2MBI225U4N-170-50
IGBT模块（ U系列）
1700V / 225A / 2在一个封装
特点
高速开关
电压驱动
低电感模块结构
IGBT模块
应用
逆变器电机驱动
AC和DC伺服驱动放大器器
不间断电源
工业机械，如焊接机
绝对最大额定值（在Tc = 25 ° C除非另有规定编）
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
符号
V
CES
V
GES
Ic
集电极电流
ICP
-IC
-Ic脉冲
Pc
Tj
TSTG
条件
Tc=25°C
Tc=80°C
Tc=25°C
Tc=80°C
最大额定值
1700
±20
300
225
600
450
225
450
1040
150
-40到+125
3400
3.5
4.5
单位
V
V
最大额定值和特性
连续
1ms
1ms
1设备
A
集电极耗散功率
结温
储存温度
终端和铜基底之间（* 1）
隔离电压
V
ISO
热敏电阻与其他人之间（* 2）
安装（* 3）
螺杆转矩
-
端子（ * 4 ）
W
°C
VAC
Nm
AC： 1分钟。
注* 1 ：所有终端应连接在一起时，隔离测试将完成。
注* 2 ：两个热敏电阻端子应该连接在一起，彼此终端应连接在一起，短路到基板上时，隔离测试将完成。
注* 3 ：值得推荐值：安装： 2.5-3.5米（ M5 ） *注4 ：值得推荐值：终端： 3.5-4.5米（ M6 ）
电气特性（在TJ = 25 ° C除非另有规定编）
项
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
开启时间
打开-O FF时间
正向电压上
反向恢复时间
引线电阻，终端芯片（ * 5）
热敏电阻
阻力
B值
符号
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （SAT）
（终奌站）
V
CE （SAT）
（片）
资本投资者入境计划
吨
tr
潮流（ⅰ）
花花公子
tf
V
F
（终奌站）
V
F
（片）
TRR
R导线
R
B
条件
V
GE
= 0V, V
CE
= 1700V
V
CE
= 0V, V
GE
= ±20V
V
CE
= 20V ，我
C
= 225毫安
V
GE
= 15V
I
C
= 225A
V
CE
= 10V, V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
V
CC
= 900V
I
C
= 225A
V
GE
= ±15V
R
G
= 2.2
V
GE
= 0V
I
F
= 225A
I
F
= 225A
T=25°C
T=100°C
T=25/50°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
Tj=25°C
Tj=125°C
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
3.0
-
-
600
4.5
6.5
8.5
-
2.60
2.85
-
3.00
-
-
2.30
2.45
-
2.65
-
-
21
-
-
0.62
1.20
-
0.39
0.60
-
0.05
-
-
0.55
1.50
-
0.09
0.30
-
2.05
2.35
-
2.25
-
-
1.80
1.95
-
2.00
-
-
0.18
0.6
-
1.30
-
-
5000
-
465
495
520
3305
3375
3450
单位
mA
nA
V
V
nF
s
逆变器
V
s
m
K
注* 5 ：臂之间的最大内部终端电阻。
热阻特性
项
热电阻（ 1设备）
接触热阻（ 1设备） （ * 6 ）
符号
RTH （J -C ）
RTH （ C-F ）
条件
IGBT
FWD
随着热复合
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
0.12
-
-
0.20
-
0.0167
-
单位
° C / W
注* 6 ：这是是值去连接斯内德安装上额外的冷却科幻n，其中热复合。
1
2MBI225U4N-170-50
特性（代表）
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
TJ = 25 ° C /片
600
500
集电极电流IC [ A]
400
300
200
100
0
10V
IGBT模块
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
TJ = 125°C /片
600
500
集电极电流IC [ A]
400
300
200
100
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
8V
VGE = 20V 15V
12V
VGE = 20V 15V
12V
10V
8V
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
VGE = 15V /片
600
500
集电极电流IC [ A]
Tj=25°C
