BRIGHT
微电子
公司
初步BM29F400T / BM29F400B
4MEGABIT （ 512K ×8 / 256K ×16 ）
其它5伏特的扇区擦除CMOS FLASH MEMORY
概述
该BM29F400是4兆， 5.0伏的CMOS只闪存存储器，为512设备
每个8位，或256千字节的每16位字节。该器件采用标准的44引脚SOP
和48引脚TSOP封装。它被设计成可以编程和擦除的系统内有5.0伏的
电源，也可重新编程在标准EPROM编程。
随着90纳秒，为120 ns ， 150 ns访问时间，该BM29F400拥有独立的芯片使能
CE
写
启用
WE
和输出使能
OE
控制。 BMI的存储设备可靠地存储内存中的数据，即使
经过100,000编程和擦除周期。
该BM29F400完全引脚和指令集4兆位的JEDEC标准兼容
快闪存储器装置。命令被写入命令寄存器中使用标准
微处理器写时序。寄存器的内容作为输入到一个内部状态机，其
控制擦除和编程电路。写周期内部也锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作。
该BM29F400通过执行程序命令序列编程。这将启动
内部的字节/字编程算法，可以自动倍的程序的脉冲宽度，也
验证正确的单元格边距。擦除是通过执行该扇区擦除或芯片完成
擦除命令序列。这时候的自动启动内部擦除算法
擦除脉冲宽度，也验证了适当的电池余量。没有预编程之前进行所需的
执行内部擦除算法。在BM29F400闪存阵列的行业是
通过福勒- Nordheim隧穿电擦除。字节/字编程一个字节/字在
时，使用热电子注入机制。
该BM29F400设有一个扇区擦除架构。该设备的存储器阵列被划分成一个16
千字节， 2字节8 ， 1个32字节，七64千字节。扇区可单独或擦除
组，而不会影响其他部门的数据。多个扇区擦除和整片擦除功能
加的灵活性，以改变所述设备中的数据。为了保护这些数据免受意外和程序
擦除，该器件还具有一个扇区保护功能。此功能硬件写保护
选定行业（ S） 。部门保护和部门撤消功能可以在PROM中启用
程序员。
对于读取，编程和擦除操作时， BM29F400需要一个5.0伏的电源。
内部生成的，被提供给程序以及稳压电压和擦除操作。一
VCC低于检测抑制功率损耗写操作。编程或擦除结束被检测
Ready / Busy状态引脚， DQ7数据查询，或通过触发位我上DQ6功能。一旦程序
或擦除周期已成功完成后，设备内部复位到读模式。
该BM29F400还具有硬件
RESET
引脚。驱动
RESET
执行的过程中引脚为低电平
内部编程或擦除命令将终止操作和设备复位为
阅读模式。该
RESET
销可连接到系统复位电路，所以，该系统将具有
系统复位完成后，进入引导代码，即使闪存器件是在一个过程中
内部编程或擦除操作。如果该设备是使用复位
RESET
在一个引脚
内部编程或擦除操作时，在地址位置的数据在其内部状态
一华邦公司
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出版日期： 1999年5月
修订版A1
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