2MBI450VN-120-50
IGBT模块（ V系列）
1200V / 450A / 2在一个封装
特点
高速开关
电压驱动
低电感模块结构
IGBT模块
应用
逆变器电机驱动
AC和DC伺服驱动放大器器
不间断电源
工业机械，如焊接机
绝对最大额定值（在Tc = 25 ° C除非另有规定编）
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
符号
V
CES
V
GES
Ic
IC脉冲
集电极电流
-IC
-Ic脉冲
集电极耗散功率
Pc
结温
Tj
工作结温（开关条件下）
T
JOP
外壳温度
T
C
储存温度
TSTG
终端和铜基底之间（* 1）
隔离电压
V
ISO
热敏电阻与其他人之间（* 2）
安装（* 3）
螺杆转矩
-
端子（ * 4 ）
条件
连续
1ms
1ms
1设备
Tc=80°C
Tc=80°C
最大额定值
1200
±20
450
900
450
900
2270
175
150
125
-40到+125
2500
3.5
4.5
单位
V
V
A
W
°C
VAC
Nm
最大额定值和特性
逆变器
AC： 1分钟。
注* 1：在试验过程中所有端子应连接在一起。
注* 2 ：两个热敏电阻端子应连接在一起，另一端应连接在一起，并在试验过程中短路到基板上。
注* 3 ：值得推荐值：安装： 2.5-3.5米（ M5 ） *注4 ：值得推荐值：终端： 3.5-4.5米（ M6 ）
电气特性（在TJ = 25 ° C除非另有规定编）
符号
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （SAT）
（终奌站）
V
CE （SAT）
（片）
资本投资者入境计划
吨
tr
潮流（ⅰ）
花花公子
tf
V
F
（终奌站）
V
F
（片）
TRR
R
B
项
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
条件
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V
V
CE
= 0V, V
GE
= ±20V
V
CE
= 20V ，我
C
= 450毫安
V
GE
= 15V
I
C
= 450A
V
CE
= 10V, V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
V
CC
= 600V
I
C
= 450A
V
GE
= ±15V
R
G
= 0.52
集电极 - 发射极饱和电压
逆变器
输入电容
开启时间
打开-O FF时间
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=150°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=150°C
正向电压上
V
GE
= 0V
I
F
= 450A
I
F
= 450A
T=25°C
T=100°C
T=25/50°C
反向恢复时间
热敏电阻
阻力
B值
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=150°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=150°C
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
3.0
-
-
600
6.0
6.5
7.0
-
2.35
2.80
-
2.65
-
-
2.70
-
-
1.75
2.20
-
2.05
-
-
2.10
-
-
41
-
-
550
1200
-
180
600
-
120
-
-
1050
2000
-
110
350
-
2.30
2.75
-
2.45
-
-
2.40
-
-
1.70
2.15
-
1.85
-
-
1.80
-
-
200
600
-
5000
-
465
495
520
3305
3375
3450
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
0.066
-
-
0.100
-
0.0167
-
单位
mA
nA
V
V
nF
纳秒
V
纳秒
K
热阻特性
项
热电阻（ 1设备）
接触热阻（ 1设备） （* 5）
符号
RTH （J -C ）
RTH （ C-F ）
条件
逆变器的IGBT
变频器FWD
随着热复合
单位
° C / W
注* 5 ：这是是值代网络斯内德安装的额外的冷却科幻n，其中热复合。
1
2MBI450VN-120-50
特性（代表）
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
TJ = 25 ° C /片
1000
800
集电极电流IC [ A]
600
10V
400
200
8V
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压Vce的[ V]
0
0
1
2
3
4
VGE = 20V 15V
12V
集电极电流IC [ A]
IGBT模块
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
环境温度为150℃/芯片
1000
800
600
10V
400
200
VGE = 20V
15V
12V
8V
5
集电极 - 发射极电压Vce的[ V]
[逆变器]
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
VGE = 15V /片
1000
800
600
400
200
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压Vce的[ V]
