【双晶体管的TO- 78为例PD @ TA = 25oC =总的600mW （模都平等权）型号描述IC】,IC型号2N2060,2N2060 PDF资料,2N2060经销商,ic,电子元器件-51电子网

双晶体管

的TO- 78为例

PD @ TA = 25

o

C =总的600mW （模都平等权）

型号

描述

IC

（MA ）

最大

2N2060

2N2060A

2N2223

2N2223A

2N2453

2N2453A

2N2480

2N2480A

2N2639

2N2640

2N2641

2N2642

2N2643

2N2644

2N2652

2N2652A

2N2722

2N2903

2N2903A

2N2913

2N2914

2N2915

2N2915A

2N2916

2N2916A

2N2917

2N2918

2N2919

2N2919A

2N2920

2N2920A

2N3726

2N3727

2N3806

2N3807

2N3808

2N3809

2N3810

2N3810A

2N3811

2N3811A

2N4015

2N4016

2N5794

2N5796

MD708

MD708A

MD708B

NPN幅度/ SWITCH

NPN低噪声

NPN幅度/ SWITCH

NPN低噪声

NPN幅度/ SWITCH

NPN低噪声

PNP低噪声

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN SAT SWITCH

500

50

500

30

500

40

50

30

300

50

300

600

200

VCBO

(V)

民

100

60

80

75

80

45

100

45

60

45

60

45

60

75

60

40

VCEO

(V)

民

60

30

50

35

40

45

60

45

30

45

60

45

60

40

60

15

的hFE

(V)

民

50

150

30

50

100

50

125

60

150

60

150

60

150

60

150

135

150

300

150

300

150

300

135

100

40

最大

150

200

600

350

200

300

200

250

625

240

600

240

600

240

600

240

600

350

450

900

450

900

450

900

350

300

200

10

1.0

0.01

1.0

0.001

1.0

0.01

1.0

150

10

@ IC

（MA ）

@ VCE

(V)

最大

5.0

10

1.0

1.2

0.6

1.2

1.0

1.3

1.2

1.0

1.2

1.0

0.35

0.25

0.2

0.25

0.3

0.4

0.5

50

5.0

50

10

50

10

5.0

1.0

50

0.1

50

150

100

VCE （ SAT ）

(V)

