添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第278页 > 2N2221
2N2218-2N2219
2N2221-2N2222
高速交换机
描述
该2N2218 , 2N2219 , 2N2221 2N2222和有sili-
骗子平面外延NPN晶体管JEDEC的
TO- 39 (为2N2218和2N2219 )和JEDEC的
TO- 18 (为2N2221 2N2222和)金属外壳。他们
被设计用于高速开关应用
集电极电流高达500 mA和功能使用 -
FUL电流增益在很宽的范围内收集器的电流
租金,低泄漏电流和低饱和电压
老少皆宜。
2N2218 / 2N2219批准的CECC 50002-
100 , 2N2221 / 2N2222批准的CECC
50002-101索取。
TO-39
TO-18
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
吨吨
参数
集电极 - 基极电压(I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压(I
B
= 0)
发射极 - 基极电压(I
C
= 0)
集电极电流
在T总功率耗散
AMB
25
°C
2N2 21 8
2N2 22 1
在T
为E
25
°C
2N2 21 8
2N2 22 1
储存温度
结温
2 N22 19
2 N22 22
2 N22 19
2 N22 22
价值
60
30
5
0.8
0.8
0.5
3
1.8
- 65 200
175
单位
V
V
V
A
W
W
W
W
°C
°C
1/5
T
ST克
T
j
1989年1月
2N2218-2N2219-2N2221-2N2222
热数据
2 N22 18
2 N22 19
R
吨 J- CAS ê
R
吨 J- AMB
热阻结案件
热阻结到环境
最大
最大
50
° C / W
187.5
° C / W
2N 222 1
2N 222 2
83.3
° C / W
300
° C / W
电气特性
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编)
符号
I
CBO
I
ê BO
V
( BR )
CBO
参数
收藏家Cuto FF电流
(I
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(I
C
= 0)
Colllector基击穿
电压(I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿
电压(I
B
= 0)
Emittter基击穿
电压(I
C
= 0)
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极饱和
电压
直流电流增益
测试条件
V
CB
= 50 V
V
CB
= 50 V
V
E B
= 3 V
I
C
= 10
A
I
C
= 10毫安
I
E
= 10
A
I
C
= 150毫安
I
C
= 500毫安
I
C
= 150毫安
I
C
= 500毫安
I
B
= 15毫安
I
B
= 50毫安
I
B
= 15毫安
I
B
= 50毫安
T
上午B
= 150
°C
分钟。
典型值。
马克斯。
10
10
10
单位
nA
A
nA
V
V
V
60
30
5
0.4
1.6
1.3
2.6
20
25
35
40
20
20
35
50
75
100
30
50
250
8
60
V
( BR ) CE
*
V
( BR )
V
CE
V
EBO
(S AT)
*
V
V
V
V
(S AT)
*
h
F ê
*
2N 221 8
2N 22 21
I
C
- 0.1毫安
V
CE
= 10 V
I
C
= 1毫安
V
CE
= 10 V
I
C
= 10毫安
V
CE
= 10 V
I
C
= 150毫安
V
CE
= 10 V
I
C
= 500毫安
V
CE
= 10 V
I
C
= 150毫安
V
CE
= 1 V
2N 221 9
2N 22 22
I
C
- 0.1毫安
V
CE
= 10 V
I
C
= 1毫安
V
CE
= 10 V
I
C
= 10毫安
V
CE
= 10 V
I
C
= 150毫安
V
CE
= 10 V
I
C
= 500毫安
V
CE
= 10 V
I
C
= 150毫安
V
CE
= 1 V
I
C
= 20毫安
F = 100 MHz的
I
E
= 0
F = 100千赫
I
C
= 20毫安
F = 300 MHz的
V
CE
= 20 V
V
CB
= 10 V
V
CE
= 20 V
120
300
f
T
C
CBO
R
(H IE)
跃迁频率
集电极 - 基极电容
输入的实数部分
阻抗
兆赫
pF
*脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比= 1 % 。
2/5
2N2218-2N2219-2N2221-2N2222
的TO- 18机械数据
mm
DIM 。
分钟。
A
B
D
E
F
G
H
I
L
45
o
2.54
1.2
1.16
45
o
典型值。
12.7
0.49
5.3
4.9
5.8
0.100
0.047
0.045
马克斯。
分钟。
典型值。
0.500
0.019
0.208
0.193
0.228
马克斯。
D
G
I
H
E
F
A
L
C
B
0016043
3/5
2N2218-2N2219-2N2221-2N2222
TO39机械数据
mm
DIM 。
分钟。
A
B
D
E
F
G
H
I
L
5.08
1.2
0.9
45
o
(典型值)。
12.7
0.49
6.6
8.5
9.4
0.200
0.047
0.035
典型值。
马克斯。
分钟。
0.500
0.019
0.260
0.334
0.370
典型值。
马克斯。
D
G
I
H
E
F
A
L
B
P008B
4/5
2N2218-2N2219-2N2221-2N2222
提供的资料被认为是准确和可靠。不过, SGS - THOMSON微电子承担的任何责任
对此类信息的使用,也不对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利的后果。没有
