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2DD2661
低V
CE ( SAT )
NPN表面贴装晶体管
请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。
特点
外延平面片建设
非常适合于自动装配程序
适用于中等功率开关或放大应用
互补PNP类型可用( 2DB1697 )
铅的设计免费/符合RoHS (注1 )
"Green"设备(注2 )
机械数据
案例: SOT89-3L
外壳材料:模压塑料, "Green “模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性:每J- STD- 020D 1级
码头:完成 - 雾锡比退火铜引线框架
(无铅电镀) 。每MIL -STD- 202方法208
标识信息:见第3页
订购信息:见第3页
重量: 0.072克(近似值)
新产品
集热器
2,4
3 E
C 4
2 C
1 B
顶视图
引脚输出配置
1
BASE
3
辐射源
顶视图
设备原理图
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
价值
15
12
6
4
2
单位
V
V
V
A
A
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
热特性
特征
功率耗散(注3 ) @ T
A
= 25°C
热阻,结到环境空气(注3 ) @ T
A
= 25°C
功率耗散(注4 ) @ T
A
= 25°C
热阻,结到环境空气(注4 ) @ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
符号
P
D
R
θ
JA
P
D
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
0.9
139
2
62.5
-55到+150
单位
W
° C / W
W
° C / W
°C
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
C
敖包
f
T
15
12
6
270
典型值
26
170
最大
0.1
0.1
180
680
单位
V
V
V
μA
μA
mV
pF
兆赫
条件
I
C
= 10μA ,我
E
= 0
I
C
= 1mA时,我
B
= 0
I
E
= 10μA ,我
C
= 0
V
CB
= 15V ,我
E
= 0
V
EB
= 6V ,我
C
= 0
I
C
= 1A ,我
B
= 50毫安
V
CE
= 2V ,我
C
= 200毫安
V
CB
= 10V ,我
E
= 0,
F = 1MHz的
V
CE
= 2V ,我
C
= 100mA时
F = 100MHz的
特征
开关特性
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压(注5 )
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
基本特征(注5 )
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
小信号特性
输出电容
电流增益带宽积
注意事项:
1.
2.
3.
4.
5.
没有故意添加铅。
二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
设备安装在FR- 4 PCB板的最低推荐焊盘布局。
设备安装在FR- 4 PCB与1英寸
2
铜焊盘布局。
脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%.
2DD2661
文件编号: DS31635修订版2 - 2
1 4
www.diodes.com
2008年12月
Diodes公司
2DD2661
2.0
2.5
P
D
,功耗( W)
I
C
,集电极电流( A)
1.6
2.0
I
B
= 5毫安
1.2
1.5
I
B
= 4毫安
I
B
= 3毫安
0.8
1.0
I
B
= 2毫安
新产品
0.4
0.5
I
B
= 1毫安
0
0
25
50
150
100
125
75
T
A
,环境温度( ° C)
图。 1功耗与环境温度
0
0
4
8
12
16
20
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
图。 2典型的集电极电流
与集电极 - 发射极电压
1,000
T
A
= 150°C
T
A
= 85°C
1
I
C
/I
B
= 20
h
FE
,直流电流增益
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
V
CE ( SAT )
,集电极 - 发射极
饱和电压( V)
0.1
T
A
= 150°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
100
0.01
V
CE
= 2V
10
1
0.001
1
10
100
1,000
10,000
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 4典型的集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
10
100
1,000
10,000
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 3典型的DC电流增益与集电极电流
V
BE(上)
,基极发射极导通电压(V )
1.2
V
CE
= 2V
V
BE ( SAT )
,基射极饱和电压( V)
1.2
I
C
/I
B
= 20
1.0
1.0
0.8
T
A
= -55°C
0.8
T
A
= -55°C
0.6
T
A
= 25°C
0.6
T
A
= 25°C
0.4
T
A
= 85°C
T
A
= 85°C
0.2
T
A
= 150°C
0.4
T
A
= 150°C
0
1
10
100
1,000
10,000
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 5典型的基射极导通电压
与集电极电流
0.2
1
10
100
1,000
10,000
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 6典型的基射极饱和电压
与集电极电流
2DD2661
文件编号: DS31635修订版2 - 2
2 4
www.diodes.com
2008年12月
Diodes公司
2DD2661
1,000
1,000
f
T
,增益带宽积(兆赫)
F = 1MHz的
电容(pF)
100
100
C
IBO
10
新产品
C
敖包
V
CE
= 2V
F = 100MHz的
10
0.1
1
10
100
V
R
,反向电压(V)的
图。 7典型的电容特性
1
0
10
20 30 40 50 60 70 80 90 100
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 8典型增益带宽积
与集电极电流
订购信息
产品型号
2DD2661-13
注意事项:
(注6 )
SOT89-3L
包装
2500 /磁带&卷轴
6.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
2661 =产品型号标识代码
YWW =日期代码标
Y =最后两位数年份的(例如: 8 = 2008)
WW =星期代码01 - 52
YWW
2661
包装外形尺寸
D1
.
R0
20
0
C
E
H
B
B1
(4 X
)
L
e
A
SOT89-3L
朦胧最小值最大值典型值
A
1.40 1.60 1.50
B
0.45 0.55 0.50
B1
0.37 0.47 0.42
C
0.35 0.43 0.38
D
4.40 4.60 4.50
D1
1.50 1.70 1.60
E
2.40 2.60 2.50
e
1.50
H
3.95 4.25 4.10
L
0.90 1.20 1.05
尺寸:mm
D
2DD2661
文件编号: DS31635修订版2 - 2
3 4
www.diodes.com
2008年12月
Diodes公司
2DD2661
拟议的焊盘布局
X1
Y1
X3
Y3
X2
Y2
新产品
尺寸值(单位:mm)
X1
1.7
X2
0.9
X3
0.4
Y1
2.7
Y2
1.3
Y3
1.9
C
3.0
C
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改,补充,改进,修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可,也没有他人的权利。的产品中,例如应用程序的用户应
承担所有使用风险,并会同意举行Diodes公司,其产品代表我们的网站上的所有公司,
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
2DD2661
文件编号: DS31635修订版2 - 2
4 4
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2DD2661
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-82563615 82563213
联系人:王云
地址:深圳市华强北上步204栋五楼520室
2DD2661
DIODES
2425+
11275
SOT-89
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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