨
p
300
m
s,
d
1%.
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 ） 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 ） 552612 。
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