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2N2060
硅NPN晶体管
数据表
描述
Semicoa半导体提供:
筛选和处理符合MIL -PRF- 19500
附录E
JAN级( 2N2060J )
JANTX级别( 2N2060JX )
JANTXV级( 2N2060JV )
QCI适用的级别
每MIL -STD- 750方法100 %模目视检查
2072的JANTXV
辐射测试(总剂量)要求
应用
匹配双晶体管
低功耗
NPN硅晶体管
特点
密封TO- 77金属罐
在芯片配置也可
芯片几何尺寸0410
参考文献:
MIL-PRF-19500/270
好处
请联系Semicoa的特殊配置
www.SEMICOA.com或( 714 ) 979-1900
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流,连续
功耗,T
A
= 25°C
线性降额25°C以上
功耗,T
C
= 25°C
线性降额25°C以上
工作结温
储存温度
Copyright 2002年
启摹
资质等级: JAN , JANTX ,并
JANTXV
辐射测试可用
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
P
T
T
J
T
英镑
Semicoa半导体公司
等级
60
100
7
500
540一个部分
600两节
3.08一个部分
3.48两部分
1.5一个部分
2.12两部分
8.6一个部分
12.1两部分
-65到+200
单位
mA
mW
mW
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
W
W
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
°C
麦考密克333大道,加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ,传真714.557.4541
第1页1
www.SEMICOA.com
2N2060
硅NPN晶体管
数据表
电气特性
在T规定的特性
A
= 25°C
开关特性
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射基截止电流
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CER
I
CBO1
I
CBO2
I
CBO3
I
首席执行官
I
CEX
I
CES
I
EBO1
I
EBO2
测试条件
I
C
= 30毫安
I
C
= 10毫安,R
BE
= 10
V
CB
= 100伏
V
CB
= 80伏
V
CB
= 80伏,T
A
= 150°C
V
CE
= XX伏特
V
CE
= XX伏特,V
EB
= X伏
V
CE
= XX伏特
V
EB
= 7伏
V
EB
= 5伏
10
2
60
80
10
2
10
典型值
最大
单位
A
nA
A
A
A
nA
A
nA
基本特征
参数
符号
h
FE1
h
FE2
h
FE3
h
FE4
h
FE5
|V
BE1
- V
BE2
|
1
|V
BE1
- V
BE2
|
2
|V
BE1
- V
BE2
|
1
|V
BE1
- V
BE2
|
2
测试条件
I
C
= 10
A,
V
CE
= 5伏
I
C
= 100
A,
V
CE
= 5伏
I
C
= 1毫安, V
CE
= 5伏
I
C
= 10 mA时, V
CE
= 5伏
I
C
= 100
A,
V
CE
= 5伏
T
A
= -55°C
V
CE
= 5伏,我
C
= 100
A
V
CE
= 5伏,我
C
= 1毫安
V
CE
= 5伏,我
C
= 100
A
T
A
= 25 ° C和-55°C
V
CE
= 5伏,我
C
= 1毫安
T
A
= 25 ° C至+ 125°C
脉冲测试:脉冲宽度= 300
s,
占空比
2.0%
25
30
40
50
10
典型值
最大
75
90
120
150
单位
直流电流增益
基射极电压差分
基射极电压差分
随温度的变化
5
.8
1
mVolts
mVolts
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启摹
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第2页2
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硅NPN晶体管
数据表
动态特性
参数
震级 - 共发射极,短
电路正向电流传输比
小信号短路正向
电流传输比
开路输出电容
开路输入电容
符号
|h
FE
|
h
FE
C
敖包
C
IBO
NF
1
NF
2
短路输入阻抗
短路输入阻抗
开路输出导纳
h
ib
h
ie
h
oe
测试条件
V
CE
= 10伏,我
C
= 50毫安,
F = 20MHz的
V
CE
= 5伏,我
C
= 1毫安,
F = 1千赫
V
CB
= 10伏,我
E
= 0 mA时,
100千赫< F < 1兆赫
V
EB
= 0.5伏特,我
C
= 0 mA时,
100千赫< F < 1兆赫
V
CE
= 10伏,我
C
= 300
A,
F = 1千赫,R
g
= 510
V
CE
= 10伏,我
C
= 300
A,
F = 10千赫,R
g
= 1 k
V
CB
= 5V ,我
C
= 1mA时, F = 1kHz时
V
CB
= 5V ,我
C
= 1mA时, F = 1kHz时
V
CB
= 5V ,我
C
= 1mA时, F = 1kHz时
3
50
典型值
最大
25
150
15
85
8
dB
8
20
1
30
4
16
k
μmhos
pF
pF
单位
噪声系数
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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