获发牌照以暗示或其他方式SGS - THOMSON微电子公司的任何专利或专利权。规格提到
本出版物中如有更改,恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
SGS - THOMSON微电子产品不授权不明确的生命支持设备或系统中的关键组件
SGS - THOMSON Microelectonics的书面批准。
1994年SGS - THOMSON微电子 - 版权所有
公司SGS - THOMSON微电子集团
澳大利亚 - 巴西 - 法国 - 德国 - 香港 - 意大利 - 日本 - 韩国 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 - 荷兰 -
新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 台湾 - 泰国 - 英国 - 美国
5/5
2N2221
2N2222
NPN硅晶体管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述:
中央SEMICONDUCTOR 2N2221 , 2N2222
类型NPN硅外延平面型晶体管
设计用于小信号,通用交换
应用程序。
标记:全部型号
TO- 18 CASE
最大额定值:
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
功耗
功率耗散( TC = 25°C )
工作和存储结温
热阻
热阻
电动
符号
ICBO
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE ( SAT )
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
VBE ( SAT )
fT
COB
兴业银行
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
PD
TJ , TSTG
Θ
JA
Θ
JC
单位
V
V
V
mA
mW
W
°C
° C / W
° C / W
60
30
5.0
800
400
1.2
-65到+200
438
146
特性:
( TA = 25° C除非另有说明)
测试条件
VCB=50V
-
VCB = 50V , TA = 150℃
VEB=3.0V
IC=10μA
IC=10mA
IE=10μA
IC=150mA,
IC=500mA,
IC=150mA,
IC=500mA,
IB=15mA
IB=50mA
IB=15mA
IB=50mA
-
-
60
30
5.0
-
-
0.6
-
250
-
-
最大
10
10
10
-
-
-
0.4
1.6
1.3
2.6
-
8.0
30
单位
nA
μA
nA
V
V
V
V
V
V
V
兆赫
pF
pF
VCE = 20V , IC = 20mA时, F = 100MHz的
VCB = 10V , IE = 0 , F = 100kHz的
VEB = 0.5V , IC = 0 , F = 100kHz的
R1 ( 2012年30月)
2N2221
2N2222
NPN硅晶体管
电气特性 - 续:
( TA = 25° C除非另有说明)
2N2221
2N2222
符号
测试条件
最大
最大
的hFE
VCE = 10V , IC = 0.1毫安
20
-
35
-
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
的hFE
VCE = 10V , IC = 1.0毫安
VCE = 10V , IC = 10毫安
VCE = 10V , IC = 10毫安, TA = -55°C
VCE = 10V , IC = 150毫安
VCE = 1.0V , IC = 150毫安
VCE = 10V , IC = 500毫安
25
35
15
40
20
25
-
-
-
120
-
-
50
75
35
100
50
40
-
-
-
300
-
-
TO- 18案例 - 机械外形
前导码:
1 )发射
2 )基
3 )集电极
标记:全部型号
R1 ( 2012年30月)
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
2N2221
尺寸以毫米(英寸) 。
5.84 (0.230)
5.31 (0.209)
4.95 (0.195)
4.52 (0.178)
在一个双极NPN器件
密封TO18
金属包装。
双极NPN装置。
V
首席执行官
= 30V
0.48 (0.019)
0.41 (0.016)
DIA 。
I
C
= 0.8A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS , CECC和JAN的要求,
JANTX , JANTXV和JANS规格
3
2
1
2.54 (0.100)
喃。
TO18 ( TO206AA )
引脚配置
1 - 发射极
2 - 基
3 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C( CONT )
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
30
0.8
单位
V
A
-
Hz
@ 10/0.15 (V
CE
/ I
C
)
40
250M
120
0.5
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表,请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件,参数限制和封装尺寸,恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠,在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 556565.传真:+44( 0 ) 1455 552612 。
电子信箱:
sales@semelab.co.uk
网址:
http://www.semelab.co.uk
