【分立半导体数据表M3D1112N2219 ; 2N2219ANPN开关晶体管产品speci fi c】,IC型号2N2219/A,2N2219/A PDF资料,2N2219/A经销商,ic,电子元器件-51电子网

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分立半导体

数据表

M3D111

2N2219 ; 2N2219A

NPN开关晶体管

产品speci fi cation

取代1994年9月数据

在分离式半导体文件， SC04

1997年5月7日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN开关晶体管

特点

高电流（最大800 mA）的

低电压（最大40 V）。

应用

高速开关

直流和VHF / UHF放大，为2N2219只。

1

手册， halfpage

2

2N2219 ; 2N2219A

钉扎

针

1

2

3

辐射源

BASE

集热器，连接到案件

描述

3

2

描述

NPN开关晶体管在TO -39金属封装。

PNP补充： 2N2905A 。

3

MAM317

1

Fig.1简化外形（ TO- 39）和符号。

快速参考数据

符号

V

CBO

参数

集电极 - 基极电压

2N2219

2N2219A

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2N2219

2N2219A

I

C

P

合计

h

FE

f

T

集电极电流（ DC ）

总功耗

直流电流增益

跃迁频率

2N2219

2N2219A

t

关闭

打开-O FF时间

I

CON

= 150毫安;我

BON

= 15毫安;我

B关

=

15

mA

T

AMB

≤

25

°C

I

C

= 10毫安; V

CE

= 10 V

I

C

能力= 20 mA ; V

CE

= 20V; F = 100 MHz的

250

300

250

兆赫

兆赫

ns

开基

75

30

40

800

800

V

V

mA

mW

发射极开路

60

75

V

V

条件

分钟。

马克斯。

单位

1997年5月7日

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN开关晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

CBO

2N2219

2N2219A

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2N2219

2N2219A

V

EBO

发射极 - 基极电压

2N2219

2N2219A

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

T

AMB

≤

25

°C

T

例

≤

25

°C

开基

开基;我

C

≤

500毫安

集电极开路

参数

集电极 - 基极电压

条件

发射极开路

2N2219 ; 2N2219A

分钟。

马克斯。

60

75

30

40

5

6

800

800

200

800

3

+150

200

+150

V

V

V

V

V

V

单位

mA

mA

mA

mW

W

°C

°C

°C

65

65

热特性

符号

R

日J-一

R

第j个-C

参数

从结点到环境的热阻

从结热阻到外壳

条件

在自由空气

价值

190

50

单位

K / W

K / W

1997年5月7日

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN开关晶体管

特征

T

j

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

2N2219

I

CBO

集电极截止电流

2N2219A

I

EBO

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

发射极截止电流

直流电流增益

直流电流增益

直流电流增益

直流电流增益

2N2219A

直流电流增益

直流电流增益

直流电流增益

2N2219

2N2219A

V

CESAT

集电极 - 发射极饱和电压

2N2219

2N2219A

V

CESAT

集电极 - 发射极饱和电压

2N2219

2N2219A

V

BESAT

基射极饱和电压

2N2219

2N2219A

V

BESAT

基射极饱和电压

2N2219

2N2219A

C

c

C

e

f

T

集电极电容

发射极电容

2N2219A

跃迁频率

2N2219

2N2219A

F

噪音科幻gure

2N2219A

I

C

= 0.2毫安; V

CE

= 5 V ;

S

= 2 k;

F = 1千赫B = 200赫兹

I

C

能力= 20 mA ; V

CE

= 20V; F = 100 MHz的;

I

E

= i

e

= 0; V

CB

= 10 V

I

C

= i

c

= 0; V

EB

= 500 mV的

I

C

= 500毫安;我

B

= 50毫安;注1

I

C

= 150毫安;我

B

= 15毫安;注1

I

C

= 500毫安;我

B

= 50毫安;注1

I

C

= 150毫安;我

B

= 15毫安;注1

I

C

= 150毫安; V

CE

= 1V ;注1

I

C

= 150毫安; V

CE

= 10 V ;注1

I

C

= 500毫安; V

CE

= 10 V ;注1

I

E

= 0; V

CB

= 60 V

I

E

= 0; V

CB

= 60 V ;牛逼

AMB

= 150

°C

I

C

= 0; V

EB

= 3 V

I

C

= 0.1毫安; V

CE

= 10 V

I

C

= 1毫安; V

CE

= 10 V

I

C

= 10毫安; V

CE

= 10 V

参数

集电极截止电流

I

E

= 0; V

CB

= 50 V

I

E

= 0; V

CB

= 50 V ;牛逼

AMB

= 150

°C

条件

2N2219 ; 2N2219A

分钟。

35

50

75

35

50

100

30

40

0.6

250

300

马克斯。

10

10

10

10

10

300

400

300

1.6

1

1.3

1.2

2.6

2

8

25

4

单位

nA

A

nA

A

nA

I

C

= 10毫安; V

CE

= 10 V ;牛逼

AMB

=

55 °C

mV

mV

V

V

V

V

V

V

pF

pF

兆赫

兆赫

dB

1997年5月7日

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN开关晶体管

2N2219 ; 2N2219A

符号

参数

条件

分钟。

马克斯。

单位

（ 10％至90％的水平），用于类型2N2219A切换时间;

见图2

t

on

t

d

t

r

t

关闭

t

s

t

f

记

1.脉冲测试：吨

p

≤

300

s; δ ≤

0.02.

开启时间

延迟时间

上升时间

打开-O FF时间

贮存时间

下降时间

I

CON

= 150毫安;我

BON

= 15毫安;

I

B关

=

15

mA

35

15

20

250

200

60

ns

ns

ns

ns

ns

ns

手册，全页宽

VBB

VCC

RB

示波器

Vi

R1

（探头）

450

R2

RC

Vo

（探头）

450

DUT

示波器

MLB826

V

i

= 9.5 V ; T = 500

s;

t

p

=

10

s;

t

r

= t

f

≤

3纳秒。

R1 = 68

;

R2 = 325

;

R

B

= 325

;

R

C

= 160

.

V

BB

=

3.5

V; V

CC

= 29.5 V.

示波器：输入阻抗Z

i

= 50

.

图2测试电路的开关时间。

1997年5月7日

5

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