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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第483页 > 2N1613
NPN 2N1613 - 2N1711
硅平面外延晶体管
该2N1613和2N1711的NPN晶体管安装在TO- 39金属封装,集电极
连接到所述壳体。
它们被设计为在高性能的放大器,振荡器和开关电路使用。
的2N1711也用于放大器有利的地方低噪声是一个重要因素。
符合RoHS指令。
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
CER
V
EBO
I
C
I
CM
P
D
T
J
T
英镑
评级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压(R
BE
= 10)
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
@ T
= 25°
@ T
= 100°
@ T
AMB
= 25°
价值
75
50
7
0.5
1
3
1.7
0.8
200
-65到+200
单位
V
V
V
A
A
°C
°C
热特性
符号
R
THJ -C
R
THJ - AMB
评级
热阻,结案件
热阻,结到环境
价值
58
219
单位
° C / W
° C / W
半导体COMSET
1/3
NPN 2N1613 - 2N1711
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
I
CBO
I
EB0
V
CBO
V
CER
(*)
评级
收藏家Cuto FF电流
测试条件(S )
-
-
-
-
75
50
7
-
-
-
20
35
40
20
20
20
35
75
100
40
35
30
70
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
35
-
-
-
-
-
-
-
130
-
75
65
-
-
2.2
4.4
3.6x10
-4
7.3x10
12.5
23.8
-4
Mx
10
10
10
5
-
-
-
1.5
1.3
-
-
-
120
-
-
-
-
-
300
-
-
150
单位
nA
A
nA
V
V
V
V
V
V
CE
= 60 V,I
E
=0
V
CE
= 60 V,I
E
=0, T
AMB
=
150°C
2N1613
V
EB
=5 V
发射Cuto FF电流
2N1711
V
EB
=5 V
I
C
-0.1毫安
集电极基极击穿电压
I
C
= 10毫安,R
BE
=10
I
E
= 100 μA ,我
C
=0
I
C
= 150毫安,我
B
?? 15毫安
I
C
= 150毫安,我
B
?? 15毫安
I
C
= 0.01毫安, V
CE
=10 V
I
C
= 0.1毫安, V
CE
=10 V
I
C
= 10 mA时, V
CE
=10 V
I
C
= 150毫安, V
CE
=10 V
I
C
= 500毫安, V
CE
=10 V
I
C
= 10 mA时, V
CE
=10 V,
T
AMB
=55°C
I
C
= 0.01毫安, V
CE
=10 V
I
C
= 0.1毫安, V
CE
=10 V
I
C
= 10 mA时, V
CE
=10 V
I
C
= 150毫安, V
CE
=10 V
I
C
= 500毫安, V
CE
=10 V
I
C
= 10 mA时, V
CE
=10 V,
T
AMB
=55°C
I
C
= 1毫安, V
CE
=10 V,
F = 1千赫
I
C
= 1毫安, V
CE
=10 V,
F = 1千赫
I
C
= 1毫安, V
CE
=5 V,
F = 1千赫
I
C
= 1毫安, V
CE
=5 V,
F = 1千赫
I
C
= 1毫安, V
CE
=5 V,
F = 1千赫
I
C
= 1毫安, V
CE
=5 V,
F = 1千赫
I
C
= 1毫安, V
CE
=5 V,
F = 1千赫
I
C
= 1毫安, V
CE
=5 V,
F = 1千赫
集电极发射极击穿
电压
发射极基极击穿电压
V
EBO
V
CE ( SAT )
( * )集电极 - 发射极饱和电压
V
BE ( SAT )
( * )基射极饱和电压
2N1613
h
FE
(*)
直流电流增益
-
2N1711
2N1613
h
fe
小信号电流增益
2N1711
2N1613
-
300
-
k
-
-
-
-
-
S
-
h
je
输入阻抗
2N1711
2N1613
h
re
反向VoltageRatio
2N1711
2N1613
h
oe
输出Admitance
2N1711
半导体COMSET
2/3
NPN 2N1613 - 2N1711
符号
f
T
C
CBO
C
EBO
NF
评级
2N1613
2N1711
集电极 - 基极电容
发射极 - 基极电容
跃迁频率
噪声系数
测试条件(S )
I
C
= 50 mA时, V
CE
= 10 V , F = 20MHz的
I
C
= 50 mA时, V
CE
= 10 V , F = 20MHz的
I
E
= 0 ,V
CB
= 10 V , F = 1MHz的
I
C
= 0 ,V
EB
= 0.5V , F = 1MHz的
I
C
= 0.3毫安, V
CE
=10 V
2N1613
F = 1千赫,R
9
= 510
I
C
= 0.3毫安, V
CE
=10 V
2N1711
F = 1千赫,R
9
= 510
最小值典型值
60
70
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Mx
-
-
25
80
12
单位
兆赫
pF
pF
dB
8
( * )脉冲条件: TP < 300
s, δ
=1%.