@ IC

（MA ）

fT

（兆赫）

* TYP

民

60

50

60

50

40

60

100

60

200

100

200

250

200

300

%

10

20

10

20

10

20

--

10

20

--

15

10

20

10

--

10

20

10

--

20

10

5.0

10

5.0

10

--

10

20

（毫伏）

5.0

3.0

15

5.0

3.0

10

5.0

10

--

5.0

10

--

3.0

5.0

10

5.0

--

3.0

1.5

3.0

1.5

5.0

3.0

1.5

3.0

1.5

5.0

2.5

--

5.0

3.0

1.5

3.0

1.5

5.0

2.5

--

5.0

10

匹配

的hFE

VBE

70

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

2N2060

硅NPN晶体管

数据表

描述

Semicoa半导体提供：

筛选和处理符合MIL -PRF- 19500

附录E

JAN级（ 2N2060J ）

JANTX级别（ 2N2060JX ）

JANTXV级（ 2N2060JV ）

QCI适用的级别

每MIL -STD- 750方法100 ％模目视检查

2072的JANTXV

辐射测试（总剂量）要求

应用

匹配双晶体管

低功耗

NPN硅晶体管

特点

密封TO- 77金属罐

在芯片配置也可

芯片几何尺寸0410

参考文献：

MIL-PRF-19500/270

好处

请联系Semicoa的特殊配置

www.SEMICOA.com或（ 714 ） 979-1900

绝对最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流，连续

功耗，T

A

= 25°C

线性降额25°C以上

功耗，T

C

= 25°C

线性降额25°C以上

工作结温

储存温度

启摹

资质等级： JAN ， JANTX ，并

JANTXV

辐射测试可用

T

C

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

P

T

P

T

J

T

英镑

Semicoa半导体公司

等级

60

100

7

500

540一个部分

600两节

3.08一个部分

3.48两部分

1.5一个部分

2.12两部分

8.6一个部分

12.1两部分

-65到+200

单位

伏

mA

mW

毫瓦/°C的

W

毫瓦/°C的

°C

麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541

第1页1

www.SEMICOA.com

2N2060

硅NPN晶体管

数据表

电气特性

在T规定的特性

A

= 25°C

开关特性

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极截止电流

集电极 - 发射极截止电流

发射基截止电流

符号

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CER

I

CBO1

I

CBO2

I

CBO3

I

首席执行官

I

CEX

I

CES

I

EBO1

I

EBO2

测试条件

I

C

= 30毫安

I

C

= 10毫安，R

BE

= 10

V

CB

= 100伏

V

CB

= 80伏

V

CB

= 80伏，T

A

= 150°C

V

CE

= XX伏特

V

CE

= XX伏特，V

EB

= X伏

V

CE

= XX伏特

V

EB

= 7伏

V

EB

= 5伏

10

2

民

60

80

10

2

10

典型值

最大

单位

伏

A

nA

A

nA

A

nA

基本特征

参数

符号

h

FE1

h

FE2

h

FE3

h

FE4

h

FE5

|V

BE1

- V

BE2

|

1

|V

BE1

- V

BE2

|

2

|V

BE1

- V

BE2

|

1

|V

BE1

- V

BE2

|

2

测试条件

I

C

= 10

A,

V

CE

= 5伏

I

C

= 100

A,

V

CE

= 5伏

I

C

= 1毫安， V

CE

= 5伏

I

C

= 10 mA时， V

CE

= 5伏

I

C

= 100

A,

V

CE

= 5伏

T

A

= -55°C

V

CE

= 5伏，我

C

= 100

A

V

CE

= 5伏，我

C

= 1毫安

V

CE

= 5伏，我

C

= 100

A

T

A

= 25 ° C和-55°C

V

CE

= 5伏，我

C

= 1毫安

T

A

= 25 ° C至+ 125°C

脉冲测试：脉冲宽度= 300

s,

占空比

≤

2.0%

民

25

30

40

50

10

典型值

最大

75

90

120

150

单位

直流电流增益

基射极电压差分

随温度的变化

5

.8

1

mVolts

启摹

Semicoa半导体公司

麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541

第2页2

www.SEMICOA.com

2N2060

硅NPN晶体管

数据表

动态特性

参数

震级 - 共发射极，短

电路正向电流传输比

小信号短路正向

电流传输比

开路输出电容

开路输入电容

符号

|h

FE

|

h

FE

C

敖包

C

IBO

NF

1

NF

2

短路输入阻抗

开路输出导纳

h

ib

h

ie

h

oe

测试条件

V

CE

= 10伏，我

C

= 50毫安，

F = 20MHz的

V

CE

= 5伏，我

C

= 1毫安，

F = 1千赫

V

CB

= 10伏，我

E

= 0 mA时，

100千赫< F < 1兆赫

V

EB

= 0.5伏特，我

C

= 0 mA时，

100千赫< F < 1兆赫

V

CE

= 10伏，我

C

= 300

A,

F = 1千赫，R

g

= 510

V

CE

= 10伏，我

C

= 300

A,

F = 10千赫，R

g

= 1 k

V

CB

= 5V ，我

C

= 1mA时， F = 1kHz时

V

CB

= 5V ，我

C

= 1mA时， F = 1kHz时

V

CB

= 5V ，我

C

= 1mA时， F = 1kHz时

民

3

50

典型值

最大

25

150

15

85

8

dB

8

20

1

30

4

16

k

μmhos

pF

单位

噪声系数

启摹

Semicoa半导体公司

麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541

第3页3

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技术参数

规格化双NPN硅晶体管

每个合格的MIL -PRF-二百七十零分之一万九千五百

器件

2N2060

2N2060L

资质等级

JAN

JANTX

JANTXV

最大额定值

评级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

2N2060

60

100

7.0

500

单位

VDC

MADC

一

两

部分章节

总功耗

@ T

A

= +25

0

C

(1)

540

600

P

T

0 (2)

@ T

C

= +25 C

1.5

2.12

操作&存储结温范围

-65到+200

T

J

,

T

英镑

0

1 ）减额线性3.08毫瓦/ C对于T

A

> 25℃一节， 3.48毫瓦/ C为两部分

2 ）线性降容8.6毫瓦/

0

对于T

C

＆ GT ; 25

0

下一个部分， 12.1毫瓦/

0

下两部分

mW

W

0

C

TO-78*

*请参阅附录A

包装外形

电气特性（T

A

= +25

0

C除非另有说明）

特征

符号

V

（ BR ）

CER

V

（ BR ）

首席执行官

I

CBO

分钟。

80

60

10

2.0

10

2.0

马克斯。

单位

VDC

μAdc

开关特性

集电极 - 发射极击穿电压

(3)

