MX29F400T/B
4M- BIT [ 512Kx8 / 256Kx16 ] CMOS FLASH MEMORY
特点
524,288 ×8 / 262,144 ×16切换
单电源工作
- 仅5.0V的读取，擦除和编程操作
手术
快速存取时间55 /70/ 90 / 120ns的
低功耗
- 40毫安最大工作电流（为5MHz ）
- 1uA的典型待机电流
命令寄存器架构
- 字节/字编程（ 7us / 12us典型值）
- 扇区擦除（扇区结构16K - Bytex1 ， 8K-
Bytex2 ， 32K - Bytex1和64K字节X7 ）
自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合
擦除挂起功能。
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据，或
程序数据，另一扇区是不存在
擦除，然后恢复擦除。
状态回复
- 数据查询和放大器;对检测程序的触发位和
擦除周期结束。
就绪/忙脚（ RY / BY ）
- 提供了检测程序的硬件方法或
擦除周期结束。
- 部门保护/取消保护的5V只有系统或5V /
12V系统。
扇区保护
- 硬件的方法来禁用的任意组合
从编程或擦除操作部门
100000最小擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
引导代码部门架构
- T =热门引导扇区
- B =底部引导扇区
低VCC写入禁止等于或小于3.2V
套餐类型：
- 44引脚SOP
- 48引脚TSOP
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
20年数据保留
概述
该MX29F400T / B是4兆比特闪存奥尔加
认列如512K字节的8位或16位的256K字。
旺宏的快闪记忆体提供了最具成本效益
和可靠的读/写非易失性随机存取
内存。该MX29F400T / B封装采用44引脚SOP ，
48引脚TSOP 。它被设计成可重新编程和
删除系统或标准EPROM编程器。
标准MX29F400T / B提供了存取时间快
为55ns ，高速microproces-允许操作
感器无需等待。为了消除总线争用，
在MX29F400T / B已单独的芯片使能（ CE）和
输出使能（ OE ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29F400T / B使用命令寄存器来管理这个
功能。命令寄存器允许100 ％
TTL电平控制输入和固定电源电平
擦除和编程过程中同时保持马克西
妈妈EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
机制。先进此外，组合
隧道氧化处理，且内部电场
擦除和编程操作产生可靠的赛扬
保鲜。该MX29F400T / B采用的是5.0V ± 10 ％ VCC支持
帘布层进行高可靠性擦除和经销商亲
克/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁亲
tection证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
P / N ： PM0439
REV 。 1.6 ，十一月12 ， 2001年
1
MX29F400T/B
销刀豆网络gurations
44 SOP （ 500万）
NC
RY / BY
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE
GND
OE
Q0
Q8
Q1
Q9
Q2
Q10
Q3
Q11
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
RESET
WE
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
字节
GND
Q15/A-1
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
引脚说明
符号
A0~A17
Q0~Q14
Q15/A-1
CE
WE
字节
RESET
OE
RY / BY
VCC
GND
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
Q15 （字模式） / LSB地址（字节模式）
芯片使能输入
写使能输入
字/字节Selction输入
硬件复位引脚/扇区保护解锁
输出使能输入
READY / BUSY输出
电源引脚（ + 5V ）
接地引脚
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
48 TSOP （标准型） （12毫米X 20毫米）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
MX29F400T/B
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE
RESET
NC
NC
RY / BY
NC
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
MX29F400T/B
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
字节
GND
Q15/A-1
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
Q11
Q3
Q10
Q2
Q9
Q1
Q8
Q0
OE
GND
CE
A0
P / N ： PM0439
REV 。 1.6 ，十一月12 ， 2001年
2
MX29F400T/B
部门结构
MX29F400T TOP引导扇区地址表
扇区大小
（千字节/
K字）
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
32/16
8/4
8/4
16/8
地址范围（十六进制）
(x8)
(x16)
地址范围
地址范围
00000h-0FFFFh
