【摩托罗拉半导体技术资料订购此文件通过P2N2222A / D放大器晶体管NPN硅集热器12BASE3】,IC型号2N222,2N222 PDF资料,2N222经销商,ic,电子元器件-51电子网

摩托罗拉

半导体技术资料

订购此文件

通过P2N2222A / D

放大器晶体管

NPN硅

集热器

BASE

辐射源

P2N2222A

最大额定值

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

器件总功耗@ TA = 25℃

减免上述25℃

器件总功耗@ TC = 25°C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

符号

VCEO

VCBO

VEBO

TJ ， TSTG

价值

6.0

600

625

5.0

1.5

- 55 + 150

单位

VDC

MADC

毫瓦/°C的

瓦

毫瓦/°C的

°C

CASE 29-04 ，风格17

TO-92 （TO- 226AA ）

热特性

特征

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

符号

最大

200

83.3

单位

° C / W

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）

特征

符号

民

最大

单位

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压

（ IC = 10 MADC ， IB = 0 ）

集电极 - 基极击穿电压

（ IC = 10

的adc ，IE = 0）

发射极 - 基极击穿电压

（IE = 10

ADC ， IC = 0 ）

收藏家Cuto FF电流

（ VCE = 60 VDC ， VEB （关闭） = 3.0伏）

收藏家Cuto FF电流

（ VCB = 60 VDC ， IE = 0 ）

（ VCB = 60 VDC ， IE = 0 ， TA = 150 ° C）

发射Cuto FF电流

（ VEB = 3.0伏， IC = 0 ）

收藏家Cuto FF电流

（ VCE = 10 V）

基地截止电流

（ VCE = 60 VDC ， VEB （关闭） = 3.0伏）

V（ BR ） CEO

V（ BR ） CBO

V（ BR ） EBO

ICEX

ICBO

—

IEBO

ICEO

IBEX

—

0.01

NADC

6.0

—

VDC

NADC

μAdc

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

摩托罗拉公司1996年

P2N2222A

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）（续）

特征

符号

民

最大

单位

基本特征

直流电流增益

（ IC = 0.1 MADC ， VCE = 10 V直流）

（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 V直流）

（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 V直流）

（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 VDC ， TA = -55°C ）

（IC = 150 MADC ， VCE = 10伏）（1）

（IC = 150 MADC ， VCE = 1.0伏）（1）

（IC = 500 MADC ， VCE = 10伏）（1）

集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）

（ IC = 150 MADC ， IB = 15 MADC ）

（ IC = 500 MADC ， IB = 50 MADC ）

基地 - 发射极饱和电压（ 1 ）

（ IC = 150 MADC ， IB = 15 MADC ）

（ IC = 500 MADC ， IB = 50 MADC ）

的hFE

100

VCE （ SAT ）

—

VBE （ SAT ）

0.6

—

1.2

2.0

0.3

1.0

VDC

—

300

—

VDC

—

小信号特性

电流 - 增益 - 带宽积（ 2 ）

（ IC = 20 MADC ， VCE = 20伏， F = 100兆赫）

输出电容

（ VCB = 10 VDC ， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）

输入电容

（ VEB = 0.5伏， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）

输入阻抗

（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）

（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）

电压反馈比例

（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）

（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）

小信号电流增益

（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）

（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）

输出导纳

（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）

（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）

集电极基时间常数

（ IE = 20 MADC ， VCB = 20伏， F = 31.8兆赫）

噪声系数

（ IC = 100

ADC ， VCE = 10 VDC ， RS = 1.0千欧， F = 1.0千赫）

科博

CIBO

缺氧缺血性脑病

2.0

0.25

HRE

—

的hFE

HOE

5.0

rb'Cc

—

200

150

4.0

300

375

8.0

4.0

—

8.0

1.25

X 10– 4

300

—

8.0

兆赫

姆欧

开关特性

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

（ VCC = 30 V直流， VBE （关闭） = -2.0伏，

集成电路= 150 MADC ， IB1 = 15 MADC ）（图1）

（ VCC = 30 V直流， IC = 150 MADC ，

IB1 = IB2 = 15 MADC ）（图2）

—

225

1.脉冲测试：脉冲宽度

300

S，占空比

2.0%.

