MX29F001T/B
1M - BIT [ 128K ×8 ] CMOS FLASH MEMORY
特点
5.0V
±
用于读的10% ,擦除和写入操作
131072x8唯一组织
快速存取时间: 90 / 120ns的
低功耗
- 30毫安最大工作电流(为5MHz )
- 1u
A
典型待机电流
命令寄存器架构
- 字节编程( 7us典型值)
- 扇区擦除( 8K字节×1 , 4K字节×2 , 8K字节
×2 , 32K字节×1 ,和64K字节×1)
自动擦除(芯片&部门)和自动编程
- 自动擦除扇区的任意组合
与擦除挂起功能。
- 自动程序和数据验证
指定的地址
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据,
或程序数据,一个扇区是不是
擦除,然后恢复擦除操作。
状态回复
- 数据查询和放大器;对检测程序的触发位
和擦除周期结束。
芯片保护/取消保护的5V只有系统或5V / 12V
系统
100000最小擦除/编程周期
闭锁保护100mA的电流从-1到VCC + 1V
启动代码部门架构
- T =热门引导扇区
- B =底部引导扇区
低VCC写入禁止等于或小于3.2V
包装类型:
- 32引脚PLCC
- 32引脚TSOP
- 32引脚PDIP
启动代码部门架构
- T =热门引导扇区
- B =底部引导扇区
20年的数据保存
概述
该MX29F001T / B是1兆比特的闪存
组织为128K字节只有8位MXIC的
闪存提供最具成本效益和
可靠的读/写非易失性随机存取
内存。该MX29F001T / B被封装在32脚
PLCC , TSOP , PDIP 。它被设计成可重现
编程和擦除的系统内或在标
EPROM编程器。
标准MX29F001T / B提供了访问时间
为90ns 。为了消除总线冲突, MX29F001T /
B已单独的芯片使能( CE)和输出使能
( OE )控制。
旺宏的快闪记忆体扩充功能 - EPROM
先进而精湛,在电路中的电擦除和
编程。该MX29F001T / B使用命令
注册管理此功能。命令
寄存器允许100%的TTL电平控制输入
和擦除过程中固定电源水平和
编程,同时保持最大的EPROM
兼容性。
旺宏Flash技术可靠地保存存储器CON-
即使经过10万次擦除和编程帐篷。
该MXIC单元的设计优化了擦除和
编程机制。此外, combi-
先进的隧道氧化处理和低的国家
内部电场的擦除和编程
操作产生可靠的自行车。
该
MX29F001T / B采用的是5.0V
±
10 % VCC供应
执行高可靠性擦除和经销商
编程/擦除算法。
最高程度的闩锁保护的是
实现了与旺宏的专利非外延工艺。
闩锁保护证明为应力高达100
对地址和数据引脚从-1V到VCC毫安
+ 1V.
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REV 。 2.6 ,十二月29 , 2003
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MX29F001T/B
自动编程
该MX29F001T / B是使用非盟字节可编程
tomatic编程算法。自动编程
明算法不要求系统超时
或验证程序中的数据。典型的芯片亲
编程的MX29F001T / B的时间在室内温度
TURE小于3.5秒。
自动擦除算法
旺宏的自动擦除算法需要用户
使用标写命令到命令寄存器
准微处理器写时序。该设备将自动
matically预编程和验证整个阵列。然后
该装置自动倍擦除脉冲宽度,
提供了擦除验证,并进行计数的数目
的序列。状态位次连续之间切换
略去读周期提供反馈给用户作为对
编程操作的状态。
寄存器的内容作为输入到内部语句
机器控制的擦除和编程税务局局长
cuitry 。在写周期中,指令寄存器间
应受锁存器需要的亲地址和数据
编程和擦除操作。在一个系统中写
周期中,地址被锁存的下降沿,并
数据被锁存在WE的上升沿。
MXIC的Flash技术结合多年的EPROM
经验,生产质量的最高水平,可靠
能力,和成本效益。该MX29F001T / B elec-