10000h-1FFFFh
20000h-2FFFFh
30000h-3FFFFh
40000h-4FFFFh
50000h-5FFFFh
60000h-6FFFFh
70000h-77FFFh
78000h-79FFFh
7A000h-7BFFFh
7C000h-7FFFFh
00000h-07FFFh
08000h-0FFFFh
10000h-17FFFh
18000h-1FFFFh
20000h-27FFFh
28000h-2FFFFh
30000h-37FFFh
38000h-3BFFFh
3C000h-3CFFFh
3D000h-3DFFFh
3E000h-3FFFFh
扇形
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
SA8
SA9
SA10
A17
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
A16
0
0
1
1
0
0
1
1
1
1
1
A15
0
1
0
1
0
1
0
1
1
1
1
A14
X
X
X
X
X
X
X
0
1
1
1
A13
X
X
X
X
X
X
X
X
0
0
1
A12
X
X
X
X
X
X
X
X
0
1
X
MX29F400B底部引导扇区地址表
扇区大小
（千字节/
K字）
16/8
8/4
8/4
32/16
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
地址范围（十六进制）
(x8)
(x16)
地址范围
地址范围
00000h-03FFFh
04000h-05FFFh
06000h-07FFFh
08000h-0FFFFh
10000h-1FFFFh
20000h-2FFFFh
30000h-3FFFFh
40000h-4FFFFh
50000h-5FFFFh
60000h-6FFFFh
70000h-7FFFFh
00000h-01FFFh
02000h-02FFFh
03000h-03FFFh
04000h-07FFFh
08000h-0FFFFh
10000h-17FFFh
18000h-1FFFFh
20000h-27FFFh
28000h-2FFFFh
30000h-37FFFh
38000h-3FFFFh
扇形
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
SA8
SA9
SA10
A17
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
A16
0
0
0
0
0
1
1
0
0
1
1
A15
0
0
0
0
1
0
1
0
1
0
1
A14
0
0
0
1
X
X
X
X
X
X
X
A13
0
1
1
X
X
X
X
X
X
X
X
A12
X
0
1
X
X
X
X
X
X
X
X
注意：
地址范围为A17 A- 1字节模式和A17 A0字模式。
P / N ： PM0439
REV 。 1.6 ，十一月12 ， 2001年
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MX29F400T/B
自动编程
该MX29F400T / B是使用非盟字节可编程
tomatic编程算法。自动亲
编程算法使得外部系统不
需要有超时序列也不以验证数据
编程。典型的芯片编程时间在室温
该MX29F400T / B的温度低于4仲
哔声。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
使用标写命令到命令寄存器
准微处理器写时序。该设备将自动
matically预编程和验证整个阵列。然后
该装置自动倍擦除脉冲宽度，
提供了擦除验证，并进行计数的数目
的序列。状态位次连续之间切换
略去读周期提供反馈给用户作为对
编程操作的状态。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机器控制的擦除和编程税务局局长
cuitry 。在写周期中，指令寄存器间
应受锁存器所需的编程地址和数据
明和擦除操作。在系统写周期
地址被锁存的下降沿，并且数据是
锁存WE的上升沿或CE ，取其hap-
笔先。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验，生产质量的最高水平，可靠
能力，和成本效益。该MX29F400T / B elec-
trically同时擦除福勒使用的所有位
Nordheim隧穿。该字节由美中编程
荷兰国际集团的热elec-的EPROM编程机制
tron的注入。
在一个程序周期中，状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。在一个扇区擦除
周期中，命令寄存器将只响应擦除
暂停命令。擦除暂停结束后，
该设备停留在读取模式。状态机之后，
已经完成了它的任务，它将使命令寄存器
之三，以应对其完整的命令集。
自动芯片擦除
整个芯片采用10毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的自动芯片擦除算法。
典型擦除在室温下完成的
比4秒少。自动擦除算法，非盟
tomatically方案对整个阵列之前，电
抹去。电擦除的时序和验证是
在装置内的内部控制。
自动扇区擦除
该MX29F400T / B为界（S ）可擦除使用MXIC的
自动扇区擦除算法。扇区擦除模式允许
该阵列的扇区来在一个擦除周期被擦除。
自动扇区擦除算法自动亲
克前电擦除指定扇区的。
定时和验证电擦除的被CON组
该装置内的内部控制。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求
用户只写程序建立命令（包括
2解锁写周期和A0H ）和一个程序命令
（节目数据和地址）。自动装置
次编程脉冲宽度，提供了亲
克验证，并计算序列的数量。
类似的数据轮询和状态位状态位瓶酒
连续的读周期之间岭大战，提供馈
回给用户以编程的状态
操作。
P / N ： PM0439
REV 。 1.6 ，十一月12 ， 2001年
5
QQ：2881677436 复制