2. fT的被定义为频率在哪些| HFE |外推到统一。

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

P2N2222A

切换时间等效测试电路

+ 30 V

+16 V

–2 V

1.0-100

占空比

≈

2.0%

1 k

＆ LT ; 2纳秒

200

+16 V

CS * < 10 pF的

–14 V

< 20纳秒

1N914

–4 V

CS * < 10 pF的

1.0-100

占空比

≈

2.0%

+ 30 V

200

范围上升时间< 4纳秒

*测试夹具的总并联电容，

连接器和示波器。

图1.开启时间

图2.开启，关闭时间

1000

700

500

的hFE ， DC电流增益

300

200

TJ = 125°C

25°C

100

0.1

–55°C

VCE = 1.0 V

VCE = 10 V

0.2

0.3

0.5 0.7

1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

20 30

IC ，集电极电流（毫安）

100

200

300

500 700 1.0 k

图3.直流电流增益

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

1.0

TJ = 25°C

0.8

0.6

IC = 1.0毫安

10毫安

150毫安

500毫安

0.4

0.2

0.005

0.01

0.02 0.03

0.05

0.1

0.2

0.3

0.5

1.0

IB ，基极电流（毫安）

2.0

3.0

5.0

图4.集电极饱和区

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

P2N2222A

200

100

T， TIME （ NS ）

7.0

5.0

3.0

2.0

5.0 7.0

200 300

20 30

50 70 100

IC ，集电极电流（毫安）

500

IC / IB = 10

TJ = 25°C

TR @ VCC = 30 V

TD @ VEB （关闭） = 2.0 V

TD @ VEB （关闭） = 0

500

300

200

100

7.0

5.0

5.0 7.0 10

20 30

50 70 100

200

IC ，集电极电流（毫安）

300

500

T的TS = - 1/8 TF

VCC = 30 V

IC / IB = 10

IB1 = IB2

TJ = 25°C

T， TIME （ NS ）

图5.转向 - 时间

图6.打开 - 关闭时间

8.0

NF ，噪声系数（dB ）

IC = 1.0 mA时， RS = 150

500

RS = 200

100

RS = 2.0千欧

RS = 4.0千欧

RS =优化

RS =

来源

RS =

阻力

F = 1.0千赫

8.0

NF ，噪声系数（dB ）

IC = 50

100

500

1.0毫安

6.0

4.0

2.0

0.01 0.02 0.05 0.1 0.2

0.5 1.0 2.0

5.0 10

50 100

100 200

500 1.0 k 2.0 k

5.0 k 10 k 20 k

50 k 100 k

男，频率（KHz ）

RS ，源电阻（欧姆）

图7.频率的影响

F T ，电流增益带宽积（兆赫）

图8.源电阻的影响

电容（pF）

CEB

7.0

5.0

建行

3.0

2.0

0.1

500

VCE = 20 V

TJ = 25°C

300

200

100

1.0

0.2 0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0 5.0 7.0 10

反向电压（伏）

20 30

2.0

3.0

5.0 7.0 10

20 30

IC ，集电极电流（毫安）

70 100

图9.的电容

图10.电流增益带宽积

摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据

P2N2222A

1.0

TJ = 25°C

0.8

VBE （星期六） @ IC / IB = 10

0.6

VBE （ ON） @ VCE = 10 V

0.4

1.0 V

系数（MV /

V，电压（V ）

– 0.5

– 1.0

– 1.5

– 2.0

VCE （SAT） @ IC / IB = 10

– 2.5

0.1 0.2

50 100 200

0.5 1.0 2.0 5.0 10 20

IC ，集电极电流（毫安）

500 1.0 k

0.1 0.2

0.5

1.0 2.0

5.0 10 20

50 100 200

IC ，集电极电流（毫安）

500

VB的VBE

VC的VCE （SAT）

+0.5

0.2

图11. “开”电压

图12.温度系数