产生
2-Aug-02
NPN 2N2221 - 2N2221A
2N2222 - 2N2222A
切换硅晶体管
该2N2221 -A和2N2222 -A是NPN晶体管安装在TO- 18金属外壳。
它们被设计用于高速开关应用,并配备了有用的当前
获得在一个宽范围的集电极电流,低泄漏电流和低饱和度的
电压。
符合RoHS指令
绝对最大额定值
价值
符号
评级
2N2221
2N2222
30
60
5
800
T
AMB
= 25°
P
D
总功耗
T
= 25°
T
J
T
英镑
结温
存储温度范围
1.8
175
-65到+200
°C
°C
0.5
W
2N2221A
2N2222A
40
75
6
单位
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
V
V
V
mA
热特性
符号
R
THJ -A
R
THJ -C
评级
热阻,结到环境中的自由空气
热阻,结到外壳
价值
50
187.5
单位
° C / W
° C / W
1|4
NPN 2N2221 - 2N2221A
2N2222 - 2N2222A
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
I
CBO
评级
集电极截止
当前
发射极截止
当前
集电极截止
当前
集电极发射极
击穿
电压(*)
集电极和基
击穿
电压
发射基地
击穿
电压
V
CB
= 50 V
I
E
= 0
V
CB
= 60 V
I
E
= 0
测试条件(S )
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
2N2221-2N2222
2N2221-2N2222
2N2221A-2N2222A
2N2221A-2N2222A
2N2221-2N2222
2N2221A-2N2222A
2N2221A-2N2222A
2N2221-2N2222
2N2221A-2N2222A
2N2221-2N2222
I
C
= 10 μA ,我
E
= 0
2N2221A-2N2222A
2N2221-2N2222
2N2221A-2N2222A
2N2221-2N2221A
2N2222-2N2222A
2N2221-2N2221A
2N2222-2N2222A
2N2221-2N2221A
2N2222-2N2222A
2N2221A
2N2222A
2N2221-2N2221A
2N2222-2N2222A
2N2221-2N2221A
2N2222-2N2222A
2N2221
2N2221A
2N2222
2N2222A
最小典型单位的Mx
-
-
-
-
-
-
30
40
60
75
5
6
20
35
25
50
35
75
15
35
20
50
40
100
20
25
30
40
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
10
10
10
10
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
120
300
-
-
V
nA
A
nA
A
nA
nA
V
I
EBO
I
CEX
V
首席执行官
V
BE
= 3.0 V,I
C
=0
V
CE
= 60 V, -V
BE
= 3V
I
C
= 10 mA时,我
B
= 0
V
CBO
V
EBO
I
E
= 10 μA ,我
C
= 0
I
C
= 0.1毫安, V
CE
=10 V
I
C
= 1毫安, V
CE
=10 V
I
C
= 10 mA时, V
CE
=10 V
V
h
FE
直流电流增益
(*)
I
C
= 10 mA时, V
CE
=10 V
T
AMB
= -55°C
I
C
= 150毫安, V
CE
=1 V
I
C
= 150毫安, V
CE
=10 V
I
C
= 500毫安, V
CE
=10 V
-
16/10/2012
半导体COMSET
2|4
NPN 2N2221 - 2N2221A
2N2222 - 2N2222A
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
V
CE ( SAT )
评级
测试条件(S )
最小典型单位的Mx
-
-
-
-
-
0.6
-
-
250
300
30
50
50
75
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.4
0.3
1.6
1
1.3
1.2
2.6
2
-
-
150
300
300
375
10
25
225
60
150
V
V
BE ( SAT )
f
T
h
fe
t
d
t
r
t
s
t
f
r
b
,C
C
2N2221-2N2222
2N2221A-2N2222A
2N2221-2N2222
2N2221A-2N2222A
2N2221-2N2222
I
C
= 150毫安,我
B
?? 15毫安
基射
2N2221A-2N2222A
饱和电压
2N2221-2N2222
(*)
I
C
= 500毫安,我
B
-50毫安
2N2221A-2N2222A
2N2221-2N22218A
过渡
I
C
能力= 20 mA ,V
CE
=20 V
2N2222
F = 100MHz的
频率
2N2222A
2N2221A
I
C
= 1毫安, V
CE
=10 V
F = 1kHz时
2N2222A
小信号
电流增益
2N2221A
I
C
= 10 mA时, V
CE
=10 V
F = 1kHz时
2N2222A
I
C
= 150毫安,我
B
= 15毫安2N2221A
延迟时间
-V
BB
=0.5 V, V
CC
= 30 V 2N2222A
I
C
= 150毫安,我
B
= 15毫安2N2221A
上升时间
-V
BB
=0.5 V, V
CC
= 30 V 2N2222A
I
C
= 150毫安, V
CC
= 30 V 2N2221A
贮存时间
I
B1
= -I
B2
?? 15毫安
2N2222A
I
C
= 150毫安, V
CC
= 30 V 2N2221A
下降时间
I
B1
= -I
B2
?? 15毫安
2N2222A
2N2221A