机械数据案例TO- 39
外形尺寸(mm )
A
B
D
E
F
G
H
I
L
12.7
-
-
-
-
5.08
-
-
45°
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
0.49
6.6
8.5
9.4
-
1.2
0.9
-
引脚1 :
引脚2 :
案例:
辐射源
BASE
集热器
提供的资料被认为是准确和可靠。然而, CS不承担任何责任
使用该等信息造成的后果,也没有对可能出现的错误。
资料如有变更,恕不另行通知。
半导体COMSET
3/3
2N1613
尺寸以毫米(英寸) 。
8.51 (0.34)
9.40 (0.37)
7.75 (0.305)
8.51 (0.335)
在一个双极NPN器件
密封TO39
金属包装。
双极NPN装置。
6.10 (0.240)
6.60 (0.260)
12.70
(0.500)
分钟。
0.89
马克斯。
(0.035)
0.41 (0.016)
0.53 (0.021)
DIA 。
V
首席执行官
= 50V
5.08 (0.200)
典型值。
I
C
= 0.5A
2.54
(0.100)
2
1
0.74 (0.029)
1.14 (0.045)
0.71 (0.028)
0.86 (0.034)
3
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS , CECC和JAN的要求,
JANTX , JANTXV和JANS规格
45°
TO39 ( TO205AD )
引脚配置
1 - 发射极
2 - 基
3 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C( CONT )
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
50
0.5
单位
V
A
-
Hz
@ 10/0.15 (V
CE
/ I
C
)
40
70M
120
0.8
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表,请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件,参数限制和封装尺寸,恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠,在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 556565.传真:+44( 0 ) 1455 552612 。
电子信箱:
sales@semelab.co.uk
网址:
http://www.semelab.co.uk
产生
1-Aug-02
技术参数
NPN小功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF- 181分之19500
器件
2N718A
2N1613
2N1613L
资质等级
JAN
JANTX
JANTXV
最大额定值
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
@ T
A
= +25
0
C
(1)
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
30
75
7.0
500
0.5
0.8
1.8
3.0
-55到+175
马克斯。
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
的TO- 18 (TO- 206AA ) *
2N718A
2N718A
2N1613 ,L
0 (2)
@ T
C
= +25 C
2N718A
2N1613 ,L
操作&存储结温范围
P
T
W
T
J
,
T
英镑
符号
0
C
热特性
特征
热阻,结到外壳
单位
0
2N718A
97
C / W
R
θ
JC
2N1613 ,L
58
1 )减额线性4.57毫瓦/
0
下2N1613 , L和2.85毫瓦/
0
下2N718A对于T
A
> +25
0
C
2 )线性降额17.2毫瓦/
0
下2N1613 , L和10.3毫瓦/
0
下2N718A对于T
C
> +25
0
C
的TO- 39 (TO- 205AD ) *
2N1613
TO-5*
2N1613L
*请参阅附录A包
概要
电气特性(T
C
= 25
0
C除非另有说明)
特征
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CER
I
CBO
I
EBO
分钟。
马克斯。
单位
VDC
VDC
10
10
μAdc
μAdc
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 30 MADC
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10 MADC ,R
BE
= 10
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 60 VDC
发射基截止电流
V
EB
= 5.0伏
30
50
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
第1页2
2N718A , 2N1613 , 2N1613L JAN ,系列
电气特性(续)
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
基本特征( 3 )
正向电流传输比
I
C
= 0.1 MADC ,V
CE
= 10 VDC
I
C
= 10 MADC ,V
CE
= 10 VDC
I
C
= 150 MADC ,V
CE
= 10 VDC
I
C
= 500 MADC ,V
CE
= 10 VDC
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 150 MADC ,我
B
= 15 MADC
基射极饱和电压
I
C
= 150 MADC ,我
B
= 15 MADC
20
35
40
20
h
FE
120
VDC
VDC
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
1.5
1.3
动态特性
小信号正向电流传输比大小
I
C
= 50 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 20 MHz的
小信号正向电流传输比
I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 5.0伏, F = 1.0千赫
I
C
= 5.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫
小信号短路输入阻抗
I
C
= 5.0 MADC ,V
CB
= 10 VDC , F = 1.0千赫
小信号短路输出导纳
I
C
= 5.0 MADC ,V
CB
= 10 VDC , F = 1.0千赫
输出电容
V
CB
= 10 VDC ,我
E
= 0,100千赫
f
1.0兆赫
h
fe
h
fe
h
ib
h
ob
C
敖包
3.0
30
35
4.0
100
150
8.0
1.0
25
η
pF
开关特性
开启时间+关闭时间
(请参阅/ 181的19500 MIL -PRF -图1 )
( 3 )脉冲测试:脉冲宽度= 300μS ,占空比
2.0%.