TJ = 25°C 125°C
集电极 - 发射极电压Vce的[ V]
150°C
[逆变器]
集电极 - 发射极电压与栅极 - 射极电压（典型值）。
TJ = 25 ° C /片
10
8
6
4
2
0
5
10
15
20
25
极 - 发射极电压： VGE [ V]
Ic=900A
Ic=450A
Ic=225A
集电极电流IC [ A]
[逆变器]
栅极电容与集电极 - 发射极电压（典型值）。
VGE = 0V ， = 1MHz时， TJ = 25°C
栅极电容：的Cies ，卓越中心， Cres的[ nF的]
集电极 - 发射极电压Vce的[ 200V / DIV ]
极 - 发射极电压： VGE [ 5V / DIV ]
1000
[逆变器]
动态栅极电荷（典型值）
VCC = 600V ， IC = 450A ， TJ = 25°C
100
VGE
VCE
资本投资者入境计划
10
CRES
1
0
5
10
卓越中心
15
20
25
30
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
集电极 - 发射极电压Vce的[ V]
栅极电荷：的Qg [ NC ]
2
2MBI450VN-120-50
IGBT模块
[逆变器]
开关时间与集电极电流（典型值）。
VCC = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 0.52Ω ， TJ = 25°C
10000
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
[逆变器]
开关时间与集电极电流（典型值）。
VCC = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 0.52Ω ， TJ = 125 ℃， 150℃
10000
Tj=125
o
C
Tj=150
o
C
1000
花花公子
吨
tr
100
tf
1000
花花公子
吨
tr
100
tf
10
0
200
400
600
800
1000
10
0
200
400
600
800
1000
集电极电流IC [ A]
集电极电流IC [ A]
[逆变器]
开关时间与栅极电阻（典型值）。
VCC = 600V ， IC = 450A ， VGE = ± 15V ， TJ = 125 ℃， 150℃
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
TJ = 125℃
Tj=150
o
C
1000
o
[逆变器]
开关损耗与集电极电流（典型值）。
VCC = 600 ， VGE = ± 15V ， RG = 0.52Ω ， TJ = 125 ℃， 150℃
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
150
Tj=125
o
C
Tj=150
o
C
10000
花花公子
吨
tr
EOFF
100
tf
100
50
ERR
宙
0
0
200
400
600
800
1000
10
0.1
1
10
100
栅极电阻： RG [ Ω ]
集电极电流IC [ A]
[逆变器]
开关损耗与栅极电阻（典型值）。
VCC = 600V ， IC = 450A ， VGE = ± 15V ， TJ = 125 ℃， 150℃
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
250
200
150
100
50
ERR
0
0
1
10
100
栅极电阻： RG [ Ω ]
TJ = 125℃
Tj=150
o
C
o
[逆变器]
反向偏压安全工作区（最大）
+ VGE = 15V ， -VGE = 15V ， RG = 0.52Ω ， TJ = 150℃
1400
宙
集电极电流IC [ A]
1200
1000
800
600
400
200
0
0
500
1000
1500
集电极 - 发射极电压Vce的[ V]
EOFF
3
2MBI450VN-120-50
IGBT模块
[逆变器]
正向电流与正向电压（典型值）。
芯片
1000
800
600
400
200
150°C
0
0
1
2
3
正向电压： VF [ V]
反向恢复电流： IRR [ A]
反向恢复时间： trr的[纳秒]
[逆变器]
反向恢复特性（典型值）。
VCC = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 0.52Ω ， TJ = 25°C
10000
正向电流：如果[ A]
Tj=25°C
1000
IRR
TRR
125°C
100
10
0
200
400
600
800
1000
正向电流：如果[ A]
[逆变器]
反向恢复特性（典型值）。
VCC = 600V ， VGE = ± 15V ， RG = 0.52Ω ， TJ = 125 ℃， 150℃
10000
反向恢复电流： IRR [ A]
反向恢复时间： trr的[纳秒]
Tj=125
o
C
Tj=150
o
C
1000
热resistanse ： Rth的（J -C ） [℃ / W]
***
1
瞬态热阻抗（最大）
FWD
0.1
IGBT
0.01
IRR
TRR
100
10
0
200
400
600
800
1000
正向电流：如果[ A]
0.001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度： PW [秒]
[热敏电阻]
温度特性（典型值）。
100
电阻值：R [ kΩ的]
10
1
0.1
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
温度[° C]
4
QQ：2881677436 复制