trically同时擦除福勒使用的所有位
Nordheim隧穿。该字节由美中编程
荷兰国际集团的热elec-的EPROM编程机制
tron的注入。
在一个程序周期中,状态机将控制
该程序序列和指令寄存器不会
响应任何命令集。在一个扇区擦除
周期中,命令寄存器将只响应擦除
暂停命令。擦除暂停结束后,
该设备停留在读取模式。状态机之后,
已经完成了它的任务,它将使命令寄存器
之三,以应对其完整的命令集。
自动芯片擦除
整个芯片采用10毫秒的脉冲擦除批量擦除
根据旺宏的自动芯片擦除算法。
典型擦除在室温下完成的
比3秒少。自动擦除算法,非盟
tomatically方案对整个阵列之前,电
抹去。电擦除的时序和验证是
内部控制的设备内。
自动扇区擦除
该MX29F001T / B为界(S )可擦除使用MXIC的
自动扇区擦除算法。扇区擦除模式允许
该阵列的扇区来在一个擦除周期被擦除。该
自动扇区擦除算法自动亲
克前电擦除指定扇区的。
定时和验证电擦除的是相互
应受CON组由设备控制。
自动编程算法
旺宏的自动编程算法要求
用户只写程序设置命令(包括2-
解锁写周期和A0H )和一个程序命令
(节目数据和地址)。自动装置
次编程脉冲宽度,提供了亲
克验证,并计算序列的数量。
类似的数据轮询和状态位状态位瓶酒
连续的读周期之间岭大战,提供馈
回给用户以编程的状态
操作。
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MX29F001T/B
表1.软件命令定义
命令
公共汽车
第一巴士
周期
数据
F0H
RD
AAH
AAH
2AAH
2AAH
55H
55H
555H 90H
555H 90H
ADI
(SA)的
X02H
节目
芯片擦除
扇区擦除
4
6
6
555H
555H
555H
XXXh
XXXh
555H
AAH
AAH
AAH
B0H
30H
AAH
2AAH
55H
555H 80H
555H
AAH
2AAH 55H
555H 20H
2AAH
2AAH
2AAH
55H
55H
55H
555H A0H
555H 80H
555H 80H
PA
555H
555H
DDI
00H
01H
PD
AAH
AAH
2AAH
2AAH
55H
55H
555H 10H
SA
30H
第二巴士
周期
ADDR
数据
第三巴士
周期
地址数据
四巴士
周期
ADDR
数据
第五公交车
周期
地址数据
第六巴士
周期
地址数据
循环地址
RESET
读
阅读硅ID
芯片保护验证
1
1
4
4
XXXh
RD
555H
555H
扇区擦除挂起1
扇区擦除简历
解锁芯片
保护/取消保护
1
6
注意:
1. ADI =地址的设备标识符; A1 = 0 , A0 = 0为生产代码中, A1 = 0 , A0 = 1的设备代码(参见
表3)
DDI =数据的设备标识符: C2H制造代码, 18H / 19H的设备代码。
X = X可以为VIL或VIH
要读取的RA =地址的存储位置。
RD =数据位于地址RA读取。
2. PA =地址的存储器位置进行编程。
PD =数据到位置PA进行编程。
SA =地址给扇区被擦除。
3.系统应生成以下地址模式: 555H或2AAH到地址A0 A10 。
地址位A11 A16 = X =不关心,除了程序地址( PA)和部门的所有地址的命令
地址(SA)。写序列可能与A11 A16在任何状态下启动。
4.对于保护芯片验证操作:如果读出的数据是01H ,这意味着该芯片已被保护。如果读出的数据
为00H ,则意味着该芯片仍然未受到保护。
命令德网络nitions
设备操作都通过写入特定网络 AD-选择
礼服和数据序列到命令寄存器。
书写不正确的地址和数据值或写入
他们在不适当的顺序将设备重置
读取模式。表1定义了有效的寄存器
命令序列。需要注意的是擦除挂起
( B0H ),并删除恢复( 30H )命令是有效的
仅在扇区擦除操作正在进行。
这两条reset命令序列将重设
设备(如适用) 。
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