MX29F200C T / B
2M- BIT [ 256Kx8 / 128Kx16 ] CMOS FLASH MEMORY
特点
5.0V ±读10 ％ ，擦除和写入操作
131072x16 / 262144x8切换
快速访问时间55 /70 /为90ns
兼容MX29F200T / B设备
低功耗
- 40毫安最大工作电流@ 5MHz的
- 1uA的典型待机电流
命令寄存器架构
- 字节/字编程（ 9US / 11us典型值）
- 扇区擦除（ 16K - Bytex1 ， 8K - Bytex2 ， 32K - Bytex1 ，
和64K字节×3）
自动擦除（芯片&部门）和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合或
整个芯片擦除挂起功能。
- 自动编程，并在指定的验证数据
地址
状态回复
- 数据＃轮询&切换位检测方案
和擦除周期结束。
就绪/忙＃引脚（ RY / BY ＃ ）
- 提供了硬件方法或检测程序
或擦除周期结束
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件与单电兼容
供应闪光
- 高级无意写保护
扇区保护
- 硬件的方法来禁用的任意组合
从编程或擦除操作部门
- 临时机构撤消允许代码修改
先前锁定行业
部门保护/芯片解除保护的5V只有系统
100000最小擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1V到Vcc + 1V
引导代码部门架构
- T =热门引导扇区
- B =底部引导扇区
低VCC写入禁止等于或小于3.2V
擦除暂停/擦除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据，或
节目数据到一个扇区一个没有被擦除，然后
恢复的擦除操作。
硬件复位引脚
- 重置内部状态机TEST的阅读模式
20年数据保留
套餐类型：
- 44引脚SOP
- 48引脚TSOP
-
所有无铅器件符合RoHS标准
概述
该MX29F200C T / B是2兆比特，单5伏闪光
内存组织为1M字X16或2M bytex8 MXIC的
闪存提供最具成本效益和可靠性
能够读/写的非易失性随机存取存储器。
该MX29F200C T / B封装采用44引脚SOP和48-
引脚TSOP 。它被设计成可重新编程和
删除在系统或标准EPROM编程器。
标准MX29F200C T / B提供了存取时间快
为55ns ，高速microproces-允许操作
感器无需等待。为了消除总线冲突，
MX29F200C T / B具有独立的芯片使能（ CE ＃ ）和
输出使能（ OE ＃ ）控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能， EPROM
在电路中的电擦除和编程。该
MX29F200C T / B使用一个命令寄存器管理
此功能。命令寄存器允许100 ％
TTL电平控制输入和固定电源电平
擦除和编程过程中同时保持马克西
妈妈EPROM的兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器的内容
即使经过10万次擦除和编程。该MXIC
存储单元的设计优化了擦除和编程
机制。先进此外，组合
隧道氧化处理和低的内部电场为
擦除和编程操作产生可靠
骑自行车。该MX29F200C T / B采用的是5.0V
±
10 ％的Vcc
提供给执行高可靠性擦除和经销商
编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的实现
与旺宏的专利非外延工艺。闭锁
保护被证明为应力高达100毫安的
地址和数据引脚从-1V到Vcc + 1V 。
P / N ： PM1250
REV 。 1.0，十二月14 ， 2005年
1
MX29F200C T / B
销刀豆网络gurations
44 SOP （ 500mil ）
NC
RY / BY ＃
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE＃
GND
OE ＃
Q0
Q8
Q1
Q9
Q2
Q10
Q3
Q11
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
RESET＃
WE＃
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
BYTE ＃
GND
Q15/A-1
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
引脚说明
符号
A0-A16
Q0-Q14
Q15/A-1
CE＃
OE ＃
RESET＃
WE＃
RY / BY ＃
BYTE ＃
VCC
GND
NC
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
Q15 （字模式） / LSB地址（字节模式）
芯片使能输入
输出使能输入
硬件复位引脚，低电平有效
写使能输入
读/忙输出
字/字节选择输入
电源引脚（ + 5V ）
接地引脚
引脚没有内部连接
48 TSOP （I型） （12毫米X 20毫米）
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE＃
RESET＃
NC
NC
RY / BY ＃
NC
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
BYTE ＃
GND
Q15/A-1
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
Q11
Q3
Q10
Q2
Q9
Q1
Q8
Q0
OE ＃
GND
CE＃
A0
A16
BYTE ＃
GND
Q15/A-1
Q7
Q14
Q6
Q13
Q5
Q12
Q4
VCC
Q11
Q3
Q10
Q2
Q9
Q1
Q8
Q0
OE ＃
GND
CE＃
A0
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE＃
RESET＃
NC
NC
RY / BY ＃
NC
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
MX29F200C T / B
MX29F200C T / B
（普通型）
MX29F200C T / B
（反式）
P / N ： PM1250
REV 。 1.0，十二月14 ， 2005年
2
MX29F200C T / B
自动编程
该MX29F200C T / B是用字节可编程
自动编程算法。自动亲
编程算法不要求系统时间
出序列，或验证编程的数据。该
在MX29F200C T / B的典型芯片编程时间
室温下是小于4.5秒。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
使用待机动写命令到命令寄存器
德国电视一台微处理器写时序。该设备将自动
matically预编程和验证整个阵列。然后
该装置自动倍擦除脉冲宽度，
验证擦除和计数序列的数量。
连续读周期之间的状态位来回切换
提供反馈给用户来的状态
编程操作。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机，它控制了擦除和编程
电路。在写周期中，命令寄存器
内部锁存器需要的地址和数据
编程和擦除操作。在一个系统
写周期，地址锁存下降沿，
和数据被锁存， WE＃上升沿。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验，生产质量的最高水平，
可靠性和成本效益。该MX29F200C T / B
电擦除同时使用福勒的所有位
Nordheim隧穿。该字节被编程
用热的EPROM编程机制
电子注入。
在一个程序周期中，状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。在一个扇区擦除
周期中，命令寄存器将只响应擦除
暂停命令。经过擦除暂停结束后，
该设备停留在读取模式。状态机之后，
已经完成了它的任务，它将允许命令寄存器
应对其完整的命令集。
自动芯片擦除
整个芯片采用10毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的自动芯片擦除算法。
典型擦除在室温下完成的
比2秒少。自动擦除算法
自动程序的整个阵列之前，电
抹去。电擦除的时序和验证是
由设备内部控制。
自动扇区擦除
该MX29F200C T / B为界（S ）可擦除使用MXIC的
自动扇区擦除算法。扇区擦除模式允许
该阵列的扇区来在一个擦除周期被擦除。该
自动扇区擦除算法自动亲
克前电擦除指定扇区的。
定时和验证电擦除的是相互
应受由装置控制。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求
用户只写程序设置命令（包括2-
解锁写周期和A0H ）和一个程序命令
（节目数据和地址）。自动装置
次编程脉冲宽度，验证了亲
克，和计数序列的数量。状态位
类似数据＃投票和之间的状态位来回切换
连续的读周期，提供反馈给用户
以编程操作的状态。
P / N ： PM1250
REV 。 1.0，十二月14 ， 2005年
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