R

BE

≤

10

,

I

C

= 10 MADC

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 30 MADC

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 100 VDC

V

CB

= 80伏直流

发射基截止电流

V

EB

= 7.0伏

V

EB

= 5.0伏

I

EBO

6湖街，劳伦斯，MA 01841

1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真：（ 978 ） 689-0803

120101

第1页2

2N2060 ， 2N2060L JAN系列

电气特性（续）

特征

符号

分钟。

马克斯。

单位

基本特征

(3)

正向电流传输比

I

C

= 10

μAdc ，

V

CE

= 5.0伏

I

C

= 100

μAdc ，

V

CE

= 5.0伏

I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 5.0伏

I

C

= 10 MADC ，V

CE

= 5.0伏

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 50 MADC ，我

B

= 5.0 MADC

基射极饱和电压

I

C

= 50 MADC ，我

B

= 5.0 MADC

h

FE

25

30

40

50

75

90

120

150

0.3

0.9

VDC

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

动态特性

公共发射极小信号短路

正向电流传输比

I

C

= 50 MADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 20 MHz的

小信号短路输入阻抗

I

C

= 1.0 MADC ，V

CB

= 5.0伏， F = 1.0千赫

小信号短路正向电流传输比

I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 5.0伏， F = 1.0千赫

小信号短路输入阻抗

I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 5.0伏， F = 1.0千赫

小信号开路输出导纳

I

C

= 1.0 MADC ，V

CE

= 5.0伏， F = 1.0千赫

输入电容

V

EB

= 0.5伏，我

E

= 0，100千赫

≤

f

≤

1.0兆赫

输出电容

V

CB

= 10 VDC ，我

E

= 0，100千赫

≤

f

≤

1.0兆赫

（ 3 ）脉冲测试：脉冲宽度250 350μS ，占空比

≤

2.0%.

h

FE-

h

ib

h

fe

h

ie

h

oe

C

IBO

C

敖包

3

20

50

1,000

0

25

30

150

4,000

16

85

15

μmhos

pF

6湖街，劳伦斯，MA 01841

1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真：（ 978 ） 689-0803

120101

第2页2

双晶体管

的TO- 78为例

PD @ TA = 25

o

C =总的600mW （模都平等权）

型号

描述

IC

（MA ）

最大

2N2060

2N2060A

2N2223

2N2223A

2N2453

2N2453A

2N2480

2N2480A

2N2639

2N2640

2N2641

2N2642

2N2643

2N2644

2N2652

2N2652A

2N2722

2N2903

2N2903A

2N2913

2N2914

2N2915

2N2915A

2N2916

2N2916A

2N2917

2N2918

2N2919

2N2919A

2N2920

2N2920A

2N3726

2N3727

2N3806

2N3807

2N3808

2N3809

2N3810

2N3810A

2N3811

2N3811A

2N4015

2N4016

2N5794

2N5796

MD708

MD708A

MD708B

NPN幅度/ SWITCH

NPN低噪声

NPN幅度/ SWITCH

NPN低噪声

NPN幅度/ SWITCH

NPN低噪声

PNP低噪声

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN SAT SWITCH

500

50

500

30

500

40

50

30

300

50

300

600

200

VCBO

(V)

民

100

60

80

75

80

45

100

45

60

45

60

45

60

75

60

40

VCEO

(V)

民

60

30

50

35

40

45

60

45

30

45

60

45

60

40

60

15

的hFE

(V)

民

50

150

30

50

100

50

125

60

150

60

150

60

150

60

150

135

150

300

150

300

150

300

135

100

40

最大

150

200

600

350

200

300

200

250

625

240

600

240

600

240

600

240

600

350

450

900

450

900

450

900

350

300

200

10

1.0

0.01

1.0

0.001

1.0

0.01

1.0

150

10

@ IC

（MA ）

@ VCE

(V)

最大

5.0

10

1.0

1.2

0.6

1.2

1.0

1.3

1.2

1.0

1.2

1.0

0.35

0.25

0.2

0.25

0.3

0.4

0.5

50

5.0

50

10

50

10

5.0

1.0

50

0.1

50

150

100

VCE （ SAT ）

(V)

