2N1893
尺寸以毫米（英寸） 。
8.51 (0.34)
9.40 (0.37)
7.75 (0.305)
8.51 (0.335)
在一个双极NPN器件
密封TO39
金属包装。
双极NPN装置。
6.10 (0.240)
6.60 (0.260)
12.70
(0.500)
分钟。
0.89
马克斯。
(0.035)
0.41 (0.016)
0.53 (0.021)
DIA 。
V
首席执行官
= 80V
5.08 (0.200)
典型值。
I
C
= 0.5A
2.54
(0.100)
2
1
0.74 (0.029)
1.14 (0.045)
0.71 (0.028)
0.86 (0.034)
3
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS ， CECC和JAN的要求，
JANTX ， JANTXV和JANS规格
45°
TO39 （ TO205AD ）
引脚配置
1 - 发射极
2 - 基
3 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C（ CONT ）
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
80
0.5
单位
V
A
-
@ 5 /1个月（V
CE
/ I
C
)
30
50M
0.8
Hz
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。
电子信箱：
sales@semelab.co.uk
网址：
http://www.semelab.co.uk
产生
1-Aug-02
技术参数
NPN小功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-一百八十二分之一万九千五百
器件
2N720A
2N1893
2N1893S
资质等级
JAN
JANTX
JANTXV
最大额定值
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压（R
BE
= 10
)
集电极电流
@ T
A
= +25
0
C
(1)
@ T
C
= +25
0
C
(2)
操作&存储结温范围
总功耗
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
V
CER
I
C
P
T
T
J
,
T
SRG
所有器件
80
120
7.0
100
500
2N720A 2N1893 ，S
0.5
0.8
1.8
3.0
-65到+200
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
MADC
W
0
的TO- 18 （TO- 206AA ） *
2N720A
C
热特性
特征
符号2N720A 2N1893 ，S
热阻，结到外壳
97
58
R
θ
JC
1 ）减额线性2.86毫瓦/
0
下2N720A ， 4.57毫瓦/
0
下2N1893 ， S T
A
＆ GT ; 25
0
C
2 ）线性降额10.3毫瓦/
0
下2N720A ， 17.2毫瓦/
0
下2N1893 ， S T
C
＆ GT ; 25
0
C
0
单位
C / W
TO-5*
2N1893 ， 2N1893S
*请参阅附录A包
概要
电气特性（T
A
= 25
0
C除非另有说明）
特征
符号
V
（ BR ）
首席执行官
V
（ BR ）
CER
I
CBO
分钟。
马克斯。
单位
VDC
VDC
10
10
10
10
μAdc
μAdc
μAdc
μAdc
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 30 MADC
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10 MADC ，R
BE
= 10
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 120伏
V
CB
= 90伏直流
发射基截止电流
V
EB
= 7.0伏
V
EB
= 5.0伏
80
100
I
EBO
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真： （ 978 ） 689-0803
120101
第1页2
2N720A ; 2N1893 ; 2N1893S JAN系列
电气特性（续）
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
基本特征
(3)
正向电流传输比
I
C
= 0.1 MADC ，V
CE
= 10 VDC
I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 10 VDC
I
C
= 150 MADC ，V
CE
= 10 VDC
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 150 MADC ，我
B
= 15 MADC
基射极电压
I
C
= 150 MADC ，我
B
= 15 MADC
h
FE
20
35
40
120
5.0
1.3
VDC
VDC
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
动态特性
共发射小信号短路幅度
正向电流传输比
I
C
= 50 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 20 MHz的
小信号短路正向电流传输比
V
CE
= 5.0伏，我
C
= 1.0 MADC
V
CE
= 10 VDC ，我
C
= 5.0 MADC ， F = 1.0千赫
小信号短路输入阻抗
V
CB
= 10 VDC ，我
C
= 5.0 MADC
小信号输出短路导纳
V
CB
= 10 VDC ，我
C
= 5.0 MADC
输出电容
V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0，100千赫
≤
f
≤
1.0兆赫
h
fe
3.0
h
fe
h
ib
h
ob
C
敖包
2
35
45
4.0
10
100
8.0
0.5
15
P
F
开关特性
开启时间+关闭时间
（请参阅/ 182的19500 MIL -PRF -图3 ）
（ 3 ）脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比
≤
2.0%.