t
上+
t
关闭
30
ηs
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
第2页2
2N1613
2N1711
开关和通用放大器
描述
该2N1613和2N1711的硅平面外延
NPN晶体管JEDEC的TO -39金属外壳。他们
设计用于高性能放大器的使用,
振荡器和开关电路。
的2N1711也用于放大器有利
其中,低噪声是一个重要因素。
产品经批准的CECC 50002-104可用
可根据要求提供。
TO-39
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
CER
V
EBO
I
C
P
吨吨
参数
集电极 - 基极电压(I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压(R
BE
10
)
发射极 - 基极电压(I
C
= 0)
集电极电流
在T总功率耗散
AMB
25
°C
在T
为E
25
°C
在T
为E
100
°C
储存和结温
价值
75
50
7
500
0.8
3
1.7
- 65 200
单位
V
V
V
mA
W
W
W
°C
1/5
T
S T摹
, T
j
1989年1月
2N1613-2N1711
热数据
R
吨 J- CAS ê
R
吨 J- AMB
热阻结案件
热阻结到环境
最大
最大
58
219
° C / W
° C / W
电气特性
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编)
符号
I
CBO
I
ê BO
V
( BR )
CBO
参数
收藏家Cuto FF电流
(I
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(I
C
= 0)
测试条件
V
CB
= 60 V
V
CB
= 60 V
V
EB
= 5 V
T
上午B
= 150
°C
2N 16 13
2N 17 11
分钟。
典型值。
马克斯。
10
10
10
5
单位
nA
A
nA
nA
V
集电极 - 基极击穿
I
C
- 0.1毫安
电压
集电极 - 发射极
击穿电压
(R
10
)
发射极 - 基极击穿
电压(I
C
= 0)
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极饱和
电压
直流电流增益
I
C
= 10毫安
75
V
( BR ) CE
*
50
V
V
( BR )
V
CE
V
BE
EBO
I
E
- 0.1毫安
I
C
= 150毫安
I
C
= 150毫安
2 N16 13
I
C
= 0.01毫安
I
C
- 0.1毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 150毫安
I
C
= 500毫安
I
C
= 10毫安
T
AMB
= –55
°C
2 N17 11
I
C
= 0.01毫安
I
C
- 0.1毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 150毫安
I
C
= 500毫安
I
C
= 10毫安
T
AMB
= 55
°C
I
B
= 15毫安
I
B
= 15毫安
7
0.5
0.95
1.5
1.3
V
V
V
(S AT)
*
(S AT)
*
h
F ê
*
V
CE
V
CE
V
CE
V
CE
V
CE
V
CE
=
=
=
=
=
=
10
10
10
10
10
10
V
V
V
V
V
V
20
35
40
20
20
35
50
80
80
55
35
60
80
130
130
75
65
120
h
F ê
*
直流电流增益
V
CE
V
CE
V
CE
V
CE
V
CE
V
CE
=
=
=
=
=
=
10
10
10
10
10
10
V
V
V
V
V
V
20
35
300
h
fe
小信号电流增益
2 N16 13
I
C
= 1毫安
F = 1千赫
2 N17 11
I
C
= 1毫安
F = 1千赫
跃迁频率
I
C
= 50毫安
F = 20MHz的
I
C
= 0
F = 1 MHz的
I
E
= 0
F = 1 MHz的
V
CE
= 10 V
30
V
CE
= 10 V
70
V
CE
= 10 V
2N 16 13
2N 17 11
V
EB
= 0.5 V
V
CB
= 10 V
60
70
135
80
100
50
18
80
25
300
兆赫
兆赫
pF
pF
70
150
f
t
C
EBO
C
CBO
发射极 - 基极电容
集电极 - 基
电容
*脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比= 1 % 。
2/5
2N1613-2N1711
电气特性
(续)
符号
NF
参数
噪声系数
测试条件
I
C
- 0.3毫安
R
9
= 510
V
CE
= 10 V
F = 1千赫
2N 16 13
2N 17 11
V
CE
= 5 V
2N 16 13
2N 17 11
V
CE
= 5 V
2N 16 13
2N 17 11
V
CE
= 5 V
2N 16 13
2N 17 11
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
6
3.5
2.2
4.4
3.6x10
– 4
7.3x10
– 4
12.5
23.8
12
8
dB
dB
k
k
h
ie
输入阻抗
I
C
= 1毫安
F = 1千赫
I
C
= 1毫安
F = 1千赫
I
C
= 1毫安
F = 1千赫
h
re
反向电压比
h
oe
输出导纳
S
S
*脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比= 1 % 。
3/5
2N1613-2N1711
TO39机械数据
mm