@ IC

（MA ）

fT

（兆赫）

* TYP

民

60

50

60

50

40

60

100

60

200

100

200

250

200

300

%

10

20

10

20

10

20

--

10

20

--

15

10

20

10

--

10

20

10

--

20

10

5.0

10

5.0

10

--

10

20

（毫伏）

5.0

3.0

15

5.0

3.0

10

5.0

10

--

5.0

10

--

3.0

5.0

10

5.0

--

3.0

1.5

3.0

1.5

5.0

3.0

1.5

3.0

1.5

5.0

2.5

--

5.0

3.0

1.5

3.0

1.5

5.0

2.5

--

5.0

10

匹配

的hFE

VBE

70

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

双路匹配NPN

硅晶体管

2N2060 / 2N2060A

匹配双NPN晶体管

低功耗

密封TO -77金属封装

提供高可靠性筛选选项

绝对最大额定值

（ TA = 25° C除非另有说明）

VCEO

VCER

VCBO

VEBO

IC

PD

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

在TA总功耗= 25°C

减免上述25℃

TC = 25°C

减免上述25℃

结温范围

存储温度范围

60V

80V

100V

7V

500mA

每面

设备总

540毫瓦

600毫瓦

3.08毫瓦/°C的

3.48毫瓦/°C的

1.5W

2.12W

8.6毫瓦/°C的

12.1毫瓦/°C的

-65到+ 200℃

TJ

TSTG

Semelab有限公司保留随时更改测试条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。

提供的信息Semelab被认为是既准确又可靠，在即将出版的时间。但

Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。 Semelab鼓励客户

验证数据表是在下订单之前电流。

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双路匹配NPN硅晶体管

2N2060 / 2N2060A

电气特性

（ TA = 25° C除非另有说明）

符号

ICBO

IEBO

V（ BR ） CBO

V（ BR ） EBO

V（ BR ） CER

(1)

V（ BR ） CEO

(1)

VBE （ SAT ）

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿

电压

集电极 - 发射极击穿

电压

基射极饱和电压

测试条件

VCB = 80V

IE = 0

TA = 150℃

VBE = 5V

IC = 100μA

IE = 100μA

IC = 100毫安

IC = 30毫安

IC = 50毫安

2N2060A

IC = 50毫安

2N2060

IC = 50毫安

IC = 10μA

IC = 100μA

IC = 1.0毫安

IC = 10毫安

IC = 0

IE = 0

IC = 0

RBE

≤10

IB = 0

IB = 5毫安

VCE = 5V

民

典型值

最大

0.002

10

2.0

单位

A

nA

100

7

80

60

V

0.9

0.6

1.2

25

30

40

50

75

90

120

150

-

VCE （ SAT ）

集电极 - 发射极饱和

电压

的hFE

正向电流传输比

动态特性

fT

电流增益带宽积

IC = 50毫安

F = 20MHz的

小信号电流增益

IC = 1.0毫安

F = 1.0kHz

输入阻抗

IC = 1.0毫安

F = 1.0kHz

输入阻抗

IC = 1.0毫安

F = 1.0kHz

输出电容

VCB = 10V

F = 1.0MHz的

输入电容

VBE = 0.5V

F = 1.0MHz的

IC = 0

85

pF

IE = 0

15

pF

VCB = 10V

20

30

VCE = 5V

1000

4000

VCE = 5V

50

150

-

VCE = 10V

60

兆赫

的hFE

缺氧缺血性脑病

(3)

HIB

(3)

科博

CIBO

笔记

（1 ）脉冲宽度

≤

300us,

δ ≤

2%

（2）的最低

的hFE

读取为

HFE1

此比率

(3)

参数设计只

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双路匹配NPN硅晶体管

2N2060 / 2N2060A

匹配特性

（ TA = 25° C除非另有说明）

符号

HFE1 / HFE2

V

BE1- VBE2

参数

直流电流增益比

基地 - 发射极电压

迪FF erential

基地发射极电压

差的变化，由于

温度

(2)

测试条件

IC = 100μA

IC = 1.0毫安

IC = 100μA

IC = 1.0毫安

VCE = 5V

民

0.9

典型值

最大

1.0

3.0

5.0

单位

-

mV

(

VBE1- VBE2

)

T

5.0

TA = -55 ° C至+ 125°C

μV/°C

机械数据

尺寸mm （英寸）

8.51 (0.335)

9.40 (0.370)

7.75 (0.305)

8.51 (0.335)

6.10 (0.240)

6.60 (0.260)

1.02

(0.040)

马克斯。

12.7 (0.500)

分钟。

0.41 (0.016)

0.53 (0.021)

5.08

(0.200)

2.54

(0.100)

2.54

(0.100)

3

2

4

5

6

0.74 (0.029)

1.14 (0.045)

1

45

0.71 (0.028)

0.86 (0.034)

TO- 77 （ MO- 002AF ）金属封装

PIN 1 - 集电极

PIN 2 - 基

3脚 - 发射极

PIN 4 - 发射极

PIN 5 - 基地

PIN 6 - 集电极

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