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2MBI800U4G-120
IGBT模块（ U系列）
1200V / 800A / 2在一个封装
高速开关
电压驱动
低电感模块结构
逆变器电机驱动
AC和DC伺服驱动放大器器
不间断电源
工业机械，如焊接机
绝对最大额定值（在Tc = 25 ° C除非另有规定编）
符号
V
CES
V
GES
Ic
集电极电流
IC脉冲
IGBT模块
特点
应用
最大额定值和特性
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
条件
Tc=25°C
Tc=80°C
Tc=25°C
Tc=80°C
连续
1ms
1ms
1设备
AC： 1分钟。
-IC
-Ic脉冲
集电极耗散功率
Pc
结温
Tj
储存温度
TSTG
终端和铜底座之间的隔离电压（ * 1 ）
V
ISO
安装（* 2）
M6
螺杆转矩
M8
端子（ * 3 ）
M4
注* 1 ：所有终端应连接在一起时，隔离测试将完成。
注* 2 ：值得推荐值：安装4.25 5.75米（ M6 ）
注* 3 ：值得推荐值：主端子8 10米（ M8 ）
感测端子1.7 2.5米（ M4 ）
最大额定值
1200
±20
1200
800
2400
1600
800
1600
4800
150
-40 ~ +125
4000
5.75
10
2.5
单位
V
V
A
W
°C
VAC
Nm
电气特性（在TJ = 25 ° C除非另有说明）
符号
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （SAT）
（主终端）
V
CE （SAT）
（片）
资本投资者入境计划
吨
tr
花花公子
tf
V
F
（主终端）
V
F
（片）
TRR
R导线
符号
RTH （J -C ）
RTH （ C-F ）
项
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
开启
打开-O FF
正向电压上
反向恢复
引线电阻，终端芯片
条件
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V
V
CE
= 0V, V
GE
= ±20V
V
CE
= 20V ，我
C
= 800毫安
V
GE
= 15V
I
C
= 800A
V
CE
= 10V, V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
R
G
on
= 5.6
V
CC
= 600V
R
G
关闭
= 1.5
I
C
= 800A
V
GE
= ±15V
TJ = 125℃
V
GE
= 0V
I
F
= 800A
I
F
= 800A
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
1.0
-
-
1600
5.5
6.5
7.5
-
2.12
2.29
-
2.32
-
-
1.90
2.05
-
2.10
-
-
90
-
-
1.35
-
-
0.65
-
-
0.80
-
-
0.20
-
-
1.87
2.04
-
1.97
-
-
1.65
1.80
-
1.75
-
-
0.45
-
-
0.27
-
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
0.026
-
-
0.045
0.006
-
-
单位
mA
nA
V
V
nF
s
V
s
mΩ
单位
° C / W
热阻特性
项
热电阻（ 1设备）
接触热阻（ 1设备）
条件
IGBT
FWD
用导热膏（ * 4 ）
注* 4：这是它被定义安装在附加散热片具有热化合物的值。
1
2MBI800U4G-120
特性（代表）
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
Tj=25C,chip
1800
1600
集电极电流IC [ A]
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
8V
5.0
10V
V
GE
=20V
15V
12V
集电极电流IC [ A]
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0.0
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IGBT模块
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
TJ = 125°C ，芯片
V
GE
=20V
15V
12V
10V
8V
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
集电极 - 发射极电压与栅极 - 射极电压（典型值）。
V
GE
=+15V,chip
1800
集电极 - 发射极电压： V
CE
[ V ]
1600
集电极电流IC [ A]
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
1
2
3
4
5
Tj=25°C
Tj=125°C
集电极 - 发射极电压与栅极 - 射极电压（典型值）。
Tj=25C,chip
10
8
6
4
Ic=1600A
Ic=800A
Ic=400A
2
0
5
10
15
20
25
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
门 - 发射极电压： V
GE
[ V ]
电容与集电极 - 发射极电压（典型值）。
V
GE
= 0V ， F = 1MHz时， TJ = 25°C
1000
电容：的Cies ，卓越中心， Cres的[ nF的]
1000
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
800
600
400
200
0
0
10
20
30
0
V
CE
动态栅极电荷（典型值）
V
CC
= 600V ，我
C
= 800A ， TJ = 25°C
25
栅极 - 发射极电压： V
GE
[V]
20
V
GE
15
10
5
0
4000
100
资本投资者入境计划
10
CRES
卓越中心
1
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
1000
2000
3000
栅极电荷：的Qg [ NC ]
2
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IGBT模块
开关时间与集电极电流（典型值）。
VCC = 600V ，V
GE
= ± 15V ，R
G
上= 5.6Ω ，R
G
关闭= 1.5Ω ， TJ = 125°C
1.8
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [美国]
开关时间：吨， TR ，到TF [美国]
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
集电极电流IC [ A]
tf
tr
0.0
0
吨
花花公子
6.0
开关时间与栅极电阻（典型值）。
VCC = 600V ， IC = 800A ，V
GE
= ± 15V ， TJ = 125°C
吨
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
tf
4
8
12
16
20
24
28
tr
花花公子
栅极电阻，R
G
[ ]
开关损耗与集电极电流（典型值）。
VCC = 600V ，V
GE
= ± 15V ，R
G
上= 5.6Ω ，R
G
关闭= 1.5Ω ， TJ = 125°C
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
350
300
250
200
150
100
50
0
0
200
400
600
800
1000 1200 1400
集电极电流IC [ A] ，正向电流：I
F
[ A ]
宙
700
开关损耗与栅极电阻（典型值）。
VCC = 600V ， IC = 800A ，V
GE
= ± 15V ， TJ = 125°C
宙
600
500
400
300
200
100
0
0
4
8
12
16
20
栅极电阻，R
G
[ ]
24
28
ERR
EOFF
EOFF
ERR
反向偏压安全工作区（最大）
± V
GE
= 15V ， TJ = 125°C /片
1800
1600
集电极电流IC [ A]
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
集电极 - 发射极电压： V
CE
[ V ]
3
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IGBT模块
正向电流与正向电压（典型值）。
芯片
1800
反向恢复电流： IRR [ A]
1600
正向电流：我
F
[ A ]
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
Tj=25C
Tj=125C
600
550
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
反向恢复特性（典型值）。
VCC = 600V ，V
GE
= ± 15V ，R
G
上= 5.6Ω ， TJ = 125°C
1.2
1.0
0.9
0.8
0.7
TRR
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
200
400
600
800 1000 1200
正向电流：我
F
[ A ]
0.0
1400
反向恢复时间： trr的[我们]
IRR
1.1
正向电压： V
F
[ V ]
瞬态热阻抗（最大）
热resistanse ： Rth的（J -C ） [℃ / W]
0.100
FWD
IGBT
0.010
0.001
0.001
0.010
0.100
1.000
脉冲宽度：P
W
[秒]
4
2MBI800U4G-120
外形图，毫米
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IGBT模块
等效电路示意
主发射器
发射器感
主要的收藏家
集热器感
门
集热器感
门
发射器感
主要的收藏家
主发射器
5
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