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2MBI150VA-120-50
IGBT模块（ V系列）
1200V / 150A / 2在一个封装
高速开关
电压驱动
低电感模块结构
逆变器电机驱动
AC和DC伺服驱动放大器器
不间断电源
工业机械，如焊接机
绝对最大额定值（在T
C
= 25 ° C除非另有规定编）
IGBT模块
特点
应用
最大额定值和特性
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
-C脉冲
集电极电流
-I
C
-I
-C脉冲
集电极耗散功率
P
C
结温
T
j
工作结温（开关条件下）
T
JOP
外壳温度
T
C
储存温度
T
英镑
终端和铜底座之间的隔离电压（ * 1 ）
V
ISO
安装（* 2）
-
螺杆转矩
端子（ * 3 ）
-
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
条件
T
C
=100°C
连续
1ms
1ms
1设备
AC： 1分钟。
最大额定值
1200
±20
150
300
150
300
785
175
150
125
-40 ~ 125
2500
5.0
5.0
单位
V
V
A
W
°C
VAC
Nm
注* 1 ：所有终端应连接在一起时，隔离测试将完成。
注* 2 ：值得推荐值： 3.0-5.0米（ M5或M6 ）
注* 3 ：值得推荐值： 2.5-3.5米（ M5 ）
电气特性（在T
j
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （SAT）
（终奌站）
V
CE （SAT）
（片）
R
G（ INT ）
C
IES
t
on
t
r
t
r（下ⅰ）
t
关闭
t
f
V
F
（终奌站）
V
F
（片）
t
rr
符号
R
日（J -C ）
R
TH（ C-F ）
项
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
条件
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V
V
CE
= 0V, V
GE
= ±20V
V
CE
= 20V ，我
C
= 150毫安
V
GE
= 15V
I
C
= 150A
V
GE
= 15V
I
C
= 150A
集电极 - 发射极饱和电压
内部栅极电阻
输入电容
开启时间
打开-O FF时间
正向电压上
反向恢复时间
-
V
CE
= 10V, V
GE
= 0V ， F = 1MHz的
V
CC
= 600V
L
S
= 30nH间变化
I
C
= 150A
V
GE
= ±15V
R
G
= 1.1
T
j
= 150°C
T
j
=25°C
V
GE
= 0V
T
j
=125°C
I
F
= 150A
T
j
=150°C
T
j
=25°C
V
GE
= 0V
T
j
=125°C
I
F
= 150A
T
j
=150°C
I
F
= 150A
条件
IGBT
FWD
随着热复合
T
j
=25°C
T
j
=125°C
T
j
=150°C
T
j
=25°C
T
j
=125°C
T
j
=150°C
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
1.0
-
-
200
6.0
6.5
7.0
-
2.05
2.50
-
2.35
-
2.40
-
1.75
2.20
-
2.05
-
2.10
-
5
-
-
12.6
-
-
600
-
-
200
-
-
50
-
-
600
-
-
40
-
-
1.85
2.30
-
2,00
-
1.95
-
1.70
2.15
-
1.85
-
1.80
-
150
-
特征
分钟。
典型值。
马克斯。
-
-
0.19
-
-
0.31
-
0.050
-
单位
mA
nA
V
V
Ω
nF
纳秒
V
纳秒
单位
° C / W
热阻特性
项
热电阻（ 1设备）
接触热阻（ 1设备） （* 4）
注* 4：这是它被定义安装在附加散热片具有热化合物的值。
1
2MBI150VA-120-50
特性（代表）
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
T
j
= 25 ℃/芯片
350
300
集电极电流：I
C
[A]
250
200
150
100
50
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
8V
10V
V
GE
=20V 15V
12V
集电极电流：I
C
[A]
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IGBT模块
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
T
j
= 150 ℃/芯片
350
300
250
200
150
100
50
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
8V
10V
V
GE
= 20V 15V
12V
集电极电流与集电极 - 发射极电压（典型值）。
V
GE
= 15V /片
350
集电极 - 发射极电压与栅极 - 射极电压
T
j
= 25 ℃/芯片
10
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
300
集电极电流：I
C
[A]
250
200
150
100
50
0
0
1
T
j
=25°C 125°C150°C
8
6
4
I
C
=300A
I
C
=150A
I
C
=75A
5
10
15
20
25
2
0
2
3
4
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
栅极 - 发射极电压： V
GE
[V]
