2MBI 100PC -140
开关时间与
G
V
C C
= 600V ，我
C
= 1 0 0 A，V
摹ê
= 1 ± 5 V ，T
j
= 2 5 ° C
10000
1000
T
j
= 2 5 ° C
2件组IGBT
1400V
100A
集电极电流与集电极 - 发射极电压
25
V
C C
= 4 0 0 , 6 0 0 , 8 0 0 V
20
开关时间： T，T ， T，T
f
[纳秒]
R上
关闭
[V]
t
on
t
r
1000
t
关闭
GE
800
集电极 - 发射极电压： V
600
15
100
t
f
400
10
200
5
10
10
栅极电阻，R
G
[
]
100
0
0
200
400
G A T E建华一R G E： Q
g
（ NC ）
600
0
800
正向电压与正向电流
250
V
GE
= 0 V
1000
T
j
= 1 2 5 ° C
25°C
反向恢复特性
t
rr
, I
rr
与我
F
[A]
200
反向恢复电流：I
F
反向恢复时间：吨
rr
[纳秒]
rr
[A]
正向电流：我
150
t
rr
= 1 2 5 ° C
100
t
rr
= 2 5 ° C
I
rr
= 1 2 5 ° C
I
rr
= 2 5 ° C
100
50
0
0
1
2
正向电压： V
F
[V]
3
4
10
0
50
100
150
200
正向电流：我
F
[A]
反向偏置安全工作区
瞬态热阻
1200
+ V
摹ê
=15V, -V
摹ê
≤
15V ，T
j
≤
125°C ，R
G
≥
9,1
[℃ / W]
10
0
1000
日（J -C ）
[A]
SCSOA
800
（非重复脉冲）
FWD
10
-1
热电阻值：R
IGBT
集电极电流：我
C
600
400
RBSOA （重复脉冲）
10
-2
200
10
-3
0
-3
10
10
-2
10
-1
10
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
脉冲宽度：P
W
[秒]
集电极 - 发射极电压： V
CE
[V]
栅极 - 发射极电压： V
GE
[V]
2MBI100PC-140
IGBT模块P系列
1400V / 100A 2中的一个包
特点
·小型温度的关断开关损耗的依赖性
·易于并联
·宽RBSOA （方达2倍额定电流）和短期高
电路的承受能力
·低损耗和软切换（降低EMI噪声）
等效电路示意
C1
E2
应用
通用变频器
· AC和DC伺服驱动放大器
·不间断电源
C2E1
G1 E1
G2 E2
最大额定值和特性
绝对最大额定值（在Tc = 25 ° C除非另有规定编）
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
C
p
-I
C
-I
C
脉冲
集电极耗散功率
结温
储存温度
终端和铜底座之间的隔离电压* 1
螺杆转矩
安装*
2
端子*
2
P
C
T
j
T
英镑
V
ISO
1设备
连续TC = 25℃
1ms
Tc=80°C
Tc=25°C
Tc=80°C
条件
等级
1400
±20
150
100
300
200
100
200
780
+150
-40到+125
2500
3.5
3.5
单位
V
V
A
W
°C
VAC
N·m的
AC： 1分钟。
*
1 :
所有终端应连接在一起时，隔离测试将完成。
*
2 :
推荐值： 2.5 3.5 N·m的（ M5 ）
电气特性（在TJ = 25 ° C除非另有说明）
项
零栅极电压集电极电流
栅极 - 发射极漏电流
符号
I
CES
I
GES
条件
V
GE
=0V, V
CE
=1400V
V
CE
=0V, V
GE
=±20V
V
CE
= 20V ，我
C
=100mA
V
GE
= 15V ，我
C
= 100A ， TJ = 25°C
V
GE
= 15V ，我
C
= 100A ， TJ = 125°C
V
CE
=10V
V
GE
=0V
f=1MHz
V
CC
=600V
I
C
=100A
V
GE
=±15V
R
G
=9.1
I
F
= 100A ，V
GE
=0V
I
F
=100A
特征
分钟。
典型值。
–
–
–
–
6.0
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
8.0
2.7
3.3
10000
1500
650
–
–
–
–
2.4
–
单位
马克斯。
2.0
400
9.0
3.0
–
–
–
–
1.20
0.60
1.00
0.30
3.3
0.35
s
mA
nA
V
V
pF
栅极 - 发射极阈值电压
V
GE （日）
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
二极管的正向电压
反向恢复时间
C
IES
C
OES
C
水库
t
on
t
r
t
关闭
t
f
V
F
t
rr
V
s
热阻特性
项
热阻
接触热阻
符号
RTH （J -C ）
RTH （J -C ）
RTH （ C-F ） *
4
条件
IGBT
二极管
基座到散热片
特征
分钟。
典型值。
–
–
–
–
–
0.025
单位
马克斯。
0.16
0.33
–
° C / W
° C / W
° C / W
*
4
：这是它被定义安装在附加散热片具有热化合物的值。
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