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29F0408
32兆位( 4M ×8位)
FL灰内存
逻辑图
内存
F
EATURES
:
单5.0 V电源
卓越的单粒子效应
· - SEL
TH
: > 60兆电子伏/毫克/平方厘米
2
· - SEU
TH
: = 37兆电子伏/毫克/平方厘米
2
- SEU饱和截面: 2E - 6厘米
2
/位
组织:
- 存储单元阵列: ( 400 + 128K )位x 8位
- 数据寄存器: ( 512 + 16 )位x 8位
自动编程和擦除
- 页面程序: ( 512 + 16 )字节
- 块擦除: ( 8K + 256 )字节
- 状态寄存器
528字节的页读操作
- 随机访问: 10 μ秒(最大)
- 串行页面访问: 50纳秒(分钟)
快速写周期时间
- 计划时间: 250 μ S(典型值)
- 块擦除时间: 2毫秒(典型值)
命令/地址/数据复用I / O端口
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力:100万编程/擦除周期
- 数据保存:10年
命令寄存器操作
44引脚扁平封装
D
ESCRIPTION
:
麦克斯韦技术“ 29F0408高性能闪存存储器
ORY 。该29F0408是4M ( 4,194,304 ) ×8位NAND闪存
内存备用128K ( 131,072 )× 8位。一个编程操作
ATION计划528字节页250 μ s和擦除
操作可在2毫秒的8K字节的块上进行。数据
在页面内可以在每字节的50ns的周期时间被读出。
芯片上的写控制器自动完成所有的编程和擦除
功能,包括脉冲重复,在必要时和跨
最终检验和数据的裕度。即使是写密集型系统
可以利用29F0408的扩展的可靠性
百万程序/提供任何ECC擦除周期
(纠错码)或实时映射出的算法。
这些算法已经在许多海量存储已实施
年龄的应用程序。备用16个字节的页面结合
另512个字节可以由系统级的ECC被利用。该
29F0408是对于大的非易失性存储的最佳解决方案
应用,例如固态存储器,数字录音器,
数字静态照相机等便携式应用需要
非易失性。
麦克斯韦技术的专利
AD
-P
AK
封装技
术采用辐射屏蔽的微电路封装
年龄。能够幸存于太空环境中,
29F0408是理想的卫星,飞船和太空探测器
任务。它是可用的包装和筛选高达
一流的S.
02年8月11日第2版
所有数据表如有变更,恕不另行通知
1
( 858 ) 503-3300 - 传真: ( 858 ) 503-3301 - www.maxwell.com
2002麦克斯韦技术
版权所有。
32兆位( 4M ×8位)快闪记忆体
29F0408
T
ABLE
1. P
INOUT
D
ESCRIPTION
P
IN
2
S
YMBOL
命令锁存
使能( CLE )
D
ESCRIPTION
在CLE输入控制用于发送到命令寄存器的命令的路径激活。
当活性高时,命令被锁存到通过I / O端口的命令寄存器
上WE信号的上升沿。
3
地址锁存使能ALE输入控制的地址和输入数据的路径激活内部
( ALE )
地址/数据寄存器。地址锁存上升沿或我们与ALE高,
当ALE为低电平输入数据被锁存。
芯片使能( CE )
行政长官输入设备选择控制。当CE变高在读取操作期间,
该设备返回到待机模式。然而,当设备处于忙状态很好地协同
荷兰国际集团的编程或擦除,CE高将被忽略,并且所述设备没有返回到待机模式。
在WE输入控制写入到I / O端口。命令,地址和数据锁存
在WE脉冲的上升沿。
对RE的输入是串行数据输出控制,并且当有源驱动器中的数据到I / O的
总线。数据是有效的吨
REA
RE的下降沿也递增内部柱后
一个地址计数器。
在SE输入控制所述备用区域选择时SE为高时,该装置的选择取消
是Read1期间备用区域,顺序数据的输入和页编程。
43
4
42
写使能( WE)
读使能( RE )
40
18-21,
24-27
5
41
备用区启用
( SE )
I / O端口: I / O0I / O7的I / O引脚用于输入命令,地址和数据,并在读取输出数据
操作。在I / O引脚浮到高阻当芯片被释放或当输出
禁用。
写保护( WP )
读/忙( R / B)
WP引脚提供了在电源转换无意的写/擦除保护。该间
最终高压发生器复位时, WP引脚为低电平有效。
中的R / B输出指示设备操作的状态。当低,则表明一
编程,擦除或随机读操作过程中,一经的COM返回到高电平状态
完井。这是一个开漏输出,不浮到高阻状态时,芯片
取消或输出被禁止。
没有连接
电源电压
输出缓冲电压
6-17, 28-39
1, 22
44
23
NC
V
SS
V
CC
V
CC
Q
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T
ABLE
2. 29F0408一
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS 1,2
P
ARAMETER
任何引脚相对于V电压
SS
工作温度
储存温度
短路输出电流
S
YMBOL
V
IN
T
BIAS
T
英镑
I
OS
M
IN
-0.6
-40
-65
--
29F0408
M
AX
7.0
125
150
5
U
NIT
V
°
C
°
C
mA
1.最小直流电压为0.3 V输入/输出引脚。在转换过程中,这个水平可能下冲至-2.0 V的时期< 30纳秒。
在输入/输出引脚的最大直流电压为V
CC
+ 0.3 V其中,在转换过程中,可能会过冲至V
CC
+ 2.0 V的时期<
20纳秒。