t
上+
t
关闭
30
ηs
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真： （ 978 ） 689-0803
120101
第2页2
数据表号2C1893
芯片型号2C1893
几何4500
极性NPN
通用封装器件：
2N1893 ， 2N1893S
芯片型号
2C1893
通过Semicoa半自动
导体提供了性能
类似于这些设备。
型号：
2N1893 ， 2N1893S ，
2N1893UB ， SD1893 ，
SD1893F ， SQ1893 ， SQ1893F
产品简介：
应用范围：
专为中
功率放大器和开关应用
系统蒸发散。
产品特点：
中等功率等级
机械的特定网络阳离子
金属化
焊盘尺寸
模具厚度
芯片面积
顶面
顶部
背面
辐射源
BASE
艾尔 - 嘉12分钟。
金 - 6.5 KA NOM 。
2.3密耳X 7.0密耳
5.0密耳X 11.0密耳
8密耳的名义
30密耳×30密耳
SILOX钝化
电气特性
T
A
= 25
o
C
参数
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
测试条件
I
C
= 100 A ，我
E
= 0
I
E
= 100 A ，我
C
= 0
V
CB
= 60 V，I
E
= 0
民
120
7.0
---
最大
---
---
10
单位
V DC
V DC
nA的DC
h
FE
I
C
= 150 mA dc直流电，V
CE
= 10 V
40
120
---
由于探针测试的限制，只有直流参数进行测试。这是一定要做脉冲宽度小于
超过300微秒，比2 ％的占空比少。
2N1893
电气参数（T
A
@ 25 ° C除非另有说明）
°
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（I
C
= 100 MADC ，R
BE
= 10欧姆）（1）
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ） （我
C
= 30 MADC ，我
B
= 0)(1)
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 100
μAdc ，
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压（IE = 100
μAdc ，
I
C
= 0)
集电极截止电流（V
CB
= 90伏直流，我
E
= 0)
o
(V
CB
= 90伏直流，我
E
= 0, T
A
= 150 C)
发射极截止电流（V
EB
= 5.0伏，我
C
= 0)
基本特征
直流电流增益（I
C
= 0.1 MADC ，V
CE
= 10 VDC ）
(I
C
= 10mAdc ，V
CE
= 10伏）（1）
o
(I
C
= 10mAdc ，V
CE
= 10 VDC ， TA = -55℃ ）（ 1 ）
(I
C
= 150mAdc ，V
CE
= 10伏）（1）
集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）
(I
C
= 150 MADC ，我
B
= 15 MADC ）
基射极饱和电压（ 1 ） （
Ic
= 150 MADC ，我
B
= 15 MADC ）
小信号短路正向电流比大小（我
C
= 50 MADC ，
V
CE
= 10 VDC ， F = 20兆赫）
输出电容（V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入阻抗 -
(I
C
= 5.0 MADC ，V
CB
= 10 VDC ， F = 1.0kHz ）
电压反馈比例
(I
C
= 5.0 MADC ，V
CB
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
小信号电流增益（I
c
= 1.0 MADC ，V
cB
= 5.0VDC ， F = 1.0千赫）
(I
C
= 5.0 MADC ，V
CB
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
输出导纳
(I
C
= 5.0 MADC ，V
CB
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
脉冲响应（V
cc
= 20VDC ，我
c
= 500mAdc ）
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
S，占空比
≤
2.0%.
