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2MBI300VE-120-50
IGBT模块（ V系列）
1200V / 300A / 2在一个封装
高速开关
电压驱动
低电感模块结构
逆变器电机驱动
AC和DC伺服驱动放大器器
不间断电源
工业机械，如焊接机
绝对最大额定值（在Tc = 25 ° C除非另有规定编）
符号
V
CES
V
GES
Ic
集电极电流
IGBT模块
特点
应用
最大额定值和特性
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
逆变器
条件
Tc=100°C
Tc=25°C
连续
1ms
1ms
1设备
IC脉冲
-IC
-Ic脉冲
集电极耗散功率
Pc
结温
Tj
工作结温（开关条件下）
T
JOP
外壳温度
T
C
储存温度
TSTG
终端和铜底座之间的隔离电压（ * 1 ）
V
ISO
安装（* 2）
螺杆转矩
-
端子（ * 3 ）
AC： 1分钟。
最大额定值
1200
±20
300
360
600
300
600
2200
175
150
125
-40 ~ +125
2500
6.0
5.0
单位
V
V
W
°C
VAC
Nm
注* 1：在试验过程中所有端子应连接在一起。
注* 2 ：值得推荐值： 3.0-6.0米（ M5或M6 ）
注* 3 ：值得推荐值： 2.5-5.0米（ M6 ）
电气特性（在TJ = 25 ° C除非另有说明）
符号
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （SAT）
（终奌站）
V
CE （SAT）
（片）
资本投资者入境计划
吨
tr
潮流（ⅰ）
花花公子
tf
V
F
（终奌站）
V
F
（片）
TRR
符号
RTH （J -C ）
RTH （ C-F ）
项
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
条件
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V
V
CE
= 0V, V
GE
= ±20V
V
CE
= 20V ，我
C
= 300毫安
V
GE
= 15V
I
C
= 300A
V
CE
= 10V, V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
V
CC
= 600V
L
S
= 30nH间变化
I
C
= 300A
V
GE
= ±15V
R
G
= 1.8
TJ = 150℃
V
GE
= 0V
I
F
= 300A
I
F
= 300A
条件
IGBT
FWD
随着热复合
集电极 - 发射极饱和电压
逆变器
输入电容
开启时间
打开-O FF时间
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=150°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=150°C
正向电压上
反向恢复时间
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=150°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=150°C
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
2.0
-
-
800
6.0
6.5
7.0
-
2.05
2.60
-
2.40
-
2.45
-
1.85
2.15
-
2.20
-
2.25
-
24
-
-
0.60
-
-
0.20
-
-
0.05
-
-
0.80
-
-
0.08
-
-
1.85
2.40
-
2.00
-
1.95
-
1.70
2.15
-
1.85
-
1.80
-
0.15
-
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
0.068
-
-
0.110
-
0.0125
-
单位
mA
nA
V
V
nF
s
V
s
单位
° C / W
热阻特性
项
热电阻（ 1设备）
接触热阻（ 1设备） （* 4）
注* 4：这是它被定义安装在附加散热片具有热化合物的值。
1
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特性（代表）
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
TJ = 25 ° C /片
800
V
GE
=20V 15V
集电极电流IC [ A]
600
12V
集电极电流IC [ A]
600
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IGBT模块
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
环境温度为150℃/芯片
800
V
GE
= 20V 15V
12V
400
10V
200
8V
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
400
10V
200
8V
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
V
GE
= 15V /片
800
集电极 - 发射极电压与栅极 - 射极电压
TJ = 25 ° C /片
10
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
集电极电流IC [ A]
600
TJ = 25°C 125°C
150°C
8
6
400
4
Ic=600A
Ic=300A
Ic=150A
5
10
15
20
25
200
2
0
0
1
2
3
4
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
5
0
栅极 - 发射极电压： V
GE
[V]
栅极电容与集电极 - 发射极电压
V
GE
= 0V ， = 1MHz时， TJ = 25°C
栅极电容：的Cies ，卓越中心， Cres的[ nF的]
集电极 - 发射极电压： V
CE
[200V/div]
栅极 - 发射极电压： V
GE
[5V/div]
100
动态栅极电荷（典型值）
VCC = 600V ， IC = 300A ， TJ = 25°C
10
资本投资者入境计划
CRES
1
卓越中心
V
CE
V
GE
0.1
0
5
10
15
20
25
30
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
栅极电荷：的Qg [ NC ]
2
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IGBT模块
开关时间与集电极电流（典型值）。
VCC = 600V ，V
GE
= ± 15V ，R
G
= 1.8Ω ， TJ = 125°C
10000
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
开关时间与集电极电流（典型值）。
VCC = 600V ，V
GE
= ± 15V ，R
G
= 1.8Ω ， TJ = 150℃
10000
1000
花花公子
吨
tr
1000
花花公子
吨
tr
100
tf
100
tf
10
0
200
400
600
800
10
0
200
400
600
800
集电极电流IC [ A]
集电极电流IC [ A]
开关时间与栅极电阻（典型值）。
VCC = 600V ， IC = 300A ，V
GE
= ± 15V ， TJ = 125°C
10000
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
开关损耗与集电极电流（典型值）。
VCC = 600V ，V
GE
= ± 15V ，R
G
= 1.8Ω ， TJ = 125 ℃， 150℃
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
60
Tj=125
o
C
Tj=150
o
C
40
ERR
20
EOFF
宙
1000
花花公子
吨
tr
100
tf
10
1
10
栅极电阻，R
G
[]
100
0
0
200
400
600
800
集电极电流IC [ A]
开关损耗与栅极电阻（典型值）。
VCC = 600V ， IC = 300A ，V
GE
= ± 15V ， TJ = 125 ℃， 150℃
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
150
TJ = 125℃
Tj=150
o
C
o
反向偏压安全工作区（最大）
+V
GE
=15V, -V
GE
= 15V ，R
G
= 1.8Ω ， TJ = 150℃
800
100
宙
集电极电流IC [ A]
100
600
400
50
EOFF
200
ERR
0
1
10
栅极电阻，R
G
[]
0
0
200
400
600
800
1000 1200 1400
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
3
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IGBT模块
正向电流与正向电压（典型值）。
芯片
800
反向恢复电流： IRR [ A]
反向恢复时间： trr的[纳秒]
反向恢复特性（典型值）。
VCC = 600V ，V
GE
= ± 15V ，R
G
= 1.8Ω ， TJ = 125°C
10000
正向电流：我
F
[A]
600
Tj=25°C
1000
IRR
TRR
100
400
125°C
150°C
0
0
1
2
3
正向电压： V
F
[V]
200
10
0
200
400
600
800
正向电流：我
F
[A]
反向恢复特性（典型值）。
VCC = 600V ，V
GE
= ± 15V ，R
G
= 1.8Ω ， TJ = 150℃
10000
热resistanse ： Rth的（J -C ） [℃ / W]
反向恢复电流： IRR [ A]
反向恢复时间： trr的[纳秒]
瞬态热阻抗（最大）
1
FWD
0.1
IGBT
0.01
1000
IRR
TRR
100
10
0
200
400
600
800
正向电流：我
F
[A]
0.001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度： PW [秒]
FWD安全工作区（最大）
Tj=150°C
800
反向恢复电流： IRR [ A]
600
Pmax=450kW
400
200
0
0
200
400
600
800
1000 1200 1400
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
4
2MBI300VE-120-50
外形图，毫米
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IGBT模块
等效电路示意
C1
G1
E1
C2E1
G2
E2
E2
5
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