反馈时间
I
C
能力= 20 mA ,V
CE
=20 V
不变
F = 31.8MHz
2N2212A
I
C
= 150毫安,我
B
?? 15毫安
集电极 - 发射极
饱和电压
(*)
I
C
= 500毫安,我
B
-50毫安
V
兆赫
-
ns
ns
ns
ns
ps
( * )脉冲条件: TP < 300
s, δ
=2%
16/10/2012
半导体COMSET
3|4
NPN 2N2221 - 2N2221A
2N2222 - 2N2222A
机械数据案例TO- 18
外形尺寸(mm )
A
B
C
D
E
F
G
H
I
L
引脚1 :
引脚2 :
3脚:
案例:
12.7
-
0.9
-
-
-
2.54
-
-
45°
最大
-
0.49
-
5.3
4.9
5.8
-
1.2
1.16
-
辐射源
BASE
集热器
集热器
修订后的2012年8月
提供的资料被认为是准确和可靠。然而,半导体COMSET承担的后果不承担任何责任
利用这些信息,也没有对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利。资料如有变更,
恕不另行通知。 COMSET半导体公司对于其产品适用于任何特定的任何保证,声明或担保
目的,也不COMSET半导体承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任,并明确拒绝承担任何与
所有责任,包括但不限于间接或附带损失。 COMSET半导体的产品不授权使用的关键
组件生命支持设备或系统。
www.comsetsemi.com
16/10/2012
半导体COMSET
info@comsetsemi.com
4|4
查看更多2N2221PDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2N2221
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:247773782 复制

电话:755-83252273
联系人:郑
地址:中航路新亚洲二期N3D039
2N2221
NSC
24+
90000
CAN3
绝对全新原装/自己库存现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2581021098 复制

电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
2N2221
Central
2025+
26820
TO-206AA
【原装优势★★★绝对有货】
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2236823936 复制

电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
2N2221
NS
1926+
6852
CAN3
只做进口原装正品现货,或订货假一赔十!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
2N2221
onsemi
24+
10000
TO-18
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2850388359 复制 点击这里给我发消息 QQ:2850388357 复制
电话:0755-83035161
联系人:肖先生
地址:福田区福华路29号京海花园16G(深圳市华美锐科技有限公司)
2N2221
TFK/
882
原装正品!价格优势!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2360675383 复制 点击这里给我发消息 QQ:1551106297 复制

电话:0755-83679110 0755-23125986
联系人:朱生/李小姐
地址:█★◆█★◣█★█◆█★深圳福田区华强北海外装饰大厦B座7B-20(门市:新亚洲电子市场4楼)★【长期高价回收全新原装正品电子元器件】
2N2221
ST【原装正品】
NEW
9764
原厂封装
█◆★【专注原装正品现货】★价格最低★!量大可定!欢迎惠顾!(长期高价回收全新原装正品电子元器件)
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ:2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ:2719079875 复制

电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
2N2221
MOT
2024
5000
CAN/TO-3
原装现货上海库存,欢迎查询
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
2N2221
NS
21+
24600
CAN3
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
2N2221
onsemi
24+
10000
TO-18
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881495423 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881495422 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881495424 复制

电话:0755-82704952/28227524/89202071/82704952/13528737027
联系人:李小姐/陈先生/李先生【只售原装假一罚百】豪迈兴你值得信赖的供应商!
地址:深圳市福田区中航路新亚洲二期N1B166,深圳市福田区华强北都会大厦B座17i 香港九龙湾临兴街21号美罗中心二期1908室
2N2221
NS/国半
2346+
23600
CAN3
假一罚十!原装现货!强势库存!特价!
查询更多2N2221供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!