DIM 。
分钟。
A
B
D
E
F
G
H
I
L
5.08
1.2
0.9
45
o
(典型值)。
12.7
0.49
6.6
8.5
9.4
0.200
0.047
0.035
典型值。
马克斯。
分钟。
0.500
0.019
0.260
0.334
0.370
典型值。
马克斯。
D
G
I
H
E
F
A
L
B
P008B
4/5
2N1613-2N1711
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5/5
分立半导体
数据表
书, halfpage
M3D111
2N1613
NPN型中功率晶体管
产品speci fi cation
取代1994年9月数据
在分离式半导体文件, SC04
1997年04月11
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型中功率晶体管
特点
低电流(最大500 mA)的
低电压(最大50V)时。
应用
高速开关和放大。
描述
在TO- 39金属封装的NPN中功率晶体管。
3
1
手册, halfpage
2
2N1613
钉扎
1
2
3
辐射源
BASE
集热器,连接到案件
描述
3
2
1
MAM317
Fig.1
简化外形( TO- 39)和符号。
快速参考数据
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CM
P
合计
h
FE
f
T
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
峰值集电极电流
总功耗
直流电流增益
跃迁频率
T
AMB
25
°C
I
C
= 150毫安; V
CE
= 10 V
I
C
= 50毫安; V
CE
= 10 V ; F = 100 MHz的
开基
条件
发射极开路
40
60
分钟。
马克斯。
75
50
1
0.8
120
兆赫
V
V
A
W
单位
1997年04月11
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型中功率晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
T
AMB
25
°C
T
= 100
°C
T
25
°C
T
英镑
T
j
T
AMB
储存温度
结温
工作环境温度
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
2N1613
马克斯。
75
50
7
500
1
200
0.8
1.7
3
+150
200
+150
单位
V
V
V
mA
A
mA
W
W
W
°C
°C
°C
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-C
1.参考TO- 39标准安装条件。
参数
从结点到环境的热阻
从结热阻到外壳
条件
注1
价值
218
58.3
单位
K / W
K / W
1997年04月11
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型中功率晶体管
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
E
= 0; V
CB
= 60 V
I
E
= 0; V
CB
= 60 V ;牛逼
AMB
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 0.1毫安; V
CE
= 10 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 10 V ;注1
I
C
= 150毫安; V
CE
= 10 V ;注1
I
C
= 500毫安; V
CE
= 10 V ;注1
V
CESAT
V
BESAT
C
c
C
e
f
T
1.脉冲测试:吨
p
300
s; δ ≤
0.02.
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 150毫安;我
B
= 15毫安
基射极饱和电压
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
I
C
= 150毫安;我
B
= 15毫安
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V
I
C
= 50毫安; V
CE
= 10 V ; F = 100 MHz的
20
35
40
20
60
分钟。
2N1613
马克斯。
10
10
10
120
1.5
1.3
25
80
单位
nA
A
nA
I
C
= 10毫安; V
CE
= 10 V ;牛逼
AMB
=
55 °C
20
V
V
pF
pF
兆赫
1997年04月11
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型中功率晶体管
包装外形
金属圆柱可以单端封装; 3引线
2N1613
SOT5/11
j
B
α
飞机座位
w
M
A
M
B
M
1
b
k
2
3
D
1
a
A
D
A
L
0
5
规模
10 mm
外形尺寸(mm是原始尺寸)
单位
mm
A
6.60
6.35
a
5.08
b
D
D
1
j
k
L
14.2
12.7
w
0.2
α
45
°
0.48 9.39 8.33 0.85 0.95
0.41 9.08 8.18 0.75 0.75
概要
VERSION
SOT5/11
参考文献:
IEC
JEDEC
TO-39
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
97-04-11
1997年04月11
5
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