栅极电容与集电极 - 发射极电压
V
GE
= 0V ， = 1MHz的，T
j
= 25°C
栅极电容：C
IES
, C
OES
, C
水库
[ nF的]
100
栅极 - 发射极电压： V
GE
[V]
20
15
10
5
0
-5
-10
-15
20
30
-20
-1.5
动态栅极电荷（典型值）
V
CC
= 600V ，我
C
= 150A ，T
j
= 25°C
800
V
CE
600
400
200
0
V
GE
-200
-400
-600
-800
-1.0
-0.5
0.0
0.5
栅极电荷：Q
g
[μC]
1.0
1.5
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
10
C
IES
1
C
水库
C
OES
0.1
0
10
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
2
2MBI150VA-120-50
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IGBT模块
开关时间与集电极电流（典型值）。
V
CC
=600V, V
GE
= ± 15V ，R
G
=1.1, T
j
=125°C
10000
切换时间：吨
on
, t
r
, t
关闭
, t
f
[纳秒]
切换时间：吨
on
, t
r
, t
关闭
, t
f
[纳秒]
10000
开关时间与集电极电流（典型值）。
V
CC
=600V, V
GE
= ± 15V ，R
G
=1.1, T
j
=150°C
1000
t
on
t
关闭
t
r
1000
t
on
t
关闭
t
r
100
t
f
10
0
100
200
300
400
集电极电流：I
C
[A]
100
t
f
10
0
100
200
300
400
集电极电流：I
C
[A]
开关时间与栅极电阻（典型值）。
V
CC
= 600V ，我
C
= 150A ，V
GE
= ± 15V ，T
j
=125°C
10000
开关损耗：电子
on
, E
关闭
, E
rr
[兆焦耳/脉冲]
切换时间：吨
on
, t
r
, t
关闭
, t
f
[纳秒]
开关损耗与集电极电流（典型值）。
V
CC
=600V, V
GE
= ± 15V ，R
G
=1.1, T
j
=125, 150°C
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
100
200
300
400
E
关闭
E
rr
T
j
=125
o
C
T
j
=150
o
C
E
on
1000
t
on
t
关闭
t
r
100
t
f
10
0.1
1
10
100
栅极电阻，R
G
[]
集电极电流：I
C
[A]
开关损耗与栅极电阻（典型值）。
V
CC
= 600V ，我
C
= 150A ，V
GE
= ± 15V ，T
j
=125, 150°C
20
开关损耗：电子
on
, E
关闭
, E
rr
[兆焦耳/脉冲]
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
10
100
栅极电阻，R
G
[]
T
j
=125
o
C
T
j
=150
o
C
E
rr
E
on
集电极电流：I
C
[A]
E
关闭
350
300
250
200
150
100
50
0
反向偏压安全工作区（最大）
+V
GE
=15V, -V
GE
= 15V ，R
G
=1.1, T
j
=150°C
0
400
800
1200
1600
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
（主终端）
3
2MBI150VA-120-50
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IGBT模块
正向电流与正向电压（典型值）。
芯片
350
反向恢复电流：I
rr
[A]
反向恢复时间：吨
rr
[纳秒]
300
正向电流：我
F
[A]
250
200
150
100
50
0
0
1
2
正向电压： V
F
[V]
3
150°C
125°C
T
j
=125°C
1000
反向恢复特性（典型值）。
V
CC
=600V, V
GE
= ± 15V ，R
G
=1.1, T
j
=125°C
l
rr
t
rr
100
10
0
100
200
300
正向电流：我
F
[A]
400
反向恢复特性（典型值）。
V
CC
=600V, V
GE
= ± 15V ，R
G
=1.1, T
j
=150°C
1000
反向恢复电流：I
rr
[A]
反向恢复时间：吨
rr
[纳秒]
1
瞬态热阻抗（最大）
l
rr
t
rr
热resistanse ，R
日（J -C ）
[℃ / W]
FWD
0.1
IGBT
100
0.01
10
0
100
200
300
400
正向电流：我
F
[A]
0.001
0.001
RTH
[℃ / W]
τ
[秒]
IGBT
FWD
0.0023
0.02038
0.03325
0.0301
0.05167
0.08430
0.0598
0.07299
0.11910
0.0708
0.04496
0.07335
0.01
0.1
脉冲宽度：P
w
[秒]
1
FWD安全工作区（最大）
T
j
=150°C
350
反向恢复电流：I
rr
[A]
300
250
200
150
100
50
0
0
500
1000
1500
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
（主终端）
Pmax=150kW
4
2MBI150VA-120-50
外形图，毫米
http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/
IGBT模块
等效电路示意
C1
G1
E1
C2E1
G2
E2
E2
5
QQ：2881677436 复制