如果绝对最大额定值被超过,可能会出现2永久性设备损坏。功能操作应
仅限于在本数据表的业务部门的详细情况。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
T
ABLE
3. 29F0408
ECOMMENDED
O
操作摄像机
C
ONDITIONS
(V
OLTAGE引用
GND ,T
A
= -40
TO
125
°
C)
P
ARAMETER
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
S
YMBOL
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
M
IN
4.5
0
2.4
-0.3
T
YP
5.0
0
--
--
M
AX
5.5
0
V
CC
±0.5
0.8
U
NIT
V
V
V
V
T
ABLE
4. D
ELTA
L
IMITS
P
ARAMTER
I
CC
1
I
SB
1
I
SB
2
C
ONDITION
±10%
±10%
±10%
T
ABLE
5. 29F0408 AC牛逼
美东时间
C
ONDITION
(V
CC
= 5 V± 10 % ,T
A
= -40
TO
125
°
C,
除非另有说明
)
P
ARAMETER
输入脉冲电平
输入上升时间
输入和输出时序水平
M
IN
0.4
--
0.8
M
AX
2.6
5.0
2.0
U
NIT
V
ns
V
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T
ABLE
6. 29F0408 DC
O
操作摄像机
C
极特
(V
CC
= 5 V± 10 % ,T
A
= -40
TO
125
°
C,
除非另有说明
)
P
ARAMETER
工作电流
顺序
节目
抹去
待机电流( TTL)的
待机电流( CMOS )
输入漏电流
输出漏电流
输入高电压,所有输入
输入低电压,所有输入
输出高电压电平
输出低电压电平
Outuput低电流(R / B)的
S
YMBOL
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
SB1
I
SB2
I
LI
I
LO
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
OL
(R / B)的
I
OH
= -400 A
I
OL
= 2.1毫安
V
OL
= 0.4 V
CE = V
IH
, WP = SE = 0V / V
CC
CE = V
CC
- 0.2 , WP = SE =
0V/V
CC
V
IN
= 0 5.5 V
V
OUT
= 0 5.5 V
T
美东时间
C
ONDITIONS
t
周期
= 50 ns的
CE = V
IL
,
I
OUT
= 0毫安
S
UBGROUPS
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
M
IN
--
--
--
--
--
-10
-10
2.0
--
2.4
--
8
T
YP
15
15
25
--
10
--
--
--
--
--
--
10
29F0408
M
AX
30
30
40
1
100
10
10
--
0.8
--
0.4
--
U
NIT
mA
mA
uA
uA
uA
V
V
V
V
mA
T
ABLE
7. 29F0408
APACITANCE 1
P
ARAMETER
输入/输出电容
输入电容
1.电容设计保证为。
S
YMBOL
C
I / O
C
IN
T
美东时间
C
ONDITION
V
IL
= 0V
V
IN
= 0V
--
--
10
10
pF
pF
M
IN
M
AX
U
NIT
T
ABLE
8. 29F0408 M
ODE
S
选举
CLE
H
L
H
L
L
ALE
L
H
L
H
L
CE
L
L
L
L
L
WE
RE
H
H
H
H
H
SE
X
X
X
X
L / H
1
WP
X
X
H
H
H
数据输入
写模式
读取模式
M
ODE
命令输入
地址输入( 3
时钟)
命令输入
地址输入( 3
时钟)
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T
ABLE
8. 29F0408 M
ODE
S
选举
CLE
L
L
X
X
X
X
ALE
L
L
X
X
X
2
X
CE
L
L
X
X
X
H
WE
H
H
X
X
X
X
H
X
X
X
X
RE
SE
L / H
1
L / H
1
L / H
1
X
X
0V/V
CC3
WP
X
X
H
H
L
29F0408
M
ODE
连续读&数据输出
在读(忙)
在项目(忙)
在擦除(忙)
写保护
0V/V
CC3
待用
1.当SE为高电平时,备用区取消选择。
2. X可以是V
IL
或V
IH
.
3. WP应该偏向于CMOS的高或低的CMOS备用。
T
ABLE
9. 29F0408 P
ROGRAM
/E
RASE
C
极特
(V
CC
= 5 V± 10 % ,T
A
=-40
TO
+125C,
除非另有说明
)
P
ARAMETER
节目时间
对部分项目周期在同一个页面数
块擦除时间
S
YMBOL
t
PROG
N
OP
t
别尔斯
M
IN
--
--
--
T
YP
0.25
--
2
M
AX
1.5
10
10
U
NIT
ms
周期
ms
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SEI
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