符号
BV
CER
BV
首席执行官
BV
（ BR ） CBO
BV
（ BR ） EBO
IC
BO
IE
BO
h
FE
分钟。
100
80
120
7.0
--
--
--
20
35
20
40
--
--
3
5
4.0
典型值。
马克斯。
--
--
--
--
0.01
15
0.01
--
--
--
120
0.5
1.3
10
15
8.0
1.5
--
35
45
--
--
--
100
--
0.5
30
pF
欧
X 10
--
μmho
ns
-4
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
μAdc
μAdc
--
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
/ HFE /
C
敖包
h
ib
h
rb
h
fe
h
ob
t
上+
t
关闭
VDC
VDC
数据表＃ MSC0271A 97年5月19日
数据表号2N1893
型号2N1893
几何
4500
极性NPN
QUAL等级： JAN - JANTXV
产品特点：
通用低功耗NPN
硅晶体管。
装在
TO-5
情况。
还采用芯片形式提供
该
4500
芯片的几何形状。
显示的最小和最大限值
每
MIL-PRF-19500/182
哪
Semicoa满足于所有情况。
通用型号：
2N1893
REF ： MIL -PRF- 182分之19500
至-5
最大额定值
T
C
= 25℃ ，除非另有规定
o
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压，R
BE
= 10欧姆
集电极电流，连续
功耗，T
A
= 25 C
减免上述25℃
功耗，T
C
= 25 C
减免上述25℃
工作结温
o
o
o
o
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
V
CER
I
C
P
T
等级
80
120
7.0
100
500
0.8
4.57
单位
V
V
V
V
mA
mW
毫瓦/ C
mW
毫瓦/ C
o
o
o
P
T
3.0
17.2
T
J
-55到+200
C
数据表号2N1893
电气特性
T
C
= 25
o
C除非另有说明
开关特性
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100 μA ，脉冲
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 30毫安，脉冲
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 A
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 90 V
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 90 V，T
A
= 150
o
C
发射基截止电流
V
EB
= 6 V
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO1
I
CBO2
I
EBO
民
120
80
7.0
---
---
---
最大
---
---
---
10
15
10
单位
V
V
---
nA
A
nA
基本特征
Forwar URR ntTr NS镭
维C E A FER蒂奥
I
C
= 0.1毫安， V
CE
= 10 V ，脉冲
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10 V ，脉冲
I
C
= 150毫安， V
CE
= 10 V ，脉冲
基射极饱和电压
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安，脉冲
集电极 - 发射极饱和电压
IC = 150 mA时， IB = 15毫安，脉冲
符号
h
FE1
h
FE2
h
FE3
V
BE(sat)1
V
CE(sat)1
民
20
35
40
---
---
最大
---
---
120
1.3
5.0
单位
---
---
---
V DC
V DC
小信号特性
共发射极，小信号，短路的幅度
符号
|h
FE
|
民
3.0
最大
10
单位
---
正向电流传输比
V
CE
= 5 V，I
C
= 1毫安， F = 20 MHz的
小信号，短路
正向电流传输比
V
CE
= 5 V，I
C
= 5毫安
小信号，短路
正向电流传输比
V
CE
= 10 V，I
C
= 10 mA时， F = 1千赫
小信号，短路输入阻抗
V
CB
= 10 V，I
C
= 5毫安
小信号，开路输出导纳
V
CB
= 10 V，I
C
= 5.0毫安
小信号，开路反向电压传输比
h
FE
35
100
---
h
FE
HIB
HOB
HRB
C
敖包
t
on
+ t
关闭
45
4.0
0
---
5.0
---
---
8.0
0.5
1.5x10
-4
15
30
---
欧
-OHMS
---
pF
ns
V
CB
= 10 V，I
C
= 5毫安
开路输出电容
V
CB
= 10 V，I
E
= 0 ， 100千赫< F < 1兆赫
脉冲响应
见测试条件MIL -S - 19500 / 182D
2N1893
提供的资料被认为是准确和可靠。不过， SGS - THOMSON微电子承担的任何责任
对此类信息的使用，也不对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利的后果。没有
获发牌照以暗示或其他方式SGS - THOMSON微电子公司的任何专利或专利权。规格提到
本出版物中如有更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
SGS - THOMSON微电子产品不授权不明确的生命支持设备或系统中的关键组件
SGS - THOMSON Microelectonics的书面批准。
1994年SGS - THOMSON微电子 - 版权所有
公司SGS - THOMSON微电子集团
澳大利亚 - 巴西 - 法国 - 德国 - 香港 - 意大利 - 日本 - 韩国 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 - 荷兰 -