400
300
200
100
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
Tj=125°C
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
集电极 - 发射极电压与栅极 - 射极电压（典型值）。
TJ = 25C /片
10
8
6
4
Ic=450A
Ic=225A
Ic=112.5A
2
0
5
10
15
20
25
极 - 发射极电压： VGE [ V]
电容与集电极 - 发射极电压（典型值）。
VGE = 0V ， F = 1MHz时， TJ = 25°C
集电极 - 发射极电压VCE [ 200V / DIV ]
门 - 发射极电压VGE
[ 5V / DIV ]
1000.0
电容：的Cies ，卓越中心， Cres的[ nF的]
动态栅极电荷（典型值）
VCC = 900V ， IC = 225A ， TJ = 25°C
100.0
资本投资者入境计划
10.0
卓越中心
1.0
CRES
0.1
0
10
20
30
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
VCE
VGE
0
200
400
600
800
栅极电荷：的Qg [ NC ]
2
2MBI225U4N-170-50
IGBT模块
开关时间与集电极电流（典型值）。
VCC = 900V ， VGE = ± 15V ， RG = 2.2Ω ， TJ = 25°C
10000
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
10000
开关时间与集电极电流（典型值）。
VCC = 900V ， VGE = ± 15V ， RG = 2.2Ω ， TJ = 125°C
1000
吨
花花公子
tr
tf
1000
花花公子
吨
tr
tf
100
100
10
0
100
200
300
400
集电极电流IC [ A]
10
0
100
200
300
400
集电极电流IC [ A]
开关时间与栅极电阻（典型值）。
VCC = 900V ， IC = 225A ， VGE = ± 15V ， TJ = 25°C
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
10000
开关时间：吨， TR ，花花公子， TF [纳秒]
125
开关损耗与集电极电流（典型值）。
VCC = 900V ， VGE = ± 15V ， RG = 2.2Ω
100
Eoff(125°C)
1000
吨
花花公子
tr
75
50
Err(125°C)
Eon(125°C)
Eoff(25°C)
Err(25°C)
Eon(25°C)
100
tf
25
10
0.1
0
0
50
100 150 200 250 300 350 400 450
集电极电流IC [ A]
1.0
10.0
100.0
栅极电阻： RG [ Ω ]
开关损耗与栅极电阻（典型值）。
VCC = 900V ， IC = 225A ， VGE = ± 15V ， TJ = 125°C
250
宙
200
集电极电流IC [ A]
反向偏压安全工作区（最大）
+ VGE = 15V ， -VGE < = 15V ， RG > = 2.2Ω ， TJ < = 125°C
杂散电感< = 100nH的
600
500
400
300
200
100
0
开关损耗：李炎，的Eoff ， ERR [兆焦耳/脉冲]
150
EOFF
100
50
ERR
0
0.1
1.0
10.0
100.0
栅极电阻： RG [ Ω ]
0
500
1000
1500
集电极 - 发射极电压VCE [ V]
3
2MBI225U4N-170-50
IGBT模块
正向电流与正向电压（典型值）。
芯片
600
500
正向电流IF [ A]
400
300
200
100
0
0
1
2
3
4
正向电压： VF [ V]
反向恢复电流： IRR [ A]
反向恢复时间： trr的[纳秒]
1000
反向恢复特性（典型值）。
VCC = 900V ， VGE = ± 15V ， RG = 2.2Ω
Tj=25°C
Tj=125°C
内部收益率（ 125°C ）
内部收益率（ 25 ° C）
TRR （ 125°C ）
TRR （ 25 ° C）
100
10
0
100
200
300
400
正向电流IF [ A]
瞬态热阻抗（最大）
1.000
热resistanse ： Rth的（J -C ） [℃ / W]
100.0
FWD
0.100
电阻值：R [ kΩ的]
IGBT
10.0
[热敏电阻]
温度特性（典型值）。
0.010
1.0
0.001
0.001
0.1
0.010
0.100
1.000
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
脉冲宽度： PW [秒]
温度
o
C ]
4
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