新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 台湾 - 泰国 - 英国 - 美国
5/5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型中功率晶体管
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
初步speci fi cation
产品speci fi cation
极限值
2N1893
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
给定的限值按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。强调以上一个或
更多的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只有经营
该设备在这些或高于任何其他条件的特定网络阳离子的特性部分给出的
是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备，设备或系统中使用，其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这类应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦对此类造成的任何损坏
不当使用或销售。
1997年04月17
5
2N1893
硅NPN晶体管
数据表
描述
Semicoa半导体提供：
筛选和处理符合MIL -PRF- 19500
附录E
JAN级（ 2N1893J ）
JANTX级别（ 2N1893JX ）
JANTXV级（ 2N1893JV ）
QCI适用的级别
每MIL -STD- 750方法100 ％模目视检查
2072的JANTXV
辐射测试（总剂量）要求
应用
通用
低功耗
NPN硅晶体管
特点
密封TO- 5金属罐
在芯片配置也可
芯片几何尺寸4500
参考文献：
MIL-PRF-19500/182
好处
请联系Semicoa的特殊配置
www.SEMICOA.com或（ 714 ） 979-1900
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流，连续
功耗，T
A
= 25
O
C
减免上述60
O
C
功耗，T
C
= 25
O
C
减免上述25
O
C
工作结温
储存温度
热阻
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
P
T
T
J
T
英镑
资质等级： JAN ， JANTX ，并
JANTXV
辐射测试可用
T
C
= 25 ° C除非另有说明
等级
80
120
7
500
0.8
5.7
3.0
17.2
-65到+200
175
单位
伏
伏
伏
mA
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
° C / W
R
θJA
Copyright 2002年
牧师F
Semicoa半导体公司
麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541
第1页2
www.SEMICOA.com
2N1893
硅NPN晶体管
数据表
电气特性
在T规定的特性
A
= 25°C
开关特性
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
发射基截止电流
基本特征
参数
符号
h
FE1
h
FE2
h
FE3
h
FE4
V
BESAT
V
CESAT
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CER
I
CBO1
I
CBO2
I
CBO3
I
EBO1
I
EBO2
测试条件
I
C
= 30毫安
I
C
= 10毫安，R
BE
= 10
V
CB
= 120伏
V
CB
= 90伏
V
CE
= 90伏，T
A
= 150
O
C
V
EB
= 7伏
V
EB
= 5伏
民
80
100
100
10
15
100
10
典型值
最大
单位
伏
伏
A
nA
A
A
nA
脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
≤
2.0%
直流电流增益
基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
动态特性
参数
震级 - 共发射极，短
电路正向电流传输比
短路正向电流传输
比
短路输入阻抗
开路输出导纳
开路反向电压传输
比
开路输出电容
开关特性
脉冲响应
测试条件
I
C
= 1毫安， V
CE
= 10伏
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10伏
I
C
= 150毫安， V
CE
= 10伏
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10伏，
T
A
= -55
O
C
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
民
20
35
40
20
典型值
最大
单位
120
1.3
5.0
伏
伏
符号
|h
FE
|
h
FE1
h
FE2
h
ie
h
oe
h
re
C
敖包
测试条件
V
CE
= 10伏，我
C
= 50毫安，
F = 20MHz的
F = 1千赫
V
CE
= 5伏，我
C
= 1毫安
V
CE
= 10伏，我
C
= 5毫安
V
CB
= 10V ，我
C
= 5毫安
V
CB
= 10V ，我
C
= 5毫安
V
CB
= 10V ，我
C
= 5毫安
V
CB
= 10伏，我
C
= 0 mA时，
100千赫< F < 1兆赫
民
3
35
45
4
典型值
最大
10
100
150
8
0.5
1.5x10
-4
单位
2
15
pF
t
on
+ t
关闭
30
ns
Copyright 2002年
牧师F
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麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541
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